JPS62228036A - 光学活性化合物 - Google Patents

光学活性化合物

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JPS62228036A
JPS62228036A JP20259286A JP20259286A JPS62228036A JP S62228036 A JPS62228036 A JP S62228036A JP 20259286 A JP20259286 A JP 20259286A JP 20259286 A JP20259286 A JP 20259286A JP S62228036 A JPS62228036 A JP S62228036A
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JP
Japan
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group
liquid crystal
optically active
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active compound
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JP20259286A
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Ken Tahohashi
建 田保橋
Takao Sakurai
櫻井 孝男
Eri Yamamoto
恵理 山本
Koji Takeuchi
光二 竹内
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Ajinomoto Co Inc
Original Assignee
Ajinomoto Co Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な光学活性化合物に関する。
より詳しくは、新規な光学活性β−アルコキシアルコー
ル化合物及び、該光学活性β−アルコキシアルコール化
合物から誘導される新規な液晶物質並びに該液晶物質を
含む新規な液晶組成物に関する。
該光学活性β−アルコキシアルコール化合物は光スイツ
チ素子材料合成の中間体、特に強誘電性液晶化合物の中
間体、即ち液晶化合物の不斉源として、或は抗生物質を
始め、医薬や生理活性物質、ざらに農薬、除草剤等の合
成材わ1、或は中間体としても有用である。
又本明細書に於いて液晶物質とは、それ自体で液晶相を
呈することか検知されなくとも液晶組成物の構成成分と
して有用な物質を意味する。
従来の技術 液晶表示素子の表示方式として、現在広く実用化されて
いるものは、ねじれネマチック型(TN型)および動的
散乱型(DS型)である。これらはネマチック液晶を、
主成分としたネマチック液晶セルによる表示である。従
来のネマチック液晶セルの短所のひとつに、応答速度か
遅く、たかだか数m s e cのオーダーの応答速度
しか得られないという事実があげられる。そして、この
ことがネマチック液晶セルの応用範囲をせばめる一因と
なっている。しかし、最近に至ってスメクチック液晶セ
ルを用いれは、より高速な応答が得られるということか
わかってきた。
光学活性なスメクチック液晶の中ここは、強誘電性を示
すものかあることが、明らかになってきており、その利
用に関して、大きな期待が寄せられつつある。強誘電性
を示す液晶すなわち強誘電性液晶は、1975年R,B
、Meyerらにより合成され、4.−(4−n−デシ
ルオギシJ\ンジリチンアミノ)ケイ皮酸−2−メチル
フチルエステル(以下、DOBAMBCと略記する。)
を代表例とする化合物であり、その、カイラルスメクチ
ックC相(以下、Sm  C*相と略記する。)におい
て、強誘電性を示すことを特徴とするものである(J−
Pbys jque、36.L−69(1975))。
近年、N、A、CIarkら(App+、phys、T
−e t t、、36.89 (1980))によって
、DOBAMBCの薄舅莫セルにおいて、μsecオー
ダーの高速応答性が、見出されたことを契機(こ、強誘
電性液晶はその高速応答性を利用して液晶テ1ノビ等の
ティスプレィ用のみならず、光プリンターノ\ツト、光
フーリエ変換T子、ライトバルブ等のオプトエレクトロ
ニクス関連素子の素材用にも使用可能な材料として注目
を集めている。
発明が解決しようとしている問題点 DOBAMBCは自発分極が小さく、またシッフ塩基で
あるため、その物理的化学的安定性に難がある。そこで
、強誘電性液晶材料として、物理的化学的(こ安定な種
々の化合物が探索されてきた。
そして現在、強誘電性液晶素材の開発は、高速応答性、
配向性、高いコントラスト、メモリー性、しきい値特性
、さらにこれらの諸特性の温度依存性等の実用特性の最
適化にその主力がうつってきている。
しかし、現在知られている強誘電性液晶は単独では、上
記実用特性を発現させるのに十分な程の大きい自発分極
、低い粘性、長いらせんピッチ、適当なチルト角、等の
諸物性を室温域を含む広い温度範囲で示すものはない。
そこで実際には、大きい自発分極を持つあるいは誘起す
る化合物、低粘性の化合物、らせんピッチが互いに逆の
化合物等数種頌の物質を混合して上記諸特性を最適化ず
へく検討が行われている。また、十分に広い温度範囲で
強誘電性を示す液晶組成物を得るために(オ温度範囲の
広い強誘電性液晶またはカイラルでないスメクチックC
液晶を混ぜることが有効である。
従って、強誘電性液晶組成物に用いる液晶素材として、
1.大きい自発分極を持つあるいは誘起する化合物、2
、骨格的に低粘度であると考えられる化合物あるいは骨
格的に低粘度であると考えられる化合物と配合してもそ
の液晶性を損ねない化合物、3.らせんピッチが短く少
量の添加量でらせんピッチをほどくことができる化合物
、4.広い温度範囲で強誘電性を示す液晶化合物、等の
化合物群を多数検討し、物性の最適化を図っていくこと
が必要と考えられる。
ところで、強誘電性液晶を示す液晶化合物を得るための
必須の条件は、化合物中に光学活性基が存在することで
ある。現在までのところ世の中でよく使われている光学
活性源としては、アミルアルコール、2−オクチルアル
コール等がある。]ニ述のアルコール類は容易に入手す
ることかでさるとはいえ、反応性に乏しい単官能アルコ
ールであり、光学活性部位付近の化学的修飾が限られて
おり、前述のような物性の最適化を図るための液晶化合
物の分子設計を困難にしていた。このような光学活性部
位の化学的修飾の代表的な例としては、A、Hal 1
sby (Mo1.Cryst、Liq、Crys t
、、1982.(82)、L61)らあるいはJ、W、
GOODBYら(Mo1.Crys t、、L i q
、Crys t、、1984゜(110)、175−2
03)によるアミルアルコールの増炭反応が挙げられる
のみである。従って比較的容易に入手でき、様々な類縁
体が合成できる、多官能光学活性アルコールが得られれ
は、液晶化合物の分子設計を容易にするはかりではなく
、配合設計をも容易にする。
アルコキシアルコール型の不斉源を有する液晶化合物の
例としては、下記に示されるような化合物(A)が挙げ
られる(S、T、LagerwaIlら 1985  
I n t、 e r n a t i o n a 
1D i S I) l a X7  Co n f 
e r r e n c e予槁集 !−1213) 
 。
C10112+ −0−Ph−COO−Ph−0−Cl
l2−C11(Cll3)OC2+15(A)   * (上式中、−Ph−は、1,4−フェニレン基を示し、
以下この略号を使用する。) 化合物(A)は10°Cから20℃の温度範囲でカイラ
ルスメクチックC相を示し、自発分極は6nC/cイと
小さいが、化合物自身の粘性が低く、化合物(A)を含
む液晶絹性物では応答速度カ月Jimのセル、0−15
V印加で4−01r、 s e cと速い。
上述のように、アルコキシアルコール型の不斉源を有す
る化合物は、強誘電性ン夜晶として優れた性質を持つ。
一方強誘電性液晶化合物の不斉源の側鎖に関してはン欠
のようかことが知られている。
すなわち、1976年P、Kellerらにより発表さ
れた化合物(B) C6It I 3−0− Ph−CI−N −Ph−C
H=CH−C0O−C112−CI−1(CI )C1
h(B)      * は65°Cから83℃までの温度範囲でカイラルスメク
チックC相を示すが、化合物(B)に側鎖を導入した化
合物(C)は C+ 411290− Ph−CI=N−Ph−CH=
CHC00Ct12CH(CI )CH(Me)Et(
C)** 54℃から77°Cまでの温度範囲でカイラルスメクチ
ックC相を示し、化合物(B)よりも高い自発分極を持
つ。(特開昭6O−168781)従って液晶化合物の
不斉部位に側鎖を導入することによりカイラルスメクチ
ックC相の温度範囲をそれほど損なうことなく、温度範
囲を低下せしめ、なおかつ自発分極を高める効果が認め
られる。
従って上述の二つの特性を、兼ね備えた不斉源を分子設
計すれば、温度範囲、および電気特性に優れた液晶化合
物を製造取得せしめることが可能になる。
問題点を解決するだめの手段 本発明者ら(,1′、上述のような問題点を改善するた
めに種々の液晶物質を探索し本発明に到達した。
即ち、本発明の光学活性化合物は式(I)i(OCH2
CH(OR−)R(1) ネ (但し、上式においてR及びR−は炭素数1−18のア
ルキル基を示すものとする。但し、R及びR−はいずれ
か一方または両方に分枝鎖を有するものとする。また、
*は不斉炭素を示す。)で表わされる光学活性化合物及
び該光学活性化合物から誘導される一般式(TI) R1−へ−(X )a−8−(Y )b−C−(Z )
c−D−(CH2)cl−Cll−OR2(III) 
     * (但し、」一式に於いて、旧は直鎖または分岐の炭素数
1〜18のアルキル基、アルコキシアルキル基、または
アラルキル基を、ト:2、R3は、アルキル基を示し、
木は光学活性な炭素原子を示す。たたし、R2、R3の
うちどちらかが分枝な有するアルキル基であるものとす
る。また、a、b、、CはOllまたは2でしかもa+
b十Cが2以上であり、Aは、単結合、−〇−1−CO
O−、−0−COO−、−0−CI+2−または −0
CO−を示し、B、Cは、単結合、−COO−、−0C
(1−、−N=C11−1−CII=N−1−CI+2
−O−1−O−CI+2−または−CIl=CH−を示
し、Dは、単結合、−O−、−COO−CI2−、−0
−COO−、−0−CI2−または一0CO−を示し、
x、y、zは、1,4−フェニレン基、またはベンセン
環に、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、メチル基を1個
またはそれ以上置換した1、4−フェニレン基、または
2,5−ピリミジン基、2,5−ピラジン基、3,6−
ピリダジン基を示す。) で表わされる光学活性化合物、並ひに一般式(TI)で
表される光学活性化合物を含む液晶組成物である。
一般に液晶化合物はベンゼン環などから成る核部分とア
ルキル鎖なとの鎖状部分から成る棒状構造をしている。
その中でもアルキル鎖の炭素数かある程度以上のものは
スメクチック相を取りやすいことが良く知られている。
そして一般に、アルキル鎖の炭素数が若干具なっても同
じ骨格を有する化合物は同じような相系列を示すことも
良く知られている。」二記一般式(n)中、R1が炭素
数6〜14のアルギル基である化合物は、単独であるい
は配合物としてカイラルスメクチックC相を取りやすく
強誘電性液晶材料として特に有用である。また、それ以
外の化合物も、強誘電性液晶用配合材料や、あるいは、
一般に液晶材料などとし・て使用することがてきる。
本発明の一般式(II)で表される光学活性液晶化合物
は、アルコキシ基由来の粘性の低さ、親和性の良さを持
ち、かつ分枝鎖を持つことによる、自発分極の大きざを
兼ね倫え、化合物(A、 )と同等、あるいはそれ以上
の性能を持つ。
すなわち、本発明の液晶化合物は、光学活性部位に存在
する極性基であるアルコキシ基に由来する双極子モーメ
ン)・か、分枝鎖を持つバルキーなアルキル基の存在に
より自由回転しにくくなるという推定理由により、自発
分極の大きな液晶化合物となる。また不斉部位にエーテ
ル結合か存在しているため、他の液晶化合物と混和性が
良く、液晶組成物のすぐれた添加剤となるはかりではな
く、固体表面、例えは液晶セルの配向面などとの親和性
もよく、配向制御が行ないやすいという特徴がある。
さらに、本発明は実施例に示すように、16骨格的に低
粘度であると考えられる化合物と配合してもその液晶性
を損ねない化合物、2.らせんピッチが短く少量の添加
量でらせんピッチをほどくことができ良好な配向が得ら
れる化合物、3.広い温度範囲でSC*相を示す液晶化
合物、等の性質を有する化合物群を提供することを可能
にしたものである。
本発明の化合物と、配合して強誘電性液晶組成物とする
のに適当な化合物としては、例えは次の1、.2..3
.に示すような化合物である。
1、本出願人らが、過去開発した強誘電性液晶である、
特開昭60−674.53、特開昭60−67586、
特開昭60−168780、特開昭60−168781
、特開昭60−218358、特願昭59−18923
2、特願昭60−22920、特願昭60−87034
、特願昭60−117053、特願昭60−14413
6、特願昭60−162654、特願昭6+1−162
656、特願昭60−250335、特願昭60−27
2834、特願昭60−291179に開示されている
化合物。
2、スメクチックC相を有する、例えは次のようか化合
物群。
アルコキシヒフェニルカルボン酸アルキルエステル、ア
ルキルカルホニルオキシビフェニルカルホン酸アルキル
エステル、アルコキシ安息香酸アルコキシフェニルエス
テル、アルコキシ安息香酸アルキルオキシカルボニルフ
ェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルコキシアルコ
キシフェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルコギシ
ビフエニルエステル、アルコキシヒフェニルカルホン酸
アルコキシフェニルエステル、アルキル安息香酸アルコ
キシピフェニルエステル、アルギルヒフェニルカルボン
酸アルコキシフェニルエステル、アルコキシ安息香酸ア
ルキルビフェニルエステル、アルコキシヒフェニルカル
ホン酸アルキルフェニルエステル、アルキルカルボニル
オキシ安息香酸アルコキシビフェニルエステル、アルキ
ルカルボニルオキシビフェニルカルボン酸アルコキシフ
ェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルキルカルボニ
ルオキシビフェニルエステル、アルコキシヒフェニルカ
ルボン酸アルキルカルボニルオギシフェニルエステル、
5−アルキル−c>  (41−アルコキシフェニル)
ピリミジン、5−アルコキシ−2(4+−アルコキシフ
ェニル)ピリミジン、5−アルキル−t>  (4+ 
−アルキルカルボニルオキシフェニル)ピリミジン、5
−アルコキシ基2−(4’ −アルキルカルボニルオキ
シフェニル)ピリミジン、5−アルキル−r>  (+
!]−1−アルキルオキシカルボニルフェニル)ピリミ
ジン、5−アルコキシ−2−(4°−アルキルオキシカ
ルボニルフェニル)ピリミジン、5−アルキル−2−(
4’−アルコキシフェニル)ピラジン、5−アルコキシ
−2−(4’−アルコキシフェニル)ピラジン、5−ア
ルキル−Q  (41−アルキルカルボニルオキシフェ
ニル)ピラジン、5−アルコキシ−2(41−アルキル
カルボニルオキシフェニル)ピラジン、5−アルキル−
r>  (41−アルキルオキシカルボニルフェニル)
ピラジン、5−アルコキシ−Q  (4!−アルキルオ
キシ力ルホニルフェニル)ピラジン、3− (1−アル
キルフェニル)−6−アルコキシピリダジン、3−(4
′−アルコキシフェニル)−6−アルコキシピリダジン
、3−(4’−アルコキシフェニル)−〇−アルキルピ
リダジン、5− (4’ −アルキルフェニル)−2−
(4”−アルコキシフェニル)ピリミジン、5−(,1
1’−アルコキシフェニル〉−2−(4”−アルコキシ
フェニル)ピリミジン、5−(4’−アルキルフェニル
)−2−(4” −アルキルカルボニルオキシフェニル
)ピリミジン、5−(4,’−アルコキシフェニル)2
−(、’V’−アルキルカルボニルオキシフェニル)ピ
リミジン、5− (4’−アルキルフェニル)−2−(
11”−アルキルオキシカルボニルフェニル)ピリミジ
ン、5− (,11’−アルコキシフェニル)−2−(
4”−アルキルオキシカルボニルフェニル)ピリミジン
、5−(4’−アルコキシフェニル)−2−(4”−ア
ルコキシフェニルカルボニルオキシ)ピリミジン、5−
(4”−アルキルフェニル)−2−(4”−アルコキシ
フェニル力ルホニルオキシ)ピリミジン、5−(4’ 
−アルコキシフェニル’)−2−(4”−アルキルフェ
ニルカルホニルオキシ)ピリミジン、5−(4“−アル
キルフェニル)−2−(4”−アルキルフェニルカルホ
ニルオキシ)ピリミジン、5−(4,’−アルキルフェ
ニル)−2−(4”−アルコキシフェニル)’1+2+
4トリアジン、5− (4’ −アルコキシフェニル)
−2−(4”−アルコキシフェニル)−L2,4−1−
リアジン、5−(4’ −アルキルフェニル) −2−
(4”−アルキルカルボニルオキシフェニル)  L2
+4’l・リアジン、5−(4’−アルコキシフェニル
)−2−(4″゛−アルキルカルボニルオキシフェニル
)  L2+4−トリアジン、5−(4’ −アルキル
フェニル)−2−(4”−アルキルオキシカルボニルフ
ェニル)−1,2,4−トリアジン、5−(4’ −ア
ルコキシフェニル)  2  (4I+−アルキルオキ
シカルボニルフェニル)  1121 ’s  l・リ
アジン等 3.2に挙げた化合物群のアルキル基、アルコキシ基、
アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニ
ル基、の部分に不斉炭素を導入することにより、カイラ
ルスメクチックC相を示す強誘電性液晶とした化合物群
本発明の化合物である(1)式で表わされる化合物は、
例えば次のような光学活性アルコール、光学活性カルボ
ン酸から容易に誘導される。
リナロール、ネロリト−ル、カルベオール、コレステロ
ール、2−アルコキシ−2−フェニルエタノール、2−
フェニル−3−フ′ルニlキシ−】−プロパツール、3
−フェニル−2−アルコキシ−1−プロパツール、1−
フェニル−2−アルコキシ−1−プロパツール、3−ア
ルコキシ−2−メチル−1−プロパツール、2−アルコ
キシ−1−ブタノール、3−アルコキシ−1−ブタノー
ル、2−アルコキシ−3−メチル−1−フタノール、2
−アルコキシ−3,3−ジメチル−1−フタノール、2
−アルコキシ−1−ペンタノール、3−アルコキシ−1
−ペンタノール、4−アルコキシ−1−ペンタノール、
2−アルコキシ−3−メチル−1−ペンタノール、2−
アルコキシ−4−メチル−1−ペンタノール、2−アル
コキシ−3−モノアルコキシメチル−4−メチル−1−
ペンタノール、2−アルコキシ−1−ヘキサノール、3
−アルコキシ−]−J\キサノール、4−アルコキシ−
1−ヘキサノール、5−アルコキシ−1−ヘキサノール
、2−アルコキシ−1−ヘプタツール、2−アルコキシ
−2−フェニルエタン酸、3−アルコキシ−2−メチル
プロパン酸、2−フェニル−3−アルコキシプロパン酸
、3−フェニル−2−メチルプロパン酸、2−フェニル
−3−アルコキシプロパン酸、2−アルコキシブタン酸
、3−アルコキシブタン酸、2−アルコキシ−3−メチ
ルブタン酸、2−アルコキシ−3,3−ジメチルフタン
酸、2−アルコキシペンタン酸、3−アルコキシペンタ
ン酸、4−アルコキシペンタン酸、2.4−ジアルコキ
シペンクン酸、2−アルコキシ−3−メチルペンタン酸
、2−アルコキシ−4−メチルペンタン酸、2−アルコ
キシ−3−モノアルコキシメチル−4−メチルペンタン
酸、2−アルコキシヘキサン酸、3−アルコキシヘキサ
ン酸、4−アルコキシヘキサン酸、5−アルコキシヘキ
サン酸、2−アルコキシオクタン酸、2−アルコキシオ
クタン酸、等。
上記の光学活性アルコール、光学活性カルボン酸のうち
あるものは、原料としては天然に存在するか、酵素、微
生物、或は不斉化触媒等を用いるか、光学分割により得
られる、汝のような光学活性アミノ酸及び光学活性オキ
シ酸がら誘導できる。
アラニン、バリン、ロイシン、イソ【ロイシン、フェニ
ルアラニン、セリン、スレオニン、アロスレオニン、ホ
モセリン、アロイソロイシン、1ert−ロイシン、γ
−メチルロイシン、2−アミノ酪酸、ノルバリン、ノル
ロイシン、オルニチン、リジン、ヒドロキシリジン、フ
ェニルクリシン、トリフルオロアラニン、アスパラキン
酸、クルタミン酸、乳酸、マンデル酸、トロバ酸、3−
ヒドロキシ酪酸、パントテン酸、リンゴ酸、酒石酸、イ
ソプロピルリンゴ酸等。
上記光学活性アミノ酸はV a、 n  S I 57
1< 6反応を経て、光学活性オキシ酸に変換にして用
いる。
以上のようにして、製造取得した光学活性オキシ酸をエ
ステル化したのち、無水THF中水素化すトリウムを作
用せしめ、続いてハロゲン化アルキルを加えることによ
り、アルコキシカルボン酸エステルを得る。該アルコキ
シカルボン酸エステルを、 オキシ酸をエステル化する場合に用いら11ろアルコー
ルは特に限定されずメタノール、エタノール等脂肪族ア
ルコールや、フェノール、ヒフエノール誘導体など芳香
族アルコールなと挙げられる。
さらにアルコキシ化に用いられるアルギルハライドは特
に限定されないが、よう化メチル、よう化エチル、よう
化イソプロピルなどが挙げられる。
また、一般式(Hの化合物から誘導される本発明の化合
物である(III)式で表わされる化合物は、次のよう
に合成される。
一般式(II)で表わされる化合物のあるものは、次の
一般式(あ)で表わされるようなアルキル鎖を有する安
息香酸クロライド誘導体と、次の一般式(い)で表わせ
られる各種アルコキシアルコールまたは光学活性部位に
アルコキシ基を有する各種フェノール誘導体とを、ピリ
ジンのような塩基性溶媒中で反応させれは良い。
R1−A−(X)a−B−(Y)l]−COCI   
 (あ))to−(Z )c−0−(CH′!>d−C
I(OR3)−R2(い)矛 また、ある化a物は、次の一般式(う)で衷ンツされる
アルキル鎖を有するフェノール誘導体を、一般式(え)
で表わされる各種アルコキシカルボン酸または光学活性
部位にアルコキシ基を有する各種安息香酸クロライド誘
導体と、ピリジンのようか塩基性溶媒中で反応させれば
良い。
R1−A−(X)a−B−(Y)tr01+     
  (う)CICO−(Z)c−0−(Cl12)d−
C1l(OR3)−R2(え)才 また、ある化合物は、次の一般式(お)で表わされるア
ルキル鎖な有するフェノール誘導体を、一般式(か)で
表わされる各種アルコキシアルコールのトシレート カリ条件下で反応させれば良い。
R1−A−(X)a−B−(Y)b−C−(Z)c−O
R  (お)TsO−(Cl12)d−CI(OR3)
−R2        (か)一般式(あ)〜(か)の
化合物は以下の実施例に示すような方法で簡単に得られ
る。
発明の効果 本発明の化合物は強誘電性液晶性を示す。また、本発明
の化合物のうち単独では強誘電性液晶とはならない物質
も、強誘電性液晶配合物の構成原料として役立てること
ができる。
例えば本発明の該アルコール化合物を使った液晶化合物
のうち、4−オクチルカルボニルオキシ−4−− ( 
(S)−2−メトキシ−(S)−3−メチル−ペンチル
オキシカルボニル)ヒフェニルは6−17℃でカイラル
スメクチックC相を示しソーヤ−タワー法による測定に
よれは17nC/CTr12の自発分極を示した。また
上記化合物と4−オクチロキシ−4.−−((S)−1
−クロロ−2−メチル−ブチルカルボニルオキシ)ヒフ
ェニルとの1対1の混合物では1−27℃の範囲でカイ
ラルスメクチックC相を示し、自発分極は8 3nC/
cη12てあった。
本発明の化合物の自発分極(、t」−記のように比較的
大きく、低粘度と考えられているフェニルピリミジン系
のS c vr2晶と配合することにより、より高速応
答する液晶素材を得ることができる。例えば、実施例t
こ示されている配合物はもの応答速度を示す。
また、本発明の化合物の中には実施例に示すように、固
有らせんピッチが0.2)i.mと非常に短い物もあり
、逆向きのらせんピッチを有する化合物に少量添加する
だけで、らせんピッチの長い強誘電性液晶組成物を得る
ことができる。
例えば実施例に示すように、天然型アミノ酸から誘導し
た本発明の化合物は左向きのらせんピッチを有している
ので、本出願人らが過去開発したらせんピッチの向きか
右向きで非常に大ぎな自発分極を有する強誘電性液晶で
ある、特開昭60−2 1 8358、特願昭59−1
 89232、特願昭60−22920、特願昭60−
87034、特願昭60−117053、特願昭6 C
I − 1 4 4136、特願昭60−162654
、1豹クロ昭6(11 62656、特願昭60−25
0335、特願昭60−272834、特願昭60−2
91179に開示されている化合物群と配合することに
より、良好な配向が得られるらせんピッチの伸びた強誘
電性液晶組成物を得ることかできる。
本発明の化合物は、光学活性な化合物なので、ホワイト
ティラー型カラー表示用、コレステリックネマチック相
転移型表示用、TN型セルにおけるリバースlζメイン
発生防止用等の目的でネマチック液晶に添加して用いる
ことも可能である。
また本発明の化合物はスメクチック液晶となるので、熱
書込レーザー書込等の記憶型表示素子用に用いることも
可能である。
以下に実施例を示すが、この実施例により本発明が限定
されるわけではない。
実施例 以下実施例により、本発明の化合物につき更に詳細に説
明するが、本発明は、これらの実施例により、限定され
るもので(才ない。
1))、下、c,SX,S*、Sc*、Slt,N*、
N、I相はそれぞれ、結晶、はっきりと同定できないス
メクチック相、はっきりと同定できないカイラルスメク
チック相、カイラルスメクチックC相、スメクチックA
相、カイラルネマチック相、ネマチック相、等方相を示
す。本発明の化合物の精製は、シリカゲルクロマトクラ
フィー及びアルコールまたはヘギサンによる再結晶によ
って行った。以下に示ず相転移点の測定値は、物質の純
度tこより若干の影響を受Cすることもありうる。
実施例1    (S)−2−メトキシ−3−メチルブ
タノールおよび(S)−2−メトキシ−(S)−3−メ
チルペンタノールの合成 (1)(S) −2−メトキシ−3−メチルブタン酸エ
チルエステルの合成 アルゴン置換した5 0 m Lフラスコに5 m L
無水THF、及び1.27g (S) −2−ヒドロキ
シ−3−メチルブタン酸エチルエステル(55%含市・
26.4.rnmo I )を加え、磁気式撹はん子に
より攪はんする。反応容器を0°Cに冷却しなから等圧
部下ろうどにより、L−バリンから公知の方法で得られ
る3、 0 g (21、2mmo I )(S)−2
−ヒI−ロキシー3−メチルブタン酸エチルエステルお
よび5 rn L T HFを注意深く約10分にわた
り滴下する。室温まで戻し、約15分間撹はんし、再ひ
0℃に冷却、3.3mLよう化メチルおよび5mLTH
Fを約15分間で滴下する。室温で約1時間攪はんした
後、20mLの水で加水分解する。水層を20 m L
のエーテルで3回抽出した後、エーテル層をチオ硫酸す
)・リウム水、続いて飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥、エーテルを留去する。減圧蒸留(95−
97°C/90mmHg)することにより、1゜19g
 (7,4mmo I)(S)−2−メトキシ−3−メ
チルブタン酸エチルエステルを得る。
元素分析値 (Colle603として)CHO% 理論値 59.98 10.Cノア  29.96実測
値 59.63 10.00 30.37IHN1k1
R(100川(2) 0.67pp+n  d  5.611z  6tl 
 (CLa)2CII−1,00pp+n t 6.0
Hz 311 −COOC)12cjl11.84pp
m m     Ill −CflCII(OMe)−
CO−3、O5ppm s     311−CtlC
l((OMe)−CO−3、]5ppm d 4.4+
−+2 Ill −CHCH(OMe)−CO−3,9
2ppm q 6.0Hz 2H−COOCjj2CI
I3同様にしてL−イソロイシンから公知の方法で得ら
れる(S)−2−ヒドロキシ−(S)−3−メチルペン
タン酸メチルエステルから(S) −2−メトキシ−(
S)−3−メチルペンタン酸メチルエステル(bp、9
0−9]°C/ 50 rnm Hg )を得る。
元素分析値 (Cell+eOaとして)CHO% 理論値 59.98 10.07 29.96実測値 
59.80 10.11 30.09(2)(S)−2
−メトキシ−3−メチルフタノールおよび(S)−2−
メトキシ−(S)−3−メチルペンタノールの合成 シムa−1、等圧部下ろうと、及び磁気式撹はん子を備
えた100ml−ふたつロフラスコをアルコン置換しな
がら、40 m I−無水エーテル、0゜5 g’ ;
’1(¥i化クリチウムアルミニウム加える。室温下、
攪はんしながら4.0g (25mmo I)(S)−
2−メトキシ−3−メチルブタン酸エチルエステル、及
び30 m Lエーテルを、注意深く約20分にわたり
滴下する。約1時間室温で攪はんした後、50 m L
の水で加水分解し、希塩酸で水層な中和し、エーテル抽
出する。飽和食塩水でエーテル層を洗浄し、乾燥、エー
テルを留去する。
減圧蒸留により(70−71°(:/QOmmHg)2
.5g (S)−2−メトキシ−3−メチルブタノール
を得る。
元素分析値 (Cel114Q2として)CHO% 理論値 60.9B  11.94. 27.08実測
値 60.7G  12.nl  27.22” HN
 M R(+00M1+2) 0.99ppm rl 4.8)1z 3H(Ch)2
CH−1,O3ppm d 4.81(z 3N (C
h)2CII−]、88ppm m    IN −C
HC収OMe)−CH2−2,60ppm br   
  III −Ct120112.92ppm m  
   IH−CHCH(OMe)−CH2−3,38p
pm s     311−CHCH(OMe)−Cl
12−3.59t)pm m     2tl −CH
C)I(OMe)−Cl−同様にして(S)−2−メト
キシ−(S) −3−メチルペンタノール(bp、91
−92°C/20mmHg)を得る。
元素分析値 (C?)lI[102として)CHO% 理論値 63.59 12.20 24−.21実測値
 63.49 12.26 27.25実施例24−オ
クチルカルボニルオキシ−1−−((S)−2−メトキ
シ−3−メチル−ブチルオキシカルボニル)ビフェニル
の合成 100mLフラスコに0.7 g (5−92rr+ 
+r+of)(S)2−メトキシ−3−メチルブタン−
ル、30 m l−トルエン、及び10 m l−、ピ
リジンを加え、2.1 g (5,92mmo I)4
−−オクチルカルボニルオキシビフェニル−4−カルボ
ン酸から公知の方法によって得られる、同機クロライド
及びトルエン50mLを加え、−晩装置する。反応が終
了したのち、反応溶液を氷水の中に注ぎ、希塩酸で中和
し、エーテル抽出、洗浄、乾燥し、エーテルを留去する
。反応残さをカラムクロマトグラフィーにより分離、(
シリカゲル;展開溶媒 エーテル、クロロホルム、四塩
化炭素=2ニア:6)1.75g、4−オクチルカルボ
ニルオキシ−4−−((S)−2−メトキシ−3−メチ
ルブチルオキシカルボニル)ビフェニルを得る。
同様にして4−オクチル力ルホニルオキシー4−−((
S)−2−メトキシ−(S)−3−メチルペンチルオキ
シカルボニル)ビフェニルを得る。
転移温度を以下に示す。
4−オクチルカルボニルオキシ−4−−((S)−2−
メトキシ−(S)−3−メチルペンチルオキシカルボニ
ル)ビフェニル (0内は降温時の相転移点を示す。) C−S*相転移点 (0−2℃) S*−9c*相転移点 (6℃) Sc*−5^相転移点 (18℃) Sn−I相転移点 (37℃) 融点 37℃ またソーヤ−タワー法による自発分極の大きさは17n
C/ct/であった。
4−オクチルカルボニルオキシ−4−−((S)−2−
メトキシ−3−メチルブチルオキシカルボニル)ビフェ
ニル (0内は降温時の相転移点を示す。) C−3c*相転移点 (7℃) Sc*−SA相転移点 (17℃) Sn−I相転移点 (3B−42℃) 融点 37°C またソーヤ−タワー法による自発分極の大きさは15n
C/cイであった。
このように、該化合物群は比較的自発分極が大きく、室
温で強誘電性液晶となる有用な化合物群であった。
実施例3 (2”S、3”5)−4−(4’ −(2”−メトキシ
−3”−メチルペンチルオキシ)フェニル)フェニル 
デカン酸エステル(D)の合成と評価(91(2+ −
COO−Ph−Ph−0−C)12−CM ((1Me
) −C1((Me) −C2H5*   * (D) 実施例1で合成した(2S、3S)−2−メトキシ−3
−メチルペンタノールを常法どうり、ピリシン溶媒でト
シルクロライド により、(2S,3S) −1−1−シル−2−メトキ
シ−3−メチルペンチル(E)を得た。(E)とp+ 
I”−ビフェノールを原料として用いてアルカリ条件下
Wi l I i amson合成しシリカゲルカラム
で精製することにより、(2” S,3”S)−4−(
4’ − (2”−メトキシ−3″−メチルペンチルオ
キシ)フェニル)フェノール(F)を得た。(F)とデ
カン酸クロライI・とをピリジン溶媒で、常法之こより
縮合することにより、(2゛S,3′”S)−4− (
4’ − (2”−メトキシ−3”−メチルペンチルオ
キシ)フェニル)フェニル デカン酸エステル(D)を
得る。
該化合物の相転移点は以下に示すとうりであった。
((〉内は降温時の相転移点を示す。)C−SX相転移
点 (13°C) SX−Sc*相転移点 (22℃) Sc*−S開目転移点 29℃ Sg−1相転移点 31°C 融点 27°に の化合物の自発分極をソーヤ−タワー法により測定した
ところ2 0 nC/ciてあり、やはり比較的大きな
値であった。
実施例4 (2”S,3”S)−4− (4’ − (2”−メト
キシ−3“−メチルペンチルオキシ)フェニル)フェニ
ル p−n−オクチルオキシ安息香酸エステル(G)の
合成と評価 CB旧?−0−Ph−C00−Ph−Ph−OCI−1
2C)1(OMe)−C)l(計1e)−C2115引
、   才 (G) テカン酸クロライドの代わりに、オクチルオキシ安息香
酸クロライドを用い実施例3と同様の方法で合成した。
該化合物の相転移点は以下ζこ示すとうりであった。
(0内は降温時の相転移点を示す。) C−Sc*相転移点 77°C(76°C) Sc*−N*相転移点 102°C (1 02℃) N*−1相転移点 127℃(127℃) この化合物の自発分極をソーヤ−タワー法により測定し
たところ1 6 nC/cJであった。
このように、該化合物は、比較的大きな自発分極と広い
強誘電性液晶温度範囲をかねそなえた、強誘電性液晶配
合物素材として有用な化合物であると考えられる。
また、該化合物の固有らせんピッチは、左向き0、39
μmであり、本出願人らが過去開発したらせんピッチの
向きが右向きて非常に大きな自発分極を有する強誘電性
液晶である、特開昭60=21 8358、特願昭59
−189232、特願昭60−22920、特願昭60
−87034、特願昭6(1−117053、特願昭6
 0 − 1 4. −1136、特願昭60−162
654、特願昭60−162656、特願昭60−25
0335、特願昭60−272834、特願昭60−2
91 179に開示されている化合物群と配合すること
により、良好な配向が得られるらせんピッチの伸びた強
誘電性液晶組成物を得ることができる。
例えば、本出願人らが過去開発した、非常に大きな自発
分極を有する強誘電性液晶化合物を配合した、次の組成
の強誘電性液晶配合物(I])の固有らせんピッチは、
右向き0.79μmであった。
配合物()() (I S,2S)−4”−(4′−オクチルオキシフェ
ニル)フェニル 1−クロロ−2−メチルペンタン酸エ
ステル 1 6.2wt%、(Is,2S)−4”−(
4’ −ノニルオキシカルボニルオキシフェニル)フェ
ニル 1−クロロ−2−メチルペンタン酸エステル 1
7.8w七%、(IS。
2S)−4”−(4゛−ノニルカルボニルオキシフェニ
ル)フェニル 1−クロロ−2−メチルペンタン酸エス
テル 16.2wt%、(IS)−4”−(4’−ノニ
ルカルボニルオキシフェニル)フェニル 1−クロロ−
2−メチルブタン酸エステル 16.2w+、%、(2
S、3S)−4’ ”−オクチルオキシフェニル 4″
’ −(4’ −(2−クロロ−3−メチルペンチルオ
キシ)フェニル)安息香酸エステル 33.6wt% 上記強誘電性液晶配合物(H)は、室温を含む広い温度
範囲でエナンチオトロピックに強い強誘電性を示す配合
物であったが、ネマチック相における固有らせんピッチ
がほとけていないため必ずしも良い配向が得られる配合
物ではなかった。
そこで、このらせんピッチ右向きの配合物(I])57
.5wt、%に、らせんピッチ左向き0.39Jimの
本実施例の化合物(D ) 20 、5 w t、%、
固有らせんピッチ左向き1.11pmの既知物質4’−
(2”−メチルブチルオキシ)フェニル−4−オクチル
オキシ安息香酸 22.5wt%を配合することにより
、以下の相転移点を示す配合物を得た。
Sc*−3A相転移点 63℃ 5A−N*相転移点 71℃ N*−1相転移点 81℃ 該配合物は、室温で83 nC1cmの非常に強い自発
分極を示すという性質と、72°Cにおいてカイラルネ
マチック相のらせんピッチが無限大に発散するため、徐
冷するたけてSC*相において、非常に良好な配向の得
られるという性質を兼ね備えた配合物であった。
このように、本発明の化合物群は、らせんピッチをほど
いた非常に良好な配向をする室温強誘電性液晶配合物を
調整するのに有用な化合物群であった。
実施例5 (2’ 5.3°5)−4−(2’−メトキシ−3′−
メチルペントキシ)フェニル p−オクチルオキシ安息
香酸エステル(J)の合成と評価C811]7−0−P
h−Coo−Ph−7−0−Ph−Coo−Ph−O−
CH2CH(Ot (J) 実施例4において、ビフェノールのかわりに、ヒドロキ
ノンを用いることにより、(t) T S、 31S)
−4−(2’−メトキシ−3′−メチルペントキシ)フ
ェニル p−オクチルオキシ安息香酸エステル(J)を
得た。該化合物の相転移点は以下に示すとうりであった
(0内は降温時の相転移点を示す。) C−3A相転移点 (30°C) SA−T相転移点 (32°C) 融点 39°C 該化合物は単品では強誘電性液晶化合物ではないにもか
かわらず、固有らせんピッチは左向き0゜2μmと非常
tこ短いため、少量添加で右向きの強誘電性液晶組成物
の固有らせんピッチをほとくことかてきる有用な化合物
てあった。
該化合物と、右向きの強誘電性液晶組成物でらせんピッ
チをほどき、さらにカイラルでないSc化合物を加えた
次の組成の配合物(K)は、59°Cにおいてカイラル
ネマチック相のらせんピッチが無限大に発散し非常に良
好な良好な配向をする配合物であった。
配合物(■() (J)13.6wt%、(Is、2S) −41−(4
′−オクチルオキシフェニル)フェニル1−クロロ−2
−メチルペンタン酸エステル 5゜0wt%、(Is、
2S)−4”−(4′−ノニルオキシカルボニルオキシ
フェニル)フェニル1−クロロ−2−メチルベンダン酸
エステル 5゜0wt%、(] S、2S)−4”−(
4′−ノニルカルボニルオキシフェニル)フェニル 1
−クロロ−2−メチルペンタン酸エステル 5.0wt
%、(Is)−4”−(4′−ノニルカルボニルオキシ
フェニル)フェニル 1−クロロ−2−メチルブタン酸
エステル 5.0wt%、(IS。
2S)−4” −(4’ −(1−りaa−2−gチル
ペンチルカルボニルオキシ)フェニル)フェニル 4′
″−オクチルカルボニルオキシ−3′”−クロロ安息香
酸エステル 18.8wt%4′−1\ブトキシフェニ
ル−4−オクチルオキシ安息香酸 11.9wt%、4
′−ノニルオキシフェニル−4−オクチルオキシ安息香
酸 11゜9wt%、2−(4’−オクチルオキシ)フ
ェニル−5−オクチルピリミジン 11.9wt%、r
)  (41−デシルオキシ)フェニル−5−オクチル
ピリミジン 11.9wt% 該配合物は、室温で40 nC/ciの自発分極を示し
、その相転移点は以下に示すとうりであった。
Sc*−5A相転移点 53℃ 5A−N*相転移点 58C N*−1相転移点 67℃ 厚さ2.5μrnのポリエチレンテレフタレートフィル
ムをスペーサーとし、ポリイミドをスビンコートシてラ
ビングしたネサカラスで構成したセルにこの配合物を封
入し、等方相から0.2°C/m i nの速度で徐冷
することにより、容易に良好な配向のセルが得られた。
このセルに、4. OV p−pの矩形波を印加して偏
光顕微鏡下で電気光学効果を観察した。非常にはっきり
したコントラストできることが証明された。また、この
セルの応答速度を光半導体を用いて測定したところ、透
過光量か10%から90%まで変化するまでの応答速度
は、29℃において30μsecと非常に高速であった
このように、本発明の化合物は単品で強誘電性液晶とな
らない化合物であっても、らせんピッチの逆の他の強誘
電性情晶化合物またはスメクチックC相を示す化合物と
ンd合して、高速で応答し、かつらせんピッチをほとい
た非常に良好な配向をする室温強誘電性液晶配合物を調
整するのに有用な化合物群であった。
実施例6 実施例1〜5と同様に合成した本発明の化合物の例を表
1にまとめて記す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)一般式( I )で表わされる光学活性化合物▲数
    式、化学式、表等があります▼( I ) (但し、上式においてR及びR′は炭素数1−18のア
    ルキル基を示すものとする。但し、R及びR′はいずれ
    か一方または両方に分枝鎖を有するものとする。また、
    *は不斉炭素を示す。)(2)特許請求の範囲第1項に
    おいてRが R=−(CH_2)_m−CH(CH_3)−(CH_
    2)_n−CH_3(但し、m=0、1、n=0、1と
    する。)であり、R′が炭素数が1から5までのアルキ
    ル基である、特許請求範囲第1項記載の光学活性化合物 (3) 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (但し、上式に於いて、R^1は直鎖または分岐の炭素
    数1〜18のアルキル基、アルコキシアルキル基、また
    はアラルキル基を、R^2、R^3は、アルキル基を示
    し、*は光学活性な炭素原子を示す。ただし、R^2、
    R^3のうちどちらかが分枝を有するアルキル基である
    ものとする。また、a、b、cは0、1または2でしか
    もa+b+cが2以上であり、Aは、単結合、−O−、
    −COO−、−O−COO−、−O−CH2−または−
    OCO−を示し、B、Cは、単結合、−COO−、−O
    CO−、−N=CH−、−CH=N−、−CH2−O−
    、−O−CH2−または−CH=CH−を示し、Dは、
    単結合、−O−、−COO−CH2−、−O−COO−
    、−O−CH2−または−OCO−を示し、X、Y、Z
    は、1,4−フェニレン基、またはベンゼン環に、ハロ
    ゲン、シアノ基、ニトロ基、メチル基を1個またはそれ
    以上置換した1,4−フェニレン基、または2,5−ピ
    リミジン基、2,5−ピラジン基、3,6−ピリダジン
    基を示す。) で表わされる光学活性化合物。 (4)特許請求の範囲(3)項一般式(II)においてR
    ^3が、下記一般式(III) −CH(CH3)2(III) で表わされる特許請求の範囲(3)項記載の光学活性化
    合物。 (5)特許請求の範囲(3)項一般式(II)においてR
    3が、下記一般式(IV) −CH2−CH(CH3)2(IV) で表わされる特許請求の範囲(3)項記載の光学活性化
    合物。 (6)特許請求の範囲(3)項一般式(II)においてR
    3が、下記一般式(V) ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (*は光学活性な炭素原子を示す。)で表わされる特許
    請求の範囲(3)項記載の光学活性化合物。 (7)特許請求の範囲(3)項一般式(II)においてR
    3が、下記一般式(VI) −CnH2n+1(VI) (nは1〜10の自然数を示す。)で表わされる特許請
    求の範囲(3)項記載の光学活性化合物。 (8) 特許請求の範囲(3)項一般式(II)で表わされる光学
    活性化合物を少なくとも一種と、カイラルでないスメク
    チックC液晶を少なくとも一種含有することを特徴とす
    る液晶組成物。 (9) 特許請求の範囲(3)項一般式(II)で表わされる光学
    活性化合物を少なくとも一種と、次式(VII)で表され
    るカイラルでないスメクチックC液晶を少なくとも一種
    含有することを特徴とする液晶組成物。 R−Ph−COO−Ph−R′(VII) (R、R′はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ
    基またはアルコキシカルボニル基を、Phは1,4−フ
    ェニレン基を示す。) (10) 特許請求の範囲(3)項一般式(II)で表わされる光学
    活性化合物を少なくとも一種と、次式(VIII)で表され
    るカイラルでないスメクチチックC液晶を少なくとも一
    種含有することを特徴とする液晶組成物。 R−Ph−Ph−R′(VIII) (R、R′はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ
    基またはアルコキシカルボニル基を、Phは1,4−フ
    ェニレン基を示す。) (11) 特許請求の範囲(3)項一般式(II)で表わされる光学
    活性化合物を少なくとも一種と、次式(IX)で表される
    カイラルでないスメクチックC液晶を少なくとも一種含
    有することを特徴とする液晶組成物。 R−Ph−Py−R(IX) (R、R′はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ
    基またはアルコキシカルボニル基を、Phは1,4−フ
    ェニレン基を、Pyは2,5−ピリミジル基を示す。) (12)特許請求の範囲(9)、(10)、(11)に
    示される液晶組成物のうち、らせんピッチが2マイクロ
    メーター以上の液晶組成物
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