JPH04124183A - 光学活性パントラクトン誘導体 - Google Patents

光学活性パントラクトン誘導体

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JPH04124183A
JPH04124183A JP2245838A JP24583890A JPH04124183A JP H04124183 A JPH04124183 A JP H04124183A JP 2245838 A JP2245838 A JP 2245838A JP 24583890 A JP24583890 A JP 24583890A JP H04124183 A JPH04124183 A JP H04124183A
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JP
Japan
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mathematical
optically active
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JP2245838A
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English (en)
Inventor
Shigeo Kamimura
神村 茂雄
Keiichi Sakashita
啓一 坂下
Tetsuya Ikemoto
哲哉 池本
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Mitsubishi Rayon Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Rayon Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の利用分野] 本発明は新規な液晶性化合物に関する。
[従来の技術] 現在、表示材料として広く用いられている液晶はネマチ
ック相に属するものであり、受光型のため目が疲れない
、消費電力が極めて少ない等の特徴を有しているものの
、応答が遅い、見る角度によっては表示が見えなくなる
等の欠点を有している。
目が疲れない、消費電力が極めて少ないといったネマチ
ック型液晶の特徴を有し、さらに発光型表示素子に匹敵
する高速応答性、高コントラストを有するものとして強
誘電性液晶を用いる表示デバイスやプリンターヘッドが
検討されている。
強誘導電性液晶は1975年にマイヤー(R,B、 M
eyer)等によってその存在が初めて発表されたもの
で(J。
Physique 36.L−69(1975)) 、
キシルスメクチックC相(以下Sm″C相と略記する)
を有するものであり、その代表例は下記式に示すp−デ
シロキシベンジリデン−po−アミノ−2−メチルブチ
ルシンナメート(以下DOBAMBCと略記する)であ
る。
[発明が解決しlうとする課題] しかし上記DOBAMBCやその後に提案されたいくつ
かの強誘電性液晶材料の多くは強誘電性を示す温度範囲
(S+n”C相が存在する温度範囲)が狭く、単独では
実用上使用し難いものである。従って一般には多種の強
誘電性液晶を混合し、Sm″C相を示す温度範囲を室温
を中心に低温側及び高温側に拡張する試みがなされてい
る。又、超高速応答が要求されるプリンターヘッド用と
しては、従来開発されてきた強誘電性液晶よりさらに大
きな自発分極を有する強誘電性液晶が求められている。
又、DOBAMBCのようなシッフ塩基を有する化合物
は光安定性に劣り、かつ、着色し易いという問題を有し
ていた。
本発明の目的は化学的に安定で着色がなく、光安定性に
も優れ、大きな応答速度を示す強誘電性液晶又はその配
合成分として有用な光学活性化合物を提供することにあ
る。
E問題点を解決するための手段] 即ち、本発明の要旨は、一般式(1)で示される光学活
性パントチクトン誘導体にある。
[式中、Rは炭素数1〜18の直鎖アルキル基、炭素数
2〜18の光学活性モノハロゲン化アルキル基、直鎖部
分の炭素数3〜18のメチル分岐アルキル基又は直鎖部
分の炭素と酸素又は硫黄原子の合計が4〜18であるメ
チル分岐アルキルエーテル基又はメチル分岐アルキルチ
オエーテル基を示し、Xは示し、Zは−CO−1−〇−
又は−CH,0−A1、A2は各々独立に を示し、 (但し、B、B’は各々独立に水素原子、ハロゲン原子
又はシアノ基を示す)を示し、mはO又は1であり、*
はそれが付与された炭素が不斉炭素であることを示す。
] 本発明の光学活性パントラクトン誘導体において一般式
(1)のRが直鎖のアルキル基である場合は、アルキル
基の炭素数は1〜18であるが、他の液晶との相溶性の
点から炭素数が4〜14であることが好ましく、このよ
うな直鎖のアルキル基としては例えばローブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−
ノニル基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−テトラ
デシル基等を例示でき、Rが光学活性メチル分岐アルキ
ル基の場合はアルキル基の直鎖部分のの炭素数は3〜1
8であるが他の液晶との相溶性の点から炭素数が4〜1
4であることが好ましく、このような光学活性メチル分
岐アルキル基として (aはO〜11の整数、bは1〜12の整数を示し、1
≦a+b≦12″′C−ある。) のようなメチル分岐アルキル基を例示できる。
Rが光学活性モノハロゲン化アルキル基の場合はアルキ
ル基の炭素数は2〜18であるが他の液晶との相溶性の
点から炭素数が4〜14であることが好ましく、このよ
うな光学活性モノハロゲン化アルキル基として −(CH2)、 68(CH2LCH3(ここでWは弗
素、塩素又は臭素を示し、k及びiは各々0〜12の整
数で、2≦に+i≦12である。)を好ましいものとし
て例示できる。
Rが光学活性メチル分岐アルキルエーテル又は光学活性
メチル分岐アルキルチオエーテルの場合は直鎖部分の炭
素と酸素又は硫黄原子の合計が4〜18であるが、 CH3 −(CH−)、”CH(CHz)−B(CH2)rCH
−(ここでBは一〇−又は−S−であり12.9.1は
いずれも0〜12の整数であり、1≦p十q+r≦15
である)で示されるものが好ましく、他の液晶との相溶
性を考慮すると上述のp+q+rは1≦p+q+r≦1
1であるものが好ましい。
以下に、本発明の光学活性パントラクトン誘導体の製造
法について説明する。
一般式(1)で示されるパントラクトン誘導体は下記の
ルートで合成できる。
なお、 下記のルートはA 、 A 2 が先に示したい ずれの構造のものであっても適用できる。
a)m=○でXとZが共に−co−の場合b) m = OテX=−Co−12=−0−の場合コ C) m=oでX=−CO−1 Z=−CH,O− の場合: d) m=oでX=−O−1 ○ Z=−CO− の場合: e) m=oでXとYが共に の場合: f) M=0でX=−O−。
z=−CHzO−の場合: h) m=oでX=−OC−12=−0− の場合: LiOHII −一峙 ROC−A、−OH B  m=oでx=−oc−1Z=−CH,O−の場合
: k) m=oでXが単結合、2=−〇−の場合−1)m=oで
Xが単結合、Z=−CH,O−の場合211    B
、H。
R−A、−COH− R−Am−CH,0H CBrn、PPhz R−At−CH2Br −CH20−の場合: RCOC℃の代わりにR−X−A、−COCρを用いる
以外はa)、b)又はC)と同様にすることによ−CH
20−の場合: ROHの代わりにR−X−A、−OHを用いる以外はg
)、h)又はi)と同様にすることにより得ることかで
きる。
o ) m = l テY=  CH2O−1Z=−C
O−1−〇−又ハーCH20−の場合よ a) b) 又はC) の反応の途中で得られる中 を用いて下記のルートで合成できる。
p) l m=1でY=−OCH,−1Z=−CO−又は−CH,
+O−の場合: g) 又はh) の反応の途中で得られる中間体 を用いて下記のルートで合成できる。
q)m=1でY=OCH,−12=−0−の場合:R−
X−At−OH+  BrCHz−At−OAcAg、
R−X−At−0CHz−Ax−OAc1OH −一→ R−X−A、−0CR,−A、−OH本発明の
化合物の中で一般式(1)でB、B’がハロゲン原子あ
るいはシアノ基であるものは5ffl*C相を示す温度
範囲が広く、かつ、ハロゲン原子、シアノ基を有さない
対応化合物に比べて融点が低いという特徴を有する。
本発明の光学活性バントラクトン誘導体の中には液晶相
を示すものと、それ自身では液晶相を示さないものとが
あるが、それ自身では液晶相を示さないものでも、等方
相(Iso相)−ネマチック相−スメクチックA相−ス
メクチックC相(SmC相)あるいはIso相−ネマチ
ック相−SmC相の相系列を示す非カイラル液晶または
液晶組成物に、液晶性を破壊しない範囲で1〜90モル
%添加することによって強誘電相(Ss″C相)を誘起
する性質を有する。
従って、それ自身では液晶相を示さないものでも強誘電
性液晶組成物の調合に際して好適な配合剤として用いる
ことができる。
更に、本発明の光学活性バントラクトン誘導体は従来の
強誘電性液晶化合物に多(見られるアゾメチン結合を含
まないため耐加水分解性等の化学的安定性に優れると共
に、桂皮酸系の液晶に見られるようなビニル基を有して
いないため光安定性にも優れるという特徴を有する。
又、本発明の光学活性バントラクトン誘導体中、それ自
身で強誘電性液晶性を示すものはそれ単独で液晶として
用いることもできるが、液晶としては単一の液晶性化合
物のみから形成されるよりも複数の強誘電性液晶化合物
あるいは更にこれに配合用化合物を加えて得られる組成
物とすると、その使用温度範囲を拡張することができる
のでより有利となる。
又、本発明の光学活性バントラクトン誘導体はSmC相
を示す非強誘電性液晶化合物・組成物と混合して用いる
とその混合物は強誘電性液晶となり、しかも高い応答速
度から明らかなように大きな自発分極を示し有用である
光学活性バントラクトン誘導体と混合する上記化合物と
してはSmC相を示す化合物、混合物であればどのよう
なものも用いることができる。
[実施例] 以下に実施例を用いて本発明を更に詳しく説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1 成 4−デシルオキシ−4−ビフェニルカルボン駿0.34
g、 D−(−)−パントイルラクトン(東京化成■販
売)0.16g及びアゾジカルボン酸ジエチル0.21
gをベンゼン10mρに溶解し、トリフェニルホスフィ
ン0、30gを加えて室温で一夜撹拌を続けて反応させ
た。得られた反応液から溶媒を減圧で留去して粗製物を
得、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
して(2R)−4−デシルオキシビフェニル−4−カル
ボニルオキシ−3,3−ジメチル−γ−ブチロラクトン
0.15gを得、これを更にエタノールを用いて再結晶
して0.10gの精製物を得た。 この化合物の相転移
挙動な示差走査型熱量計及び偏光顕微鏡を用いて測定し
た。その結果を下記に示す。
なお、相転移挙動においてCryst、は結晶を示し、
矢印近傍の数字はその相への転移温度(’C)を示す。
Cf7St、y−■−工(資) 実施例2 下記4種のアルコキシフェニルピリミジン系化合物を混
合して液晶組成物を得た。
この組成物は下記の相転移挙動を示す。
Cryst ←−−→S m CSm A4−+N 4
−一寸r s。
この組成物は光学活性化合物を含んでいないので強誘電
性液晶ではな(、自発分極を示さない。
この化合物98wt%と実施例1で得た(2R)−4−
デシルオキシビフェニル−4−カルボニルオキシ−3゜
3−ジメチル−γ−ブチロラクトン2vt%とを混合し
て強誘電性液晶組成物を得た。
この組成物の相転移挙動は下記の通りであった。
2.4       49      60     
64Cryst −−一寸S m ” C−一一峠S 
m A中−一寸N ” ÷−−ヤI s。
配向処理剤としてポリイミドを塗布し、表面ラビングに
よる平行配向処理を施した透明電極を備えた厚さ2μm
のセルにこの強誘電性液晶組成物を注入して液晶素子を
作成した。
この素子を2枚の直交する偏光子の間に設置し、25℃
において電界を印加した。±5V/μmの印加によって
透過光の変化が認められ、その変化から0−50%の応
答時間を求めたところ160μsecであった。又、三
角波法で測定した25℃における自発分極の大きさは−
1,8nC/cm2であった。
[発明の効果コ 本発明の光学活性パントラクトン誘導体はその化学構造
からも明らかなように化学的に安定で着色がなく、光安
定性に優れ、しかも上記のように大きな自発分極を示し
応答性に優れた強誘電性液晶用の液晶成分あるいは配合
成分として有用な化合物である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)一般式(1)で示される光学活性パントラクトン誘
    導体。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、Rは炭素数1〜18の直鎖アルキル基、炭素数
    2〜18の光学活性モノハロゲン化アルキル基、直鎖部
    分の炭素数3〜18のメチル分岐アルキル基又は直鎖部
    分の炭素と酸素又は硫黄原子の合計が4〜18であるメ
    チル分岐アルキルエーテル基又はメチル分岐アルキルチ
    オエーテル基を示し、Xは▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−O−又
    は単結合を示し、Yは▲数式、化学式、表等があります
    ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−OCH_2
    −、−CH_2O−又は単結合を示し、Zは▲数式、化
    学式、表等があります▼、−O−又は−CH_2O−を
    示し、A_1、A_2は各々独立に▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
    、表等があります▼ (但し、B、B′は各々独立に水素原子、ハロゲン原子
    又はシアノ基を示す)を示し、mは0又は1であり、*
    はそれが付与された炭素が不斉炭素であることを示す。 ]
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7473711B2 (en) 2004-04-22 2009-01-06 Pfizer Inc. Androgen modulators
US7507860B2 (en) 2004-04-13 2009-03-24 Pfizer Inc. Androgen modulators
US7576128B2 (en) 2004-02-13 2009-08-18 Pfizer Inc. Androgen receptor modulators
US7670613B2 (en) 2004-07-08 2010-03-02 Pfizer Inc. Androgen modulators
US7674819B2 (en) 2005-05-05 2010-03-09 Warner-Lambert Company Llc Androgen modulators

Cited By (6)

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US7674819B2 (en) 2005-05-05 2010-03-09 Warner-Lambert Company Llc Androgen modulators
US7799823B2 (en) 2005-05-05 2010-09-21 Warner-Lambert Company Llc Androgen modulators

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