JPH01305855A - 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 - Google Patents
還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子Info
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- JPH01305855A JPH01305855A JP63135695A JP13569588A JPH01305855A JP H01305855 A JPH01305855 A JP H01305855A JP 63135695 A JP63135695 A JP 63135695A JP 13569588 A JP13569588 A JP 13569588A JP H01305855 A JPH01305855 A JP H01305855A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業■二の利用分野〉
本発明は再酸化゛ｒ；導体セラミックコンテンサのため
のセラミック組成物に関する。
のセラミック組成物に関する。
〈従来の技術〉
近年の電子機器の小型化、高密度実装化並びに品質の高
安定化に伴い、電′Ｉ一部品にも小型化と高品質化の要
求かなされＣおり、高い絶縁抵抗、破壊′市川を有しあ
わせて小型大容量でかっ誘電損失の小さい還元再酸化型
半導体セラミックコンデンサの開発か要望されている。
安定化に伴い、電′Ｉ一部品にも小型化と高品質化の要
求かなされＣおり、高い絶縁抵抗、破壊′市川を有しあ
わせて小型大容量でかっ誘電損失の小さい還元再酸化型
半導体セラミックコンデンサの開発か要望されている。
従来、還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成
物に関しては、例えばＢａＴｉ０．−Ｌａ２０：＋−Ｔ
ｉ０２系固溶体組成物及びこの固溶体に炭酸マンガンを
０．６重ｉ［′Ｌ％以下添加した組成か知られており、
このＭＬ成物よりなるセラミックコンテンサては中位面
積当たりの容ｊ［！：か０．２７ ｇ Ｆ／ｃ＋ｎ２．
、Ａ電損失 しｉｌｎδか２．８％、破壊゛市川か８
ｔｌＯＶの特性か得られている。（特公昭５１−４４７
３８号公報） 又、 ＢａＴｉ０：＋−３ｒＴｉＯ：＋−ＬｎｚＯ：＋
（Ｌｎ ；ランタン系列元素） −Ｔｉｅ□系固溶
体組成物にＣｒ、 Ｍｎ、Ｆｅ、 Ｇｏ及びＮｉの酸化
物を１原子％以下及びＳｉの酸化物を２原子％以下添加
した組成か知られており、この組成物よりなるセラミッ
クコンデンサでは単位面積当たりの容量か０．５８ Ｊ
ＬＦ／ｃｍ２、 ｊａｎ６２．８％、破壊電圧が８２０
■の特性か得られている。（４１ｆ開閉５８−１４５１
８号公報） 〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながらこれら公知の還元ＩＴｇ酸化型半導体セラ
ミックコンデンサより性能のすぐれたもの、特に破壊電
圧を９＋ＩＯＶ以上に保ちつつ、単位面積当たりの容量
がさらに大きく、誘゛准損失はさらに低いという特性を
有するコンデンサの開発が切望されており１種／ｌの検
討がなされている。一般的には表面部の薄い誘電体層か
、遺児再酸化型半導体セラミックコンデンサの容量、絶
縁抵抗、破壊電圧及び誘電損失に大きく関与している。
物に関しては、例えばＢａＴｉ０．−Ｌａ２０：＋−Ｔ
ｉ０２系固溶体組成物及びこの固溶体に炭酸マンガンを
０．６重ｉ［′Ｌ％以下添加した組成か知られており、
このＭＬ成物よりなるセラミックコンテンサては中位面
積当たりの容ｊ［！：か０．２７ ｇ Ｆ／ｃ＋ｎ２．
、Ａ電損失 しｉｌｎδか２．８％、破壊゛市川か８
ｔｌＯＶの特性か得られている。（特公昭５１−４４７
３８号公報） 又、 ＢａＴｉ０：＋−３ｒＴｉＯ：＋−ＬｎｚＯ：＋
（Ｌｎ ；ランタン系列元素） −Ｔｉｅ□系固溶
体組成物にＣｒ、 Ｍｎ、Ｆｅ、 Ｇｏ及びＮｉの酸化
物を１原子％以下及びＳｉの酸化物を２原子％以下添加
した組成か知られており、この組成物よりなるセラミッ
クコンデンサでは単位面積当たりの容量か０．５８ Ｊ
ＬＦ／ｃｍ２、 ｊａｎ６２．８％、破壊電圧が８２０
■の特性か得られている。（４１ｆ開閉５８−１４５１
８号公報） 〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながらこれら公知の還元ＩＴｇ酸化型半導体セラ
ミックコンデンサより性能のすぐれたもの、特に破壊電
圧を９＋ＩＯＶ以上に保ちつつ、単位面積当たりの容量
がさらに大きく、誘゛准損失はさらに低いという特性を
有するコンデンサの開発が切望されており１種／ｌの検
討がなされている。一般的には表面部の薄い誘電体層か
、遺児再酸化型半導体セラミックコンデンサの容量、絶
縁抵抗、破壊電圧及び誘電損失に大きく関与している。
誘電体層を薄くすると、コンデンサの単位面積当たりの
容ＩＭは大きくなるか、必然的に絶縁抵抗及び破壊電圧
は低下し、逆に絶縁抵抗及び破壊′市川を高くしようと
すると誘電体層も厚くする必要かあり、中位面積当たり
の容！４が低ドするという性質を有している。また、コ
ンデンサの誘電損失は、誘電体層のＬａｎδに依存する
か、それ以上に誘電体層と゛ト導体セラミックの境界の
直列抵抗分か大きく関榮する。 ｔａｎδを小さくする
ためには、この直列抵抗分を小さくする必要かある。特
にｔａｎδはコンデンサの重質な特性であるので、その
値の増加は大きな欠点となり、珪つ少してもその値を低
下させることか種々の改良の大きな課題であった。この
ためにはコンデンサとした場合に誘電体層の中位層厚当
たりの抵抗値及び破壊電圧か高く且つ直列抵抗分の低い
セラミック組成物の新たな選択か必要である。具体的に
は破壊電圧９００ｖ以１−１絶縁抵抗１０１０Ω以上て
、単位面積当たりの容量か０．６０ ＪＬＦａｃｔ１１
２を越え、しかもｔａｎδか２．０％未満という特性が
求められている。
容ＩＭは大きくなるか、必然的に絶縁抵抗及び破壊電圧
は低下し、逆に絶縁抵抗及び破壊′市川を高くしようと
すると誘電体層も厚くする必要かあり、中位面積当たり
の容！４が低ドするという性質を有している。また、コ
ンデンサの誘電損失は、誘電体層のＬａｎδに依存する
か、それ以上に誘電体層と゛ト導体セラミックの境界の
直列抵抗分か大きく関榮する。 ｔａｎδを小さくする
ためには、この直列抵抗分を小さくする必要かある。特
にｔａｎδはコンデンサの重質な特性であるので、その
値の増加は大きな欠点となり、珪つ少してもその値を低
下させることか種々の改良の大きな課題であった。この
ためにはコンデンサとした場合に誘電体層の中位層厚当
たりの抵抗値及び破壊電圧か高く且つ直列抵抗分の低い
セラミック組成物の新たな選択か必要である。具体的に
は破壊電圧９００ｖ以１−１絶縁抵抗１０１０Ω以上て
、単位面積当たりの容量か０．６０ ＪＬＦａｃｔ１１
２を越え、しかもｔａｎδか２．０％未満という特性が
求められている。
（課題を解決するための手段〉
本発明者ら前記目的に合致するセラミック組成物を開発
する目的て研究の結果１本発明を完成した。
する目的て研究の結果１本発明を完成した。
即ち本発明はチタン酸バリウム、酸化チタンおよびＬ
ａ 、 Ｃｅ 、 Ｎ ｂ 、 Ｎ （１、Ｄｙ、 Ｙ
、 Ｓｂ、 Ｗ、 Ｔａの各酸化物の少なくとも一種を
モル比で＋００ ： ０．０１〜１５ ： ０．０１〜
１０の割合て含有し、さらに前記化合物の合計量に対し
てＣｕ、 Ｚｎ、Δ４Ｑ、 ＭｇおよびＭｏの各酸化物
の少なくとも一種をｏ、ｏｏｔ〜１重量％含有している
還元再酸化型半導体コンデンサ用セラミック組成物及び
前記組成物において、チタン酸バリウム中、最多の場合
そのモル数の１／４をチタン酸ストロンチウムでおきか
えたもの、即ちチタン酸ストロンチウムがチタン酸バリ
ウムに対してモル比で１／３以下である組成物をも含む
。
ａ 、 Ｃｅ 、 Ｎ ｂ 、 Ｎ （１、Ｄｙ、 Ｙ
、 Ｓｂ、 Ｗ、 Ｔａの各酸化物の少なくとも一種を
モル比で＋００ ： ０．０１〜１５ ： ０．０１〜
１０の割合て含有し、さらに前記化合物の合計量に対し
てＣｕ、 Ｚｎ、Δ４Ｑ、 ＭｇおよびＭｏの各酸化物
の少なくとも一種をｏ、ｏｏｔ〜１重量％含有している
還元再酸化型半導体コンデンサ用セラミック組成物及び
前記組成物において、チタン酸バリウム中、最多の場合
そのモル数の１／４をチタン酸ストロンチウムでおきか
えたもの、即ちチタン酸ストロンチウムがチタン酸バリ
ウムに対してモル比で１／３以下である組成物をも含む
。
チタン酸バリウム、又はチタン酸バリウムとチタン酸ス
トロンチウムは本セラミック組成物の主体である。チタ
ン酸ストロンチウムはチタン酸バリウムのキュリー点（
約１２０°Ｃ）を低下する作用かあり、チタン酸バリウ
ムの一部をおきかえることかできるかその州か多くなる
と、キュリー点が低下しすぎ、かつ比誘電率か低くなり
過ぎるので中位面積当たりの容量が小さくなる。したか
ってチタン酸ストロンチウム量をチタン酸バリウムに対
してモル比で１／３以下とした。
トロンチウムは本セラミック組成物の主体である。チタ
ン酸ストロンチウムはチタン酸バリウムのキュリー点（
約１２０°Ｃ）を低下する作用かあり、チタン酸バリウ
ムの一部をおきかえることかできるかその州か多くなる
と、キュリー点が低下しすぎ、かつ比誘電率か低くなり
過ぎるので中位面積当たりの容量が小さくなる。したか
ってチタン酸ストロンチウム量をチタン酸バリウムに対
してモル比で１／３以下とした。
酸化チタンは原ネ゛１混合物焼成の際、原料の酸化スト
ロンチウム、酸化バリウムと反応してチタン酸ストロン
チウム、チタン酸バリウムとなり、なお過剰に存在した
ものが焼結体中に未反応て存在する。即ちこの未反応酸
化チタンが少なすぎると焼結性か悪く、かつ焼結晶であ
るセラミック組成物のコンデンサ特性として容量が小さ
くなり、かつＬａｎδも増加する。又過剰であると焼結
時に付ノｉしたり、経時安定性か悪くなる。したがって
本発明では組ｒ＆物中の酸化チタン含有量をチタン酸バ
リウム（又はチタン酸バリウムとチタン酸ストロンチウ
ムとの含＋、Ｈ）ｔｏｏモルに対して０．１〜１５モル
とした。
ロンチウム、酸化バリウムと反応してチタン酸ストロン
チウム、チタン酸バリウムとなり、なお過剰に存在した
ものが焼結体中に未反応て存在する。即ちこの未反応酸
化チタンが少なすぎると焼結性か悪く、かつ焼結晶であ
るセラミック組成物のコンデンサ特性として容量が小さ
くなり、かつＬａｎδも増加する。又過剰であると焼結
時に付ノｉしたり、経時安定性か悪くなる。したがって
本発明では組ｒ＆物中の酸化チタン含有量をチタン酸バ
リウム（又はチタン酸バリウムとチタン酸ストロンチウ
ムとの含＋、Ｈ）ｔｏｏモルに対して０．１〜１５モル
とした。
１、ａ、 Ｃｃ、 Ｎｂ、Ｎｄ、Ｄｙ、 Ｙ、Ｓｂ、
Ｗ、及びＴａの各酸化物は、酸化ストロンチウムと同様
のキュリー点を低下させる効果と、半導体の抵抗を減少
させる効果を併せ持つが、本発明のセラミラフ組１＆物
中の含有量かチタン酸バリウム（又はチタン酸バリウム
とチタン酸ストロンチウムとの合量）１００モルに対し
て（）、旧モル未満又は１０モルを越える場合は、還元
雰囲気焼成で充分半導体化しないため二元再酸化型半導
体セラミックコンデンサとはならない。
Ｗ、及びＴａの各酸化物は、酸化ストロンチウムと同様
のキュリー点を低下させる効果と、半導体の抵抗を減少
させる効果を併せ持つが、本発明のセラミラフ組１＆物
中の含有量かチタン酸バリウム（又はチタン酸バリウム
とチタン酸ストロンチウムとの合量）１００モルに対し
て（）、旧モル未満又は１０モルを越える場合は、還元
雰囲気焼成で充分半導体化しないため二元再酸化型半導
体セラミックコンデンサとはならない。
ざらにＣｕ、 ２ｎ、 ＡΩ、ＭｇおよびＭＯはチタン
酸バリウム又はチタン酸バリウムとチタン酸ストロンチ
ウム、酸化チタン、Ｌａ、 Ｃｅ、 Ｎｂ、 Ｎ（１、
Ｄｙ、 Ｙ、Ｓｔｌ、Ｗ、Ｔａの各醇化物の合作の０
、００１重量％未満又は１重ｊ−１％を超える場合は、
単位面積当たりの容量の増加及びｔａｎδの低ドか不充
分となる。そして原料の入トの容易性等の実用的見地よ
りＣｕ、Ｚｎ、Ａ９の醇化物か４νに好ましい。
酸バリウム又はチタン酸バリウムとチタン酸ストロンチ
ウム、酸化チタン、Ｌａ、 Ｃｅ、 Ｎｂ、 Ｎ（１、
Ｄｙ、 Ｙ、Ｓｔｌ、Ｗ、Ｔａの各醇化物の合作の０
、００１重量％未満又は１重ｊ−１％を超える場合は、
単位面積当たりの容量の増加及びｔａｎδの低ドか不充
分となる。そして原料の入トの容易性等の実用的見地よ
りＣｕ、Ｚｎ、Ａ９の醇化物か４νに好ましい。
本発明の還元再酸化型半導体セラミ・ンクコンデンサ用
組成物は慣用手段により容易に製造しうる。次にその一
例を示す。
組成物は慣用手段により容易に製造しうる。次にその一
例を示す。
即ち原料化合物、例えは炭酸バリウム、炭酸ストロンチ
ウム、醇化チタン、［、ａ、 Ｃｃ、 Ｎｂ、 Ｎｄ、
Ｄｙ、Ｙ、 Ｓｂ、Ｗ、 Ｔａの各酸化物、およびＣｕ
、Ｚｎ、Ａ９、ＭｇおよびＭＯの各酸化物をそれぞれ焼
成後、前記の組成物となるように混合し、空気中て１２
００〜１４ｆｌＯ’ｃの温度に１〜４時間加熱し、焼結
ずれはよい。このよ・うにして得られた本発明の組成物
よりの二元１１）酸化型゛ト導体セラミックコンデンサ
の製造υ、を次に示す。即ち本発明の組成物を還元性ガ
ス、例えば１１゜、Ｃ０１Ｎ１１３等の単独又は窒素カ
ス、アルゴン等の不活性ガスとの混合ガス流中て、９（
１０〜１２５０℃にて０．５〜１０時間処理してセラミ
ックを半導体化し、更に、空気中で７０（ｊ〜］ ２
［１０’Ｃて０ 、２５〜５時間処理して半導体セラミ
ックの表面部に薄いｉｌＴ酸化層すなわち誘電体層か形
成せしめたる後に、電極用の銀ペーストを塗１ｒｉ Ｌ
／焼き付ける。以−にの処理により還元ｉ１Ｔ酸化型半
導体セラミックコンデンサか製造される。
ウム、醇化チタン、［、ａ、 Ｃｃ、 Ｎｂ、 Ｎｄ、
Ｄｙ、Ｙ、 Ｓｂ、Ｗ、 Ｔａの各酸化物、およびＣｕ
、Ｚｎ、Ａ９、ＭｇおよびＭＯの各酸化物をそれぞれ焼
成後、前記の組成物となるように混合し、空気中て１２
００〜１４ｆｌＯ’ｃの温度に１〜４時間加熱し、焼結
ずれはよい。このよ・うにして得られた本発明の組成物
よりの二元１１）酸化型゛ト導体セラミックコンデンサ
の製造υ、を次に示す。即ち本発明の組成物を還元性ガ
ス、例えば１１゜、Ｃ０１Ｎ１１３等の単独又は窒素カ
ス、アルゴン等の不活性ガスとの混合ガス流中て、９（
１０〜１２５０℃にて０．５〜１０時間処理してセラミ
ックを半導体化し、更に、空気中で７０（ｊ〜］ ２
［１０’Ｃて０ 、２５〜５時間処理して半導体セラミ
ックの表面部に薄いｉｌＴ酸化層すなわち誘電体層か形
成せしめたる後に、電極用の銀ペーストを塗１ｒｉ Ｌ
／焼き付ける。以−にの処理により還元ｉ１Ｔ酸化型半
導体セラミックコンデンサか製造される。
〈発明の効果〉
本発明の還元（す耐化型半導体コンデンサ用セラミック
組成物より製造された還元再酸化半導体セラミックコン
デンサは次に示す実施例より明らかな如く、破壊電圧９
００Ｖ以上、絶縁抵抗１０１０Ω以」二、単位面積当た
りの容量が０．６０ ｇ Ｆ／ｃｍ２以上と大きいにも
かかわらず、 ｔａｎδか２．０％以下と極めて優れた
特性を同１１＋ｊに満足するものである。即ち本発明に
より前記以外の他の性能を低下させることなく高誘電率
で低誘電損失を有する還元再酸化型半導体セラミックコ
ンデンサを提供することか可能となった。
組成物より製造された還元再酸化半導体セラミックコン
デンサは次に示す実施例より明らかな如く、破壊電圧９
００Ｖ以上、絶縁抵抗１０１０Ω以」二、単位面積当た
りの容量が０．６０ ｇ Ｆ／ｃｍ２以上と大きいにも
かかわらず、 ｔａｎδか２．０％以下と極めて優れた
特性を同１１＋ｊに満足するものである。即ち本発明に
より前記以外の他の性能を低下させることなく高誘電率
で低誘電損失を有する還元再酸化型半導体セラミックコ
ンデンサを提供することか可能となった。
〈実施例〉
実施例１〜１９
市販の工業用原料炭酸バリウム粉末（純度９９．９％以
上）炭酸ストロンチウム粉末（純度９９．９％以上）
、 ＴｉＯ□粉末（純度９９．９％以上）、重版の試薬
特級Ｌａ２０． 、ＣｅＯ２、Ｎ１）２０ｓ 、 Ｎｄ
２Ｏ：＋、Ｄｙ２ｏｚ 、Ｙ２Ｏ：ｌ、５ｂ２０：＋
、ＷＯ，、及びＴａ２Ｏ，の各粉末（純度いずれも９９
．９％以上）及び重版の試薬特級のＣｕＯ、ＺｎＯ２、
ＡＬ（Ｌ＋ 、 ＭｇＯ、及びＭｏＯ２の各粉末を焼成
後の組成物か第１表の組成になるように配合し、各配合
についてポットとナイロンポールを用いて湿式混合した
。乾燥後、各混合物を１１５０℃の温度で４時間仮焼成
して本発明の組成物を得た。この組成物を湿式粉砕して
、乾燥した後ポリビニールアルコール水溶液をバインタ
ーにして混合し、３２メツシユパスに整粒した。この整
粒物を直ｆｆ９．５ｍｍ、厚さ０．５Ｉｎｌｌｌの円板
形に約ｌＬ／ｃＩ１１２の圧力゛Ｃ成形し、これらの成
形体を空気中において１３５０°Ｃの温度て２時間焼成
して直径的８．０ ｍｎ＋、厚さ約０．４＋＋ｖ＋の円
板を得た。次に該円板を９０％Ｎ２−１０％１１□混合
ガス気流中にて１０５＋１’Ｃの温度て２時間加熱処理
して半導体化し、この゛ｈ導体化された円板を空気中に
おいて１０１１０°Ｃの温度て加熱処理して還元！’）
Ｗ化型半導体セラミック円板を得た。最後に該円板の両
面に、銀電極を焼き付けてコンデンサ素子とし、その中
位面積当たりの容Ｈ，ＨＣ１誘電損失 ｔａｎδ（以上
測定電圧、０，１ｒｍｓ、周波数； ｌ ｋｌｌｚ ）
、絶縁抵抗ＩＲ（印加電圧、２５Ｖ）、絶縁破壊電圧
ｖｂを常法により４１１１足した。その結果を第２表に
示す。
上）炭酸ストロンチウム粉末（純度９９．９％以上）
、 ＴｉＯ□粉末（純度９９．９％以上）、重版の試薬
特級Ｌａ２０． 、ＣｅＯ２、Ｎ１）２０ｓ 、 Ｎｄ
２Ｏ：＋、Ｄｙ２ｏｚ 、Ｙ２Ｏ：ｌ、５ｂ２０：＋
、ＷＯ，、及びＴａ２Ｏ，の各粉末（純度いずれも９９
．９％以上）及び重版の試薬特級のＣｕＯ、ＺｎＯ２、
ＡＬ（Ｌ＋ 、 ＭｇＯ、及びＭｏＯ２の各粉末を焼成
後の組成物か第１表の組成になるように配合し、各配合
についてポットとナイロンポールを用いて湿式混合した
。乾燥後、各混合物を１１５０℃の温度で４時間仮焼成
して本発明の組成物を得た。この組成物を湿式粉砕して
、乾燥した後ポリビニールアルコール水溶液をバインタ
ーにして混合し、３２メツシユパスに整粒した。この整
粒物を直ｆｆ９．５ｍｍ、厚さ０．５Ｉｎｌｌｌの円板
形に約ｌＬ／ｃＩ１１２の圧力゛Ｃ成形し、これらの成
形体を空気中において１３５０°Ｃの温度て２時間焼成
して直径的８．０ ｍｎ＋、厚さ約０．４＋＋ｖ＋の円
板を得た。次に該円板を９０％Ｎ２−１０％１１□混合
ガス気流中にて１０５＋１’Ｃの温度て２時間加熱処理
して半導体化し、この゛ｈ導体化された円板を空気中に
おいて１０１１０°Ｃの温度て加熱処理して還元！’）
Ｗ化型半導体セラミック円板を得た。最後に該円板の両
面に、銀電極を焼き付けてコンデンサ素子とし、その中
位面積当たりの容Ｈ，ＨＣ１誘電損失 ｔａｎδ（以上
測定電圧、０，１ｒｍｓ、周波数； ｌ ｋｌｌｚ ）
、絶縁抵抗ＩＲ（印加電圧、２５Ｖ）、絶縁破壊電圧
ｖｂを常法により４１１１足した。その結果を第２表に
示す。
環ニー−２−−１に
比較例１〜１９
次にＣｕＯ、ＺｎＯ２、／ＩＱ□０：＋ 、 ＭｇＯ、
Ｍｏｂ、、を使用しない以外すべて実施例と同様にコン
デンサ用組成物を製造し１次いで、該組成物よりコンデ
ンサ素子を製造して実施例と同様にその諸性質を測定し
第３表に示す。
Ｍｏｂ、、を使用しない以外すべて実施例と同様にコン
デンサ用組成物を製造し１次いで、該組成物よりコンデ
ンサ素子を製造して実施例と同様にその諸性質を測定し
第３表に示す。
実施例、比較例より本発明に係るＭ１成物より製造され
た原元１１）酸化型゛ｌ″導体セラミックコンデンサは
従来のものよりすぐれた性質な右することが明らかＣあ
り１本発明のＭ１成物は、咳コンデンサ用として極めて
イ１用である。
た原元１１）酸化型゛ｌ″導体セラミックコンデンサは
従来のものよりすぐれた性質な右することが明らかＣあ
り１本発明のＭ１成物は、咳コンデンサ用として極めて
イ１用である。
Claims (2)
- （１）チタン酸バリウム、酸化チタンおよびＬａ、Ｃｅ
、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｙ、Ｓｈ、Ｗ、Ｔａの各酸化物の
少なくとも一種をモル比で１００：０．０１〜１５：０
．０１〜１０の割合で含有し、さらに前記化合物の合計
量に対してＣｕ、Ｚｎ、Ａｌ、ＭｇおよびＭｏの各酸化
物の少なくとも一種を０．００１〜１重量％含有してい
る還元再酸化型半導体コンデンサ用セラミック組成物。 - （２）チタン酸ストロンチウムかチタン酸バリウムに対
してモル比で１／３以下であり、チタン酸ストロンチウ
ムとチタン酸バリウムの合量、酸化チタンおよびＬａ、
Ｃｅ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｙ、Ｓｂ、Ｗ、Ｔａの各酸化
物の少なくとも一種をモル比で１００：０．０１〜１５
：０．０１〜１０の割合で含有し、さらに前記化合物の
合計量に対してＣｕ、Ｚｎ、Ａｌ、ＭｇおよびＭｏの各
酸化物の少なくとも一種を０．００１〜１重量％含有し
ている還元再酸化型半導体コンデンサ用セラミック組成
物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63135695A JPH0692268B2 (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
| KR1019890006834A KR910009895B1 (ko) | 1988-06-03 | 1989-05-22 | 환원 재산화형 반도체 콘덴서용 세라믹 조성물 |
| GB8912318A GB2219287B (en) | 1988-06-03 | 1989-05-30 | A method for manufacturing a reduction-reoxidation type semiconductive capacitor |
| US07/360,607 US4987107A (en) | 1988-06-03 | 1989-06-02 | Ceramic composition for reduction-reoxidation type semiconductive capacitor |
| HK1102/93A HK110293A (en) | 1988-06-03 | 1993-10-21 | A method for manufacturing a reduction-reoxidation type semiconductive capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63135695A JPH0692268B2 (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01305855A true JPH01305855A (ja) | 1989-12-11 |
| JPH0692268B2 JPH0692268B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=15157748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63135695A Expired - Lifetime JPH0692268B2 (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4987107A (ja) |
| JP (1) | JPH0692268B2 (ja) |
| KR (1) | KR910009895B1 (ja) |
| GB (1) | GB2219287B (ja) |
| HK (1) | HK110293A (ja) |
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