JPH0558723A - アルカリ土類金属チタネートの焼結方法 - Google Patents
アルカリ土類金属チタネートの焼結方法Info
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- JPH0558723A JPH0558723A JP3355467A JP35546791A JPH0558723A JP H0558723 A JPH0558723 A JP H0558723A JP 3355467 A JP3355467 A JP 3355467A JP 35546791 A JP35546791 A JP 35546791A JP H0558723 A JPH0558723 A JP H0558723A
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- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- -1 alkaline earth metal titanate Chemical class 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 46
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 14
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical group [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 abstract 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 27
- FFWQPZCNBYQCBT-UHFFFAOYSA-N barium;oxocopper Chemical compound [Ba].[Cu]=O FFWQPZCNBYQCBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 8
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- BHSXLOMVDSFFHO-UHFFFAOYSA-N (3-ethylsulfanylphenyl)methanamine Chemical compound CCSC1=CC=CC(CN)=C1 BHSXLOMVDSFFHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFQALBCXGPYQGT-UHFFFAOYSA-N 2,4-difluoro-5-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound NC1=CC(C(F)(F)F)=C(F)C=C1F FFQALBCXGPYQGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZJRXSAYFZMGQFP-UHFFFAOYSA-N barium peroxide Chemical compound [Ba+2].[O-][O-] ZJRXSAYFZMGQFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOGASOWHESMEKT-UHFFFAOYSA-N barium;oxotin Chemical compound [Ba].[Sn]=O BOGASOWHESMEKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNQGTZYKXIXXST-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Ca+2].[O-][Sn]([O-])=O HNQGTZYKXIXXST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011363 dried mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000374 eutectic mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 239000011872 intimate mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 新しい焼結用助剤を用いて行うアルカリ土類
金属チタネートの焼結法を提供する。 【構成】 焼結中に液相を形成し且つこれによってセラ
ミック体内で輸送材料として作用する新規な低温焼結用
助剤として式ＢａＣｕＯ２の混成金属酸化物と三酸化タ
ングステンまたは三酸化モリブデンの少くとも一種類と
の混合物を使用することを特徴としチタン酸バリウム、
チタン酸ストロンチウムまたはこれの混合物を焼結する
方法より構成される。
金属チタネートの焼結法を提供する。 【構成】 焼結中に液相を形成し且つこれによってセラ
ミック体内で輸送材料として作用する新規な低温焼結用
助剤として式ＢａＣｕＯ２の混成金属酸化物と三酸化タ
ングステンまたは三酸化モリブデンの少くとも一種類と
の混合物を使用することを特徴としチタン酸バリウム、
チタン酸ストロンチウムまたはこれの混合物を焼結する
方法より構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルカリ土類金属チタネ
ート用の焼結助剤に関し、更に詳しく言えば有毒成分を
使用しないで済みしかもポリビニルアルコールを基剤と
する水性結合剤系に対して使用できる焼結助剤に関す
る。
ート用の焼結助剤に関し、更に詳しく言えば有毒成分を
使用しないで済みしかもポリビニルアルコールを基剤と
する水性結合剤系に対して使用できる焼結助剤に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び課題】チタン酸バリウム及びその等構
造誘導体はコンデンサーを製造するための誘電体として
大いに使用されるセラミック材料である。緻密なチタン
酸バリウムは約１２５０℃以下の温度で焼結することに
よっては生成できない。かゝるセラミック材料を多層セ
ラミックコンデンサーの製造に使用した時には、この高
い焼結温度及び酸素の存在が必要によってパラジウムの
如き高価な貴金属から形成した電極の使用を伴なう。か
ゝるコンデンサーの製造経費の低減は電極で使用したパ
ラジウムの若干の代りに銀を代用することによって行な
うことができる。７０：３０部の比率のＡｇ：Ｐｄを含
有する合金が普通使用されるが、この場合には焼結温度
を１１５０℃以下に低下させることが必要とされる。こ
の加工温度の低下を達成するには“焼結助剤”と呼ばれ
る材料の添加がセラミック材料に成される。
造誘導体はコンデンサーを製造するための誘電体として
大いに使用されるセラミック材料である。緻密なチタン
酸バリウムは約１２５０℃以下の温度で焼結することに
よっては生成できない。かゝるセラミック材料を多層セ
ラミックコンデンサーの製造に使用した時には、この高
い焼結温度及び酸素の存在が必要によってパラジウムの
如き高価な貴金属から形成した電極の使用を伴なう。か
ゝるコンデンサーの製造経費の低減は電極で使用したパ
ラジウムの若干の代りに銀を代用することによって行な
うことができる。７０：３０部の比率のＡｇ：Ｐｄを含
有する合金が普通使用されるが、この場合には焼結温度
を１１５０℃以下に低下させることが必要とされる。こ
の加工温度の低下を達成するには“焼結助剤”と呼ばれ
る材料の添加がセラミック材料に成される。
【０００３】従来、チタン酸バリウムは、種々の元素、
ビスマス、鉛、カドミウム及びホウ素の１種又はそれ以
上を含有するガラス体を焼結助剤として用いて９５０〜
１１５０℃の温度で焼結させていた。比較的緻密な焼結
生成物が得られるけれども、該生成物には用いた融剤が
稀釈により及び／又は焼結体の電気特性又は機械特性に
不利である二次相の生成によりセラミックの誘電率を低
下させるという欠点がある。更には鉛及びカドミウムは
有毒であり、然るにホウ素はポリ（ビニルアルコール）
を含有する水性結合剤と共にゲルを形成させ従ってその
使用を有機溶剤と混和性の結合剤に制限するものであ
る。
ビスマス、鉛、カドミウム及びホウ素の１種又はそれ以
上を含有するガラス体を焼結助剤として用いて９５０〜
１１５０℃の温度で焼結させていた。比較的緻密な焼結
生成物が得られるけれども、該生成物には用いた融剤が
稀釈により及び／又は焼結体の電気特性又は機械特性に
不利である二次相の生成によりセラミックの誘電率を低
下させるという欠点がある。更には鉛及びカドミウムは
有毒であり、然るにホウ素はポリ（ビニルアルコール）
を含有する水性結合剤と共にゲルを形成させ従ってその
使用を有機溶剤と混和性の結合剤に制限するものであ
る。
【０００４】ＢａＴｉＯ3 のペロブスキー立方格子中に
別の原子価イオンを配合して固溶体及び／又は複合材料
を形成するとキュリーピーク(Curie peak)を変更させ、
拡大させ且つ扁平にすることができ、工業上有用な誘電
体を生成するものであることも周知である。例えばチタ
ン酸カルシウム及びチタン酸ストロンチウム又はジルコ
ン酸カルシウム及びジルコン酸ストロンチウム及び錫酸
カルシウム、錫酸マグネシウム又は錫酸ビスマスの１種
又はそれ以上を含有する混合物の多数の例が文献に見出
される。“ピーク移動剤”に加えて、市販の組成物は典
型的にはグレイン(grain) 生長特性、誘電損率又は絶縁
抵抗等を改良するのに別の添加剤例えばＮｂ2 Ｏ5、Ｍ
ｎＯ2 、ＣａＯ及びＮｉＯを含有する。
別の原子価イオンを配合して固溶体及び／又は複合材料
を形成するとキュリーピーク(Curie peak)を変更させ、
拡大させ且つ扁平にすることができ、工業上有用な誘電
体を生成するものであることも周知である。例えばチタ
ン酸カルシウム及びチタン酸ストロンチウム又はジルコ
ン酸カルシウム及びジルコン酸ストロンチウム及び錫酸
カルシウム、錫酸マグネシウム又は錫酸ビスマスの１種
又はそれ以上を含有する混合物の多数の例が文献に見出
される。“ピーク移動剤”に加えて、市販の組成物は典
型的にはグレイン(grain) 生長特性、誘電損率又は絶縁
抵抗等を改良するのに別の添加剤例えばＮｂ2 Ｏ5、Ｍ
ｎＯ2 、ＣａＯ及びＮｉＯを含有する。
【０００５】米国特許第４２２２８８５号明細書はアル
カリ土類金属チタネート、アルカリ土類金属ジルコネー
ト、アルカリ土類金属スタネート及びこれらの混合結晶
の１種又はそれ以上より本質的になるペロブスキー型構
造の誘電体を製造する方法を記載しており、該方法では
実際上ペロブスキー立方格子に組入れられない共融混合
物(eutectic)生成化合物の混合物をペロブスキー型に添
加し、該混合物を１０００°〜１２５０℃の範囲の温度
で０．２〜１バールの部分酸素圧で焼結させる。共融混
合物生成化合物は酸素雰囲気中で焼結した時にはＣｕＯ
ＭｅＯｘを生成し得る化合物であり、ＭｅＯｘは元素周
期律表の第III 、Ｖ、VI又はVII 族の少なくとも１個の
元素の酸化物である。
カリ土類金属チタネート、アルカリ土類金属ジルコネー
ト、アルカリ土類金属スタネート及びこれらの混合結晶
の１種又はそれ以上より本質的になるペロブスキー型構
造の誘電体を製造する方法を記載しており、該方法では
実際上ペロブスキー立方格子に組入れられない共融混合
物(eutectic)生成化合物の混合物をペロブスキー型に添
加し、該混合物を１０００°〜１２５０℃の範囲の温度
で０．２〜１バールの部分酸素圧で焼結させる。共融混
合物生成化合物は酸素雰囲気中で焼結した時にはＣｕＯ
ＭｅＯｘを生成し得る化合物であり、ＭｅＯｘは元素周
期律表の第III 、Ｖ、VI又はVII 族の少なくとも１個の
元素の酸化物である。
【０００６】米国特許第４２４４８３０号明細書は米国
特許第４２２２８８５号明細書に記載したのと同様なペ
ロブスキー型構造をもつ誘電体の製造方法を記載してい
る。該方法は酸素雰囲気中で焼結した時にＣｕＯ．Ｃｕ
2 Ｏ又はＣｕＯ．Ｃｕ2 Ｏ．ＭｅIVＯ2 （但しＭｅIVＯ
2 は元素周期律表第IV族の元素の少なくとも１種の酸化
物である）を生成し得る共融混合物生成化合物をペロブ
スキー型に添加することからなる。焼結は１０００°〜
１２５０℃の範囲の温度で０．２〜１バールの部分酸素
圧で行なう。
特許第４２２２８８５号明細書に記載したのと同様なペ
ロブスキー型構造をもつ誘電体の製造方法を記載してい
る。該方法は酸素雰囲気中で焼結した時にＣｕＯ．Ｃｕ
2 Ｏ又はＣｕＯ．Ｃｕ2 Ｏ．ＭｅIVＯ2 （但しＭｅIVＯ
2 は元素周期律表第IV族の元素の少なくとも１種の酸化
物である）を生成し得る共融混合物生成化合物をペロブ
スキー型に添加することからなる。焼結は１０００°〜
１２５０℃の範囲の温度で０．２〜１バールの部分酸素
圧で行なう。
【０００７】米国特許第４２８３７５３号明細書は大部
分がチタン酸バリウムよりなる誘電体のセラミック材料
を記載しており、セラミック体中の陽イオンは次の種類
よりなる：Ｂａ，Ｐｂ，Ｃａ及びこれらの組合せから選
んだ大きな２価イオンの一群ＮD 、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｎ，
Ｍｎ及びこれらの組合せから選んだ小さな４価イオンの
一群ＮQ 、Ｂｉ，Ｎｂ，Ｓｂ，Ｗ，Ｍｏ及びこれらの組
合せから選んだ小さなカチオンとして＋４より大きい原
子価を有し得るドナーイオンの一群ＮX 、Ｃｄ，Ｚｎ，
Ｃｕ，Ｌｉ，Ｎａ及びこれらの組合せから選んだ大きな
カチオンとして＋１の原子価を有し得る電荷相殺用アク
セプターイオンの一群ＮCC及びＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐ，Ｖ
及びこれらの組合せから選んだガラス形成性イオンの一
群ＮG （但しＮD ，ＮQ ，ＮX ，ＮCC及びＮG の種々の個数は
米国特許第４２８３７５３号に概説した或る方程式によ
り関連している）。
分がチタン酸バリウムよりなる誘電体のセラミック材料
を記載しており、セラミック体中の陽イオンは次の種類
よりなる：Ｂａ，Ｐｂ，Ｃａ及びこれらの組合せから選
んだ大きな２価イオンの一群ＮD 、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｎ，
Ｍｎ及びこれらの組合せから選んだ小さな４価イオンの
一群ＮQ 、Ｂｉ，Ｎｂ，Ｓｂ，Ｗ，Ｍｏ及びこれらの組
合せから選んだ小さなカチオンとして＋４より大きい原
子価を有し得るドナーイオンの一群ＮX 、Ｃｄ，Ｚｎ，
Ｃｕ，Ｌｉ，Ｎａ及びこれらの組合せから選んだ大きな
カチオンとして＋１の原子価を有し得る電荷相殺用アク
セプターイオンの一群ＮCC及びＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐ，Ｖ
及びこれらの組合せから選んだガラス形成性イオンの一
群ＮG （但しＮD ，ＮQ ，ＮX ，ＮCC及びＮG の種々の個数は
米国特許第４２８３７５３号に概説した或る方程式によ
り関連している）。
【０００８】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】本発明者
は今般、焼結中に液相を形成し且つこれによってセラミ
ック体内で輸送材料として作用する、アルカリ土類金属
チタネート用の新規な低温焼結用助剤を開発した。
は今般、焼結中に液相を形成し且つこれによってセラミ
ック体内で輸送材料として作用する、アルカリ土類金属
チタネート用の新規な低温焼結用助剤を開発した。
【０００９】従って、本発明は式ＢａＣｕＯ2 の混成金
属酸化物と三酸化タングステン又は三酸化モリブデンの
少なくとも１種との混合物を焼結用助剤として使用する
ことからなる、アルカリ土類金属チタネート又はその混
合物の焼結方法を提供する。
属酸化物と三酸化タングステン又は三酸化モリブデンの
少なくとも１種との混合物を焼結用助剤として使用する
ことからなる、アルカリ土類金属チタネート又はその混
合物の焼結方法を提供する。
【００１０】本発明で使用した焼結用助剤の作用は低温
焼成組成物で従来使用したガラス相の作用とは異なって
いると思われる。高い拡散速度を促進する低粘度の液体
が形成される。焼結中にアルカリ土類金属チタネートの
比較的に大きな均質微結晶が形成され、これらの構造に
よって温度−誘電率の曲線に大きな鋭敏ピークが得ら
れ、かくして高い誘電率の誘電体組成物の開発に利用で
きる。
焼成組成物で従来使用したガラス相の作用とは異なって
いると思われる。高い拡散速度を促進する低粘度の液体
が形成される。焼結中にアルカリ土類金属チタネートの
比較的に大きな均質微結晶が形成され、これらの構造に
よって温度−誘電率の曲線に大きな鋭敏ピークが得ら
れ、かくして高い誘電率の誘電体組成物の開発に利用で
きる。
【００１１】本発明で使用した焼結用助剤はＢａＣｕＯ
2 と三酸化タングステンＷＯ3 及び／又は三酸化モリブ
デンＭｏＯ3 との混合物である。
2 と三酸化タングステンＷＯ3 及び／又は三酸化モリブ
デンＭｏＯ3 との混合物である。
【００１２】本発明において焼結用助剤は１．０〜１０
モル％の量で用いるのが好ましく、１〜５モル％の量で
用いるのがより好ましく、２〜４モル％の量で用いるの
が尚更に好ましい。
モル％の量で用いるのが好ましく、１〜５モル％の量で
用いるのがより好ましく、２〜４モル％の量で用いるの
が尚更に好ましい。
【００１３】焼結用助剤で用いたＢａＣｕＯ2 とＷＯ3
及び／又はＭｏＯ3 とのモル比は１：１〜３：１のＢａ
ＣｕＯ2 対ＷＯ3 及び／又はＭｏＯ3 の範囲にあるのが
好ましく、２：１〜５：２のＢａＣｕＯ2 対ＷＯ3 及び
／又はＭｏＯ3 の範囲にあるのがより好ましい。
及び／又はＭｏＯ3 とのモル比は１：１〜３：１のＢａ
ＣｕＯ2 対ＷＯ3 及び／又はＭｏＯ3 の範囲にあるのが
好ましく、２：１〜５：２のＢａＣｕＯ2 対ＷＯ3 及び
／又はＭｏＯ3 の範囲にあるのがより好ましい。
【００１４】本発明により焼結用助剤を用いて有利に焼
結させ得るアルカリ土類金属チタネートはチタン酸バリ
ウム、チタン酸ストロンチウム又はこれらの混合物であ
る。本発明により焼結されるアルカリ土類金属チタネー
トは最大の誘電率が生起する温度を変更する１種又はそ
れ以上のイオンを含有し得ることは当業者には理解され
るであろう。これらのイオンは一般にピーク変更イオン
又はピーク移動剤と呼ばれ、当業者には周知である。ピ
ーク変更イオンの例はジルコネート又はスタネートであ
る。１種又はそれ以上のピーク変更イオンに加えて、別
の添加剤を包含させてグレイン生長特性、誘電損率又は
絶縁抵抗を改良できる。
結させ得るアルカリ土類金属チタネートはチタン酸バリ
ウム、チタン酸ストロンチウム又はこれらの混合物であ
る。本発明により焼結されるアルカリ土類金属チタネー
トは最大の誘電率が生起する温度を変更する１種又はそ
れ以上のイオンを含有し得ることは当業者には理解され
るであろう。これらのイオンは一般にピーク変更イオン
又はピーク移動剤と呼ばれ、当業者には周知である。ピ
ーク変更イオンの例はジルコネート又はスタネートであ
る。１種又はそれ以上のピーク変更イオンに加えて、別
の添加剤を包含させてグレイン生長特性、誘電損率又は
絶縁抵抗を改良できる。
【００１５】本発明の１つの具体例においては、焼結用
助剤とアルカリ土類金属チタネートとの緊密な混合物は
混練媒質と共に混練することにより製造される。混練媒
質は例えば水、１，１，１−トリクロロエタン又はイソ
プロパノールの如き有機媒質又はこれらの混合物であり
得る。所望ならばジルコニアの如き不活性粉砕用媒体を
使用できる。混練工程によって緊密に混合したスラリー
が製造され、これは焼成前に乾燥させるのが好ましい。
乾燥した混合物を場合によっては篩分してそれから大き
な粒子を焼成前に分離できる。次いで該混合物を例えば
加圧によりセラミック体に形成する。次いでセラミック
体を好ましくは１１５０℃以下の温度で、より好ましく
は１１００℃以下の温度で焼結する。本発明の方法によ
って緻密で焼結したアルカリ土類金属チタネートを得る
ことができる。
助剤とアルカリ土類金属チタネートとの緊密な混合物は
混練媒質と共に混練することにより製造される。混練媒
質は例えば水、１，１，１−トリクロロエタン又はイソ
プロパノールの如き有機媒質又はこれらの混合物であり
得る。所望ならばジルコニアの如き不活性粉砕用媒体を
使用できる。混練工程によって緊密に混合したスラリー
が製造され、これは焼成前に乾燥させるのが好ましい。
乾燥した混合物を場合によっては篩分してそれから大き
な粒子を焼成前に分離できる。次いで該混合物を例えば
加圧によりセラミック体に形成する。次いでセラミック
体を好ましくは１１５０℃以下の温度で、より好ましく
は１１００℃以下の温度で焼結する。本発明の方法によ
って緻密で焼結したアルカリ土類金属チタネートを得る
ことができる。
【００１６】本発明はまたその範囲内に前記の方法によ
って製造された焼結済みのアルカリ土類金属チタネート
及びかゝる焼結済みアルカリ土類金属チタネートを含有
してなる誘電体も包含する。
って製造された焼結済みのアルカリ土類金属チタネート
及びかゝる焼結済みアルカリ土類金属チタネートを含有
してなる誘電体も包含する。
【００１７】前記した如く本発明の方法により焼結した
アルカリ土類金属チタネートは比較的高い誘電率を有
し、かくして誘電体として有用である。本発明により焼
結した材料が誘電体又は誘電体層を構成する多層コンデ
ンサーの如き容量性装置をかくして製造できる。
アルカリ土類金属チタネートは比較的高い誘電率を有
し、かくして誘電体として有用である。本発明により焼
結した材料が誘電体又は誘電体層を構成する多層コンデ
ンサーの如き容量性装置をかくして製造できる。
【００１８】本発明を次の実施例により更に説明するが
これに限定されるものではない。
これに限定されるものではない。
【００１９】添付図面の図１〜３はそれぞれ実施例２４
の焼結した組成物の比誘電率、実施例２４の組成物の誘
電正接及び実施例２４、２５及び２６の組成物の比誘電
率を表わす図表である。
の焼結した組成物の比誘電率、実施例２４の組成物の誘
電正接及び実施例２４、２５及び２６の組成物の比誘電
率を表わす図表である。
【００２０】
【実施例】実施例１（比較例） 等モル量の過酸化バリウムＢａＯ2 と酸化銅ＣｕＯとを
一緒に混合し該混合物を８５０℃で焼成することにより
混成のバリウム銅オキシド（酸化バリウム銅）ＢａＣｕ
Ｏ2 を製造した。混成のバリウム銅オキシドＢａＣｕＯ
2 はＸ線回折研究によって確認した如く形成された。
一緒に混合し該混合物を８５０℃で焼成することにより
混成のバリウム銅オキシド（酸化バリウム銅）ＢａＣｕ
Ｏ2 を製造した。混成のバリウム銅オキシドＢａＣｕＯ
2 はＸ線回折研究によって確認した如く形成された。
【００２１】６ｇのバリウム銅オキシドと１９４ｇのチ
タン酸バリウム（ＴＡＭセラミック社から入手されるＨ
ＰＢ品位）とを十分な量の１，１，１−トリクロロエタ
ンと一緒に１８時間混練して適当なスラリーを形成し
た。分解は生起しなかった。混練した混合物を１００℃
で乾燥させ、篩分して１５０μｍ以上の粒度のフラクシ
ョンを除去した。１０ｇの篩分した混合物を１９ｍｍの
ダイ中で３７００１ｂ／ｉｎ2 で一軸方向に加圧した。
得られたペレットを炉に配置し、５℃／分の勾配速度を
用いて炉温を室温から１０００℃に上昇させ、１０００
℃の温度を２時間保持し次いで５℃／分の勾配速度で炉
を室温にまで放冷させることにより焼結した。
タン酸バリウム（ＴＡＭセラミック社から入手されるＨ
ＰＢ品位）とを十分な量の１，１，１−トリクロロエタ
ンと一緒に１８時間混練して適当なスラリーを形成し
た。分解は生起しなかった。混練した混合物を１００℃
で乾燥させ、篩分して１５０μｍ以上の粒度のフラクシ
ョンを除去した。１０ｇの篩分した混合物を１９ｍｍの
ダイ中で３７００１ｂ／ｉｎ2 で一軸方向に加圧した。
得られたペレットを炉に配置し、５℃／分の勾配速度を
用いて炉温を室温から１０００℃に上昇させ、１０００
℃の温度を２時間保持し次いで５℃／分の勾配速度で炉
を室温にまで放冷させることにより焼結した。
【００２２】加圧し且つ焼結したペレットの密度は５．
７８ｇ／ｃｍ3 であった。焼結したペレットを切断して
厚さが大体１ｍｍの円板３枚を得た。円板の直径（ｄ）
及び厚さ（ｔ）をマイクロメーターで正確に測定し、記
録した。円板をアセトンで脱脂し、円板の表面に電極を
蒸着した。各々の円板についてのキャパシタンス及び誘
電損率の tanδは１，１０，１００及び１０００ＫＨｚ
の周波数でヒューレットパッカード４１９４Ａインピー
ダンス／ゲインフェイズ分析器を用いて室温で測定し
た。次いで各々の円板の比誘電率εr は以下に与えた関
連式（方程式１）を用いて算出した。 方程式１ εr ：（Ｃ×ｔ）（εO ×Ａ） 但しＣ＝測定したキャパシタンス εO ＝自由空間の誘電率＝８．８５×１０-12 Ｆｍ-1 Ａ＝円板表面積＝π×（ｄ÷２）2 誘電率の範囲及び誘電損率 tanδ（％）を表１に示す。
７８ｇ／ｃｍ3 であった。焼結したペレットを切断して
厚さが大体１ｍｍの円板３枚を得た。円板の直径（ｄ）
及び厚さ（ｔ）をマイクロメーターで正確に測定し、記
録した。円板をアセトンで脱脂し、円板の表面に電極を
蒸着した。各々の円板についてのキャパシタンス及び誘
電損率の tanδは１，１０，１００及び１０００ＫＨｚ
の周波数でヒューレットパッカード４１９４Ａインピー
ダンス／ゲインフェイズ分析器を用いて室温で測定し
た。次いで各々の円板の比誘電率εr は以下に与えた関
連式（方程式１）を用いて算出した。 方程式１ εr ：（Ｃ×ｔ）（εO ×Ａ） 但しＣ＝測定したキャパシタンス εO ＝自由空間の誘電率＝８．８５×１０-12 Ｆｍ-1 Ａ＝円板表面積＝π×（ｄ÷２）2 誘電率の範囲及び誘電損率 tanδ（％）を表１に示す。
【００２３】 表 １ ＢａＣｕＯ2 と共に焼結したＢａＴｉＯ3 についての誘電率及び誘電損率 周波数 誘電率 （εr ） 誘電損率 (tanδ ％) （ＫＨｚ） 最大値 最小値 最大値 最小値 １ ２１４６ ２０４６ ２０．６ １０．１ １０ １９４６ １８８０ ９．７ ８．３ １００ １６６３ １５８７ １７．０ １０．５ １０００ １４４２ １０４５ ６４．４ ２０．２
【００２４】実施例２ ３ｇのバリウム銅オキシドＢａＣｕＯ2 と０．９９６ｇ
の三酸化タングステンＷＯ3 と９７ｇのチタン酸バリウ
ム（ＴＡＭケミカル社からのＨＰＢ品位）とを十分な量
のイソプロピルアルコールと一緒に２４時間混練して適
当なスラリーを形成した。分解は生起しなかった。混練
した混合物を乾燥し、篩分し、１０ｇのペレットを実施
例１の如く加圧した。ペレットを炉に配置し、５℃／分
の勾配速度を用いて室温から１１００℃に温度を上昇さ
せ、１１００℃の温度を２時間保持し次いで５℃／分の
勾配速度で炉を室温にまで放冷することにより焼結し
た。加圧且つ焼結したペレットは５．７０ｇ／ｃｍ3 の
密度を有した。ペレットを切断して円板にし、これらの
円板の誘電率及び誘電損率を実施例１に記載の如く測定
した。誘電率の範囲及び誘電損率を表２に示す。
の三酸化タングステンＷＯ3 と９７ｇのチタン酸バリウ
ム（ＴＡＭケミカル社からのＨＰＢ品位）とを十分な量
のイソプロピルアルコールと一緒に２４時間混練して適
当なスラリーを形成した。分解は生起しなかった。混練
した混合物を乾燥し、篩分し、１０ｇのペレットを実施
例１の如く加圧した。ペレットを炉に配置し、５℃／分
の勾配速度を用いて室温から１１００℃に温度を上昇さ
せ、１１００℃の温度を２時間保持し次いで５℃／分の
勾配速度で炉を室温にまで放冷することにより焼結し
た。加圧且つ焼結したペレットは５．７０ｇ／ｃｍ3 の
密度を有した。ペレットを切断して円板にし、これらの
円板の誘電率及び誘電損率を実施例１に記載の如く測定
した。誘電率の範囲及び誘電損率を表２に示す。
【００２５】 表 ２ ＢａＣｕＯ2 及びＷＯ3 と共に焼結したＢａＴｉＯ3 についての 誘電率及び誘電損率 周波数 誘電率 （εr ） 誘電損率 (tanδ ％) （ＫＨｚ） 最大値 最小値 最大値 最小値 １ ２００１ １９６４ ２．５ ２．２ １０ １９４０ １９１０ ２．０ １．８ １００ １８９６ １８７１ ２．９ １．９ １０００ １８６０ １８４５ １５．９ ７．０
【００２６】実施例３ ３ｇのバリウム銅オキシドＢａＣｕＯ2 と０．６１８ｇ
の三酸化モリブデンＭｏＯ3 と９７ｇのチタン酸バリウ
ム（ＴＡＭケミカル社からのＨＰＢ品位）とを十分な量
のイソプロピルアルコールと一緒に２４時間混練して適
当なスラリーを形成した。分解は生起しなかった。混練
した混合物を乾燥し、篩分し、１０ｇのペレットを実施
例１の如く加圧した。ペレットを炉に装入し、５℃／分
の勾配速度を用いて温度を室温から１１００℃に上昇さ
せ、１１００℃の温度を２時間保持し、５℃／分の勾配
速度で室温にまで放冷することにより焼結した。加圧且
つ焼結したペレットは５．７３ｇ／ｃｍ3 の密度を有し
た。該ペレットを切断して円板にし、これらの円板の誘
電率及び誘電損率を実施例１に記載の如く測定した。誘
電率の範囲及び誘電損率を表３に示す。
の三酸化モリブデンＭｏＯ3 と９７ｇのチタン酸バリウ
ム（ＴＡＭケミカル社からのＨＰＢ品位）とを十分な量
のイソプロピルアルコールと一緒に２４時間混練して適
当なスラリーを形成した。分解は生起しなかった。混練
した混合物を乾燥し、篩分し、１０ｇのペレットを実施
例１の如く加圧した。ペレットを炉に装入し、５℃／分
の勾配速度を用いて温度を室温から１１００℃に上昇さ
せ、１１００℃の温度を２時間保持し、５℃／分の勾配
速度で室温にまで放冷することにより焼結した。加圧且
つ焼結したペレットは５．７３ｇ／ｃｍ3 の密度を有し
た。該ペレットを切断して円板にし、これらの円板の誘
電率及び誘電損率を実施例１に記載の如く測定した。誘
電率の範囲及び誘電損率を表３に示す。
【００２７】 表 ３ ＢａＣｕＯ2 及びＭｏＯ3 と共に焼結したＢａＴｉＯ3 についての 誘電率及び誘電損率 周波数 誘電率 （εr ） 誘電損率 (tanδ ％) （ＫＨｚ） 最大値 最小値 最大値 最小値 １ ２４８２ ２３９５ ２．５ ２．０ １０ ２３９９ ２３０５ ２．７ ２．３ １００ ２３１５ ２２２２ ３．６ ３．０ １０００ ２１９６ ２１１２ １２．４ ７．２ バリウム銅オキシドに三酸化タングステン又は三酸化モ
リブデンを添加して焼結したペレットについての誘電損
率 tanδ（％）はバリウム銅オキシド単独で焼結したペ
レットについての誘電損率よりもずっと小さいことは表
１，２及び３の結果の比較から明らかである。バリウム
銅オキシドに三酸化タングステン又は三酸化モリブデン
を添加して焼結したペレットの誘電率はまたバリウム銅
オキシド単独で焼結したペレットについての誘電率より
も１〜１０００ＫＨｚの周波数範囲に亘って余り変動し
なかった。
リブデンを添加して焼結したペレットについての誘電損
率 tanδ（％）はバリウム銅オキシド単独で焼結したペ
レットについての誘電損率よりもずっと小さいことは表
１，２及び３の結果の比較から明らかである。バリウム
銅オキシドに三酸化タングステン又は三酸化モリブデン
を添加して焼結したペレットの誘電率はまたバリウム銅
オキシド単独で焼結したペレットについての誘電率より
も１〜１０００ＫＨｚの周波数範囲に亘って余り変動し
なかった。
【００２８】実施例４〜１１ 実施例２の方法に従って、以下に与えた量及び比率でバ
リウム銅オキシド及び三酸化タングステンを添加した純
粋なチタン酸バリウムを含有する種々の組成物を製造し
た： 実施例 No. 全添加率 モル比 （モル％） ＢａＣｕＯ2 ／ＷＯ3 ４ １．０ ２．５ ５ １．５ ２．５ ６ ２．０ ２．５ ７ ２．０ １．０ ８ ３．５ ２．５ ９ ３．５ １．０ １０ ５．０ １．０ １１ １０．０ １．０
リウム銅オキシド及び三酸化タングステンを添加した純
粋なチタン酸バリウムを含有する種々の組成物を製造し
た： 実施例 No. 全添加率 モル比 （モル％） ＢａＣｕＯ2 ／ＷＯ3 ４ １．０ ２．５ ５ １．５ ２．５ ６ ２．０ ２．５ ７ ２．０ １．０ ８ ３．５ ２．５ ９ ３．５ １．０ １０ ５．０ １．０ １１ １０．０ １．０
【００２９】各々の混合物を乾燥し、篩分して１００メ
ッシュ以上のフラクションを除去した。これらの組成物
からペレットを製造し、実施例２に記載の如く加圧し且
つ焼結した。加圧、焼結したペレットの密度は以下の表
４に示す。ペレットを厚さが約１．５ｍｍの円板に切断
し、これらの円板の誘電率及び誘電損率を−５０°〜１
５０℃の温度範囲内で実施例１に記載の如く測定した。
ッシュ以上のフラクションを除去した。これらの組成物
からペレットを製造し、実施例２に記載の如く加圧し且
つ焼結した。加圧、焼結したペレットの密度は以下の表
４に示す。ペレットを厚さが約１．５ｍｍの円板に切断
し、これらの円板の誘電率及び誘電損率を−５０°〜１
５０℃の温度範囲内で実施例１に記載の如く測定した。
【００３０】 表 ４ 実施例 密 度 １ＫＨｚでの 最大誘電率 ２５℃及び１ＫＨｚ No. 最大誘電率 の温度 での誘電損率（％） ４ ４．３７ ２１６０ １４０ ０．７ ５ ５．０５ ３４００ １２０ １．２ ６ ５．４８ ５６７０ １１０ １．６ ７ ５．５４ ４２５０ ９５ ５．５ ８ ５．７１ ５７２０ ９２ ２．８ ９ ５．５４ ６０１０ ９２ １．９ １０ ５．６６ ５６６０ ９２ ４．２ １１ ５．７４ ４１１０ １１０ １．８
【００３１】実施例１２〜１９ 実施例３の方法に従って、以下に示した量及び比率でバ
リウム銅オキシド及び三酸化モリブデンを添加した純粋
なチタン酸バリウムを含有してなる種々の組成物を製造
した： 実施例 No. 全添加率 モル比 （モル％） ＢａＣｕＯ2 ／ＭＯ3 １２ １．０ ２．５ １３ １．５ ２．５ １４ ２．０ ２．５ １５ ２．０ １．０ １６ ３．５ ２．５ １７ ３．５ １．０ １８ ５．０ １．０ １９ １０．０ １．０
リウム銅オキシド及び三酸化モリブデンを添加した純粋
なチタン酸バリウムを含有してなる種々の組成物を製造
した： 実施例 No. 全添加率 モル比 （モル％） ＢａＣｕＯ2 ／ＭＯ3 １２ １．０ ２．５ １３ １．５ ２．５ １４ ２．０ ２．５ １５ ２．０ １．０ １６ ３．５ ２．５ １７ ３．５ １．０ １８ ５．０ １．０ １９ １０．０ １．０
【００３２】各々の混合物を乾燥させ、篩分して１００
メッシュ以上のフラクションを除去した。これらの組成
物からペレットを製造し、実施例３に記載の如く加圧し
焼結した。加圧、焼結したペレットの密度は以下の表５
に示してある。これらのペレットを厚さが約１．５ｍｍ
の円板に切断し、該円板の誘電率及び誘電損率を−５０
°〜１５０℃の温度範囲内で実施例１に記載の如く測定
した。
メッシュ以上のフラクションを除去した。これらの組成
物からペレットを製造し、実施例３に記載の如く加圧し
焼結した。加圧、焼結したペレットの密度は以下の表５
に示してある。これらのペレットを厚さが約１．５ｍｍ
の円板に切断し、該円板の誘電率及び誘電損率を−５０
°〜１５０℃の温度範囲内で実施例１に記載の如く測定
した。
【００３３】 表 ５ 実施例 密 度 １ＫＨｚでの 最大誘電率 ２５℃及び１ＫＨｚ No. 最大誘電率 の温度 での誘電損率（％） １２ ４．５０ ２１６０ １４５ １．４ １３ ４．６９ ２４７０ １４５ ２．３ １４ ５．１４ ３２７０ １４５ ４．２ １５ ４．６８ ２３８０ １２８ ２．４ １６ ５．７２ ４７５０ １３０ １．３ １７ ４．６８ ２４３０ １２８ ８．２ １８ ４．７７ ２４１０ １２８ ８．２ １９ ５．５３ ３０４０ １４５ １．８
【００３４】実施例２０〜２３ 実施例３の方法に従って、等モル量の酸化タングステン
と酸化モリブデンと混合物とバリウム錫オキシドとを添
加した純粋なチタン酸バリウムよりなる種々の組成物を
製造した。 実施例 No. 全添加率 モル比 （モル％） ＢａＣｕＯ2 ／ＷＯ3 ２０ ２．０ １．０ ２１ ３．５ ２．５ ２２ ３．５ １．０ ２３ ５．０ １．０ 各々の混合物を乾燥させ、篩分して１００メッシュ以上
のフラクションを除去した。ペレットをこれらの組成物
から製造し、実施例３に記載の如く加圧し且つ焼結し
た。加圧、焼結したペレットの密度は以下の表６に示
す。ペレットを厚さが大体１．５ｍｍの円板に切断し、
これら円板の誘電率及び誘電損率を−５０℃〜１５０℃
の温度範囲内で実施例１に記載の如く測定した。
と酸化モリブデンと混合物とバリウム錫オキシドとを添
加した純粋なチタン酸バリウムよりなる種々の組成物を
製造した。 実施例 No. 全添加率 モル比 （モル％） ＢａＣｕＯ2 ／ＷＯ3 ２０ ２．０ １．０ ２１ ３．５ ２．５ ２２ ３．５ １．０ ２３ ５．０ １．０ 各々の混合物を乾燥させ、篩分して１００メッシュ以上
のフラクションを除去した。ペレットをこれらの組成物
から製造し、実施例３に記載の如く加圧し且つ焼結し
た。加圧、焼結したペレットの密度は以下の表６に示
す。ペレットを厚さが大体１．５ｍｍの円板に切断し、
これら円板の誘電率及び誘電損率を−５０℃〜１５０℃
の温度範囲内で実施例１に記載の如く測定した。
【００３５】 表 ６ 実施例 密 度 １ＫＨｚでの 最大誘電率 ２５℃及び１ＫＨｚ No. 最大誘電率 の温度 での誘電損率（％） ２０ ４．９２ ２８４０ １３０ １．１ ２１ ５．６９ ５７５０ １３０ ２．０ ２２ ４．９４ ２７９０ １４０ １．７ ２３ ５．０４ ２９３０ １４０ １．１
【００３６】実施例２４〜２６ 実施例３の方法に従って、チタン酸バリウム（ＴＡＭセ
ラミック社からのＨＰＢ及び／又はＣＯＦ７０品位）と
チタン酸ストロンチウムと或るピーク改質イオンとを含
有してなる種々の組成物を製造し、その組成は以下に与
えてあり、記載される量はモル％である。 実施例 BaTiO3 BaTiO3 SrTiO3 BaZrO3 MnSO4 BaCuO2 WO3 No. (HPB) (COF70) 24 − 80.6 9.0 5.6 0.8 2.5 1.5 25 − 80.6 5.6 9.0 0.8 2.5 1.5 26 42.4 42.4 2.0 9.0 0.2 2.5 1.5
ラミック社からのＨＰＢ及び／又はＣＯＦ７０品位）と
チタン酸ストロンチウムと或るピーク改質イオンとを含
有してなる種々の組成物を製造し、その組成は以下に与
えてあり、記載される量はモル％である。 実施例 BaTiO3 BaTiO3 SrTiO3 BaZrO3 MnSO4 BaCuO2 WO3 No. (HPB) (COF70) 24 − 80.6 9.0 5.6 0.8 2.5 1.5 25 − 80.6 5.6 9.0 0.8 2.5 1.5 26 42.4 42.4 2.0 9.0 0.2 2.5 1.5
【００３７】これらの組成物からペレットを製造し、実
施例３に記載の如く加圧し且つ焼結した。加圧、焼結済
みペレットの密度は以下の表７に与えてある。ペレット
を厚さが約１．５ｍｍの円板に切断し、これら円板の誘
電率及び誘電損率を−５０〜１５０℃の温度範囲内で実
施例１に記載の如く測定した。
施例３に記載の如く加圧し且つ焼結した。加圧、焼結済
みペレットの密度は以下の表７に与えてある。ペレット
を厚さが約１．５ｍｍの円板に切断し、これら円板の誘
電率及び誘電損率を−５０〜１５０℃の温度範囲内で実
施例１に記載の如く測定した。
【００３８】 表 ７ 実施例 密 度 １ＫＨｚでの 最大誘電率 ２５℃、１ＫＨｚ No. 最大誘電率 の温度 での誘電損率（％） ２４ ５．６７ ８８６０ ８ ０．９ ２５ ５．７５ １０２００ −６ １．６ ２６ ５．６５ ８０２０ ３４ １．２
【００３９】ピーク改質イオンが最大誘電率の温度に如
何に影響するかは実施例２４，２５及び２６の比較によ
って明らかに示されている。添附図面を参照するに、図
１は１ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数範囲に亘って実施例２
４の組成物の比誘電率を表わし、図２は１ＫＨｚ〜１Ｍ
Ｈｚの周波数範囲に亘って実施例２４の組成物の誘電正
接を表わし、図３は実施例２４，２５及び２６の組成物
について１ＫＨｚでの比誘電率を表わす。
何に影響するかは実施例２４，２５及び２６の比較によ
って明らかに示されている。添附図面を参照するに、図
１は１ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数範囲に亘って実施例２
４の組成物の比誘電率を表わし、図２は１ＫＨｚ〜１Ｍ
Ｈｚの周波数範囲に亘って実施例２４の組成物の誘電正
接を表わし、図３は実施例２４，２５及び２６の組成物
について１ＫＨｚでの比誘電率を表わす。
【図１】１ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数範囲に亘って実施
例２４の組成物の比誘電率を表わす図表である。
例２４の組成物の比誘電率を表わす図表である。
【図２】１ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数範囲に亘って実施
例２４の組成物の誘電正接を表わす図表である。
例２４の組成物の誘電正接を表わす図表である。
【図３】実施例２４，２５及び２６の組成物について１
ＫＨｚでの比誘電率を表わす図表である。
ＫＨｚでの比誘電率を表わす図表である。
フロントページの続き (72)発明者 クリフオード・ジヨン・フランシス イギリス国．オーエツクス９・ ４エルワ イ．オツクスフオードシヤー．シデナム． ブルツクストーンズ．バーン・ハウス（番 地その他表示なし） (72)発明者 ビールス・テイモテイ・ポール イギリス国．オーエツクス16・ ８アール エツチ．オクソン．バンバリー．コースウ エイ．25 (72)発明者 バルテイチユド・ジヨン イギリス国．オーエツクス17・ ３キユテ イ．オクソン．バンバリー．キングス・サ ツトン．ウインドソアー・クロス．５
Claims (9)
- 【請求項１】 式ＢａＣｕＯ2 の混成金属酸化物と三酸
化タングステン又は三酸化モリブデンの少なくとも１種
との混合物を焼結用助剤として使用することを特徴とす
る、アルカリ土類金属チタネート又はその混合物の焼結
方法。 - 【請求項２】 焼結助剤は１．０〜１０モル％の量で用
いる請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 焼結助剤は２〜４モル％の量で用いる請
求項２記載の方法。 - 【請求項４】 ＢａＣｕＯ2 とＷＯ3 及び／又はＭｏＯ
3 とのモル比は１：１〜３：１の範囲にある請求項１〜
３の何れかに記載の方法。 - 【請求項５】 ＢａＣｕＯ2 とＷＯ3 及び／又はＭｏＯ
3 とのモル比は２：１〜５：２の範囲にある請求項４記
載の方法。 - 【請求項６】 アルカリ土類金属チタネートは１１５０
℃又はそれ以下の温度で焼結する請求項１〜５の何れか
に記載の方法。 - 【請求項７】 アルカリ土類金属チタネートはチタン酸
バリウム、チタン酸ストロンチウム又はこれの混合物で
ある請求項１〜６の何れかに記載の方法。 - 【請求項８】 アルカリ土類金属チタネート又はこれの
混合物は１種又はそれ以上のピーク改質イオンを含有す
る請求項１〜７の何れかに記載の方法。 - 【請求項９】 請求項１〜８の何れかに記載された如き
方法によって製造された焼結済みのアルカリ土類金属チ
タネート又はこれの混合物を含有してなることを特徴と
する誘電体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9025802.1 | 1990-11-28 | ||
| GB909025802A GB9025802D0 (en) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Improved sintering aid |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558723A true JPH0558723A (ja) | 1993-03-09 |
| JPH0825796B2 JPH0825796B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=10686080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3355467A Expired - Lifetime JPH0825796B2 (ja) | 1990-11-28 | 1991-11-28 | アルカリ土類金属チタネートの焼結方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5262368A (ja) |
| EP (1) | EP0488621B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0825796B2 (ja) |
| AT (1) | ATE128107T1 (ja) |
| DE (1) | DE69113214T2 (ja) |
| GB (1) | GB9025802D0 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011037148A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及びそれを用いた液体噴射装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461014A (en) * | 1994-01-13 | 1995-10-24 | Tam Ceramics, Inc. | Lead perovskite based ceramic compositions without any free lead oxide |
| US5872071A (en) * | 1997-10-07 | 1999-02-16 | National Science Council | Low-fire dielectric composition and its use in laminated microwave dielectric ceramic elements |
| DE10132798C1 (de) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Epcos Ag | Keramikmaterial, keramisches Vielschichtbauelement und Verfahren zur Herstellung des Bauelements |
| US7572748B1 (en) * | 2006-10-20 | 2009-08-11 | Skyworks Solutions, Inc. | Materials comprising barium zirconate and methods for manufacturing thereof |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5761669A (en) * | 1980-10-01 | 1982-04-14 | Univ Illinois | Fine grain semiconductive interfacial layer ceramic composition and manufacture |
| JPH01305855A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-11 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
| JPH02239152A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-09-21 | Lcc Cice Cie Europ Compos Electron | 高誘電率と高安定性を有する誘電体セラミック組成物およびコンデンサ |
| JPH038767A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB698946A (en) * | 1950-05-26 | 1953-10-28 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to ceramic dielectric compositions |
| DE2659016C2 (de) * | 1976-12-27 | 1982-03-25 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur Herstellung eines Dielektrikums mit Perowskitstruktur |
| DE2736688C2 (de) * | 1977-08-16 | 1986-02-20 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur Herstellung eines Dielektrikums mit Perowskitstruktur |
| FR2439171A1 (fr) * | 1978-10-18 | 1980-05-16 | Thomson Csf | Ceramique dielectrique a basse temperature de frittage et son application a la fabrication de composants electroniques |
| US4283753A (en) * | 1979-09-28 | 1981-08-11 | Sprague Electric Company | Low firing monolithic ceramic capacitor with high dielectric constant |
| US4266265A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-05 | Sprague Electric Company | Ceramic capacitor and method for making the same |
| US4530031A (en) * | 1984-03-12 | 1985-07-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
| JPH0670884B2 (ja) * | 1986-12-27 | 1994-09-07 | 株式会社住友金属セラミックス | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| US5011804A (en) * | 1990-02-28 | 1991-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ceramic dielectric compositions and method for improving sinterability |
-
1990
- 1990-11-28 GB GB909025802A patent/GB9025802D0/en active Pending
-
1991
- 1991-11-19 US US07/794,245 patent/US5262368A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-25 AT AT91310823T patent/ATE128107T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-11-25 DE DE69113214T patent/DE69113214T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-25 EP EP91310823A patent/EP0488621B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-28 JP JP3355467A patent/JPH0825796B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5761669A (en) * | 1980-10-01 | 1982-04-14 | Univ Illinois | Fine grain semiconductive interfacial layer ceramic composition and manufacture |
| JPH01305855A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-11 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
| JPH02239152A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-09-21 | Lcc Cice Cie Europ Compos Electron | 高誘電率と高安定性を有する誘電体セラミック組成物およびコンデンサ |
| JPH038767A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011037148A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及びそれを用いた液体噴射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0488621A1 (en) | 1992-06-03 |
| JPH0825796B2 (ja) | 1996-03-13 |
| GB9025802D0 (en) | 1991-01-09 |
| DE69113214T2 (de) | 1996-05-30 |
| DE69113214D1 (de) | 1995-10-26 |
| EP0488621B1 (en) | 1995-09-20 |
| US5262368A (en) | 1993-11-16 |
| ATE128107T1 (de) | 1995-10-15 |
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