JP3383623B2 - ホウ酸バリウムとケイ酸亜鉛の二成分焼結融剤をベースとするコンデンサーおよび誘電性セラミック粉末 - Google Patents

ホウ酸バリウムとケイ酸亜鉛の二成分焼結融剤をベースとするコンデンサーおよび誘電性セラミック粉末

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１，１５５℃より
低温で焼結した際に高い品質係数および高密度を与え
る、ホウ酸バリウムおよびケイ酸亜鉛の二成分焼結融剤
をベースとする、温度補償コンデンサー、およびそれに
用いる誘電性組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】温度補償（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃ
ｏｍｐｅｎｓａｔｉｎｇ，ＴＣ）コンデンサーは、−５
５〜＋１２５℃の温度範囲にわたって、静電容量の温度
係数（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎ
ｔ ｏｆ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ，ＴＣＣ）の直線的
変化を示す。用いる誘電率の相異により、図１に示すよ
うに約５，０００ＰＰＭ／℃（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍ
ｉｌｌｉｏｎ／℃）の負の勾配から約１５０ＰＰＭ／℃
の正の勾配まで変化する直線ＴＣＣ勾配をもつ。最も一
般的な誘電体はＮ４７００、Ｎ３３００、Ｎ２２００、
Ｎ１５００、Ｎ７５０、Ｎ３３０、ＮＰＯ（ＣＯＧ）、
Ｐ９０およびＰ１５０である。ＥＩＡ−９８基準（エレ
クトロニクス工業協会）。
【０００３】ＥＩＡ−９８基準によれば、ＴＣコンデン
サーは少なくとも１，０００の品質係数Ｑ（誘電正接％
（％ＤＦ）０．１）をもたなければならない。ＱはＤＦ
の逆数である。すなわちＱ＝１／ＤＦまたはＱ＝１／
（％ＤＦ×０．０１）。ただし、高いＱ値を達成するた
めにはＴＣコンデンサーミクロ組織密度が理論値の９５
％を超えなければならない。高密度を達成するには、一
般に未焼成ＴＣコンデンサーを少なくとも１，２５０℃
の温度で焼成する必要があろう。しかしこのような高い
焼結温度は焼成ＴＣコンデンサーに不都合な影響を与え
る可能性がある： ａ）コンデンサーには一般に７０％Ａｇ／３０％Ｐｄ合
金を用いる。この合金は約１，１５５℃の固相温度をも
ち、したがって焼結温度が１，１５５℃より高い場合は
使用できない。これは問題である。純粋な形のチタン酸
塩または修飾チタン酸塩、たとえばチタン酸のアルカリ
土類金属塩（純粋なもの、または修飾したもの）、また
はジルコン酸塩もしくは希土類金属酸化物との混合物
は、理論値の９５％を超える密度を達成するためには
１，１５５℃より高い温度での焼結が必要だからであ
る。
【０００４】ｂ）ＴＣコンデンサーを得るには、特定の
電気的特性および直線性、たとえば特定の誘電率Ｋまた
はＴＣＣを達成するために誘電性材料を混合するのが一
般的である。たとえば正のＴＣＣ材料と負のＴＣＣ材料
を混合すると、変化またはシフトしたＴＣＣが得られ
る。たとえばＣａＴｉＯ3（−ＴＣＣ、Ｎ７５０）とＭ
ｇＴｉＯ3（＋ＴＣＣ、Ｐ１１０）の混合。ただし、あ
る種のチタン酸塩または改質チタン酸塩を混合すると、
１，２５０℃以上で焼結した場合に多層ではなく固溶体
が生成する可能性がある。
【０００５】先行技術には、焼結温度を１，２５０℃よ
り低くするある種のガラス修飾剤およびガラス形成剤
（ｆｏｒｍｅｒ）が開示されている。ただし、大部分の
場合、これらの修飾剤／ガラス形成剤はＢｉ2Ｏ3、Ｐｂ
ＯおよびＣｄＯなど、重金属酸化物をベースとする。重
金属酸化物は焼結を１，１５５℃より低くするのに有用
ではあるが、それらは揮発性であり、誘電体のＱを低下
させる傾向がある。さらに、ＰｂＯおよびＣｄＯは環境
に有害であり、工業界ではそれらを避ける傾向にある。
またＢ2Ｏ3はＡｇ／Ｐｄ電極と反応性である可能性をも
つ。
【０００６】米国特許第３，９８８，４９８号（マハ
ー、本発明者）には、線形誘電率材料ＢａＯ．ＲＥ
2Ｏ3．ＴｉＯ2（ＲＥは希土類金属）が開示されてい
る。焼結温度を低下させるために、修飾剤Ａｌ2Ｏ3およ
び重金属酸化物ＰｂＯまたはＢｉ2Ｏ3を含むホウ酸塩お
よびケイ酸塩のガラスが用いられた。ＴＣＣおよびガラ
ス融解温度を調節するために、ＣｄＯおよびＺｎＯが用
いられた。しかしこの系は重金属酸化物に依存してい
た。
【０００７】米国特許第４，５３３，９７４号（マハ
ー、本発明者）には、誘電性材料Ｍｇ xＺｎyＴｉＯ3お
よびＣａＴｉＯ3が開示されている。この系は、焼結温
度を１，１５５℃より低くするために金属酸化物融剤Ｍ
ｇＯ．Ｂ2Ｏ3、ＭｇＯ．ＺｎＯ．Ｂ2Ｏ3、またはＣｄ
Ｏ．ＺｎＯ．Ｂ2Ｏ3融剤を用いた。この融剤はホウ酸塩
に依存していた。この‘９７４は、ケイ酸塩およびホウ
酸バリウムは満足すべき結果を与えないとも教示してい
る。
【０００８】米国特許第５，２６４，４０３号（アベ
ら）には、ＢａＯ．ＲＥ2Ｏ3．ＴｉＯ 2．Ｂｉ2Ｏ3の系
およびＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2のガラスが開示されて
いる。この融剤は、重金属酸化物Ｂｉ2Ｏ3に依存する。
Ｂｉ2Ｏ3はそれを添加した形で修飾剤として作用するか
らである。さらに、この‘４０３は、ＢａＯなどの金属
酸化物を汚染物質として扱っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】先行技術と対照的に、
本発明はケイ酸亜鉛およびホウ酸バリウムをベースとす
る二成分焼結融剤を開示する。開示するこの融剤によれ
ば、正および負のＴＣＣ誘電性材料から得られるＴＣコ
ンデンサーを１，１５５℃より低い温度で焼結できる。
焼成密度は著しく高く（しばしば理論値の９５％より高
い）、％ＤＦ＝０．１のＥＩＡ−１９８が達成される。
重要なことは、本発明に開示する融剤をベースとする誘
電性セラミック組成物がＢｉ2Ｏ3、ＰｂＯおよびＣｄＯ
など、重金属酸化物系のガラス修飾剤に依存しないこと
である。
【００１０】したがって本発明の目的は、ＰｂＯ、Ｃｄ
ＯおよびＢｉ2Ｏ3など、重金属酸化物系のガラス修飾剤
を含有しないＴＣコンデンサーおよび誘電性セラミック
粉末を提供することである。
【００１１】本発明の他の目的は、未焼成コンデンサー
およびそれに用いる誘電性組成物を１，１５５℃より低
温で焼結でき、高いＱ（すなわち５，０００より高い）
および著しく高い密度（すなわち理論値の９５％より高
い）を示す、ＴＣコンデンサーおよび誘電性セラミック
粉末を提供することである。
【００１２】本発明の他の目的は、系統的な直線性およ
び電気的特性を示す誘導可能な誘電性セラミック粉末を
提供することである。本発明の他の目的は、各種の誘電
性セラミック粉末および配合物を低温（１，１５５より
低い）で焼結してもなお高いＱ（すなわち５，０００よ
り高い）および高密度（すなわち理論値の９５％より高
い）が得られる、ホウ酸バリウムおよびケイ酸亜鉛の二
成分焼結融剤を提供することである。
【００１３】これらおよびさらに他の目的は以下におい
て明らかになるであろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、直線性を導き
出すための、ケイ酸亜鉛およびホウ酸バリウムの焼結融
剤をベースとするＴＣコンデンサーおよび誘電性セラミ
ック粉末を開示する。これらの誘電性セラミック粉末お
よびＴＣコンデンサーを１，１５５℃より低い温度で焼
成してもなお高密度および高いＱ係数を達成できる。焼
結温度が低いと、誘電性セラミック粉末混合物を用い
て、固溶体という不都合な影響を生じることなく直線性
および電気的特性を導き出すことができる。さらに、低
価格の７０％Ａｇ／３０％Ｐｄ電極をＴＣコンデンサー
に使用できる。
【００１５】本発明の誘電性セラミック粉末は、勾配お
よびＫ値の調節のために、ジルコン酸カルシウムで部分
置換されたチタン酸バリウム（大きな負のＴＣＣ勾配、
および４５０より大きいＫ値を得るために）、もしくは
酸化バリウムで部分置換された希土類金属酸化物（たと
えば酸化ネオジム）（ＣＯＧおよびＫ＝約６５を得るた
めに）、チタン酸亜鉛マグネシウムもしくは（ＭｇxＺ
ｎyＢａzＣａw）ＴｉＯ 3（ＣＯＧおよびＫ＝約２５を得
るために）、チタン酸マグネシウム（正のＴＣＣ勾配〜
１００、およびＫ＝約１５を得るために）、またはその
混合物を含む。これらの粉末（およびその混合物）によ
れば、ＴＣＣ勾配の変化または調節が可能である。チタ
ン酸ストロンチウム、ジルコン酸バリウムまたはチタン
酸ビスマスなどの添加剤により、含有される添加剤の量
および種類に応じてＴＣＣ勾配をさらに変化させること
ができる。ジルコン酸カルシウムをチタン酸バリウムに
部分置換する機能的範囲は、２０〜３５モル％である。
希土類金属酸化物による酸化バリウムの置換について
は、機能的モル組成はｘＢａＯ．ｙＴｉＯ2．ｚＲＥ2Ｏ
3であり、ｘは０〜３０モル％、ｙは４５〜９５モル
％、ｚは５〜５０モル％である。
【００１６】焼結またはコンデンサー作成に用いる誘電
性セラミック粉末は、９１〜９９重量％の誘電性セラミ
ック組成物、および１〜９重量％の二成分焼結融剤（ケ
イ酸亜鉛が０．５〜４重量％、ホウ酸バリウムが０．５
〜５重量％を構成する）を含む。ＴＣＣ勾配を調節する
ために１種類以上の添加剤をも含有することができる。
ケイ酸亜鉛には２ＺｎＯ．ＳｉＯ2の１相しかないが、
ホウ酸バリウムは４つの相ＢａＯ．Ｂ2Ｏ3、３ＢａＯ．
１Ｂ2Ｏ3、ＢａＯ．２Ｂ2Ｏ3、ＢａＯ．４Ｂ2Ｏ3で存在
する可能性がある。ＢａＯ．Ｂ2Ｏ3、および３ＢａＯ．
１Ｂ2Ｏ3相が好ましい。Ｂ2Ｏ3およびＳｉＯ2の関与を
考慮しなければならず、ホウ酸バリウム中のＢ2Ｏ3の機
能的重量％は誘電性組成物全重量の０．０２９〜２．７
５重量％とすべきであり、一方ＳｉＯ2の重量％は誘電
性組成物全重量の０．０８〜１．４２重量％とすべきで
ある。
【００１７】融剤は亜鉛−ホウケイ酸ガラスとして、ま
たはケイ酸亜鉛およびホウ酸バリウムの別個の成分とし
て使用できる。いずれの態様においても、前駆物質−融
剤組成物はなお１，１５５℃より低い温度で焼結して、
許容しうる結果を得ることができる。この焼結融剤は、
誘電性セラミック組成物か焼物（すなわちＢａＴｉ3Ｏ
−ＣａＺｒＯ3、またはｘＢａＯ．ｙＴｉＯ2．ｚＲｅ2
Ｏ3）に、ガラスとして添加しても、ケイ酸亜鉛および
ホウ酸バリウムの各成分として添加しても有効である。
事実、この焼結融剤は、誘電性セラミック粉末が融剤酸
化物と共に穏やかにか焼された誘電性セラミック組成物
か焼物（すなわちＢａＴｉ3Ｏ−ＣａＺｒＯ3、またはｘ
ＢａＯ．ｙＴｉＯ2．ｚＲＥ2Ｏ3）である場合、有効で
ある。
【００１８】ＢａＴｉ3Ｏ−ＣａＺｒＯ3、添加剤および
融剤の第１粉末混合物か焼物とｘＢａＯ．ｙＴｉＯ2．
ｚＲｅ2Ｏ3、添加剤および融剤の第２粉末混合物か焼物
を、個々の粉末混合物か焼物の配合および特性に応じて
種々の量で混合して、特定の直線性および電気的特性を
もつＴＣコンデンサーおよび誘電体を得ることができ
る。この様式で混合し、第１および第２粉末混合物それ
ぞれの重量％を具体的な直線性または電気的特性に対し
プロットした場合、得られる曲線は、目的特性を示す誘
電性またはＴＣコンデンサーを得るのに必要な第１およ
び第２粉末混合物それぞれの重量％を与える。一例を図
６に示す。この図では、Ｎ２２００のＴＣＣおよび４５
０のＫを示すように誘導した第１粉末混合物とＮＰＯの
ＴＣＣおよび６５のＫを示すように誘導した第２粉末混
合物とを種々の重量％で混合し、ＴＣＣ勾配に対しプロ
ットした。
【００１９】
【実施例】Ａ．チタン酸塩／ジルコン酸塩の例：この一
連の例は、著しく高いＱおよび４５０の領域のＫを示す
Ｎ２２００誘電体を得るための、ジルコン酸カルシウム
によるチタン酸バリウムの部分置換を示す。チタン酸バ
リウム−ジルコン酸カルシウム系はこれまでに研究され
ている。ＭｃＱｕａｒｒｉｅおよびＢｅｈｎｋｅ，系
（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3における構造および
誘電性の研究，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅ
ｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏ
ｌ．３７，Ｎｏ．１１，１９５４年１１月。（１−ｍ）
ＢａＴｉＯ3＋（ｍ）ＣａＺｒＯ3組成物をチタン酸バリ
ウム中におけるジルコン酸カルシウムの溶解度より過剰
な状態で混合し、１，１００℃より高温でか焼すると、
限定された固溶体生成が起きる。新たな相は（Ｂａ1-m
Ｃａm）（Ｔｉ1-zＺｒz）Ｏ3である。ペロブスカイト結
晶格子中のＢａをＣａに、ＴｉをＺｒに置換すると、Ｂ
ａＴｉＯ3の強誘電性からパラ誘電性への転移温度が＋
１２５℃から−１００℃より十分に低い温度にまでシフ
トするであろう。この組成物は負のＴＣＣ勾配を示すで
あろう。チタン酸塩／ジルコン酸塩のＴＣＣ勾配は、チ
タン酸バリウムに置換するジルコン酸カルシウムのモル
％を変化させることにより変更できる。ＴＣＣ勾配は、
チタン酸ビスマスを添加して直線性をＮ２２００ ±１
５０ＰＰＭ／℃に調節することにより、さらに調節され
る。ＴＣＣ勾配の変更は、チタン酸ストロンチウムによ
っても行うことができる。これは先にＲ．Ｊ．Ｃａｖｅ
らが研究している：チタン酸ストロンチウムバリウムの
誘電率の温度係数の補償，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．６７（２５），１９９５年１２月１８日。
【００２０】チタン酸バリウムおよびジルコン酸カルシ
ウムの２種類の組成物のディスク試料を作成した。混合
物は（１−ｍ）ＢａＴｉＯ3および（ｍ）ＣａＺｒＯ3と
して化学量論的量であり、得られた２種類の混合物は
（Ｂａ0.75Ｃａ0.25Ｔｉ0.75Ｚｒ0.25）Ｏ3および（Ｂ
ａ0.70Ｃａ0.30Ｔｉ0.70Ｚｒ0.30）Ｏ3であった。（１
−ｍ）ＢａＴｉＯ3および（ｍ）ＣａＺｒＯ3（ｍは３０
モル％または２５モル％）の組成物が得られる割合のＢ
ａＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＴｉＯ2、およびＺｒＯ2を脱イオ
ン水と共に数時間混練し、乾燥させ、顆粒化し、約１，
１５０℃でか焼して、高温相粉末を得た。この粉末を微
粉砕して（ｍｉｌｌ，ｐｕｌｖｅｒｉｚｅ）２ミクロン
未満の平均粒度にした。次いでホウ酸バリウム粉末およ
びケイ酸亜鉛粉末を、これらの例に示すように種々の重
量％で添加した。
【００２１】５０ｇのバッチから単層ディスク試料を作
成した。バッチをこれらの例に示す特定の添加剤、少量
の有機結合剤、溶剤および分散剤と混和し、約１５時間
混練し、乾燥させた。このプロセスで均質な混合物が得
られ、これを顆粒化し、約１５，０００ＰＳＩで圧縮し
てディスクにし、次いで１，１３０℃で焼成した。焼成
したディスクの寸法は直径約１ｃｍ、厚さ約０．８ｍｍ
であった。
【００２２】二成分融剤の効果は、７５／２５誘電性セ
ラミック粉末混合物により明らかになる。表１を参照す
ると、試料１が示すようにこの混合物を融剤またはその
成分なしに１，３００℃で焼結すると、焼成ディスクは
開放多孔質であり、電気的特性および直線性を測定でき
なかった。試料２が示すように、２重量％のＺｎ2Ｓｉ
Ｏ4を添加し、１，２５０℃で焼結すると、ディスクは
５．５５ｇ／ｃｍ3の密度および０．０９の％ＤＦを達
成した。２５モル％のチタン酸バリウムがジルコン酸カ
ルシウムで置換されたにすぎないので、ＴＣＣ勾配は著
しく負であった。１，１３０℃で焼結した例３は開放多
孔質であった。しかし試料４が示すように、１重量％の
ＢａＯ．Ｂ2Ｏ3を添加し、１，１３０℃で焼結すると、
ディスクは５．５８ｇ／ｃｍ3の密度および０．０６８
の％ＤＦを達成した。試料５および６が示すように、Ｂ
ａＯ．Ｂ2Ｏ3の重量％を高めるとＱ係数は低下したが、
密度は許容限界内に留まった。
【００２３】試料７〜１０が示すように、７０／３０に
ついてはＴＣＣ勾配は７５／２５より負の程度が低い
（より多量のジルコン酸カルシウムで置換）。試料７は
融剤のケイ酸亜鉛成分（２重量％）のみを含有してい
た。高密度および２，０００のＱを達成するには１，２
５０℃での焼結が必要であった。試料８に示すように、
１重量％のＢａＯ．Ｂ2Ｏ3を添加すると、わずか１，１
３０℃での焼結により１０，０００のＱおよび５．４７
の高密度が達成された。７５／２５混合物と同様に、Ｂ
ａＯ．Ｂ2Ｏ3の量が増すとＱの低下を示した。これは図
７、図８および図９により証明されるように、ＢａＯと
Ｂ2Ｏ3の１：１の増加による可能性が最も高い。
【００２４】表２は、７５／２５混合物を用い、ケイ酸
亜鉛量を変化させた場合の結果を示す（高温での絶縁抵
抗を改良するために炭酸マンガン０．１重量％を含
む）。ケイ酸亜鉛重量％０．５〜１．５については、試
料１１〜１３は１，１３０℃で焼結すると開放多孔質で
あった。ケイ酸亜鉛２．５重量％および３重量％では、
試料１４および１５は測定可能な特性、密度およびＱ係
数を示した。しかし結果は良好でなかった。これは、図
７、図８および図９により分かるように、ケイ酸亜鉛が
その効果を現わしうる量の限界に近いからであろう。
【００２５】試料１６〜１９は、７５／２５混合物につ
いて３ＢａＯ．Ｂ2Ｏ3の効果を示す（高温での絶縁抵抗
を改良するために炭酸マンガン０．１重量％を含む）。
酸化バリウムとホウ酸塩のモル比３：１からみて、３Ｂ
ａＯ．Ｂ2Ｏ3の重量％はホウ酸塩の量をより高くするた
めにＢａＯ．Ｂ2Ｏ3の重量％より大きくなければならな
い。試料１６〜１９が示すように、結果はこれを証明す
る。試料１９が示すように３ＢａＯ．Ｂ2Ｏ3を３重量％
に増加すると、高密度および約８３３のＱが得られた。
【００２６】表３については、ＴＣＣの直線性および勾
配をＮ２２００に合わせるために、チタン酸ビスマスを
添加した。試料２５が示すように、Ｂｉ2Ｔｉ2Ｏ7の特
性は正のＴＣＣ勾配および低い誘電率である。
【００２７】試料２２〜２４が示すように、７０／３０
誘電性セラミック粉末混合物は、３０モル％ジルコン酸
カルシウムおよびチタン酸ビスマスがＴＣＣ勾配に与え
る正の効果が大きすぎることからみて、Ｎ２２００のＴ
ＣＣに特に有用というわけではなかった。しかし試料２
９が示すように、７５／２５混合物は、チタン酸ビスマ
スをわずか５重量％に調節した場合、Ｎ２２００ ±１
５０ＰＰＭ／℃、１０，０００のＱ、および５．５７ｇ
／ｃｍ3の高密度を与えた。焼結温度はわずか１，１３
０℃であった。０．１重量％ＭｎＣＯ3を用いた場合、
試料２１が示すように、チタン酸ビスマス４重量％でＱ
が約３，３３３のＮ２２００誘電体が得られた。
【００２８】７０／３０混合物のＴＣＣ勾配を調節する
ために、チタン酸ストロンチウムをそのＴＣＣ勾配が負
であることからみて使用した。試料３２および３３が示
すように、わずか２重量％のケイ酸亜鉛成分では１，２
５０℃での焼結が必要であった。Ｑ係数は１，２５０〜
２，０００にわたったがＴＣＣ勾配は直線性でなく、
１，２５０℃で焼結するとＳｒＴｉＯ3が固溶体になる
ことを示す。７０／３０混合物を含む試料４０〜４５は
チタン酸ストロンチウム量が増すほどＴＣＣの非直線性
が高まることを示すので、チタン酸ストロンチウムが固
溶体を形成することがこれらの試料から確認された。
【００２９】１重量％のＢａＯ．Ｂ2Ｏ3を添加すると
（２重量％のケイ酸亜鉛と共に）、１，１３０℃で焼結
を行うことができ、これによりＳｒＴｉＯ3の固溶体形
成が阻止される。試料３７が示すようにＳｒＴｉＯ3を
２０重量％に増加すると、ＴＣＣ勾配がＮ２２００に近
づく。Ｑ係数は低い（Ｑは約３３３）、この誘電性セラ
ミック粉末は１，１３０℃で焼結できた。添加剤を用い
ると、ＴＣＣ勾配をＮ２２００に調節できるであろう。
【００３０】ガラスとしてのケイ酸亜鉛およびホウ酸バ
リウム融剤の有効性も調べた。７５／２５混合物を用い
てこのガラスを試験した。重量比２：１のケイ酸亜鉛と
ホウ酸バリウム（ＢａＯ．Ｂ2Ｏ3相）を用いて、ホウケ
イ酸亜鉛粉末を調製した。この粉末をイソプロピルアル
コール中で２４時間混練してスラリーを調製し、８５℃
で乾燥して粉末にし、２０メッシュのスクリーンを通し
て顆粒化した。次いで得られた粉末を７５０℃で１時間
か焼し、イソプロピルアルコール中で再混練し、乾燥お
よび顆粒化した。まとめると、ガラス試料（３重量％ホ
ウケイ酸亜鉛ガラス）を１，１３０で焼結した場合、
５．４８ｇ／ｃｍ3の密度、４３６のＫおよび２，５０
０のＱをもつＮ２２００ ±１５０ＰＰＭ／℃の誘電体
が得られた。これに対し、この融剤をケイ酸亜鉛２重量
％およびＢａＯ．Ｂ2Ｏ3 １重量％の別個の成分として
添加し、１，１３０で焼結した試料は、５．４７ｇ／ｃ
ｍ3の密度、４３３のＫおよび１０，０００を超えるＱ
係数をもつＮ２２００ ±１５０ＰＰＭ／℃の誘電体と
なった。この例によれば、ＢａＴｉＯ3−ＣａＺｒＯ3混
合物には別個の成分としての融剤が好ましい態様である
と思われる。
【００３１】７５／２５混合物を用いて多層コンデンサ
ー試料を製造した。誘電性セラミック組成物の調製に用
いた方法は、前記と同じであった。ただし組成物は９２
重量％、焼結融剤は３重量％（２重量％のＺｎ2Ｓｉ
Ｏ4、１重量％のＢａＯ．Ｂ2Ｏ3）、添加剤Ｂｉ2ＴｉＯ
7粉末は５重量％であった。粉末混合物を有機ビヒクル
および結合剤中で混和した。有機ビヒクルは、それぞれ
７０／３０重量比のキシレンおよびＮ−ブタノールであ
った。結合剤はポリビニルブチリルであった。このスラ
リーは５０％の溶剤（ビヒクル）、９％の結合剤、数％
の有機分散剤および可塑剤、ならびに誘電性セラミック
組成物、融剤およびチタン酸ビスマスを含有していた。
粉末を確実に均質にするために、スラリーを約６時間混
練した。
【００３２】この混練スラリーのコーティングをガラス
基板に逐次付与し、各層を順に乾燥させ、７０％銀およ
び３０％パラジウムの電極形成ペーストをスクリーン印
刷した。次の逐次誘電層を付与する前に、下層の電極形
成ペーストのスクリーンパターンを乾燥させた。図３に
示すように、埋込み電極２１および２２を備えたボディ
ー２０を積層品から切り取り、密閉るつぼ内で１，１３
０℃に２ １／２時間焼成して熟成させた。次いでボデ
ィー２０の各末端（各末端に、埋込み電極が露出してい
る）に銀ペーストを付与した。次いでボディー２０を７
５０℃で数分間焼成して銀終端２３および２４を形成し
た。各コンデンサー試料は３．０ｍｍ×２．５ｍｍ×
０．７５ｍｍの寸法、およびそれぞれ厚さ３５μの１０
層を備えていた。
【００３３】まとめると、焼成コンデンサーは５．４３
６ｇ／ｃｍ3の密度、４６５のＫおよび０．０１の％Ｄ
Ｆ（ＥＩＡ−１９８基準を満たす）となった。ＴＣＣは
Ｎ２２００ ±１５０ＰＰＭ／℃（−５５〜＋２５℃で
Ｎ２３５０、および＋２５〜＋１２５℃でＮ２２８０）
であった。絶縁抵抗は１００Ｖおよび＋２５℃で１０ 11
オームより大きく、１００Ｖおよび＋１２５℃で１０10
オームより大きかった。絶縁破壊は５０Ｖ／μより大き
かった。
【００３４】Ｂ．（Ｎｄ2Ｏ3．ＢａＯ．ＴｉＯ2）の
例：この一連の例は、著しく高いＱおよび密度、ならび
に６５の領域のＫを示すＮＰＯ誘電体を得るために、チ
タン酸バリウムを酸ネオジムで置換してｘＢａＯ．ｙＴ
ｉＯ2．ｚＲＥ2Ｏ3の誘電性セラミック組成物を製造す
ることを示す。チタン酸の希土類金属塩は、誘電率は比
較的高いのにＮＰＯ直線性を示す。
【００３５】二酸化チタン、炭酸バリウム、およびネオ
ジムの水酸化物、水和物、炭酸塩または酸化物の粉末か
ら、ＢａＯ．ＴｉＯ2．Ｎｄ2Ｏ3誘電性セラミック組成
物を調製した。１５．４モル％ＢａＯ、６７．６モル％
ＴｉＯ2および１７．０モル％Ｎｄ2Ｏ3のモル％値が得
られる割合で、これらの粉末を混合した。混合物を数時
間湿式ボールミル処理してスラリーを調製した。スラリ
ーを約１５０℃で乾燥させ、顆粒化した。次いでこの粉
末を約１，２５０℃でか焼し、微粉砕して、２ミクロン
未満の平均粒度にした。次いでホウ酸バリウム粉末およ
びケイ酸亜鉛粉末を、各例に示すように種々の重量％で
添加した。
【００３６】５０ｇバッチから単層ディスク試料を作成
した。これらのバッチは、誘電性セラミック組成物と焼
結融剤の混合物であった。これらのバッチを各例に示す
ように、少量の有機結合剤、溶剤および分散剤を含む特
定の添加剤と混和し、約１５時間混練し、乾燥させた。
この方法で均質な混合物が得られ、これらを顆粒化し、
約１５，０００ＰＳＩで圧縮してディスクにし、次いで
１，１００℃で焼成した。焼成寸法は直径約１ｃｍ、厚
さ約０．８ｍｍであった。
【００３７】２種類のホウ酸バリウム相（ＢａＯ．Ｂ2
Ｏ3および３ＢａＯ．Ｂ2Ｏ3）、ならびに種々の重量％
の融剤およびその成分を含むＢａＯ．ＴｉＯ2．Ｎｄ2Ｏ
3誘電性セラミック組成物を評価した。プロットした密
度の結果を下記のように分類できる：（ａ）ケイ酸亜鉛
を２．５重量％で一定にし、ホウ酸バリウム量を変化さ
せる、（ｂ）ホウ酸バリウムを２．５重量％で一定に
し、ケイ酸亜鉛量を変化させる、（ｃ）ケイ酸亜鉛を１
重量％で一定にし、ホウ酸バリウム量を変化させる。
【００３８】表５について、一定の１重量％のケイ酸亜
鉛に関し、試料４６〜４９は３ＢａＯ．１Ｂ2Ｏ3の重量
％の変更に対する密度の変化を示し、一方、試料６３〜
６６はＢａＯ．Ｂ2Ｏ3の重量％の変更に対する密度の変
化を示す。図７に示すように、試料６３〜６６について
はホウ酸バリウム量が増すのに伴って密度が上昇した。
３ＢａＯ．１Ｂ2Ｏ3相による方がＢ2Ｏ3の重量％に対す
る寄与は少ないことからみて、密度に対し、より著しい
影響を得るには、より多量の３ＢａＯ．Ｂ2Ｏ3が必要で
ある。一般に試料４６〜４９については、ケイ酸亜鉛の
使用量が少ないことからみて、密度の変化は必ずしも著
しくはなかった。比較のため、試料５９〜６２および図
９を考慮されたい。
【００３９】図８については、２．５重量％の一定のホ
ウ酸バリウムに対し、ケイ酸亜鉛の重量％の下限を試料
５０〜５８および６７〜７０のプロットにより示す。３
ＢａＯ．１Ｂ2Ｏ3については、ケイ酸亜鉛が０．５重量
％未満では開放多孔質になる。ケイ酸亜鉛の重量％が増
すと、密度が上昇する。密度の上昇はＢａＯ．Ｂ2Ｏ3に
よっても証明される。この相はケイ酸亜鉛０重量％（試
料６７）でも比較的良好な密度を示したが、この効果は
寄与するＢ2Ｏ3量が多いことによる。試料７１〜７３に
ついては、ケイ酸亜鉛を３重量％に増加した場合、より
少ない重量％のホウ酸バリウムを用いても密度に影響が
ない。
【００４０】図９については、２．５重量％の一定のケ
イ酸亜鉛に対しホウ酸バリウムが与える影響が、試料５
９〜６２のプロットによって明らかに示される。３Ｂａ
Ｏ．Ｂ2Ｏ3相を用いたこれらの試料については、わずか
１重量％のケイ酸亜鉛を含む試料４６〜４９（図７にプ
ロットしたもの）より著しく密度が高かった。
【００４１】表５の試料の結果をみると、Ｑ係数は全体
として著しく高く、少なくとも１０，０００であった。
試料７０が示すように、ケイ酸亜鉛２重量％およびＢａ
Ｏ．Ｂ2Ｏ3 ２．５重量％の融剤組成物の焼結について
は、１０，０００を超えるＱおよび５．６０ｇ／ｃｍ3
の高い密度をもつＮＰＯ（ＣＯＧ）誘電体が得られた。
また試料５４が示すように、ケイ酸亜鉛２．５重量％お
よび３ＢａＯ．１Ｂ2Ｏ3 ２．５重量％を用いると、Ｎ
ＰＯ（ＣＯＧ）誘電体は１０，０００を超えるＱおよび
５．６２ｇ／ｃｍ3の密度をもっていた。ＴＣＣ勾配は
一般に、±３０ＰＰＭ／℃のＥＩＡ−９８基準内にあっ
た。しかし表５の試料は１５．４モル％ＢａＯ、６７．
６モル％ＴｉＯ2および１７．０モル％Ｎｄ2Ｏ3のみを
用い、これらの酸化物のモル％を変化させることによる
調節を行わずに調製されたことを理解されたい。モル％
を調節すると、より厳密なＮＰＯ（ＣＯＧ）特性を達成
できるであろう。
【００４２】表６は、用いた１５．４ＢａＯ．６７．６
ＴｉＯ2．１７．０ＲＥ2Ｏ3組成物に添加剤ジルコン酸
バリウムを添加した結果を示す。２．５重量％ケイ酸亜
鉛および２．５重量％３ＢａＯ．１Ｂ2Ｏ3の焼結融剤組
成物（表５の試料５４参照）を用い、ジルコン酸バリウ
ムの量を増加させると、密度およびＱ係数が低下した。
ジルコン酸バリウムの特徴は、ＴＣＣ勾配に対する正の
効果である。試料７５は、より高い直線性および６２の
Ｋを示し、ＣＯＧ基準内であった。
【００４３】表７については、チタン酸ビスマスを添加
するとＮＰＯ（ＣＯＧ）基準内でＴＣＣ勾配がゆるくな
った。チタン酸ビスマスを含有しない２．５重量％ケイ
酸亜鉛および２．５重量％３ＢａＯ．Ｂ2Ｏ3（表５の試
料５４および表７の試料８１参照）については、ＴＣＣ
勾配がこれよりやや負であった。チタン酸ビスマスを添
加すると、ＴＣＣ勾配は負の程度が小さくなり、よりゆ
るくなった。チタン酸ビスマス１．５重量％では、ＴＣ
Ｃは−５５〜＋２５℃でＮ１３、＋２５〜＋１２５℃で
Ｎ１４であり、５．６５ｇ／ｃｍ3の密度、１０，００
０のＱ、および６５の誘電率Ｋを示した。
【００４４】ガラスとしてのケイ酸亜鉛およびホウ酸バ
リウム融剤の有効性も調べた。ガラスは７５／２５ チ
タン酸バリウム／ジルコン酸カルシウム混合物について
前記に述べた方法で調製された。まとめると、６．５重
量％のガラス試料を１５．４ＢａＯ．６７．６Ｔｉ
Ｏ2．１７．０Ｎｄ2Ｏ3組成物と共に１，１００℃で焼
結して、ＮＰＯ（ＣＯＧ）誘電体を得た。Ｑは約３，３
３３であった。４．５重量％のガラス試料は１０，００
０を超えるＱ係数を示した。３重量％のＺｎ2ＳｉＯ4お
よび１．５重量％のＢａＯ．Ｂ2Ｏ3を別個の成分として
添加した場合、この誘電体は２，５００の低いＱを示し
た。
【００４５】前駆物質組成物の調製に用いた前記と同様
な方法で前駆物質組成物の多層コンデンサー試料を作成
した。ただし、前駆物質組成物は（１５．４モル％）Ｂ
ａＯ．（６７．６モル％）ＴｉＯ2．（１７．０モル
％）Ｎｄ2Ｏ3および５重量％の焼結融剤（３ＢａＯ．１
Ｂ2Ｏ3が２．５重量％を構成し、ケイ酸亜鉛が２．５重
量％を構成する）であった。次いで先にチタン酸塩／ジ
ルコン酸塩コンデンサーについて記載した方法で図２に
示す多層コンデンサー試料（チタン酸ビスマスを含有す
るものと含有しないもの）を作成し、これらのコンデン
サーを１，１００℃で焼成した。各コンデンサー試料は
３．０ｍｍ×２．５ｍｍ×０．７５ｍｍの寸法、および
それぞれ厚さ３５μの１０層を備えていた。
【００４６】チタン酸ビスマスを含有しないコンデンサ
ー試料についてまとめると、焼成コンデンサーは５．５
５ｇ／ｃｍ3の密度、６８のＫ、および１ＫＨｚで１
０，０００より大きく、１ＭＨｚで１，０００より大き
いＱを与えた。ＴＣＣはほとんど±３０ＰＰＭ／℃のＮ
ＰＯ（ＣＯＧ）基準内（−５５〜＋２５℃でＮ３８、お
よび＋２５〜＋１２５℃でＮ２７）であった。静電容量
は１ＫＨｚで８６５ｐｆ、１ＭＨｚで８６５ｐｆであっ
た。チタン酸ビスマスを含有するコンデンサー試料につ
いてまとめると、焼成コンデンサーは５．５９ｇ／ｃｍ
3の密度、６４のＫ、および１ＫＨｚで１０，０００よ
り大きく、１ＭＨｚで１，０００より大きいＱを与え
た。ＴＣＣはＵ６±３０ＰＰＭ／℃のＮＰＯ（ＣＯＧ）
基準内（−５５〜＋２５℃でＮ２６、および＋２５〜＋
１２５℃でＮ１９）であった。静電容量は１ＫＨｚで１
０２７ｐｆ、１ＭＨｚで１０２８ｐｆであった。
【００４７】Ｃ．（チタン酸カルシウム亜鉛マグネシウ
ム）の例：表９および１０には、チタン酸カルシウム亜
鉛マグネシウム系（ＭＺＣＴ系）の結果を示す。高密
度、高いＱ、および２５の領域のＫをもつＣＯＧコンデ
ンサーを得るのが目的であった。この例の目的に用いた
ＭＺＣＴ組成物は、１８．６６重量％ＭｇＯ（３１モル
％）、１８．８４重量％ＺｎＯ（１５．５モル％）、
３．５重量％ＣａＯ、および５９．６重量％ＴｉＯ
2（５０モル％）を含んでいた。マハーの米国特許第
４，５３３，９７４号に開示される従来既知の方法で、
組成物およびコンデンサーの試料を調製した。表９およ
び１０全体に示されるように、ホウ酸バリウムとケイ酸
亜鉛の二成分融剤は、誘電性セラミック粉末を１，１０
０〜１，１５０℃にわたって焼結した場合、有効であっ
た（表１０の試料１０３はあったが）。わずか０．５重
量％の３ＢａＯ．１Ｂ2Ｏ3および１．０重量％のＺｎ2
ＳｉＯ4を用いた場合、焼結すると、コンデンサーは著
しく高い密度、２３または２４のＫを示した。さらに、
ＴＣＣはなお十分にＣＯＧ基準にあった。さらに、特に
試料１００、１０１および１０５が示すように、％ＤＦ
は低かった。これらの試料は少なくとも１０，０００の
Ｑ係数を示した。試料９９（１．２重量％の３ＢａＯ．
１Ｂ2Ｏ3および１．０重量％のＺｎ2ＳｉＯ4を用いて調
製）および試料１０３により得たデータは良好でなかっ
た。これは測定が困難なためと思われた。
【００４８】ＭＺＣＴ試料（ホウ酸バリウムとケイ酸亜
鉛の二成分融剤を含む）の試験に際し、焼成コンデンサ
ーは寿命予想試験に不合格であると認められた。表９に
示すように、予想寿命を延長するために各種の添加剤を
用いた。幾つかの添加剤（ＢａＣＯ3、ＢａＺｒＯ3、Ｍ
ｎＣＯ3、Ｙ2Ｏ3）は予想寿命を延長することが周知で
あり、そのために使用されているにもかかわらず、効果
はなかった。表１０の試料９８〜１０４（表９の試料９
０〜９５に対応）が示すように、これらのコンデンサー
を焼成した場合、寿命予想試験に不合格であった。
【００４９】炭酸リチウムが予想寿命に影響を与えるか
どうかを判定するために少量の炭酸リチウム（０．３重
量％）について調べたところ、炭酸リチウムの効果は著
しく、かつ予想外であった。表１０の試料１０５（表９
の試料９６に対応）が示すように、Ｌｉ2ＣＯ3を含むコ
ンデンサーは寿命予想試験に合格し、なおかつ卓越した
電気的特性および直線性を示した。次いでＬｉ2ＳｉＯ4
が予想寿命に与える効果を調べた。Ｌｉ2ＣＯ3と同様
に、Ｌｉ2ＳｉＯ4を含むコンデンサーは表１０の試料１
０６（表９の試料９７に対応）が示すように寿命予想試
験に合格し、良好な電気的特性および直線性を達成し
た。試料１０６のＱ係数の方が低い（試料１０５と比較
して）のは、より低い焼結温度１，１１０によるものと
思われた。試料１０５および１０６はＣＯＧ基準内であ
った。
【００５０】Ｄ．（誘電性セラミック組成物／粉末の混
合物）：（Ｂａ(75)Ｃａ25Ｔｉ75Ｚｒ25）Ｏ3、５重量
％のＢｉ2Ｔｉ2Ｏ7、および３重量％の融剤（２重量％
のＺｎ2ＳｉＯ4、１重量％のＢａＯ．Ｂ2Ｏ3）の第１粉
末混合物か焼物と、１５．４ＢａＯ．６７．６Ｔｉ
Ｏ2．１７．０Ｎｄ2Ｏ3、および５重量％の融剤（２．
５重量％のＺｎ2ＳｉＯ4、２．５重量％の３ＢａＯ．１
Ｂ2Ｏ3）の第２粉末混合物か焼物（この第２粉末混合物
には添加剤を用いなかった）を幾つかの異なる割合で混
和し、１，１３０℃で焼結し、表８に示すように評価し
た。
【００５１】個々の誘電性セラミック組成物を前記に述
べたと同様にして調製した。表８に示すように、種々の
重量％の誘電性セラミック粉末それぞれを混和し、次い
で１，１３０℃で焼結した。Ｎ２２００およびＫ６５混
合物を１，１３０℃で焼結すると、高密度および高いＱ
係数の誘電体が得られた。図６に示すようにグラフで表
すと、得られる曲線から特定のＫおよび／またはＴＣＣ
値を得るのに必要なＮ２２００およびＫ６５の具体的な
重量％を求めることができる。
【００５２】本発明のこの態様は、（Ｂａ(1-m)ＣａmＴ
ｉ(1-m)Ｚｒm）Ｏ3、添加剤および融剤（特定のＴＣＣ
およびＫ特性を示すように誘導）の第１粉末混合物、な
らびにｘＢａＯ．ｙＴｉＯ2．ｚＮｄ2Ｏ3、添加剤およ
び融剤（特定のＴＣＣおよびＫ特性を示すように誘導）
の第２粉末混合物を含むキットの態様に適している。第
１および第２粉末混合物それぞれについて、特定の直線
性および電気的特性が得られるように各粉末混合物の各
成分を調節することができる。したがって、第１粉末混
合物と第２粉末混合物を種々の割合で混和することによ
り、異なる直線性および電気的特性を達成できる。その
際、図６の場合と同様に、目的とする具体的な直線性お
よび電気的特性に対して各粉末の重量％を示すために、
曲線をプロットすることができる。
【００５３】本明細書に開示したもの以外の誘電性セラ
ミック組成物、ディスクまたはコンデンサーの製造方法
を採用できること、および本明細書に開示した方法は本
発明を限定または制限するものではないことは、当業者
に理解される。
【００５４】さらに、式（Ｂａ(1-m)ＣａmＴｉ(1-m)Ｚ
ｒm）Ｏ3による表示にはこの化合物だけでなく、水酸化
物、水和物、酸化物、シュウ酸塩、炭酸塩、または塩前
駆物質、ならびに本質的にＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3、Ｔｉ
Ｏ2、およびＺｒＯ2よりなる群から選択される化合物も
含まれることは、当業者に理解される。
【００５５】さらに、式ｘＢａＯ．ｙＴｉＯ2．ｚＲＥ2
Ｏ3による表示にはこの化合物だけでなく、本質的にｘ
モルのバリア、ｙモルのチタニア、およびｚモルのＲＥ
2Ｏ3よりなる群から選択される化合物も含まれること
は、当業者に理解される。
【００５６】本発明の好ましい態様を開示および記載し
たが、当業者には本明細書に開示する発明をさらに変更
でき、それらの変更はすべて、特許請求の範囲に定める
本発明の範囲に含まれるものとする。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【表２】
【００５９】
【表３】
【００６０】
【表４】
【００６１】
【表５】
【００６２】
【表６】
【００６３】
【表７】
【００６４】
【表８】
【００６５】
【表９】
【００６６】
【表１０】
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な線形誘電体のＴＣＣと−５５〜＋１２
５℃にわたる温度との直線関係を示す二次元グラフであ
る。Ｎ型誘電体は負の静電容量勾配、Ｐ型誘電体は正の
静電容量勾配をもつことが認められる。ＮＰＯ（ＣＯ
Ｇ）型誘電体はゼロまたはほぼゼロの勾配をもつ。
【図２】単層をもつコンデンサーの断面図である。この
コンデンサーはセラミックボディー１０、ボディー１０
に埋め込まれた７０％銀および３０％パラジウム合金か
らなる第１電極１１、電極１１への外部接点を形成する
外部導電性終端１２、ボディー１０と接触しかつ電極１
１と容量関係にある第２電極１３を含む。
【図３】セラミックボディー２０、ボディー２０に埋め
込まれ、他の一群の埋込み電極２２と容量関係にある一
群の電極２１を含む多層コンデンサーの断面図である。
外部電極２３および２４は、それぞれ２１群および２２
群の電極に接続している。各電極は７０％銀および３０
％パラジウム合金からなる。
【図４】半円領域内に示すように、Ｎｄ2Ｏ3で部分置換
したＢａＯ．ＴｉＯ2の効果を現わしうるモル値を示す
三元ダイヤグラムである。
【図５】誘電性セラミック組成物、ホウ酸バリウムおよ
びケイ酸亜鉛の誘電性セラミック粉末の効果を現わしう
る重量％を示す三元ダイヤグラムである。
【図６】種々の％で混和したＫ６５誘電性セラミック粉
末か焼物とＮ２２００誘電性セラミック粉末か焼物をＴ
ＣＣに対しプロットしたものである。この曲線は具体的
なＴＣＣ勾配を求めるのに必要な、か焼物の重量％を与
える。
【図７】図７は、Ｂ2Ｏ3とＳｉＯ2の有効重量％範囲を
示すためのＢ2Ｏ3とＳｉＯ2のプロットである。
【図８】図８は、Ｂ2Ｏ3とＳｉＯ2の有効重量％範囲を
示すためのＢ2Ｏ3とＳｉＯ2のプロットである。
【図９】図９は、Ｂ2Ｏ3とＳｉＯ2の有効重量％範囲を
示すためのＢ2Ｏ3とＳｉＯ2のプロットである。
【符号の説明】
１０，２０ ボディー ２１ セラミック層 １１，１３，２１，２２ 埋込み電極 １２，２３，２４ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サミアー・ジー・マハー アメリカ合衆国マサチューセッツ州 01267，ウィリアムズタウン，ホリー・ レイン 34 (56)参考文献 特開 平９−118563（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−92726（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−251990（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/50 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ）本質的に下記のものを含む第１粉末
    混合物： ａ１）５１〜９９重量％の（Ｂａ(1-m)ＣａmＴｉ(1-m)
    Ｚｒm）Ｏ3；モル画分ｍは０．２０〜０．３５である、 ａ２）最高３０重量％のチタン酸ストロンチウム、最高
    １０重量％のチタン酸ビスマス、およびその混合物より
    なる群から選択される第１添加剤、 ａ３）本質的にホウ酸バリウムおよびケイ酸亜鉛からな
    り、ホウ酸バリウムが０．５〜５重量％、ケイ酸亜鉛が
    ０．５〜４重量％を構成する二成分焼結融剤、ならびに ｂ）本質的に下記のものを含む第２粉末混合物： ｂ１）本質的に、８２．５〜９９重量％のｘＢａＯ．ｙ
    ＴｉＯ2．ｚＲＥ2Ｏ 3よりなる群から選択される前駆物
    質粉末；ＲＥは本質的にＮｄ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐ
    ｒ、およびその混合物よりなる群から選択される希土類
    金属であり、ｘは０〜３０モル％、ｙは４５〜９５モル
    ％、ｚは５〜５０モル％である、 ｂ２）本質的に、最高２．５重量％のチタン酸ビスマ
    ス、最高６重量％のジルコン酸バリウム、およびその混
    合物よりなる群から選択される第２添加剤、 ｂ３）ホウ酸バリウムが０．５〜５重量％、ケイ酸亜鉛
    が０．５〜４重量％を構成する前記の二成分焼結融剤を
    含む誘電性セラミック粉末であって、 第１粉末混合物と第２粉末混合物を合わせると誘電性セ
    ラミック粉末の少なくとも９９重量％となり、第１粉末
    混合物および第２粉末混合物それぞれの重量％が０〜１
    ００重量％であり、 したがって、粉末混合物それぞれの相対量を選び、環境
    に優しいＴＣＣ安定化二成分融剤対であるホウ酸バリウ
    ムとケイ酸亜鉛それぞれの相対量を選ぶことにより、こ
    の誘電性セラミック粉末を焼結して特定の電気的特性お
    よび直線性をもつ低ＴＣＣセラミックボディーを得るこ
    とができる誘電性セラミック粉末。
  2. 【請求項２】 各混合物における二成分融剤のホウ酸バ
    リウム中のＢ2Ｏ3の重量％が０．０２９〜２．７５重量
    ％であり、各混合物におけるその二成分のケイ酸亜鉛中
    のＳｉＯ2の重量％が０．０８〜１．４２重量％であ
    る、請求項１記載の誘電性セラミック粉末。
  3. 【請求項３】 各混合物における二成分融剤のホウ酸バ
    リウムが、本質的にＢａＯ．Ｂ2Ｏ3、３ＢａＯ．１Ｂ2
    Ｏ3、ＢａＯ．２Ｂ2Ｏ3、ＢａＯ．４Ｂ2Ｏ3、およびそ
    の混合物よりなる群から選択される、請求項１記載の誘
    電性セラミック粉末。
  4. 【請求項４】 第１粉末混合物の重量％が１００であ
    る、請求項１記載の誘電性セラミック粉末。
  5. 【請求項５】 第２粉末混合物の重量％が１００であ
    る、請求項１記載の誘電性セラミック粉末。
  6. 【請求項６】 希土類金属がネオジムである、請求項１
    記載の誘電性セラミック粉末。
  7. 【請求項７】 第１粉末混合物が（Ｂａ(1-m)ＣａmＴｉ
    (1-m)Ｚｒm）Ｏ3、第１添加剤および二成分融剤のか焼
    物であり、結晶粒サイズ２ミクロン以下の平均粒度をも
    ち、かつ第２粉末混合物がｘＢａＯ．ｙＴｉＯ2．ｚＲ
    Ｅ2Ｏ3、第２添加剤および二成分融剤のか焼物であり、
    結晶粒サイズ２ミクロン以下の平均粒度をもつ、請求項
    １記載の誘電性セラミック粉末。
  8. 【請求項８】 誘電性セラミック粉末が、第１粉末混合
    物および第２粉末混合物のか焼物であり、結晶粒サイズ
    ２ミクロン以下の平均粒度をもつ、請求項７記載の誘電
    性セラミック粉末。
  9. 【請求項９】 第１粉末混合物が、二成分融剤、ならび
    に（Ｂａ(1-m)ＣａmＴｉ(1-m)Ｚｒm）Ｏ3および第１添
    加剤のか焼物から構成され、かつ第２粉末混合物が、二
    成分融剤、ならびにｘＢａＯ．ｙＴｉＯ2．ｚＲＥ2Ｏ3
    および第２添加剤のか焼物から構成された、請求項１記
    載の誘電性セラミック粉末。
  10. 【請求項１０】 各混合物の焼結融剤がホウケイ酸ガラ
    スである、請求項１記載の誘電性セラミック粉末。
  11. 【請求項１１】 セラミックボディーに埋め込まれた少
    なくとも１つの電極を備えたセラミックボディー、この
    少なくとも１つの電極に対する外部接点を形成する外部
    導電性終端を含むコンデンサーであって、コンデンサー
    がこの少なくとも１つの電極と同時焼成され、コンデン
    サーの未焼成セラミックボディーが、 ａ）本質的に下記のものを含む第１粉末混合物： ａ１）５１〜９９重量％の（Ｂａ(1-m)ＣａmＴｉ(1-m)
    Ｚｒm）Ｏ3；モル画分ｍは０．２０〜０．３５である、 ａ２）最高３０重量％のチタン酸ストロンチウム、最高
    １０重量％のチタン酸ビスマス、およびその混合物より
    なる群から選択される第１添加剤、 ａ３）本質的にホウ酸バリウムおよびケイ酸亜鉛からな
    り、ホウ酸バリウムが０．５〜５重量％、ケイ酸亜鉛が
    ０．５〜４重量％を構成する二成分焼結融剤、ならびに ｂ）本質的に下記のものを含む第２粉末混合物： ｂ１）本質的に、８２．５〜９９重量％のｘＢａＯ．ｙ
    ＴｉＯ2．ｚＲＥ2Ｏ 3よりなる群から選択される前駆物
    質粉末；ＲＥは本質的にＮｄ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐ
    ｒ、およびその混合物よりなる群から選択される希土類
    金属であり、ｘは０〜３０モル％、ｙは４５〜９５モル
    ％、ｚは５〜５０モル％である、 ｂ２）本質的に、最高２．５重量％のチタン酸ビスマ
    ス、最高６重量％のジルコン酸バリウム、およびその混
    合物よりなる群から選択される第２添加剤、 ｂ３）ホウ酸バリウムが０．５〜５重量％、ケイ酸亜鉛
    が０．５〜４重量％を構成する前記の二成分焼結融剤を
    含む誘電性セラミック粉末からなり、 第１粉末混合物と第２粉末混合物を合わせて誘電性セラ
    ミック粉末の少なくとも９９重量％となり、第１粉末混
    合物および第２粉末混合物それぞれの重量％が０〜１０
    ０重量％であり、 したがって、粉末混合物それぞれの相対量を選び、環境
    に優しいＴＣＣ安定化二成分融剤対であるホウ酸バリウ
    ムとケイ酸亜鉛それぞれの相対量を選ぶことにより、こ
    の誘電性セラミック粉末を焼結して特定の電気的特性お
    よび直線性をもつ低ＴＣＣセラミックボディーを得るこ
    とができるものであるコンデンサー。
  12. 【請求項１２】 各混合物における二成分融剤のホウ酸
    バリウム中のＢ2Ｏ3の重量％が０．０２９〜２．７５重
    量％であり、各混合物におけるその二成分のケイ酸亜鉛
    中のＳｉＯ2の重量％が０．０８〜１．４２重量％であ
    る、請求項１１記載のコンデンサー。
  13. 【請求項１３】 第１粉末混合物の重量％が１００であ
    る、請求項１１記載のコンデンサー。
  14. 【請求項１４】 第２粉末混合物の重量％が１００であ
    る、請求項１１記載のコンデンサー。
  15. 【請求項１５】 第１誘電性セラミック粉末および第２
    誘電性セラミック粉末を含むキットであって、 ａ）第１粉末混合物が本質的に下記のものを含み： ａ１）５１〜９９重量％の（Ｂａ(1-m)ＣａmＴｉ(1-m)
    Ｚｒm）Ｏ3；モル画分ｍは０．２０〜０．３５である、 ａ２）最高３０重量％のチタン酸ストロンチウム、最高
    １０重量％のチタン酸ビスマス、およびその混合物より
    なる群から選択される第１添加剤、 ａ３）本質的にホウ酸バリウムおよびケイ酸亜鉛からな
    り、ホウ酸バリウムが０．５〜５重量％、ケイ酸亜鉛が
    ０．５〜４重量％を構成する二成分焼結融剤、ならびに ｂ）第２粉末混合物が本質的に下記のものを含み： ｂ１）本質的に、８２．５〜９９重量％のｘＢａＯ．ｙ
    ＴｉＯ2．ｚＲＥ2Ｏ 3よりなる群から選択される前駆物
    質粉末；ＲＥは本質的にＮｄ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐ
    ｒ、およびその混合物よりなる群から選択される希土類
    金属であり、ｘは０〜３０モル％、ｙは４５〜９５モル
    ％、ｚは５〜５０モル％である、 ｂ２）本質的に、最高２．５重量％のチタン酸ビスマ
    ス、最高６重量％のジルコン酸バリウム、およびその混
    合物よりなる群から選択される第２添加剤、 ｂ３）ホウ酸バリウムが０．５〜５重量％、ケイ酸亜鉛
    が０．５〜４重量％を構成する前記の二成分焼結融剤、 第１粉末混合物と第２粉末混合物を合わせて誘電性セラ
    ミック粉末の少なくとも９９重量％となり、第１粉末混
    合物および第２粉末混合物それぞれの重量％が０〜１０
    ０重量％であり、 したがって、粉末混合物それぞれの相対量を選び、環境
    に優しいＴＣＣ安定化二成分融剤対であるホウ酸バリウ
    ムとケイ酸亜鉛それぞれの相対量を選ぶことにより、こ
    の誘電性セラミック粉末を焼結して特定の電気的特性お
    よび直線性をもつ低ＴＣＣセラミックボディーを得るこ
    とができるものであるキット。
  16. 【請求項１６】 各粉末における二成分融剤のホウ酸バ
    リウム中のＢ2Ｏ3の重量％が０．０２９〜２．７５重量
    ％であり、各粉末におけるその二成分のケイ酸亜鉛中の
    ＳｉＯ2の重量％が０．０８〜１．４２重量％である、
    請求項１５記載のキット。
  17. 【請求項１７】 第１粉末混合物が（Ｂａ(1-m)ＣａmＴ
    ｉ(1-m)Ｚｒm）Ｏ3、第１添加剤および二成分融剤のか
    焼物であり、結晶粒サイズ２ミクロン以下の平均粒度を
    もち、かつ第２粉末混合物がｘＢａＯ．ｙＴｉＯ2．ｚ
    ＲＥ2Ｏ3、第２添加剤および二成分融剤のか焼物であ
    り、結晶粒サイズ２ミクロン以下の平均粒度をもつ、請
    求項１５記載のキット。
  18. 【請求項１８】 誘電性セラミック粉末が、第１粉末混
    合物および第２粉末混合物のか焼物であり、結晶粒サイ
    ズ２ミクロン以下の平均粒度をもつ、請求項１７記載の
    キット。
  19. 【請求項１９】 第１粉末混合物が、二成分融剤、なら
    びに（Ｂａ(1-m)ＣａmＴｉ(1-m)Ｚｒm）Ｏ3および第１
    添加剤のか焼物から構成され、かつ第２粉末混合物が、
    二成分融剤、ならびにｘＢａＯ．ｙＴｉＯ2．ｚＲＥ2Ｏ
    3および第２添加剤のか焼物から構成された、請求項１
    ５記載のキット。
  20. 【請求項２０】 各混合物の焼結融剤がホウケイ酸ガラ
    スである、請求項１５記載のキット。
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