JPH05326241A - フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 - Google Patents
フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心Info
- Publication number
- JPH05326241A JPH05326241A JP4148516A JP14851692A JPH05326241A JP H05326241 A JPH05326241 A JP H05326241A JP 4148516 A JP4148516 A JP 4148516A JP 14851692 A JP14851692 A JP 14851692A JP H05326241 A JPH05326241 A JP H05326241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite
- component
- chip inductor
- sintered body
- magnetic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 原料段階におけるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｎｉ
−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系またはＣｕ−Ｚｎ系のフェライ
トにＢ2 Ｏ3 が５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内
で添加されているか、または特定組成比のＳｉＯ2 −Ｂ
2 Ｏ3 −ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスが２５０
〜４０００ppm の範囲内で添加されているフェライト焼
結体である。また、フェライト磁性層と内部導体とを積
層して構成されるインダクタ部を有するチップインダク
タ部品であって、前記フェライト磁性層が上記フェライ
ト焼結体で構成されているチップインダクタ部品、およ
びこのチップインダクタ部品を少なくとも有する複合積
層部品である。さらに、この焼結体から構成されている
磁心である。 【効果】磁心および積層型チップインダクタにおけるμ
ｉ、ＬおよびＱが高い値に保持され、優れた磁心や複合
積層部品が得られる。
−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系またはＣｕ−Ｚｎ系のフェライ
トにＢ2 Ｏ3 が５０ppm以上１０００ppm 未満の範囲内
で添加されているか、または特定組成比のＳｉＯ2 −Ｂ
2 Ｏ3 −ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスが２５０
〜４０００ppm の範囲内で添加されているフェライト焼
結体である。また、フェライト磁性層と内部導体とを積
層して構成されるインダクタ部を有するチップインダク
タ部品であって、前記フェライト磁性層が上記フェライ
ト焼結体で構成されているチップインダクタ部品、およ
びこのチップインダクタ部品を少なくとも有する複合積
層部品である。さらに、この焼結体から構成されている
磁心である。 【効果】磁心および積層型チップインダクタにおけるμ
ｉ、ＬおよびＱが高い値に保持され、優れた磁心や複合
積層部品が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種磁性材料として用
いられるフェライト焼結体、この焼結体を磁性材料とし
て用いるチップインダクタ、ＬＣ複合部品等の複合積層
部品および磁心に関する。
いられるフェライト焼結体、この焼結体を磁性材料とし
て用いるチップインダクタ、ＬＣ複合部品等の複合積層
部品および磁心に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種フェライトが、その優れた磁気特性
から各種磁心材料や複合積層部品として用いられてい
る。積層ＬＣ複合部品は、セラミック誘電体層と内部電
極層とを積層して構成されるコンデンサチップ体と、フ
ェライト磁性層と内部導体とを積層して構成されるイン
ダクタチップ体とを一体的に形成したものである。この
ような複合積層部品は、体積が小さいこと、堅牢性およ
び信頼性が高いことなどから、各種電子機器に多用され
ている。
から各種磁心材料や複合積層部品として用いられてい
る。積層ＬＣ複合部品は、セラミック誘電体層と内部電
極層とを積層して構成されるコンデンサチップ体と、フ
ェライト磁性層と内部導体とを積層して構成されるイン
ダクタチップ体とを一体的に形成したものである。この
ような複合積層部品は、体積が小さいこと、堅牢性およ
び信頼性が高いことなどから、各種電子機器に多用され
ている。
【０００３】これらの部品、例えばＬＣ複合部品は、通
常、内部導体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層
用ペーストおよび内部電極層用ペーストを厚膜技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後、焼成する
ことにより製造される。この場合、磁性層に用いられる
磁性材料としては、低温焼成が可能であることからＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライトが
一般に用いられている。
常、内部導体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層
用ペーストおよび内部電極層用ペーストを厚膜技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後、焼成する
ことにより製造される。この場合、磁性層に用いられる
磁性材料としては、低温焼成が可能であることからＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライトが
一般に用いられている。
【０００４】また、このようなフェライトにガラスを添
加して、その特性を改質する試みも幾つか提案されてい
る。例えば、特開平２−２８８３０７号公報には、Ｎｉ
−フェライトにホウケイ酸ガラスを２０〜３０重量％添
加した磁性体を用いて、自己共振周波数を向上させた積
層インダクタが開示されている。
加して、その特性を改質する試みも幾つか提案されてい
る。例えば、特開平２−２８８３０７号公報には、Ｎｉ
−フェライトにホウケイ酸ガラスを２０〜３０重量％添
加した磁性体を用いて、自己共振周波数を向上させた積
層インダクタが開示されている。
【０００５】また、特開平１−３１８２３号公報には、
金属磁性粉末と低融点ガラス粉末の混合物を加圧成型し
たインダクタ部品およびその製造方法が開示されてい
る。さらに、特開平１−１１０７０８号公報には、焼結
密度を向上させ機械的強度の改善等のために、フェライ
トにホウケイ酸ガラスを１５〜７５重量％添加したフェ
ライト焼結体、チップインダクタおよびＬＣ複合部品が
開示されている。
金属磁性粉末と低融点ガラス粉末の混合物を加圧成型し
たインダクタ部品およびその製造方法が開示されてい
る。さらに、特開平１−１１０７０８号公報には、焼結
密度を向上させ機械的強度の改善等のために、フェライ
トにホウケイ酸ガラスを１５〜７５重量％添加したフェ
ライト焼結体、チップインダクタおよびＬＣ複合部品が
開示されている。
【０００６】その他にも、フェライトにガラスを添加し
て種々の特性の改善を図った技術が知られている（特開
昭５１−１５１３３１号公報、米国特許第４５４０５０
０号明細書、特開昭５８−１３５１３３号公報、特開昭
５８−１３５６０６〜１３５６０９号公報等）。
て種々の特性の改善を図った技術が知られている（特開
昭５１−１５１３３１号公報、米国特許第４５４０５０
０号明細書、特開昭５８−１３５１３３号公報、特開昭
５８−１３５６０６〜１３５６０９号公報等）。
【０００７】上述のようにフェライトにガラスを添加し
て、その特性を改質する試みはこれまでに種々なされて
きたが、磁心やチップインダクタにおけるμｉ、Ｌおよ
びＱの特性を十分に向上させることのできるガラスの配
合系はこれまで知られていなかった。
て、その特性を改質する試みはこれまでに種々なされて
きたが、磁心やチップインダクタにおけるμｉ、Ｌおよ
びＱの特性を十分に向上させることのできるガラスの配
合系はこれまで知られていなかった。
【０００８】そこで本発明者らは、かかる特性を十分に
向上し得るガラスの配合系を見い出すべく鋭意検討した
結果、磁心またはチップインダクタの磁性材料としてＮ
ｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用い、これに特定のガラ
スを特定量範囲で添加することにより、上記特性を向上
させることができることを突き止めた。
向上し得るガラスの配合系を見い出すべく鋭意検討した
結果、磁心またはチップインダクタの磁性材料としてＮ
ｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用い、これに特定のガラ
スを特定量範囲で添加することにより、上記特性を向上
させることができることを突き止めた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フェ
ライト焼結体におけるフェライト中の特定ガラスの含有
量を所定範囲内に設定して、μｉ、ＬおよびＱを高い値
に保持することにある。
ライト焼結体におけるフェライト中の特定ガラスの含有
量を所定範囲内に設定して、μｉ、ＬおよびＱを高い値
に保持することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（６）の本発明によって達成される。
（１）〜（６）の本発明によって達成される。
【００１１】（１）Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または
３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけ
るフェライト材料にＢ2 Ｏ3 を５０ppm以上１０００ppm
未満の範囲内で添加して焼結したフェライト焼結体。
３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけ
るフェライト材料にＢ2 Ｏ3 を５０ppm以上１０００ppm
未満の範囲内で添加して焼結したフェライト焼結体。
【００１２】（２）Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または
３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけ
るフェライト材料に、ＳｉＯ2 ：０．１〜１５重量％、
Ｂ2Ｏ3 ：１０〜４０重量％、ＰｂＯ：０．１〜４０重
量％、ＺｎＯ：２０〜７０重量％およびＡｌ2 Ｏ3 ：０
〜６重量％を含有するガラスを２５０〜４０００ppmの
範囲内で添加して焼結したフェライト焼結体。
３種を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけ
るフェライト材料に、ＳｉＯ2 ：０．１〜１５重量％、
Ｂ2Ｏ3 ：１０〜４０重量％、ＰｂＯ：０．１〜４０重
量％、ＺｎＯ：２０〜７０重量％およびＡｌ2 Ｏ3 ：０
〜６重量％を含有するガラスを２５０〜４０００ppmの
範囲内で添加して焼結したフェライト焼結体。
【００１３】（３）フェライトの組成がＦｅ2 Ｏ3 ：４
０〜５２mol%、ＮｉＯ：０〜５０mol%、ＣｕＯ：０〜２
０mol%およびＺｎＯ：０〜５０mol%である上記（１）ま
たは（２）のフェライト焼結体。
０〜５２mol%、ＮｉＯ：０〜５０mol%、ＣｕＯ：０〜２
０mol%およびＺｎＯ：０〜５０mol%である上記（１）ま
たは（２）のフェライト焼結体。
【００１４】（４）フェライト磁性層と内部導体とを積
層して構成されるインダクタ部を有するチップインダク
タ部品であって、前記フェライト磁性層が上記（１）な
いし（３）のいずれかのフェライト焼結体で構成されて
いることを特徴とするチップインダクタ部品。
層して構成されるインダクタ部を有するチップインダク
タ部品であって、前記フェライト磁性層が上記（１）な
いし（３）のいずれかのフェライト焼結体で構成されて
いることを特徴とするチップインダクタ部品。
【００１５】（５）フェライト磁性層と内部導体とを積
層して構成されるチップインダクタ部を少なくとも有す
る複合積層部品であって、前記フェライト磁性層が上記
（１）ないし（３）のいずれかのフェライト焼結体で構
成されていることを特徴とする複合積層部品。
層して構成されるチップインダクタ部を少なくとも有す
る複合積層部品であって、前記フェライト磁性層が上記
（１）ないし（３）のいずれかのフェライト焼結体で構
成されていることを特徴とする複合積層部品。
【００１６】（６）上記（１）ないし（３）のいずれか
のフェライト焼結体で構成されていることを特徴とする
磁心。
のフェライト焼結体で構成されていることを特徴とする
磁心。
【００１７】
【作用】本発明のフェライト焼結体は、原料段階におけ
るＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト成分中にＢ2 Ｏ3 が５
０ppm以上１０００ppm 未満、好ましくは２００〜９０
０ppm 、より好ましくは４００〜８００ppm の範囲内で
添加されているか、あるいはＳｉＯ2 ：０．１〜１５重
量％、好ましくは３〜１２重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜４
０重量％、好ましくは２０〜３５重量％、ＰｂＯ：０．
１〜４０重量％、好ましくは３〜２０重量％、ＺｎＯ：
２０〜７０重量％、好ましくは４５〜６５重量％および
Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜６重量％のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐｂ
Ｏ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系のガラスが２５０〜４０００
ppm 、好ましくは１０００〜２０００ppm の範囲内で添
加されていることを必要とする。これらガラス成分の含
有量が上記範囲内において初めて磁気特性μｉ、Ｌおよ
びＱの顕著でかつ臨界的な向上効果が認められる。
るＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト成分中にＢ2 Ｏ3 が５
０ppm以上１０００ppm 未満、好ましくは２００〜９０
０ppm 、より好ましくは４００〜８００ppm の範囲内で
添加されているか、あるいはＳｉＯ2 ：０．１〜１５重
量％、好ましくは３〜１２重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜４
０重量％、好ましくは２０〜３５重量％、ＰｂＯ：０．
１〜４０重量％、好ましくは３〜２０重量％、ＺｎＯ：
２０〜７０重量％、好ましくは４５〜６５重量％および
Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜６重量％のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐｂ
Ｏ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系のガラスが２５０〜４０００
ppm 、好ましくは１０００〜２０００ppm の範囲内で添
加されていることを必要とする。これらガラス成分の含
有量が上記範囲内において初めて磁気特性μｉ、Ｌおよ
びＱの顕著でかつ臨界的な向上効果が認められる。
【００１８】本発明において、このように特定のガラス
を所定量添加することによりμｉが向上する理由は、低
融点化合物によって液相焼結を形成し、焼結性が向上す
ると共に、フェライトの粒成長を低温から促進させるた
めと考えられる。一方、Ｑ特性が向上する理由として
は、フェライト焼結体の比抵抗が向上することにより、
フェライト磁気損失中の渦電流損失が小さくなるためと
考えられる。
を所定量添加することによりμｉが向上する理由は、低
融点化合物によって液相焼結を形成し、焼結性が向上す
ると共に、フェライトの粒成長を低温から促進させるた
めと考えられる。一方、Ｑ特性が向上する理由として
は、フェライト焼結体の比抵抗が向上することにより、
フェライト磁気損失中の渦電流損失が小さくなるためと
考えられる。
【００１９】本発明で用いるフェライトはＮｉ−Ｃｕ−
Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ系の
いずれかであれば、それ以外に特に制限はなく、目的に
応じて種々の組成のものを選択すればよいが、例えば、
Ｆｅ2 Ｏ3 ：４０〜５２mol%、特に４５〜５０mol%、Ｎ
ｉＯ：０〜５０mol%、特に３〜４０mol%、ＣｕＯ：０〜
２０mol%、特に５〜１５mol%およびＺｎＯ：０〜５０mo
l%、特に６〜３３mol%の組成範囲内であることが好まし
い。
Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ系の
いずれかであれば、それ以外に特に制限はなく、目的に
応じて種々の組成のものを選択すればよいが、例えば、
Ｆｅ2 Ｏ3 ：４０〜５２mol%、特に４５〜５０mol%、Ｎ
ｉＯ：０〜５０mol%、特に３〜４０mol%、ＣｕＯ：０〜
２０mol%、特に５〜１５mol%およびＺｎＯ：０〜５０mo
l%、特に６〜３３mol%の組成範囲内であることが好まし
い。
【００２０】Ｆｅ2 Ｏ3 の配合量が多すぎるとα−Ｆｅ
2 Ｏ3 の析出により、焼結性が悪くなると共に焼結体の
比抵抗が低くなるため、μｉ、Ｑの劣化の原因となり、
好ましくない。また、ＮｉＯ量の多い高周波の組成領域
の組成においては、Ｆｅ2 Ｏ3 が多すぎると同様な現象
が生じてくる。
2 Ｏ3 の析出により、焼結性が悪くなると共に焼結体の
比抵抗が低くなるため、μｉ、Ｑの劣化の原因となり、
好ましくない。また、ＮｉＯ量の多い高周波の組成領域
の組成においては、Ｆｅ2 Ｏ3 が多すぎると同様な現象
が生じてくる。
【００２１】内部導体にＡｇを用いる積層チップインダ
クタでは、焼結温度が８５０〜９２０℃程度に設定され
るため、充分な焼結性が得られないと磁気特性だけでな
く信頼性に欠け、好ましくないが、上記の組成範囲では
良好な焼結性が得らる。この場合、ＣｕＯ量が適量範囲
より多い場合には、フェライトの結晶組織が不均一とな
り、μｉおよびＱ特性の劣化原因となる。Ｆｅ2 Ｏ3 量
とＣｕＯ量とが固定されている場合は、フェライトの適
用周波数と磁気特性はＮｉＯ量とＺｎＯ量によって決定
される。ＺｎＯ量が多くＮｉＯ量が少ない組成において
は低周波数で高μｉ組成となり、一方ＺｎＯ量が少なく
ＮｉＯ量の多い組成では高周波で低μｉ組成となる。な
お、ＺｎＯ量が適量範囲より多くなると、フェライトの
キュリー点が１００℃以下となり、実用上、信頼性に欠
けるため、好ましくない。
クタでは、焼結温度が８５０〜９２０℃程度に設定され
るため、充分な焼結性が得られないと磁気特性だけでな
く信頼性に欠け、好ましくないが、上記の組成範囲では
良好な焼結性が得らる。この場合、ＣｕＯ量が適量範囲
より多い場合には、フェライトの結晶組織が不均一とな
り、μｉおよびＱ特性の劣化原因となる。Ｆｅ2 Ｏ3 量
とＣｕＯ量とが固定されている場合は、フェライトの適
用周波数と磁気特性はＮｉＯ量とＺｎＯ量によって決定
される。ＺｎＯ量が多くＮｉＯ量が少ない組成において
は低周波数で高μｉ組成となり、一方ＺｎＯ量が少なく
ＮｉＯ量の多い組成では高周波で低μｉ組成となる。な
お、ＺｎＯ量が適量範囲より多くなると、フェライトの
キュリー点が１００℃以下となり、実用上、信頼性に欠
けるため、好ましくない。
【００２２】ところで、本発明において使用するガラス
Ｂ2 Ｏ3 またはＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3−ＰｂＯ−ＺｎＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 系のガラスの添加効果は、フェライトの組成
によって下記の様な変化が観られる。すなわち、ＺｎＯ
量が多くＮｉＯ量の少ない適用周波数４００ＫＨｚ付近
の組成領域では、特にμｉの向上が著しい。また、適用
周波数１MHz 付近の組成領域では、μｉ、Ｑ共に向上が
著しい。さらに、ＮｉＯ量が多くＺｎＯ量の少ない３０
〜７０MHz 付近の組成においては、本来のμｉが小さい
ことから、μｉＱ積の向上も比較的小さい。
Ｂ2 Ｏ3 またはＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3−ＰｂＯ−ＺｎＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 系のガラスの添加効果は、フェライトの組成
によって下記の様な変化が観られる。すなわち、ＺｎＯ
量が多くＮｉＯ量の少ない適用周波数４００ＫＨｚ付近
の組成領域では、特にμｉの向上が著しい。また、適用
周波数１MHz 付近の組成領域では、μｉ、Ｑ共に向上が
著しい。さらに、ＮｉＯ量が多くＺｎＯ量の少ない３０
〜７０MHz 付近の組成においては、本来のμｉが小さい
ことから、μｉＱ積の向上も比較的小さい。
【００２３】次に、Ｂ2 Ｏ3 単独添加による場合のフェ
ライト組成との関係において、ＺｎＯ量が多い組成領域
ではμｉＱ積が大きく向上し、従ってこのガラス組成に
おいてはフェライトのＺｎＯが主成分であることがμｉ
Ｑ積を向上させることになる。
ライト組成との関係において、ＺｎＯ量が多い組成領域
ではμｉＱ積が大きく向上し、従ってこのガラス組成に
おいてはフェライトのＺｎＯが主成分であることがμｉ
Ｑ積を向上させることになる。
【００２４】これに対し、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ
−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスの単独添加による場合の
フェライト組成との関係では次のような傾向が観られ
る。
−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスの単独添加による場合の
フェライト組成との関係では次のような傾向が観られ
る。
【００２５】すなわち、このガラス中のＳｉＯ2 成分が
適量より多くなるとフェライトの焼結性が劣化し、μｉ
Ｑ積が小さくなる。また、ガラス中のＰｂＯの成分が適
量より多くなるとＡｇを導体とする積層チップインダク
タでは、導体の直流抵抗やＡｇの拡散、断線の原因とな
る。さらに、ガラス中のＡｌ2 Ｏ3 の成分が適量より多
くなるとフェライトの焼結性が劣化し、μｉＱ積が小さ
くなる。
適量より多くなるとフェライトの焼結性が劣化し、μｉ
Ｑ積が小さくなる。また、ガラス中のＰｂＯの成分が適
量より多くなるとＡｇを導体とする積層チップインダク
タでは、導体の直流抵抗やＡｇの拡散、断線の原因とな
る。さらに、ガラス中のＡｌ2 Ｏ3 の成分が適量より多
くなるとフェライトの焼結性が劣化し、μｉＱ積が小さ
くなる。
【００２６】以上のことから、本発明の条件を満たすフ
ェライト焼結体を用いたフェライトチップインダクタ部
品を少なくとも有する複合積層部品は、優れた性能を有
し、電子部品として多くの用途を有し得るものである。
ェライト焼結体を用いたフェライトチップインダクタ部
品を少なくとも有する複合積層部品は、優れた性能を有
し、電子部品として多くの用途を有し得るものである。
【００２７】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明の複合積層部品の好適実施例である
積層ＬＣ複合部品を図１に示す。
に説明する。本発明の複合積層部品の好適実施例である
積層ＬＣ複合部品を図１に示す。
【００２８】図１に示される本発明の一例ＬＣ複合部品
１は、セラミック誘電体層２１と内部電極層２５とを積
層して構成されるコンデンサチップ体２と、フェライト
磁性層３１と内部導体３５とを積層して構成されるイン
ダクタチップ体３とを一体化したものであり、表面に外
部電極５１を有する。
１は、セラミック誘電体層２１と内部電極層２５とを積
層して構成されるコンデンサチップ体２と、フェライト
磁性層３１と内部導体３５とを積層して構成されるイン
ダクタチップ体３とを一体化したものであり、表面に外
部電極５１を有する。
【００２９】インダクタチップ体３のフェライト磁性層
３１の材質としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ
系、Ｎｉ−Ｚｎ系あるいはＣｕ−Ｚｎ系のフェライトを
用いる。この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５wt% 程度以下
含有されていてもよく、またＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐ
ｂ等が１wt% 程度以下含有されていてもよい。
３１の材質としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ
系、Ｎｉ−Ｚｎ系あるいはＣｕ−Ｚｎ系のフェライトを
用いる。この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５wt% 程度以下
含有されていてもよく、またＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐ
ｂ等が１wt% 程度以下含有されていてもよい。
【００３０】本発明において、内部導体３５を構成する
導電材は、インダクタとして実用的なＱを得るためには
抵抗率の小さいことが必要であるので、Ａｇを主体とす
る導電材を用いることが好ましい。この際、銀の含有量
が９０重量％以上のもの、特に純度９９．９重量％以上
の純銀を用いることが好ましい。このように、特に純銀
を用いることにより比抵抗をきわめて小さくすることが
できる。
導電材は、インダクタとして実用的なＱを得るためには
抵抗率の小さいことが必要であるので、Ａｇを主体とす
る導電材を用いることが好ましい。この際、銀の含有量
が９０重量％以上のもの、特に純度９９．９重量％以上
の純銀を用いることが好ましい。このように、特に純銀
を用いることにより比抵抗をきわめて小さくすることが
できる。
【００３１】ＬＣ複合部品１のインダクタチップ体３
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部
導体３５は磁性層３１内にて通常スパイラル状に配置さ
れて内部巻線を構成し、その両端部は各外部電極５１、
５１に接続されている。
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部
導体３５は磁性層３１内にて通常スパイラル状に配置さ
れて内部巻線を構成し、その両端部は各外部電極５１、
５１に接続されている。
【００３２】このような場合、内部導体３５の巻線パタ
ーン、すなわち閉磁路形状は種々のパターンとすること
ができ、またその巻数も用途に応じ適宜選択すればよ
い。また、インダクタチップ体３の各部寸法等には制限
はなく、用途に応じ適宜選択すればよい。
ーン、すなわち閉磁路形状は種々のパターンとすること
ができ、またその巻数も用途に応じ適宜選択すればよ
い。また、インダクタチップ体３の各部寸法等には制限
はなく、用途に応じ適宜選択すればよい。
【００３３】なお、内部導体３５の厚さは、通常５〜３
０μm 程度、巻線ピッチは通常１０〜４００μm 程度、
巻数は通常１．５〜５０．５ターン程度とされる。ま
た、磁性層３１のベース厚は通常１００〜５００μm 程
度、内部導体３５、３５間の磁性層厚は通常１０〜１０
０μm 程度とする。
０μm 程度、巻線ピッチは通常１０〜４００μm 程度、
巻数は通常１．５〜５０．５ターン程度とされる。ま
た、磁性層３１のベース厚は通常１００〜５００μm 程
度、内部導体３５、３５間の磁性層厚は通常１０〜１０
０μm 程度とする。
【００３４】コンデンサチップ体２のセラミック誘電体
層２１には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよ
いが、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を
用いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合
酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混
合物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させ
るために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させても
よい。
層２１には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよ
いが、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を
用いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合
酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混
合物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させ
るために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させても
よい。
【００３５】具体的には、酸化チタン系としては、必要
に応じＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ3 Ｏ4、Ａｌ2 Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ2 等、特にＣｕＯを含むＴｉＯ2 等が、チタ
ン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3、ＣａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3やこれらの混合物等が、
ジルコン酸系複合酸化物としては、ＢａＺｒＯ3 、Ｓｒ
ＺｒＯ3 、ＣａＺｒＯ3 、ＭｇＺｒＯ3 やこれらの混合
物等が挙げられる。
に応じＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ3 Ｏ4、Ａｌ2 Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ2 等、特にＣｕＯを含むＴｉＯ2 等が、チタ
ン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3、ＣａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3やこれらの混合物等が、
ジルコン酸系複合酸化物としては、ＢａＺｒＯ3 、Ｓｒ
ＺｒＯ3 、ＣａＺｒＯ3 、ＭｇＺｒＯ3 やこれらの混合
物等が挙げられる。
【００３６】本発明において、内部電極層２５を構成す
る導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金など、これらを１
種以上含有する合金等から選択すればよいが、特にＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である。
る導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金など、これらを１
種以上含有する合金等から選択すればよいが、特にＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である。
【００３７】ＬＣ複合部品１のコンデンサチップ体２
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部
電極層２５の一端は外部電極５１に接続されている。
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部
電極層２５の一端は外部電極５１に接続されている。
【００３８】コンデンサチップ体２の各部寸法等には特
に制限はなく、用途等に応じ適宜選択すればよい。な
お、誘電体層２１の積層数は目的に応じて定めればよい
が、通常１〜１００程度である。また、誘電体層２１の
一層あたりの厚さは、通常２０〜１５０μm 程度であ
り、内部電極層２５の一層あたりの厚さは、通常５〜３
０μm 程度である。
に制限はなく、用途等に応じ適宜選択すればよい。な
お、誘電体層２１の積層数は目的に応じて定めればよい
が、通常１〜１００程度である。また、誘電体層２１の
一層あたりの厚さは、通常２０〜１５０μm 程度であ
り、内部電極層２５の一層あたりの厚さは、通常５〜３
０μm 程度である。
【００３９】本発明のＬＣ複合部品１の外部電極５１を
構成する導電材に特に制限はなく、例えば、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、ＮｉやＡｇ−Ｐｄ合金などのこ
れらを１種以上含有する合金等から選択すればよいが、
特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適であ
る。また、外部電極５１の形状や寸法等には特に制限が
なく、目的や用途等に応じて適宜決定すればよいが、厚
さは、通常１００〜２５００μm 程度である。
構成する導電材に特に制限はなく、例えば、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、ＮｉやＡｇ−Ｐｄ合金などのこ
れらを１種以上含有する合金等から選択すればよいが、
特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適であ
る。また、外部電極５１の形状や寸法等には特に制限が
なく、目的や用途等に応じて適宜決定すればよいが、厚
さは、通常１００〜２５００μm 程度である。
【００４０】本発明のＬＣ複合部品１の寸法には特に制
限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すればよい
が、通常（１．６〜１０．０mm）×（０．８〜１５．０
mm）×（１．０〜５．０mm）程度である。本発明の複合
積層部品は、前述したＬＣ複合部品に限定されるもので
はなく、前述した構成を一部に有するものであれば、こ
の他各種の複合積層部品であってもよい。
限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すればよい
が、通常（１．６〜１０．０mm）×（０．８〜１５．０
mm）×（１．０〜５．０mm）程度である。本発明の複合
積層部品は、前述したＬＣ複合部品に限定されるもので
はなく、前述した構成を一部に有するものであれば、こ
の他各種の複合積層部品であってもよい。
【００４１】本発明のＬＣ複合部品１等の複合積層部品
は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により製
造することができる。
は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により製
造することができる。
【００４２】フェライト磁性層用ペーストは、次のよう
にして作製する。
にして作製する。
【００４３】まず、フェライトの原料粉末、例えばＮｉ
Ｏ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 等の各種粉末を、所定
量ボールミル等により湿式混合する。こうして湿式混合
したものを、通常スプレードライヤーにより乾燥し、そ
の後仮焼する。得られた仮焼材に所定量のＢ2 Ｏ3 また
はＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3系
のガラスを添加し、これを通常は、ボールミルで粉体粒
径０．０１〜０．５μm 程度の粒径となるまで湿式粉砕
し、スプレードライヤーにより乾燥する。
Ｏ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 等の各種粉末を、所定
量ボールミル等により湿式混合する。こうして湿式混合
したものを、通常スプレードライヤーにより乾燥し、そ
の後仮焼する。得られた仮焼材に所定量のＢ2 Ｏ3 また
はＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3系
のガラスを添加し、これを通常は、ボールミルで粉体粒
径０．０１〜０．５μm 程度の粒径となるまで湿式粉砕
し、スプレードライヤーにより乾燥する。
【００４４】得られたフェライト粉末を、エチルセルロ
ース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビト
ール等の溶剤と混練してペースト化する。なお、Ｂ2 Ｏ
3 やガラスを仮焼結前に添加すると、その成分が蒸発し
やすくなるので仮焼後に添加することが好ましい。
ース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビト
ール等の溶剤と混練してペースト化する。なお、Ｂ2 Ｏ
3 やガラスを仮焼結前に添加すると、その成分が蒸発し
やすくなるので仮焼後に添加することが好ましい。
【００４５】セラミック誘電体層用ペーストの構成に特
に制限はなく、上記したようなフェライト誘電体層の組
成に応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体と
なる原料粉末を選択し、各種バインダおよび溶剤と混練
して調製すればよい。
に制限はなく、上記したようなフェライト誘電体層の組
成に応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体と
なる原料粉末を選択し、各種バインダおよび溶剤と混練
して調製すればよい。
【００４６】原料粉末としては、通常、酸化チタン系お
よびチタン酸系複合酸化物等を構成する酸化物を用いれ
ばよく、対応する酸化物誘電体の組成に応じ、Ｔｉ、Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｒ等の酸化物を用いればよい。また
これらは焼成により酸化物になる化合物、例えば炭酸
塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化合物等を
用いてもよい。
よびチタン酸系複合酸化物等を構成する酸化物を用いれ
ばよく、対応する酸化物誘電体の組成に応じ、Ｔｉ、Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｒ等の酸化物を用いればよい。また
これらは焼成により酸化物になる化合物、例えば炭酸
塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化合物等を
用いてもよい。
【００４７】これらの原料粉末は、通常、平均粒子径
０．１〜５μm 程度のものが用いられる。
０．１〜５μm 程度のものが用いられる。
【００４８】また、必要に応じ、各種ガラスが含有され
ていてもよい。
ていてもよい。
【００４９】また、焼結助剤等として、必要に応じて各
種ガラスや酸化物を含有させてもよい。
種ガラスや酸化物を含有させてもよい。
【００５０】内部導体用ペースト、内部電極層用ペース
ト、および外部電極用ペーストは、それぞれ、上記した
各種導電性金属、合金、あるいは焼成後に上記した導電
材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等
と、上記した各種バインダおよび溶剤とを混練して作製
する。
ト、および外部電極用ペーストは、それぞれ、上記した
各種導電性金属、合金、あるいは焼成後に上記した導電
材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等
と、上記した各種バインダおよび溶剤とを混練して作製
する。
【００５１】上記した各ペースト中のバインダおよび溶
剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、
バインダは１〜５wt% 程度、溶剤は１０〜５０wt% 程度
とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて
各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される
添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、
１０wt% 以下であることが好ましい。
剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、
バインダは１〜５wt% 程度、溶剤は１０〜５０wt% 程度
とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて
各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される
添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、
１０wt% 以下であることが好ましい。
【００５２】ＬＣ複合部品１を製造するに際しては、例
えば、まず、磁性層用ペ−ストおよび内部導体用ペ−ス
トをＰＥＴ等の基板上に積層印刷する。
えば、まず、磁性層用ペ−ストおよび内部導体用ペ−ス
トをＰＥＴ等の基板上に積層印刷する。
【００５３】なお、磁性層用ペーストや誘電体層用ペー
ストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導
体用ペーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、こ
れらを積層してグリーンチップを形成してもよい。この
場合、磁性層に隣接する誘電体層は直接印刷すればよ
い。
ストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導
体用ペーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、こ
れらを積層してグリーンチップを形成してもよい。この
場合、磁性層に隣接する誘電体層は直接印刷すればよ
い。
【００５４】次いで、外部電極用ペーストをグリーンチ
ップに印刷ないし転写し、磁性層用ペースト、内部導体
用ペースト、誘電体層用ペースト、内部電極層用ペース
トおよび外部電極用ペーストを同時焼成する。
ップに印刷ないし転写し、磁性層用ペースト、内部導体
用ペースト、誘電体層用ペースト、内部電極層用ペース
トおよび外部電極用ペーストを同時焼成する。
【００５５】また、先にチップ体を焼成し、その後に外
部電極用ペーストを印刷して焼成することもできる。
部電極用ペーストを印刷して焼成することもできる。
【００５６】焼成温度は、８００〜９３０℃、特に８５
０〜９００℃とすることが好ましい。また、焼成時間
は、０．０５〜５時間、特に０．１〜３時間とすること
が好まい。焼成は、ＰＯ2 ＝１〜１００％で行なう。
０〜９００℃とすることが好ましい。また、焼成時間
は、０．０５〜５時間、特に０．１〜３時間とすること
が好まい。焼成は、ＰＯ2 ＝１〜１００％で行なう。
【００５７】また、外部電極焼き付けのための焼成温度
は、通常５００〜７００℃程度、焼成時間は、通常１０
分〜３時間程度であり、焼成は通常、空気中で行なう。
は、通常５００〜７００℃程度、焼成時間は、通常１０
分〜３時間程度であり、焼成は通常、空気中で行なう。
【００５８】本発明では、焼成時および焼成後、大気よ
り酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なうことが好
ましい。
り酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なうことが好
ましい。
【００５９】酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なうことに
よって、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属やＣｕ2 Ｏ、Ｚｎ2 Ｏ等の
抵抗が低い酸化物の形で析出した物や析出していた物を
ＣｕＯ、ＺｎＯ等の抵抗が高く実害のない酸化物の形で
析出させることができる。このため部品の回路抵抗がよ
り一層向上する。
よって、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属やＣｕ2 Ｏ、Ｚｎ2 Ｏ等の
抵抗が低い酸化物の形で析出した物や析出していた物を
ＣｕＯ、ＺｎＯ等の抵抗が高く実害のない酸化物の形で
析出させることができる。このため部品の回路抵抗がよ
り一層向上する。
【００６０】また、前記熱処理は、最後の焼成時および
最後の焼成後に行なうことが好ましい。
最後の焼成後に行なうことが好ましい。
【００６１】例えば、チップ体の焼成と外部電極を焼き
付けるための焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時
およびこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部電極を焼
き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極を焼き付
ける時や外部電極を焼き付けた後に所定の熱処理を行な
うことが好ましい。なお、後者のように２度焼成を行な
う場合は、場合によっては、さらにチップ体の焼成時や
チップ体の焼成後に熱処理を行なってもよい。
付けるための焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時
およびこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部電極を焼
き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極を焼き付
ける時や外部電極を焼き付けた後に所定の熱処理を行な
うことが好ましい。なお、後者のように２度焼成を行な
う場合は、場合によっては、さらにチップ体の焼成時や
チップ体の焼成後に熱処理を行なってもよい。
【００６２】熱処理雰囲気中の酸素分圧比は、２０〜１
００％、より好ましくは５０〜１００％、特に好ましく
は１００％が好ましい。前記範囲未満では、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｃｕ2 Ｏ、ＺｎＯ等の析出を抑制する能力が低下す
る。
００％、より好ましくは５０〜１００％、特に好ましく
は１００％が好ましい。前記範囲未満では、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｃｕ2 Ｏ、ＺｎＯ等の析出を抑制する能力が低下す
る。
【００６３】このような酸素過剰雰囲気中での熱処理
は、通常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行わ
れるため、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条
件や外部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみ
を単独で行う場合、熱処理温度は、５５０〜９００℃、
特に、６５０〜８００℃、保持時間は０．５〜２時間、
特に１〜１．５時間とすることが好ましい。
は、通常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行わ
れるため、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条
件や外部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみ
を単独で行う場合、熱処理温度は、５５０〜９００℃、
特に、６５０〜８００℃、保持時間は０．５〜２時間、
特に１〜１．５時間とすることが好ましい。
【００６４】なお、ＬＣ複合部品以外の複合積層部品の
場合も前記のとおり作製すればよい。
場合も前記のとおり作製すればよい。
【００６５】このようにして製造されたＬＣ複合部品等
の本発明の複合積層部品は、外部電極に半田付等を行な
うことにより、プリント基板上等に実装され、各種電子
機器等に使用される。
の本発明の複合積層部品は、外部電極に半田付等を行な
うことにより、プリント基板上等に実装され、各種電子
機器等に使用される。
【００６６】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００６７】実施例１〜６，比較例１〜４ 最終組成でＦｅ2 Ｏ3 ：４９．４モル％、ＮｉＯ：１
６．３モル％、ＣｕＯ：８．７モル％およびＺｎＯ：２
５．６モル％となるように原料を混合した。原料の混合
は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、
この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７
００℃にて仮焼した。この仮焼材にＢ2 Ｏ3 を０〜５０
００ppm の範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉
砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径
０．１〜０．３μm の粉体を作製した。
６．３モル％、ＣｕＯ：８．７モル％およびＺｎＯ：２
５．６モル％となるように原料を混合した。原料の混合
は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、
この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７
００℃にて仮焼した。この仮焼材にＢ2 Ｏ3 を０〜５０
００ppm の範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉
砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径
０．１〜０．３μm の粉体を作製した。
【００６８】得られた粉体をトロイダル形状に成型し
た。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃で２
時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロイダ
ルコアの外径は１１．１mm、内径は５．１mm、厚みは
２．４mm、巻数は２０ターン、線径は０．３５mmであ
る。
た。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃で２
時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロイダ
ルコアの外径は１１．１mm、内径は５．１mm、厚みは
２．４mm、巻数は２０ターン、線径は０．３５mmであ
る。
【００６９】また、上記粉体１００重量部に対し、エチ
ルセルロース３．８４重量部およびテルピネオール７８
重量部を加え、三本ロールにて混練し、磁性体層用ペー
ストとした。
ルセルロース３．８４重量部およびテルピネオール７８
重量部を加え、三本ロールにて混練し、磁性体層用ペー
ストとした。
【００７０】次に、内部導体用ペーストを、平均粒径
０．８μm のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロー
ス２．５重量部およびテルピネオール４０重量部を加
え、三本ロールにて混練することにより作製した。
０．８μm のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロー
ス２．５重量部およびテルピネオール４０重量部を加
え、三本ロールにて混練することにより作製した。
【００７１】このようにして作製された磁性層用ペース
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法に
より、表１に示すようなＢ2 Ｏ3 の含有量の異なる種々
の積層積層型チップインダクタを製造した。
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法に
より、表１に示すようなＢ2 Ｏ3 の含有量の異なる種々
の積層積層型チップインダクタを製造した。
【００７２】この場合、焼成温度は８７０℃、焼成時間
は２時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。
は２時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。
【００７３】得られた積層型チップインダクタの寸法
は、４．５mm×３．２mm×１．１mmで、巻数は９．５タ
ーンとした。
は、４．５mm×３．２mm×１．１mmで、巻数は９．５タ
ーンとした。
【００７４】これら積層型チップインダクタおよびトロ
イダルコアについて、測定周波数１MHz の条件にてμ
ｉ、Ｌ（μＨ）およびＱを求めた。得られた結果を表１
に示す。
イダルコアについて、測定周波数１MHz の条件にてμ
ｉ、Ｌ（μＨ）およびＱを求めた。得られた結果を表１
に示す。
【００７５】
【表１】
【００７６】表１に示す結果から分かるように、Ｂ2 Ｏ
3 の添加量が５０〜１０００ppm 未満の範囲内のときは
無添加の場合と比較して、積層型チップインダクタのＬ
Ｑ積およびトロイダルコアのμｉＱ積は共に約２５％以
上向上している。特に、Ｂ2Ｏ3 の添加量が２００〜９
００、特に４００〜８００ppm のときに最も向上してお
り、トロイダルコアのμｉＱ積は無添加の場合と比較し
て約１３５％、積層型チップインダクタのＬＱ積は無添
加の場合と比較して約７５％以上まで向上している。
3 の添加量が５０〜１０００ppm 未満の範囲内のときは
無添加の場合と比較して、積層型チップインダクタのＬ
Ｑ積およびトロイダルコアのμｉＱ積は共に約２５％以
上向上している。特に、Ｂ2Ｏ3 の添加量が２００〜９
００、特に４００〜８００ppm のときに最も向上してお
り、トロイダルコアのμｉＱ積は無添加の場合と比較し
て約１３５％、積層型チップインダクタのＬＱ積は無添
加の場合と比較して約７５％以上まで向上している。
【００７７】実施例７〜１３，比較例５〜７ 最終組成でＦｅ2 Ｏ3 ：４９．４モル％、ＮｉＯ：１
６．３モル％、ＣｕＯ：８．７モル％およびＺｎＯ：２
５．６モル％となるように原料を混合した。原料の混合
は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、
この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７
００℃にて仮焼した。この仮焼材に、ＳｉＯ2 ：１０重
量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量％、ＰｂＯ：５重量％、Ｚｎ
Ｏ：５９．５重量％およびＡｌ2 Ｏ3 ：０．５重量％の
組成を有するガラス（以下、ガラスＩ）を０〜５０００
ppm の範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉砕し
た後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径０．１
〜０．３μm の粉体を作製した。
６．３モル％、ＣｕＯ：８．７モル％およびＺｎＯ：２
５．６モル％となるように原料を混合した。原料の混合
は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、
この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７
００℃にて仮焼した。この仮焼材に、ＳｉＯ2 ：１０重
量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量％、ＰｂＯ：５重量％、Ｚｎ
Ｏ：５９．５重量％およびＡｌ2 Ｏ3 ：０．５重量％の
組成を有するガラス（以下、ガラスＩ）を０〜５０００
ppm の範囲で添加し、これをボールミルにて湿式粉砕し
た後スプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径０．１
〜０．３μm の粉体を作製した。
【００７８】得られた粉体を前記のトロイダル形状に成
型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃
で２時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロ
イダルコアの外径は１１．１mm、内径は５．１mm、厚み
は２．４mm、巻数は２０ターン、線径は０．３５mmであ
る。
型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃
で２時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロ
イダルコアの外径は１１．１mm、内径は５．１mm、厚み
は２．４mm、巻数は２０ターン、線径は０．３５mmであ
る。
【００７９】また、上記粉体１００重量部に対し、エチ
ルセルロース３．８４重量部およびテルピネオール７８
重量部を加え、三本ロールにて混練し、磁性体層用ペー
ストとした。
ルセルロース３．８４重量部およびテルピネオール７８
重量部を加え、三本ロールにて混練し、磁性体層用ペー
ストとした。
【００８０】次に、内部導体用ペーストを、平均粒径
０．８μm のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロー
ス２．５重量部およびテルピネオール４０重量部を加
え、三本ロールにて混練することにより作製した。
０．８μm のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロー
ス２．５重量部およびテルピネオール４０重量部を加
え、三本ロールにて混練することにより作製した。
【００８１】このようにして作製された磁性層用ペース
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法に
より、表２に示すようなガラスＩの含有量の異なる種々
の積層積層型チップインダクタを製造した。
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法に
より、表２に示すようなガラスＩの含有量の異なる種々
の積層積層型チップインダクタを製造した。
【００８２】この場合、焼成温度は８７０℃、焼成時間
は２時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。
は２時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。
【００８３】得られた積層型チップインダクタの寸法
は、４．５mm×３．２mm×１．１mmで、巻数は９．５タ
ーンとした。
は、４．５mm×３．２mm×１．１mmで、巻数は９．５タ
ーンとした。
【００８４】これら積層型チップインダクタおよびトロ
イダルコアについて、測定周波数１MHz の条件にてμ
ｉ、Ｌ（μＨ）およびＱを求めた。得られた結果を表２
に示す。
イダルコアについて、測定周波数１MHz の条件にてμ
ｉ、Ｌ（μＨ）およびＱを求めた。得られた結果を表２
に示す。
【００８５】
【表２】
【００８６】表２に示す結果から分かるように、ガラス
Ｉの添加量が２５０〜４０００ppmの範囲内のときは無
添加の場合と比較して、積層型チップインダクタのＬＱ
積およびトロイダルコアのμｉＱ積は共に約２５％以上
向上している。特に、トロイダルコアではガラスの添加
量が１５００〜２０００ppm の範囲ときに約１４０％以
上まで向上しており、また積層型チップインダクタでは
ガラスの添加量が１０００〜１５００ppm の範囲とき約
７６％以上まで向上している。
Ｉの添加量が２５０〜４０００ppmの範囲内のときは無
添加の場合と比較して、積層型チップインダクタのＬＱ
積およびトロイダルコアのμｉＱ積は共に約２５％以上
向上している。特に、トロイダルコアではガラスの添加
量が１５００〜２０００ppm の範囲ときに約１４０％以
上まで向上しており、また積層型チップインダクタでは
ガラスの添加量が１０００〜１５００ppm の範囲とき約
７６％以上まで向上している。
【００８７】実施例１４〜１７，比較例８〜１１ 最終組成でＦｅ2 Ｏ3 ：４９．４モル％、ＮｉＯ：１
６．３モル％、ＣｕＯ：８．７モル％およびＺｎＯ：２
５．６モル％となるように原料を混合した。原料の混合
は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、
この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７
００℃にて仮焼した。この仮焼材に表３に示す各種ガラ
スを夫々２０００ppm の範囲で添加し、これをボールミ
ルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最
終平均粒径０．１〜０．３μm の粉体を作製した。
６．３モル％、ＣｕＯ：８．７モル％およびＺｎＯ：２
５．６モル％となるように原料を混合した。原料の混合
は、ボールミルを用いて湿式混合により行い、ついで、
この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７
００℃にて仮焼した。この仮焼材に表３に示す各種ガラ
スを夫々２０００ppm の範囲で添加し、これをボールミ
ルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥し、最
終平均粒径０．１〜０．３μm の粉体を作製した。
【００８８】比較用のガラスＸ〜ＸＶと本発明のガラス
II〜Ｖの組成は下記表３のとおりである。
II〜Ｖの組成は下記表３のとおりである。
【００８９】
【表３】
【００９０】得られた粉体を前記のトロイダル形状に成
型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃
で２時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロ
イダルコアの外径は１１．１mm、内径は５．１mm、厚み
は２．４mm、巻数は２０ターン、線径は０．３５mmであ
る。
型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃
で２時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロ
イダルコアの外径は１１．１mm、内径は５．１mm、厚み
は２．４mm、巻数は２０ターン、線径は０．３５mmであ
る。
【００９１】このトロイダルコアの収縮率、焼結密度お
よび測定周波数１MHz の条件におけるμｉおよびＱ特性
を求めた。得られた結果を表４に示す。
よび測定周波数１MHz の条件におけるμｉおよびＱ特性
を求めた。得られた結果を表４に示す。
【００９２】
【表４】
【００９３】表４に示す結果から分かるように、ＳｉＯ
2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスの
組成が本発明の範囲内のときは、トロイダルコアのμｉ
Ｑ積は無添加の場合と比較して約１３７％以上まで向上
している。これに対し、かかるガラスの組成が本発明の
範囲から逸脱している場合には、フェライト焼結体の密
度が低いためにμｉおよびＱが低く、μｉＱ積がガラス
無添加の場合に比較して悪くなっている。
2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスの
組成が本発明の範囲内のときは、トロイダルコアのμｉ
Ｑ積は無添加の場合と比較して約１３７％以上まで向上
している。これに対し、かかるガラスの組成が本発明の
範囲から逸脱している場合には、フェライト焼結体の密
度が低いためにμｉおよびＱが低く、μｉＱ積がガラス
無添加の場合に比較して悪くなっている。
【００９４】実施例１８〜２０ 最終組成が表５に示すような配合内容となるように原料
を混合して原料粉体を得た。これら原料の混合は、ボー
ルミルを用いて湿式混合により行い、ついで、この湿式
混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７００℃に
て仮焼した。この仮焼材に、実施例８で使用したものと
同じガラスＩを２０００ppm の範囲で添加し、これをボ
ールミルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥
し、最終平均粒径０．１〜０．３μm の粉体を作製し
た。
を混合して原料粉体を得た。これら原料の混合は、ボー
ルミルを用いて湿式混合により行い、ついで、この湿式
混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７００℃に
て仮焼した。この仮焼材に、実施例８で使用したものと
同じガラスＩを２０００ppm の範囲で添加し、これをボ
ールミルにて湿式粉砕した後スプレードライヤーで乾燥
し、最終平均粒径０．１〜０．３μm の粉体を作製し
た。
【００９５】得られた粉体を前記のトロイダル形状に成
型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃
で２時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロ
イダルコアの外径は１１．１mm、内径は５．１mm、厚み
は２．４mm、巻数は２０ターン、線径は０．３５mmであ
る。
型した。この成型品を大気中において焼成温度８７０℃
で２時間焼成してトロイダルコアを作製した。このトロ
イダルコアの外径は１１．１mm、内径は５．１mm、厚み
は２．４mm、巻数は２０ターン、線径は０．３５mmであ
る。
【００９６】このトロイダルコアの収縮率、焼結密度並
びにμｉおよびＱ特性を求めた。なお、測定周波数は、
各フェライト組成においてμｉＱ積が最も大きい周波数
とした。得られた結果を表６に示す。
びにμｉおよびＱ特性を求めた。なお、測定周波数は、
各フェライト組成においてμｉＱ積が最も大きい周波数
とした。得られた結果を表６に示す。
【００９７】
【表５】
【００９８】
【表６】
【００９９】表６に示す結果から分かるように、フェラ
イト組成には好適範囲が存在し、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４０〜５
２mol%、ＮｉＯ：０〜５０mol%、ＣｕＯ：０〜２０mol%
およびＺｎＯ：０〜５０mol%組成範囲内のときは、トロ
イダルコアのμｉＱ積は無添加の場合と比較して約７０
％以上まで向上している。
イト組成には好適範囲が存在し、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４０〜５
２mol%、ＮｉＯ：０〜５０mol%、ＣｕＯ：０〜２０mol%
およびＺｎＯ：０〜５０mol%組成範囲内のときは、トロ
イダルコアのμｉＱ積は無添加の場合と比較して約７０
％以上まで向上している。
【０１００】
【発明の効果】本発明のフェライト焼結体は、Ｎｉ−Ｃ
ｕ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ
系のフェライトにＢ2 Ｏ3 または特定組成比のＳｉＯ2
−Ｂ2Ｏ3 −ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスを所
定範囲内の量で添加したことにより、これを磁心や積層
型チップインダクタに使用した場合には、μｉ、インダ
クタンスＬおよびＱが高い値に保持され、従って、この
ようなセラミックインダクタ部品を少なくとも有する複
合積層部品はその性能に優れ、各種電子機器に有用であ
る。
ｕ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ
系のフェライトにＢ2 Ｏ3 または特定組成比のＳｉＯ2
−Ｂ2Ｏ3 −ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスを所
定範囲内の量で添加したことにより、これを磁心や積層
型チップインダクタに使用した場合には、μｉ、インダ
クタンスＬおよびＱが高い値に保持され、従って、この
ようなセラミックインダクタ部品を少なくとも有する複
合積層部品はその性能に優れ、各種電子機器に有用であ
る。
【図１】本発明の複合積層部品の好適実施例であるＬＣ
複合部品が示される断面図である。
複合部品が示される断面図である。
１ ＬＣ複合部品 ２ コンデンサチップ体 ２１ セラミック誘電体層 ２５ 内部電極 ３ インダクタチップ体 ３１ フェライト磁性層 ３５ 内部導体 ５１ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 35/30 Ｚ Ｈ０１Ｆ 17/00 Ｄ 7129−5Ｅ 41/02 Ｄ 8019−5Ｅ
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種
を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフ
ェライト材料にＢ2 Ｏ3 を５０ppm以上１０００ppm 未
満の範囲内で添加して焼結したフェライト焼結体。 - 【請求項２】 Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種
を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフ
ェライト材料に、ＳｉＯ2 ：０．１〜１５重量％、Ｂ2
Ｏ3 ：１０〜４０重量％、ＰｂＯ：０．１〜４０重量
％、ＺｎＯ：２０〜７０重量％およびＡｌ2 Ｏ3 ：０〜
６重量％を含有するガラスを２５０〜４０００ppm の範
囲内で添加して焼結したフェライト焼結体。 - 【請求項３】 フェライトの組成がＦｅ2 Ｏ3 ：４０〜
５２mol%、ＮｉＯ：０〜５０mol%、ＣｕＯ：０〜２０mo
l%およびＺｎＯ：０〜５０mol%である請求項１または２
のフェライト焼結体。 - 【請求項４】 フェライト磁性層と内部導体とを積層し
て構成されるインダクタ部を有するチップインダクタ部
品であって、前記フェライト磁性層が請求項１ないし３
のいずれかのフェライト焼結体で構成されていることを
特徴とするチップインダクタ部品。 - 【請求項５】 フェライト磁性層と内部導体とを積層し
て構成されるチップインダクタ部を少なくとも有する複
合積層部品であって、前記フェライト磁性層が請求項１
ないし３のいずれかのフェライト焼結体で構成されてい
ることを特徴とする複合積層部品。 - 【請求項６】 請求項１ないし３のいずれかのフェライ
ト焼結体で構成されていることを特徴とする磁心。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14851692A JP3381939B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14851692A JP3381939B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326241A true JPH05326241A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3381939B2 JP3381939B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=15454524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14851692A Expired - Fee Related JP3381939B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3381939B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006052100A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Murata Mfg Co Ltd | Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料及びインダクタ素子 |
| JP2007099539A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Toda Kogyo Corp | フェライト粉体、該フェライト粉体を含有するグリーンシート並びにフェライト焼結体 |
| CN102982948A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-03-20 | 天长市昭田磁电科技有限公司 | 一种含有b2o3的铁磁芯的制造方法 |
| JP2019064889A (ja) * | 2017-10-04 | 2019-04-25 | Fdk株式会社 | 磁性材料、および積層チップ部品 |
| KR20200130811A (ko) | 2018-03-16 | 2020-11-20 | 도다 고교 가부시끼가이샤 | Ni-Zn-Cu계 페라이트 분말, 소결체, 페라이트 시트 |
| CN114804849A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-07-29 | 广东泛瑞新材料有限公司 | 一种镍锌铁氧体磁芯及其制备方法和应用 |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP14851692A patent/JP3381939B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006052100A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Murata Mfg Co Ltd | Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料及びインダクタ素子 |
| JP4631348B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-02-16 | 株式会社村田製作所 | Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料及びインダクタ素子 |
| JP2007099539A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Toda Kogyo Corp | フェライト粉体、該フェライト粉体を含有するグリーンシート並びにフェライト焼結体 |
| CN102982948A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-03-20 | 天长市昭田磁电科技有限公司 | 一种含有b2o3的铁磁芯的制造方法 |
| CN102982948B (zh) * | 2012-11-23 | 2016-08-24 | 天长市昭田磁电科技有限公司 | 一种含有b2o3的铁磁芯的制造方法 |
| JP2019064889A (ja) * | 2017-10-04 | 2019-04-25 | Fdk株式会社 | 磁性材料、および積層チップ部品 |
| KR20200130811A (ko) | 2018-03-16 | 2020-11-20 | 도다 고교 가부시끼가이샤 | Ni-Zn-Cu계 페라이트 분말, 소결체, 페라이트 시트 |
| CN114804849A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-07-29 | 广东泛瑞新材料有限公司 | 一种镍锌铁氧体磁芯及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3381939B2 (ja) | 2003-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2987176B2 (ja) | 積層型インダクタおよび積層型インダクタの製造方法 | |
| JPH0677022A (ja) | 複合積層部品用非磁性フェライトおよび複合積層部品 | |
| JP2001143918A (ja) | セラミックインダクタ部品及び複合部品 | |
| KR100598235B1 (ko) | 저온 소성 페라이트 재료 및 이 재료를 이용한 페라이트부품 | |
| JP3367683B2 (ja) | Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体の製造方法、ならびに積層インダクタ、複合積層部品および磁心の製造方法 | |
| JP3381939B2 (ja) | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 | |
| JP3975051B2 (ja) | 磁性フェライトの製造方法、積層型チップフェライト部品の製造方法及びｌｃ複合積層部品の製造方法 | |
| JP3174398B2 (ja) | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 | |
| JP2002198213A (ja) | 低温焼成高性能フェライト材料及びフェライト部品 | |
| JPH0891919A (ja) | 酸化物磁性材料組成物とその製造方法、ならびにインダクタ、積層チップインダクタ、および複合積層部品 | |
| JP2001010820A (ja) | フェライト組成物、フェライト焼結体、積層型電子部品およびこれらの製造方法 | |
| JPH04284611A (ja) | 複合積層部品 | |
| JPH06333722A (ja) | 磁性フェライトの製造方法、磁性フェライト、積層型インダクタ部品、および複合積層部品 | |
| JP2867196B2 (ja) | セラミックインダクタ部品および複合積層部品 | |
| JP2975459B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
| JP3421656B2 (ja) | セラミックインダクタ用フェライト材料及び部品 | |
| JP3297429B2 (ja) | 積層チップビーズ | |
| JP3635412B2 (ja) | 磁性フェライトの製造方法 | |
| JP2727509B2 (ja) | チップインダクタおよびｌｃ複合部品 | |
| JP3243292B2 (ja) | 多層セラミック部品用フェライト磁性塗料の製造方法 | |
| JPH04284610A (ja) | 複合積層部品 | |
| JPH04284612A (ja) | 複合積層部品 | |
| JP3324062B2 (ja) | セラミックインダクタ部品及び複合積層部品 | |
| JP4449091B2 (ja) | 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品、複合積層型部品および磁心 | |
| JPH02109202A (ja) | セラミックインダクタ部品およびセラミックｌｃ部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021126 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111220 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |