JPS5814518A - 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 - Google Patents
表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法Info
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- JPS5814518A JPS5814518A JP56112497A JP11249781A JPS5814518A JP S5814518 A JPS5814518 A JP S5814518A JP 56112497 A JP56112497 A JP 56112497A JP 11249781 A JP11249781 A JP 11249781A JP S5814518 A JPS5814518 A JP S5814518A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は（Ｂａ、ｚＬｎ２ｘ７ｓロｖ３）Ｔｉ０５系固
溶体’！ ７’Ｃハ（Ｂａ １−ｘ−ｙ ＳｒＶ ”
朝■Ｘ／、 ） Ｔ ｉ Ｏ５未固溶体（Ｌｎは主とし
てＮｄ 、 Ｐｒ 、 Ｓｍ 、 Ｎｕ 、 Ｇａ 、
Ｄｙ）にＯｒ 、 Ｍｎ 、 Ｆｅ 、 Ｇｏ 、
Ｎｉの各酸化物のうち少なくとも一つ以上を添加含有さ
せた半導体磁器の表面層を誘電体化した磁器組成物に関
する。
溶体’！ ７’Ｃハ（Ｂａ １−ｘ−ｙ ＳｒＶ ”
朝■Ｘ／、 ） Ｔ ｉ Ｏ５未固溶体（Ｌｎは主とし
てＮｄ 、 Ｐｒ 、 Ｓｍ 、 Ｎｕ 、 Ｇａ 、
Ｄｙ）にＯｒ 、 Ｍｎ 、 Ｆｅ 、 Ｇｏ 、
Ｎｉの各酸化物のうち少なくとも一つ以上を添加含有さ
せた半導体磁器の表面層を誘電体化した磁器組成物に関
する。
従来、表面誘電体層型半導体磁器コンデンサに関しては
、ＢａＴｉＯｓ −Ｌａ２Ｏ５−ＴｉＯ２系固溶体組成
物およびこの固溶体にＭｎ酸化物を添加した組成物が知
られており、この磁器コンデンサでは面積容量ｙ）：
０．２７ ｐＦ／ｃａ ％破壊電圧が５ｏｏｖの特性が
得られている。
、ＢａＴｉＯｓ −Ｌａ２Ｏ５−ＴｉＯ２系固溶体組成
物およびこの固溶体にＭｎ酸化物を添加した組成物が知
られており、この磁器コンデンサでは面積容量ｙ）：
０．２７ ｐＦ／ｃａ ％破壊電圧が５ｏｏｖの特性が
得られている。
最近、磁器コンデンサに対して小型大容量が強く要望さ
れており、・さらに面積容量の大きい材料が要望されて
いる。
れており、・さらに面積容量の大きい材料が要望されて
いる。
本発明の目的は面積容量がＱ、１μＦ／ｃＪ以上、絶縁
破壊電圧が５００Ｖ以上の特性を同時に満すコンデンサ
素子を提供することにあり、特に固溶体の最適組成比、
最適製造処理条件を選んだ場合には少なくとも０．３３
μＦ／ｃＪ 以上の面積容量をもつコンデンサ素子を
提供することにある。
破壊電圧が５００Ｖ以上の特性を同時に満すコンデンサ
素子を提供することにあり、特に固溶体の最適組成比、
最適製造処理条件を選んだ場合には少なくとも０．３３
μＦ／ｃＪ 以上の面積容量をもつコンデンサ素子を
提供することにある。
発明者らはＢａＴｉＯ３−Ｌｎ２１５Ｔｉｅ５系固溶体
（ムｎはＬａ 、 Ｏｅ 、 Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 ８
ｍ 、 Ｋｕ 、 Ｇｄ 、 Ｄｙ ）について、固溶
体の組成比を検討した結果、それぞれの希土類元素（Ｌ
ｎ）について最適組成比が存在し、はぼ共通した最適製
造処理条件が存在することがわかった。さらに、Ｌｎの
最適製造処理条件において、Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 ａｍ
、 ｉｃｕ、 Ｃｄ 、 Ｉ）ｙのそれぞれを使用し
たときに得られるコンデンサ素子の面積容量が、Ｌａの
場合の面積容量０．２７μＮ’／ｃｉＭ （絶縁破壊
電圧５ｏｏｎ）に比較して、それぞれ１．６倍、２倍、
１．８倍、１．５倍、１．３倍（絶縁破壊’Ｉｉｉ圧は
７５０Ｖ〜８５０Ｖのレベル）になることを発見した。
（ムｎはＬａ 、 Ｏｅ 、 Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 ８
ｍ 、 Ｋｕ 、 Ｇｄ 、 Ｄｙ ）について、固溶
体の組成比を検討した結果、それぞれの希土類元素（Ｌ
ｎ）について最適組成比が存在し、はぼ共通した最適製
造処理条件が存在することがわかった。さらに、Ｌｎの
最適製造処理条件において、Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 ａｍ
、 ｉｃｕ、 Ｃｄ 、 Ｉ）ｙのそれぞれを使用し
たときに得られるコンデンサ素子の面積容量が、Ｌａの
場合の面積容量０．２７μＮ’／ｃｉＭ （絶縁破壊
電圧５ｏｏｎ）に比較して、それぞれ１．６倍、２倍、
１．８倍、１．５倍、１．３倍（絶縁破壊’Ｉｉｉ圧は
７５０Ｖ〜８５０Ｖのレベル）になることを発見した。
ただし、Ｏｅ′の場合の面積容量はＬａの場合に比較し
てむしろ小さかった。さらに１だ、市販の安価な工業用
原料である粗・酸化ネオジウム（Ｎｄ ： ６６．６
％、Ｐｒ：２７．１％、Ｌａ：５．１２％、Ｓｍ：１．
１６％、Ｏｅ ： ０．０１ ％、そのイ１４０．０１
％）を使用したときの面積容量はＬａの場合のｌ酊積容
量に比較してやはり約２倍の値となることを見出した。
てむしろ小さかった。さらに１だ、市販の安価な工業用
原料である粗・酸化ネオジウム（Ｎｄ ： ６６．６
％、Ｐｒ：２７．１％、Ｌａ：５．１２％、Ｓｍ：１．
１６％、Ｏｅ ： ０．０１ ％、そのイ１４０．０１
％）を使用したときの面積容量はＬａの場合のｌ酊積容
量に比較してやはり約２倍の値となることを見出した。
たとえば、単位面積当りの容量カー □０．５８μＦ／
ｃＪ 、電気絶縁破壊電圧（Ｗｂ ）が８２０元素（Ｌ
ｎ２７．ＴｉＯ３、ただしＬｎは希土類元素）の２成分
系固溶体を基体とする表面誘電体層型半導体磁器はＢａ
ＴｉＯ３とＬｎ５ｈ’ｒｔｏ、の成分モル比を（１−ｘ
）対Ｘとすると、この固溶体は（Ｂａ ｊ −ｘ ”２
ｘ１５■ｘＡ） ＴｉＯ３１ル化学式テ表ワサれる。こ
の固溶体はペロブスカイト型構造のＢａ位置に電気的中
性の格子欠陥を持っているのが特徴である。この中性格
子欠陥は固溶させた希土類元素（Ｌｎ ）の量（２！／
３ ） ｔＤ半分の量（！／３）だけつねに生成する。
ｃＪ 、電気絶縁破壊電圧（Ｗｂ ）が８２０元素（Ｌ
ｎ２７．ＴｉＯ３、ただしＬｎは希土類元素）の２成分
系固溶体を基体とする表面誘電体層型半導体磁器はＢａ
ＴｉＯ３とＬｎ５ｈ’ｒｔｏ、の成分モル比を（１−ｘ
）対Ｘとすると、この固溶体は（Ｂａ ｊ −ｘ ”２
ｘ１５■ｘＡ） ＴｉＯ３１ル化学式テ表ワサれる。こ
の固溶体はペロブスカイト型構造のＢａ位置に電気的中
性の格子欠陥を持っているのが特徴である。この中性格
子欠陥は固溶させた希土類元素（Ｌｎ ）の量（２！／
３ ） ｔＤ半分の量（！／３）だけつねに生成する。
この中性格子欠陥は高温での酸素イオン空孔の生成を容
易にし、酸素イオンの体積拡散を促進するいちぢるしい
効果をもっている。このよりなりａ位置に中性格子欠陥
をもったペロブスカイト型構造固溶体は次のような利点
を有する。
易にし、酸素イオンの体積拡散を促進するいちぢるしい
効果をもっている。このよりなりａ位置に中性格子欠陥
をもったペロブスカイト型構造固溶体は次のような利点
を有する。
（１）焼結性がよく、緻密な磁器が得られる。
（２）粒子内部の酸化還元速度が粒界の酸化還元速度と
同程度に大きい。
同程度に大きい。
特にし）の効果は半導体磁器の表面層が誘電体化される
本発明の表面誘電体層型半導体磁器を作製する上に不可
欠である。また（１）の効果は表面誘電体層の絶縁破壊
電圧を高める上に重要である。
本発明の表面誘電体層型半導体磁器を作製する上に不可
欠である。また（１）の効果は表面誘電体層の絶縁破壊
電圧を高める上に重要である。
このように、重要なＢａ位置中性格子欠陥をペロブスカ
イト型固溶体中に導入するには、らなる固溶体粉末を焼
結させる場合、それを酸化性雰囲気中で行なうことが必
須条件となる。もし還元性雰囲気中で焼結させると、上
記組成物は（Ｂａ、−２７７５”２７１５）” ｊ−
２７７５” ２ｙ１５０ｓの固溶体と少量のＴ ｉ
Ｏ２との２成分になり、しかもこの生成した固溶体はＢ
ａ位置中性格子欠陥をもっていない。そのため、この固
溶体では酸素イオン空孔が生じにくく、故に粒子内部で
の酸化還元速度が遅く、本発明の目的である表面誘電体
層型半導体磁器を得るには不適当である。
イト型固溶体中に導入するには、らなる固溶体粉末を焼
結させる場合、それを酸化性雰囲気中で行なうことが必
須条件となる。もし還元性雰囲気中で焼結させると、上
記組成物は（Ｂａ、−２７７５”２７１５）” ｊ−
２７７５” ２ｙ１５０ｓの固溶体と少量のＴ ｉ
Ｏ２との２成分になり、しかもこの生成した固溶体はＢ
ａ位置中性格子欠陥をもっていない。そのため、この固
溶体では酸素イオン空孔が生じにくく、故に粒子内部で
の酸化還元速度が遅く、本発明の目的である表面誘電体
層型半導体磁器を得るには不適当である。
酸化性雰囲気中たとえば空気中において、１２６０℃以
上の温度で焼結させて得られたＢａ位置中性欠陥を持っ
た固溶体からなる誘電体磁器の誘電率の温度変化を測定
すると、希土類元素の量によってキュリ一点が低温側へ
移動するとともに、キュリ一点での誘電率（ε。）の大
きさも変化する。この挙動は希土類元素の種類によって
異なる。各希土類元素（Ｌｎ）を用いて、 （１−ｘ ） ＢａＴ １０５−ｘＬｎ ２１５Ｔ ｔ
ｏ、で表わされる誘電体磁器のキュリ一点を室温（２５
℃）に移動させたときのＩとε。の値を第１表に示す。
上の温度で焼結させて得られたＢａ位置中性欠陥を持っ
た固溶体からなる誘電体磁器の誘電率の温度変化を測定
すると、希土類元素の量によってキュリ一点が低温側へ
移動するとともに、キュリ一点での誘電率（ε。）の大
きさも変化する。この挙動は希土類元素の種類によって
異なる。各希土類元素（Ｌｎ）を用いて、 （１−ｘ ） ＢａＴ １０５−ｘＬｎ ２１５Ｔ ｔ
ｏ、で表わされる誘電体磁器のキュリ一点を室温（２５
℃）に移動させたときのＩとε。の値を第１表に示す。
たとえば希土類元素がＬａである場合、２６℃（キュリ
一点）でのε。が８０００であるのに対して、それがＮ
ｄの場合にはε。が１５０００である。これが表面誘電
体層の厚みがほぼ一定の場合、Ｎｄ含有固溶体がＬａ含
有固溶体に比べて表面誘電体層型半導体コンデンサの面
積容量が約２倍になる理由の一つである。ここで１２５
０℃よりも低い温度では、これらの固溶体は十分に焼結
せず不適当であり、また１４５０℃以上の温度での焼結
は試料間の融着、変形を起こすので好ましくない。
一点）でのε。が８０００であるのに対して、それがＮ
ｄの場合にはε。が１５０００である。これが表面誘電
体層の厚みがほぼ一定の場合、Ｎｄ含有固溶体がＬａ含
有固溶体に比べて表面誘電体層型半導体コンデンサの面
積容量が約２倍になる理由の一つである。ここで１２５
０℃よりも低い温度では、これらの固溶体は十分に焼結
せず不適当であり、また１４５０℃以上の温度での焼結
は試料間の融着、変形を起こすので好ましくない。
（以下余白）
第１表
次に、このような１２５０℃以上で過燐酸を生じない温
度で酸化性雰囲気中で焼結させた誘電体磁器を、還元性
雰囲気中において、９００℃〜１２００℃の範囲内の温
度で加熱処理すると、酸素イオン空孔型半導体磁器が得
られる。この半導性固溶体の化学組成は（Ｂａ、−２”
２ｚ１５［］ Ｘ１５ ）Ｔ ｉ Ｏ５−δ口δで表わ
される。ここで１２６０℃より高い温度での加熱処理は
ＴｉＳ＋の生成、Ｂａ位置中性格子欠陥の減少が起こる
ので好ましくない。
度で酸化性雰囲気中で焼結させた誘電体磁器を、還元性
雰囲気中において、９００℃〜１２００℃の範囲内の温
度で加熱処理すると、酸素イオン空孔型半導体磁器が得
られる。この半導性固溶体の化学組成は（Ｂａ、−２”
２ｚ１５［］ Ｘ１５ ）Ｔ ｉ Ｏ５−δ口δで表わ
される。ここで１２６０℃より高い温度での加熱処理は
ＴｉＳ＋の生成、Ｂａ位置中性格子欠陥の減少が起こる
ので好ましくない。
また９００℃より低い温度での加熱処理は導電性を与え
る酸素イオン空孔（［Ｆ］ ）の生成が少なく半導体化
しないので好ましくない。したがって、上記誘電体磁器
を９００℃〜１２５０℃の範囲内の温度で３０分以上加
熱処理すると、磁器内部まで一様に半導体化する。
る酸素イオン空孔（［Ｆ］ ）の生成が少なく半導体化
しないので好ましくない。したがって、上記誘電体磁器
を９００℃〜１２５０℃の範囲内の温度で３０分以上加
熱処理すると、磁器内部まで一様に半導体化する。
次に、このようにして得られた酸素イオン空孔型半導体
磁器を、酸化性雰囲気中において、８００℃〜１２ｏｏ
℃の範囲内の温度で加熱処理する。このとき、酸素イオ
ン空孔型半導体磁器の表面から漸次酸化されて誘電体に
なっていく。この酸素イオン空孔型半導体磁器の表面に
形成される誘電体層の厚みは酸化性雰囲気中の加熱処理
の温度と時間に依存する。たとえば、０．９２ＢａＴｉ
０５−０．０８ （Ｎｃｌ）、７Ｐｒ Ｅｌｓ ）２／
、 ＴｉＯ３°磁器を空気中において１ｏｏｏ℃で１時
間加熱処理すると、その誘電体層の厚みは１３μｍ程度
になる。加熱温度が高い程、また加熱処理時間が長い程
、この厚みは増加する。１０００℃よりも高い温度では
再酸化カニ進みすぎて、誘電体層が厚くなりすぎる。こ
のため面積容量がいちぢるしく減少するので好しくない
。また、８ｏＯ℃よりも低い温度の加熱処理テは再酸化
速度が遅くなり、処理時間が長くかかりすぎて量産的で
ないので好しくない。
磁器を、酸化性雰囲気中において、８００℃〜１２ｏｏ
℃の範囲内の温度で加熱処理する。このとき、酸素イオ
ン空孔型半導体磁器の表面から漸次酸化されて誘電体に
なっていく。この酸素イオン空孔型半導体磁器の表面に
形成される誘電体層の厚みは酸化性雰囲気中の加熱処理
の温度と時間に依存する。たとえば、０．９２ＢａＴｉ
０５−０．０８ （Ｎｃｌ）、７Ｐｒ Ｅｌｓ ）２／
、 ＴｉＯ３°磁器を空気中において１ｏｏｏ℃で１時
間加熱処理すると、その誘電体層の厚みは１３μｍ程度
になる。加熱温度が高い程、また加熱処理時間が長い程
、この厚みは増加する。１０００℃よりも高い温度では
再酸化カニ進みすぎて、誘電体層が厚くなりすぎる。こ
のため面積容量がいちぢるしく減少するので好しくない
。また、８ｏＯ℃よりも低い温度の加熱処理テは再酸化
速度が遅くなり、処理時間が長くかかりすぎて量産的で
ないので好しくない。
上記の例では、片面で誘電体層の厚みが１３μｍである
から両面では２６μｍの厚みになり、このとき、の面積
容量は０．５６μに−である。
から両面では２６μｍの厚みになり、このとき、の面積
容量は０．５６μに−である。
前述したように、このＢａＴｉＯ３−Ｌｎ２，４Ｔｉ０
５系固溶体においては、添加したＬｎＯ量の半分だけの
Ｂａ位置中性格子欠陥が存在し、この中性格子欠陥が高
温下での酸素イオン空孔の生成を助け、酸素イオンの体
積拡散を促進するが、含有Ｌｎ酸化物量（ＬｎＯＳ／２
）が０．６７モル％よりも少ないとき、Ｂａ位置中性
格子欠陥が少なく、酸化還元速度が遅く、製造上好し□
くない（むしろ粒界誘電体層型に近くなる）。また、Ｌ
ｎ酸化物の含有量を増していくと、生成するｈ位置中性
格子欠陥の量も増加し、酸化還元速度も速くなる。Ｌｎ
酸化物の含有量を増すと、キュリ一点が低温側に移動し
て、Ｌｎ酸化物の含有量が２．０５〜２．７４モル％（
Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 Ｓｍは２．７４モ／Ｌ／％、Ｃｅ
、 Ｅｕは２、’４０モに％、Ｌａ 、 Ｇｄ 、
Ｄｙは２．０６モル％）のとき、キュリ一点が室温付近
になり、このときＢａＴｉＯ３Ｌｎ２１５Ｔｉ０５系固
溶体の（室温での）誘電率は極太を示す。Ｌｎ酸化物の
含有量が２．０６〜２．７４モル％を越えると、キュリ
一点はさらに低温側に移動し、室温での誘電率は結果的
に低下する。Ｌｎ酸化物の含有量が６．９０モル％より
も多くなると、面積容量が著しく減少し、本発明の目的
である０、１μＦ／Ｊ以上の面積容量が得られなくなる
ので好しくない。
５系固溶体においては、添加したＬｎＯ量の半分だけの
Ｂａ位置中性格子欠陥が存在し、この中性格子欠陥が高
温下での酸素イオン空孔の生成を助け、酸素イオンの体
積拡散を促進するが、含有Ｌｎ酸化物量（ＬｎＯＳ／２
）が０．６７モル％よりも少ないとき、Ｂａ位置中性
格子欠陥が少なく、酸化還元速度が遅く、製造上好し□
くない（むしろ粒界誘電体層型に近くなる）。また、Ｌ
ｎ酸化物の含有量を増していくと、生成するｈ位置中性
格子欠陥の量も増加し、酸化還元速度も速くなる。Ｌｎ
酸化物の含有量を増すと、キュリ一点が低温側に移動し
て、Ｌｎ酸化物の含有量が２．０５〜２．７４モル％（
Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 Ｓｍは２．７４モ／Ｌ／％、Ｃｅ
、 Ｅｕは２、’４０モに％、Ｌａ 、 Ｇｄ 、
Ｄｙは２．０６モル％）のとき、キュリ一点が室温付近
になり、このときＢａＴｉＯ３Ｌｎ２１５Ｔｉ０５系固
溶体の（室温での）誘電率は極太を示す。Ｌｎ酸化物の
含有量が２．０６〜２．７４モル％を越えると、キュリ
一点はさらに低温側に移動し、室温での誘電率は結果的
に低下する。Ｌｎ酸化物の含有量が６．９０モル％より
も多くなると、面積容量が著しく減少し、本発明の目的
である０、１μＦ／Ｊ以上の面積容量が得られなくなる
ので好しくない。
さらに、希土類元素の組成比および製造処理条件が最適
である場合の本発明の目的の一つである、面積容量が０
．３３μｂ−以上のコンデンサ素子を得るためには、ε
。（キュリ一点−２６℃）を小さくするＬａおよびＧｏ
の含有量は希土類元素Ｌｎの全含有量に対して２０原子
％を超えてはならない。すなわち、ＬａあるいはＯｅの
含有量がＬｎの全含有量に対して２ｏ原子％を超えると
、Ｌｎ ９化物（Ｌｎ０５／２）の含有量が２．０５〜
２．７４モル％の最適組成比範囲の固溶体で、しかも製
造処理条件が最適であっても面積容量が０．３３μＦ／
ｃａ以上で、絶縁破壊電圧が６００ｖ以上のコンデンサ
素子が得られないので好しくない。
である場合の本発明の目的の一つである、面積容量が０
．３３μｂ−以上のコンデンサ素子を得るためには、ε
。（キュリ一点−２６℃）を小さくするＬａおよびＧｏ
の含有量は希土類元素Ｌｎの全含有量に対して２０原子
％を超えてはならない。すなわち、ＬａあるいはＯｅの
含有量がＬｎの全含有量に対して２ｏ原子％を超えると
、Ｌｎ ９化物（Ｌｎ０５／２）の含有量が２．０５〜
２．７４モル％の最適組成比範囲の固溶体で、しかも製
造処理条件が最適であっても面積容量が０．３３μＦ／
ｃａ以上で、絶縁破壊電圧が６００ｖ以上のコンデンサ
素子が得られないので好しくない。
次に、上記（Ｂａ１−ｘ”２ｘｌｓ＊ｘＡ） ＴｉＯ３
固溶体において、さらにＢａの一部をＳｒに置換した固
溶体（Ｂａ ｊ −１−＝７”７”２ＸｌＳ口！１５
） ””においても面積容量が０．３３μＦ／Ｊ以上、
絶縁破壊電圧が５ｏｏＶ以上のコンデンサ素子を得るこ
とができる。すなわち、Ｓｒを置換することによって、
（Ｂａ、−ｘ−ｙＳｒｙＬｎ２ｘＡ口１． ） Ｔ ｉ
Ｏ５固溶体のキュリ一点は（Ｂａ１ｚＬｎ２ｘ／ｓ口
！／、）ＴｉＯ３のキュリ一点よりもさらに低温側へ移
動する。その割合は含有するＳｒＯ成分１モル％当り３
℃である。したがって、含有するＬｎ酸化物（ＬｎＯ３
／２）が０．６７モル％以上のある値のとき、ＳｒＯ成
分の量を適当に選べば（Ｂ ａ １−！ −ｙ Ｓ ｒ
ｙ Ｌｎ ２ｖ、口！１５） Ｔｔ０５固溶体のキュリ
一点を室温付近に移動させることができ、室温でかなり
高い誘電率が得られる。しかし、含有するＳｒＯ成分が
１０．０６モル％を超えると（このときのＬｎ酸化物の
最適含有量は。、８０〜１．０８モル％）、室温で誘電
率は８００ｏよりも小さくなり、最適な処理条件で処理
しても、面積容量が０．３３μＦ／ｃＡ以上、絶縁破壊
電圧が５００Ｖ以」二のコンデンサ素子を得ることがで
きないので好しくない。
固溶体において、さらにＢａの一部をＳｒに置換した固
溶体（Ｂａ ｊ −１−＝７”７”２ＸｌＳ口！１５
） ””においても面積容量が０．３３μＦ／Ｊ以上、
絶縁破壊電圧が５ｏｏＶ以上のコンデンサ素子を得るこ
とができる。すなわち、Ｓｒを置換することによって、
（Ｂａ、−ｘ−ｙＳｒｙＬｎ２ｘＡ口１． ） Ｔ ｉ
Ｏ５固溶体のキュリ一点は（Ｂａ１ｚＬｎ２ｘ／ｓ口
！／、）ＴｉＯ３のキュリ一点よりもさらに低温側へ移
動する。その割合は含有するＳｒＯ成分１モル％当り３
℃である。したがって、含有するＬｎ酸化物（ＬｎＯ３
／２）が０．６７モル％以上のある値のとき、ＳｒＯ成
分の量を適当に選べば（Ｂ ａ １−！ −ｙ Ｓ ｒ
ｙ Ｌｎ ２ｖ、口！１５） Ｔｔ０５固溶体のキュリ
一点を室温付近に移動させることができ、室温でかなり
高い誘電率が得られる。しかし、含有するＳｒＯ成分が
１０．０６モル％を超えると（このときのＬｎ酸化物の
最適含有量は。、８０〜１．０８モル％）、室温で誘電
率は８００ｏよりも小さくなり、最適な処理条件で処理
しても、面積容量が０．３３μＦ／ｃＡ以上、絶縁破壊
電圧が５００Ｖ以」二のコンデンサ素子を得ることがで
きないので好しくない。
次に、上記ＢａＴｉＯ３５ｒＴｉ０５−Ｌｎ２／、Ｔｉ
Ｏ３固溶体に、Ｏｒ 、 Ｍｎ 、 Ｆｅ 、 Ｇｏ
、 Ｎｉの各酸化物のうち少なくとも一つを添加すると
、誘電体層の固有抵抗が高くなり、一方、酸素イオン空
孔型半導体部分の固有抵抗はほとんど変わらないので、
表面誘電体層型半導体磁器コンデンサの誘電損失が小さ
くなり、また絶縁破壊電圧が高くなる。しかしながら、
添加含有量が１原子％を超えると、酸素イオン空孔型半
導体部分の固有抵抗も高くなり、表面誘電体層型半導体
コンデンサの誘電損失（特に高周波での）が大きくなる
ので好しくない。また、面積容量もＭｎなどの添加量が
増すにつれて小さくなる傾向がある。
Ｏ３固溶体に、Ｏｒ 、 Ｍｎ 、 Ｆｅ 、 Ｇｏ
、 Ｎｉの各酸化物のうち少なくとも一つを添加すると
、誘電体層の固有抵抗が高くなり、一方、酸素イオン空
孔型半導体部分の固有抵抗はほとんど変わらないので、
表面誘電体層型半導体磁器コンデンサの誘電損失が小さ
くなり、また絶縁破壊電圧が高くなる。しかしながら、
添加含有量が１原子％を超えると、酸素イオン空孔型半
導体部分の固有抵抗も高くなり、表面誘電体層型半導体
コンデンサの誘電損失（特に高周波での）が大きくなる
ので好しくない。また、面積容量もＭｎなどの添加量が
増すにつれて小さくなる傾向がある。
ＢａＴｉＯ３−８ｒＴｉ０５−Ｌｎ２，４Ｔｉ０５固溶
体にＳｔの酸化物、たとえば８ ｉ ０２の形で添加す
ると、Ｓｉの添加量がＯ，Ｓ〜１．０原子％程度であれ
ば焼結時における磁器の緻密化促進がみられ、絶縁破壊
電圧の向上、誘電損失の低減などの効果があり好ましい
が、Ｓｔの添加量が２原子％を超えると誘電率の低下が
著しく、面積容量が０．３３μＩｔ／（２＄ 以上の
コンデンサ素子を得ることができなくなるので好ましく
ない。
体にＳｔの酸化物、たとえば８ ｉ ０２の形で添加す
ると、Ｓｉの添加量がＯ，Ｓ〜１．０原子％程度であれ
ば焼結時における磁器の緻密化促進がみられ、絶縁破壊
電圧の向上、誘電損失の低減などの効果があり好ましい
が、Ｓｔの添加量が２原子％を超えると誘電率の低下が
著しく、面積容量が０．３３μＩｔ／（２＄ 以上の
コンデンサ素子を得ることができなくなるので好ましく
ない。
このように、本発明のかかる表面誘電体層型半導体磁器
組成物およびその製造方法は非常に大きい面積容量（Ｏ
，３ＳμＦ／Ｊ以上）を有し、高い絶縁破壊電圧（ｓｏ
ｏＶ以上）をもつ小型大容量化の要望に沿う半導体磁器
コンデンサを提供することができるものである。
組成物およびその製造方法は非常に大きい面積容量（Ｏ
，３ＳμＦ／Ｊ以上）を有し、高い絶縁破壊電圧（ｓｏ
ｏＶ以上）をもつ小型大容量化の要望に沿う半導体磁器
コンデンサを提供することができるものである。
以下、実施例をあげて本発明につき詳細に説明する。
実施例１
市販の工業用原料Ｂ ａ ００５粉末（純度９９．９
％以上）、Ｔ ｉ Ｏ２粉末（純度９９．９％以上）、
また市販ｏＲ薬％級Ｌａ２Ｏ５ｅ ＣｅＯ２ｅ Ｐｒ６
Ｏ１１１Ｎｃ１２ｏ５１Ｓｍ２０５ 、 Ｋｕ２０５
、 Ｇｄ２Ｏ３、Ｄｙ２０３の各粉末（純度はいずれも
９９．９％以上）を用い、下記の第２表の組成比になる
ように配合し、ポットとウレタンボールを用いて湿式混
合ＬＮ。
％以上）、Ｔ ｉ Ｏ２粉末（純度９９．９％以上）、
また市販ｏＲ薬％級Ｌａ２Ｏ５ｅ ＣｅＯ２ｅ Ｐｒ６
Ｏ１１１Ｎｃ１２ｏ５１Ｓｍ２０５ 、 Ｋｕ２０５
、 Ｇｄ２Ｏ３、Ｄｙ２０３の各粉末（純度はいずれも
９９．９％以上）を用い、下記の第２表の組成比になる
ように配合し、ポットとウレタンボールを用いて湿式混
合ＬＮ。
（以下余白）
乾燥後、各混合物を１１６０℃の温度で４時間仮焼成し
た。この仮焼物を湿式粉砕し、乾燥した後、ポリビニル
アルコール水溶液をバインダーにし１混合し、３２メツ
シユバスに整粒した。この整粒いて１３００℃の温度で
２時間焼成して、直径約１０．５５１．厚さ約０．４Ｍ
の円板形誘電体磁器を得た。これらの円板形誘電体磁器
を９０％Ｎ２−１０％Ｎ２混合ガス気流中にて１０５Ｃ
）Ｃの温度で２時間加熱処理して、酸素イオン空孔型半
導体磁器を得、さらにこれらの酸素イオン空孔型半導体
蝉器を空気中において１０ＣＪＯ℃の温度で加熱処理し
た。このようにして得られた表面誘電体層型半導体磁器
の両面に、銀電極を焼き付ｉてコンデンサ素子とし、そ
の単位面積当りの容量Ｃ（測定周波数１ ｋＨｚ ）、
誘電損失ｔａｎδ（１ｋＨｚ ） 、絶縁抵抗ＩＲＬ印
加電圧：直流６０ｖ）、絶縁破壊電圧ｖｂを測定した。
た。この仮焼物を湿式粉砕し、乾燥した後、ポリビニル
アルコール水溶液をバインダーにし１混合し、３２メツ
シユバスに整粒した。この整粒いて１３００℃の温度で
２時間焼成して、直径約１０．５５１．厚さ約０．４Ｍ
の円板形誘電体磁器を得た。これらの円板形誘電体磁器
を９０％Ｎ２−１０％Ｎ２混合ガス気流中にて１０５Ｃ
）Ｃの温度で２時間加熱処理して、酸素イオン空孔型半
導体磁器を得、さらにこれらの酸素イオン空孔型半導体
蝉器を空気中において１０ＣＪＯ℃の温度で加熱処理し
た。このようにして得られた表面誘電体層型半導体磁器
の両面に、銀電極を焼き付ｉてコンデンサ素子とし、そ
の単位面積当りの容量Ｃ（測定周波数１ ｋＨｚ ）、
誘電損失ｔａｎδ（１ｋＨｚ ） 、絶縁抵抗ＩＲＬ印
加電圧：直流６０ｖ）、絶縁破壊電圧ｖｂを測定した。
その結果を第３表にあわせて示す。
第３表
＊印は比較用試料を示す。
０印はＬｎの最適組成比の試料であることを示す。
試料１，６．１１はｈ含有量がいずれも０６７モル％未
満であり、それぞれの面積容量Ｃはいず扛も０．１μｍ
’／ｃａ未満と小さいので、本発明の範囲外とした。ま
た、試料５，１０．１５はＬｎの含有量がいずれも６．
９０モル％を超えており、それぞれの面積容量Ｃはいず
れも０．１μＦ／ｃｉ（未満と小さいので、本発明の範
囲外とした。一方、試料２５．２６，３１．３４および
３８は面積容量Ｃがいずれも０．１μＶＣ１１１以上で
あるが、Ｌｎの含有量および製造処理条件は最適である
にもかかわらず０．３３μＦ７７以上の面積容量が得ら
れないので、本発明の範囲外とした。すなわち、Ｌａあ
るいはＣｅの含有量が全希土類元素含有量の２０原子％
を超える試料３１、またＳｒＯ成分が１０．０５モル％
を超える試料３８は本発明の範囲外となる。
満であり、それぞれの面積容量Ｃはいず扛も０．１μｍ
’／ｃａ未満と小さいので、本発明の範囲外とした。ま
た、試料５，１０．１５はＬｎの含有量がいずれも６．
９０モル％を超えており、それぞれの面積容量Ｃはいず
れも０．１μＦ／ｃｉ（未満と小さいので、本発明の範
囲外とした。一方、試料２５．２６，３１．３４および
３８は面積容量Ｃがいずれも０．１μＶＣ１１１以上で
あるが、Ｌｎの含有量および製造処理条件は最適である
にもかかわらず０．３３μＦ７７以上の面積容量が得ら
れないので、本発明の範囲外とした。すなわち、Ｌａあ
るいはＣｅの含有量が全希土類元素含有量の２０原子％
を超える試料３１、またＳｒＯ成分が１０．０５モル％
を超える試料３８は本発明の範囲外となる。
実施例２
実施例１と同様のＢａＣＯ３粉末、５ｒＣＯ５粉末、Ｔ
ｉＯ２粉末、Ｐｒ６０ 、、粉末を用いて、試料３．２
７゜３６の組成比になるように配合し、さらにこれらの
３種類の組成に対して、市販の試薬特級のＭｎＯ２。
ｉＯ２粉末、Ｐｒ６０ 、、粉末を用いて、試料３．２
７゜３６の組成比になるように配合し、さらにこれらの
３種類の組成に対して、市販の試薬特級のＭｎＯ２。
Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、０ｒ２０５ 、 ＣｏｏおよびＳ
ｉ０２の各粉末をそれぞれ下記の第４表の組成比にな
るように添加、配合し、以下実施例１と同様の製造工程
、処理条件によりコンデンサ素子を作製し、実施例１と
同様の各種測定をした。その結果を第３表に示す。
ｉ０２の各粉末をそれぞれ下記の第４表の組成比にな
るように添加、配合し、以下実施例１と同様の製造工程
、処理条件によりコンデンサ素子を作製し、実施例１と
同様の各種測定をした。その結果を第３表に示す。
（以下余白）
６
２７
第６表
９
傘印は比較用試料を示す。
３゜
試料番号２２５．２５５はそれぞれＭｎ 、 Ｆｅの含
有量が１原子％を超えており、いずれも面積ｆｉ量Ｃは
ｏ、ｓｓ ｐＦ／ｃＡよυ小さく ｔａｎδは０．１以
上と大きいので本発明の範囲外とした。一方、試料２９
４はＳｔの含有量が２原子％を超え又おり、面積容量が
０．３３μＦ／ｃａより小さいので、本発明の範囲外と
した。
有量が１原子％を超えており、いずれも面積ｆｉ量Ｃは
ｏ、ｓｓ ｐＦ／ｃＡよυ小さく ｔａｎδは０．１以
上と大きいので本発明の範囲外とした。一方、試料２９
４はＳｔの含有量が２原子％を超え又おり、面積容量が
０．３３μＦ／ｃａより小さいので、本発明の範囲外と
した。
実施例３
実施例１と同様のＢ ａ ＣＯ５粉末、 ５ｒＣ０，５
粉末およびＴ ｉ Ｏ２粉末、また市販の安価な粗・酸
化ネオジウム粉末（元素分析値Ｎｄ ： ６６．６原子
％、ｈ：２７．１原子％、Ｌａ：５．１２原子％、Ｓｍ
： １．１６原子％、Ｃｅ ： ｏ、ｏ１１原子、そ
の他：０．０１原子％）および市販の試薬特級のｊＪｎ
ｏ□粉末を用い又、＼ ＢａＯ成分が４６．５８モ＃％、Ｔ ｉ Ｏ２成分が５
０．６８モル％、粗・酸化ネオジウム成分（Ｎ’に６６
６ ”０．２７１Ｌａｏ（１５１２ｓｍ０．０＋１６
ｃｅＯ，０００１セ雅ｏ、ｏｏｏ＋ ０５／２ ）が２
．７４モル％の組成比になるように配合し、さらにこの
組成に対してＭｎＯ２を０．３原子％添加した配合物を
、ポットとめのう玉石を用いて湿式混合し、乾燥した後
、１１５０℃の温度で４時間仮焼した。
粉末およびＴ ｉ Ｏ２粉末、また市販の安価な粗・酸
化ネオジウム粉末（元素分析値Ｎｄ ： ６６．６原子
％、ｈ：２７．１原子％、Ｌａ：５．１２原子％、Ｓｍ
： １．１６原子％、Ｃｅ ： ｏ、ｏ１１原子、そ
の他：０．０１原子％）および市販の試薬特級のｊＪｎ
ｏ□粉末を用い又、＼ ＢａＯ成分が４６．５８モ＃％、Ｔ ｉ Ｏ２成分が５
０．６８モル％、粗・酸化ネオジウム成分（Ｎ’に６６
６ ”０．２７１Ｌａｏ（１５１２ｓｍ０．０＋１６
ｃｅＯ，０００１セ雅ｏ、ｏｏｏ＋ ０５／２ ）が２
．７４モル％の組成比になるように配合し、さらにこの
組成に対してＭｎＯ２を０．３原子％添加した配合物を
、ポットとめのう玉石を用いて湿式混合し、乾燥した後
、１１５０℃の温度で４時間仮焼した。
この仮焼物を湿式粉砕し、乾燥した。なお、上記混合、
粉砕過程におけるめのう玉石からの８１ 成分の混入量
を知るため、上記仮焼・粉砕・乾燥粉末の一部を採取し
、定量分析を行なった結果、８ｉ成分の混入蓋は０．３
原子邦であった。次に、上記仮焼後の粉砕・乾燥粉末を
ポリビニルアルコール水溶液をバインダーにして混合し
、３２メツシユバスに整粒した。この整粒粉を、直径１
３ｇ、厚さ０．６Ｍ−の円板形に約１トン／（’Ｊの加
圧力で成形した。この成形体を空気中にて１２００℃〜
１４６０℃の範囲の温度で２時間焼成した。しかるに、
１２６０℃よりも低い温度ではこの成形体は十分に焼結
しなかった。これに対して１２６０℃〜１４ｓｏ’ｃの
範囲の温度で焼成したものは直径約１Ｑ、５１１Ｂ、厚
さ約Ｑ、４１ｍの緻密な（気孔率３％以下）円板形跡電
体磁器か得られた。またこの磁器の両面にＩｎ −Ｇａ
電極を塗りてその比抵抗を測定するとその値は第６表に
示すように１００画〜１ｏＱｃＩｎであった。
粉砕過程におけるめのう玉石からの８１ 成分の混入量
を知るため、上記仮焼・粉砕・乾燥粉末の一部を採取し
、定量分析を行なった結果、８ｉ成分の混入蓋は０．３
原子邦であった。次に、上記仮焼後の粉砕・乾燥粉末を
ポリビニルアルコール水溶液をバインダーにして混合し
、３２メツシユバスに整粒した。この整粒粉を、直径１
３ｇ、厚さ０．６Ｍ−の円板形に約１トン／（’Ｊの加
圧力で成形した。この成形体を空気中にて１２００℃〜
１４６０℃の範囲の温度で２時間焼成した。しかるに、
１２６０℃よりも低い温度ではこの成形体は十分に焼結
しなかった。これに対して１２６０℃〜１４ｓｏ’ｃの
範囲の温度で焼成したものは直径約１Ｑ、５１１Ｂ、厚
さ約Ｑ、４１ｍの緻密な（気孔率３％以下）円板形跡電
体磁器か得られた。またこの磁器の両面にＩｎ −Ｇａ
電極を塗りてその比抵抗を測定するとその値は第６表に
示すように１００画〜１ｏＱｃＩｎであった。
第６表
次に、このようにして得られた誘電体磁器を、９０％Ｎ
２−１０％Ｎ２混合ガス気流中において８００℃〜１３
００℃の範囲内の温度で２時間加熱処理し、得られた磁
器の両面にＩｎ −Ｇａ電極を塗布してその比抵抗を測
定した。その結果を第７表に示す。
２−１０％Ｎ２混合ガス気流中において８００℃〜１３
００℃の範囲内の温度で２時間加熱処理し、得られた磁
器の両面にＩｎ −Ｇａ電極を塗布してその比抵抗を測
定した。その結果を第７表に示す。
Ｃ以下余白） ′
第 ７ 表
本印は比較用試料を示す。
４
試料５０２ 、ｔｓｏ；ａ 、 ６０ｇは比抵抗がそれ
ぞれ１０２Ω―、１３８Ω０ｔ：ｍ 、 ２００Ω”７
ｍ と高く１酸素イオン空孔型半導体化が不十分であ
った。したがって、還元雰囲気中での熱処理温度が９０
０℃未満の低い温度域については本発明の範囲外とした
。他の試料はすべて比抵抗が低く十分に半導体化されて
いた。
ぞれ１０２Ω―、１３８Ω０ｔ：ｍ 、 ２００Ω”７
ｍ と高く１酸素イオン空孔型半導体化が不十分であ
った。したがって、還元雰囲気中での熱処理温度が９０
０℃未満の低い温度域については本発明の範囲外とした
。他の試料はすべて比抵抗が低く十分に半導体化されて
いた。
さらに、このようにし１得られた酸素イオン空孔型半導
体磁器を、空気中において７００１：〜１３００℃の温
度範囲で加熱処理して得た磁器の両面に銀電極を焼き付
け１コンデンサ素子とし、そのコンデンサ特性、すなわ
ち面積容量０ （１ｋＨｚ）。
体磁器を、空気中において７００１：〜１３００℃の温
度範囲で加熱処理して得た磁器の両面に銀電極を焼き付
け１コンデンサ素子とし、そのコンデンサ特性、すなわ
ち面積容量０ （１ｋＨｚ）。
誘電損失ｔａｎδ（１ｋＨｚ）、絶縁抵抗ＩＲ（直流ｓ
ＯＶ印加）、絶縁破壊電圧ｖｂを測定した。その結果を
第８表に示す。
ＯＶ印加）、絶縁破壊電圧ｖｂを測定した。その結果を
第８表に示す。
（以下余白）
第８表
中印は比較用試料を示す。
試料１５９４，２５９４，３５９４，５５９４゜７５９
４．８５９４．９５９４は還元性雰囲気処理工程におい
て１０００℃で加熱して得た試料で、酸素の体積拡散が
ほとんど起らないため表面誘電体層が形成されず、絶縁
破壊電圧はいちぢるしく低く（ＳＯＶ以下）実用に耐え
ない。このように還元性雰囲気中での熱処理温度が１２
５０℃を越えると好しくないので、１２６０℃より高い
温度については本発明の範囲外とした。また、試料９５
４４．９６６４は酸化性雰囲気中での熱処理温度が１２
６０℃と高すぎて再酸化が進みすぎ、面積容量が小さい
。このため酸化性雰囲気中での熱処理温度は１２００１
：を越える温度については本発明の範囲外とした。試料
１５４４．１５６４は酸化性雰囲気中での熱処理温度が
８００℃より低いため、十分に再酸化されていす、その
ため表面誘電体層の厚みが薄く、絶縁破壊電圧が１００
Ｖ以下と低く、本発明の目的に反する。上記以外の試料
は、すべて０．１μＶｃＡ以上の非常に大きい面積容量
をもち、かつ５ｏｏｖ以上の高い破壊電圧をもっており
、本発明の目的を満足するものである０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名９８
４．８５９４．９５９４は還元性雰囲気処理工程におい
て１０００℃で加熱して得た試料で、酸素の体積拡散が
ほとんど起らないため表面誘電体層が形成されず、絶縁
破壊電圧はいちぢるしく低く（ＳＯＶ以下）実用に耐え
ない。このように還元性雰囲気中での熱処理温度が１２
５０℃を越えると好しくないので、１２６０℃より高い
温度については本発明の範囲外とした。また、試料９５
４４．９６６４は酸化性雰囲気中での熱処理温度が１２
６０℃と高すぎて再酸化が進みすぎ、面積容量が小さい
。このため酸化性雰囲気中での熱処理温度は１２００１
：を越える温度については本発明の範囲外とした。試料
１５４４．１５６４は酸化性雰囲気中での熱処理温度が
８００℃より低いため、十分に再酸化されていす、その
ため表面誘電体層の厚みが薄く、絶縁破壊電圧が１００
Ｖ以下と低く、本発明の目的に反する。上記以外の試料
は、すべて０．１μＶｃＡ以上の非常に大きい面積容量
をもち、かつ５ｏｏｖ以上の高い破壊電圧をもっており
、本発明の目的を満足するものである０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名９８
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）酸化バリウム（Ｂａｄ）成分と酸化ストロンチウ
ム（８ｒＯ）成分が合量で４９．１６〜４１．３８モル
％、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）成分が１０．０５モ
ル％以下、酸化チタン（ＴｉＯ２）成分が５０．１７〜
５１．７２ モル％、希土類元素酸化物（ＬｎＯＶ２
）成分が０．６７〜６．９０モル％含有量が希土類元
素全体の２０原子％以下）の組成比率からなる組成物に
対して、さらにＯｒ。 Ｍｎ、 Ｆｅ 、 ＣｏおよびＮｉ の各酸化物のう
ち少なくとも一つを合量で１原子％を超えない量含有し
、またＳｔの酸化物を２原子％を超えない量含有してい
る半導体磁器の表面に誘電体層が形成されていることを
特徴とする表面誘電体層型半導体磁器組成物。 （噂 含有するＴ ｉ Ｏ２成分のモル量のうち含有Ｂ
ａＯ成分と含有ＳｒＯ成分の合計のモル量に対応するそ
れと等しいＴ ｉ Ｏ２成分のモル量を減じた残りのＴ
ｉ Ｏ２成分のモル量が含有希土類元素酸化物（Ｌｎ
Ｏｓ７２ ）成分のモル量の１．６倍であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の表面誘電体層型半導
体磁器組成物。 （３）酸化バリウム（ＢａＯ）成分と酸化ストロンチウ
ム（８ｒＯ）成分が合量で４９．１６〜４１．３８モル
％、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）成分が１０．０５モ
ル％以下、酸化チタン（Ｔｉ０２）成分が５０．１７〜
６１．７２モル％、希土類元素酸もＬａの含有量が希土
類元素全体の２０原子ｚ以下）の組成比率からなる組成
物に対して、さらにＯｒ 、 Ｍｎ 、 Ｆｅ 、 Ｃ
ｏおよびＮｉの各酸化物のうち少なくとも一つを合量で
１原子％を超えない量含有している半導体磁器の表面に
誘電体層が形成されていることを特徴とする表面誘電体
層型半導体磁器組成物。 （４）含有するＴ ｉ Ｏ２成分のモル量のうち含有Ｂ
ａＯ成分と含有ＳｒＯ成分の合計のモル量に対応するそ
れと等しいＴｉＯ２成分のモル量を減じた残りのＴ ｉ
Ｏ２成分のモル量が含有希土類元素酸化物（ＬｎＯ５
／２）成分のモル量の１．５倍であることを特徴とする
特許請求の範囲第８項記載の表面誘電体層型半導体磁器
組成物。 （５） 炭酸バリウム（Ｂ ａｃ Ｏｓ ）成分と炭
酸ストロンチウム（ｆ３ｘ００Ｓ）成分が合量で４９．
１６〜４１．３８モル％、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣ
Ｏｓ）成分が１０．０５モル％以下、酸化チタン成分が
６０．１７〜５１７２モル％、酸化ネオジウム（Ｎｄ０
ｓ４ ）と酸化プラセオジウム（ＰｒＯ＋１Ａ）と酸化
ランタン（Ｌａ０ｓ１２ ）の各成分の合量が０．６７
〜６．９０モル％（ただしＬａ成分量が上記希土類元素
成分の全量に対して２０原子％以下）の組成比率からな
る組成分に対して、さらにＯｒ 、 Ｍｎ 、 Ｆｅ
、 ｃｏおよびＮｉの各酸化物のうち少なくとも一つを
合量で１原子％を超えなＩ／１量添加してなる圧粉成形
体を、酸化性雰囲気「↑」において１２５０℃〜１４５
０’Ｃの範囲内の温、 度で焼結させ、得られた誘電
体磁器を還元性雰囲気中において９００’Ｃ〜１２５０
℃の範囲内の温度で加熱処理して酸素空孔型半導体磁器
とし、さらに酸化性雰囲気中において８００℃〜１２ｏ
Ｏ℃の範囲内の温度で加熱処理して再酸化し、それによ
り磁器表面を誘電体化することを特徴とする表面誘電体
層型半導体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56112497A JPS5814518A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56112497A JPS5814518A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814518A true JPS5814518A (ja) | 1983-01-27 |
| JPS6328491B2 JPS6328491B2 (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=14588124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56112497A Granted JPS5814518A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01275466A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH01305855A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-11 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP56112497A patent/JPS5814518A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01275466A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH01305855A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-11 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328491B2 (ja) | 1988-06-08 |
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