JPH06144926A - 還元再酸化型半導体コンデンサ用セラミック組成物 - Google Patents
還元再酸化型半導体コンデンサ用セラミック組成物Info
- Publication number
- JPH06144926A JPH06144926A JP4319221A JP31922192A JPH06144926A JP H06144926 A JPH06144926 A JP H06144926A JP 4319221 A JP4319221 A JP 4319221A JP 31922192 A JP31922192 A JP 31922192A JP H06144926 A JPH06144926 A JP H06144926A
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- JP
- Japan
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- composition
- component
- ceramic
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- molar ratio
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い絶縁抵抗、破壊電圧を有し、且つ小型大
容量で且つ誘電損失の小さい還元再酸化半導体セラミッ
クコンデンサ製造用セラミック組成物を提供する。 【構成】 ＢａＴｉＯ3 ８５．０〜９９．５モル％、
ＢａＺｒＯ3 ０．５〜１５．０モル％、Ｌａ2 Ｏ3 、
ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 をＢａＴｉＯ3 とＢａＺｒＯ3 １
００に対して夫々モル比で０．０１〜３．０、０．１〜
５．０、０．２〜１７．０を含み、更に前記各化合物の
合計量に対してＣｕＯ、ＺｎＯの少なくとも一種を０．
００５〜０．５重量％を含む。
容量で且つ誘電損失の小さい還元再酸化半導体セラミッ
クコンデンサ製造用セラミック組成物を提供する。 【構成】 ＢａＴｉＯ3 ８５．０〜９９．５モル％、
ＢａＺｒＯ3 ０．５〜１５．０モル％、Ｌａ2 Ｏ3 、
ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 をＢａＴｉＯ3 とＢａＺｒＯ3 １
００に対して夫々モル比で０．０１〜３．０、０．１〜
５．０、０．２〜１７．０を含み、更に前記各化合物の
合計量に対してＣｕＯ、ＺｎＯの少なくとも一種を０．
００５〜０．５重量％を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は還元再酸化型半導体セラ
ミックコンデンサのためのセラミック組成物に関する。
ミックコンデンサのためのセラミック組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化、高密度実装化
並びに品質の高安定化に伴い、電子部品にも小型化と高
品質化の要求がなされており、高い絶縁抵抗、破壊電圧
を有し合わせて小型大容量で且つ誘電損失の小さい還元
再酸化型半導体セラミックコンデンサの開発が要望され
ている。従来、還元再酸化型半導体セラミックコンデン
サ用組成物に関しては、例えばＢａＴｉＯ3 −Ｌａ2 Ｏ
3 −ＴｉＯ2 系固溶体組成物及びこの固溶体に炭酸マン
ガンを０．６重量％以下添加した組成が知られており、
この組成物より製造されるセラミックコンデンサでは単
位面積当たりの容量が０．２７μＦ／ｃｍ2 、誘電損失
ｔａｎδが２．８％、破壊電圧が８００Ｖの特性が得ら
れている（特公昭５１−４４７３８号公報）。
並びに品質の高安定化に伴い、電子部品にも小型化と高
品質化の要求がなされており、高い絶縁抵抗、破壊電圧
を有し合わせて小型大容量で且つ誘電損失の小さい還元
再酸化型半導体セラミックコンデンサの開発が要望され
ている。従来、還元再酸化型半導体セラミックコンデン
サ用組成物に関しては、例えばＢａＴｉＯ3 −Ｌａ2 Ｏ
3 −ＴｉＯ2 系固溶体組成物及びこの固溶体に炭酸マン
ガンを０．６重量％以下添加した組成が知られており、
この組成物より製造されるセラミックコンデンサでは単
位面積当たりの容量が０．２７μＦ／ｃｍ2 、誘電損失
ｔａｎδが２．８％、破壊電圧が８００Ｖの特性が得ら
れている（特公昭５１−４４７３８号公報）。
【０００３】又、ＢａＴｉＯ3 −ＳｒＴｉＯ3 −Ｌｎ2
Ｏ3 （Ｌｎ；ランタン系列元素）−ＴｉＯ2 系固溶体組
成物にＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉの酸化物を１原
子％以下及びＳｉの酸化物を２原子％以下添加した組成
が知られており、この組成物より製造されるセラミック
コンデンサでは単位面積当りの容量が０．５８μＦ／ｃ
ｍ2 、ｔａｎδ２．８％、破壊電圧が８２０Ｖの特性が
得られている（特開昭５８−１４５１８号公報）。更
に、ＢａＴｉＯ3 −ＣｅＯ2 −Ｌａ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 系
固溶体組成物にＭｎの酸化物を０．０１〜０．４重量％
添加した組成が知られており、この組成物より製造され
るセラミックコンデンサでは単位面積当りの容量が０．
７μＦ／ｃｍ2 、ｔａｎδ２．８％、破壊電圧が４６０
Ｖの特性が得られている（特開昭５９−２１７３２２号
公報）。
Ｏ3 （Ｌｎ；ランタン系列元素）−ＴｉＯ2 系固溶体組
成物にＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉの酸化物を１原
子％以下及びＳｉの酸化物を２原子％以下添加した組成
が知られており、この組成物より製造されるセラミック
コンデンサでは単位面積当りの容量が０．５８μＦ／ｃ
ｍ2 、ｔａｎδ２．８％、破壊電圧が８２０Ｖの特性が
得られている（特開昭５８−１４５１８号公報）。更
に、ＢａＴｉＯ3 −ＣｅＯ2 −Ｌａ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 系
固溶体組成物にＭｎの酸化物を０．０１〜０．４重量％
添加した組成が知られており、この組成物より製造され
るセラミックコンデンサでは単位面積当りの容量が０．
７μＦ／ｃｍ2 、ｔａｎδ２．８％、破壊電圧が４６０
Ｖの特性が得られている（特開昭５９−２１７３２２号
公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれら公
知の還元再酸化型半導体セラミックコンデンサより性能
の優れたもの、特に破壊電圧を９００Ｖ以上に保ち、単
位面積当りの容量が更に大きい特性を有するコンデンサ
の開発が切望されており、種々の検討がなされている。
一般的には表面部の薄い誘電体層が、還元再酸化型半導
体セラミックコンデンサの容量、絶縁抵抗、破壊電圧、
及び誘電損失に大きく関与している。誘電体層を薄くす
ると、コンデンサの単位面積当りの容量は大きくなる
が、必然的に絶縁抵抗及び破壊電圧は低下し、逆に絶縁
抵抗及び破壊電圧を高くしようとすると誘電体層も厚く
する必要があり、単位面積当りの容量が低下するという
性質を有している。
知の還元再酸化型半導体セラミックコンデンサより性能
の優れたもの、特に破壊電圧を９００Ｖ以上に保ち、単
位面積当りの容量が更に大きい特性を有するコンデンサ
の開発が切望されており、種々の検討がなされている。
一般的には表面部の薄い誘電体層が、還元再酸化型半導
体セラミックコンデンサの容量、絶縁抵抗、破壊電圧、
及び誘電損失に大きく関与している。誘電体層を薄くす
ると、コンデンサの単位面積当りの容量は大きくなる
が、必然的に絶縁抵抗及び破壊電圧は低下し、逆に絶縁
抵抗及び破壊電圧を高くしようとすると誘電体層も厚く
する必要があり、単位面積当りの容量が低下するという
性質を有している。
【０００５】このため、コンデンサとした場合に誘電体
層の単位層厚当りの抵抗値及び破壊電圧が高いセラミッ
ク組成物の新たな選択が必要である。具体的には破壊電
圧９００Ｖ以上、絶縁抵抗１００００ＭΩ以上、誘電損
失ｔａｎδが３．０％以下で単位面積当りの容量が０．
７μＦ／ｃｍ2 以上である特性が求められている。
層の単位層厚当りの抵抗値及び破壊電圧が高いセラミッ
ク組成物の新たな選択が必要である。具体的には破壊電
圧９００Ｖ以上、絶縁抵抗１００００ＭΩ以上、誘電損
失ｔａｎδが３．０％以下で単位面積当りの容量が０．
７μＦ／ｃｍ2 以上である特性が求められている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記目的に
合致するセラミック組成物を開発する目的で研究の結
果、本発明を完成した。即ち本発明は （イ）ＢａＴｉＯ3 ８５．０〜９９．５モル％、Ｂａ
ＺｒＯ3 ０．５〜１５．０モル％； （ロ）Ｌａ2 Ｏ3 ； （ハ）ＣｅＯ2 ； （ニ）ＴｉＯ2 ； （ホ）ＣｕＯ、ＺｎＯの少なくとも一種を含み、（イ）
成分、（ロ）成分、（ハ）成分、（ニ）成分はモル比で
１００：０．０１〜３．０：０．１〜５．０：０．２〜
１７．０であり、（ホ）成分は（イ）、（ロ）、
（ハ）、（ニ）の合計量の０．００５〜０．５重量％で
ある還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成物
に関する。
合致するセラミック組成物を開発する目的で研究の結
果、本発明を完成した。即ち本発明は （イ）ＢａＴｉＯ3 ８５．０〜９９．５モル％、Ｂａ
ＺｒＯ3 ０．５〜１５．０モル％； （ロ）Ｌａ2 Ｏ3 ； （ハ）ＣｅＯ2 ； （ニ）ＴｉＯ2 ； （ホ）ＣｕＯ、ＺｎＯの少なくとも一種を含み、（イ）
成分、（ロ）成分、（ハ）成分、（ニ）成分はモル比で
１００：０．０１〜３．０：０．１〜５．０：０．２〜
１７．０であり、（ホ）成分は（イ）、（ロ）、
（ハ）、（ニ）の合計量の０．００５〜０．５重量％で
ある還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成物
に関する。
【０００７】次に各成分について説明する。先ず（イ）
成分について説明する。ＢａＴｉＯ3 は周知のように、
この種の組成物の主成分である。本発明においては、Ｂ
ａＴｉＯ3 の一部をＢａＺｒＯ3 で置換することにより
組成物のキュリー点（約１２０℃）は低下するが、その
量が０．５モル％より少ない場合はその効果が少ないた
めに得られるセラミックコンデンサの単位面積当りの容
量が小さく、且つ誘電損失が高くなる。又、その量が１
５．０モル％より多くなると、キュリー点が低下し過
ぎ、且つセラミックコンデンサの誘電率が低くなり過ぎ
るので、単位面積当りの容量が小さくなる。前記（ロ）
成分であるＬａ2 Ｏ3 は組成物の燒結を促進し、半導体
抵抗を減少させる効果がある。しかし、（イ）成分に対
してモル比で０．０１より少ない場合は効果を示さず、
得られるセラミックコンデンサの誘電損失が高く、又絶
縁抵抗、破壊電圧も低い。又、モル比で３．０を越えた
場合は誘電率が低くなり、単位面積当りの容量が低下す
る。前記（ハ）成分であるＣｅＯ2 はキュリー点の移動
の効果がある。その量が前記（イ）成分に対してモル比
で０．１より少ない場合は効果が少ないために、得られ
るセラミックコンデンサの単位面積当りの容量が小さ
く、且つ誘電損失が高くなる。又、その量が５．０より
多いと、キュリー点が低くなり過ぎるので単位面積当り
の容量が小さくなる。
成分について説明する。ＢａＴｉＯ3 は周知のように、
この種の組成物の主成分である。本発明においては、Ｂ
ａＴｉＯ3 の一部をＢａＺｒＯ3 で置換することにより
組成物のキュリー点（約１２０℃）は低下するが、その
量が０．５モル％より少ない場合はその効果が少ないた
めに得られるセラミックコンデンサの単位面積当りの容
量が小さく、且つ誘電損失が高くなる。又、その量が１
５．０モル％より多くなると、キュリー点が低下し過
ぎ、且つセラミックコンデンサの誘電率が低くなり過ぎ
るので、単位面積当りの容量が小さくなる。前記（ロ）
成分であるＬａ2 Ｏ3 は組成物の燒結を促進し、半導体
抵抗を減少させる効果がある。しかし、（イ）成分に対
してモル比で０．０１より少ない場合は効果を示さず、
得られるセラミックコンデンサの誘電損失が高く、又絶
縁抵抗、破壊電圧も低い。又、モル比で３．０を越えた
場合は誘電率が低くなり、単位面積当りの容量が低下す
る。前記（ハ）成分であるＣｅＯ2 はキュリー点の移動
の効果がある。その量が前記（イ）成分に対してモル比
で０．１より少ない場合は効果が少ないために、得られ
るセラミックコンデンサの単位面積当りの容量が小さ
く、且つ誘電損失が高くなる。又、その量が５．０より
多いと、キュリー点が低くなり過ぎるので単位面積当り
の容量が小さくなる。
【０００８】（ニ）成分であるＴｉＯ2 はセラミック組
成物燒結体の還元温度の低下、及び均一な再酸化層の形
成に効果がある。その量が前記（イ）成分に対してモル
比で０．２より少ない場合は効果を示さず、得られるセ
ラミックコンデンサーの誘電損失が高く、破壊電圧も低
い。又その量が１７．０より多いと絶縁抵抗、破壊電圧
が低下する。（ホ）成分であるＣｕＯ、ＺｎＯは得られ
るセラミックコンデンサの破壊電圧、絶縁抵抗、単位面
積当りの容量を大幅に向上させることができる。尚、添
加量は実験の結果、好適の範囲は前記の（イ）（ロ）
（ハ）（ニ）の合計組成に対して０．００５〜０．５重
量％であることを確認した。このセラミック組成物から
還元再酸化型半導体セラミックコンデンサを製造するに
は、慣用の方法を用いれば足りる。即ち、先ず前記範囲
の組成物を空気中で１２００〜１４００℃の温度に１〜
４時間加熱し、燒結して絶縁体セラミックを製造する。
次に、これを還元性ガス例えば水素、一酸化炭素、アン
モニア等の単独又は窒素ガス、アルゴン等の不活性ガス
との混合ガス流中で、９００〜１２５０℃で０．５〜１
０時間処理してセラミックを半導体化する。更に、空気
中で７００〜１２００℃で０．２５〜５時間処理するこ
とにより半導体セラミックの表面部に薄い再酸化層即ち
誘電体層が形成される。次に、電極用の銀ペーストを塗
布し焼き付けすることにより、還元再酸化型半導体セラ
ミックコンデンサが完成する。
成物燒結体の還元温度の低下、及び均一な再酸化層の形
成に効果がある。その量が前記（イ）成分に対してモル
比で０．２より少ない場合は効果を示さず、得られるセ
ラミックコンデンサーの誘電損失が高く、破壊電圧も低
い。又その量が１７．０より多いと絶縁抵抗、破壊電圧
が低下する。（ホ）成分であるＣｕＯ、ＺｎＯは得られ
るセラミックコンデンサの破壊電圧、絶縁抵抗、単位面
積当りの容量を大幅に向上させることができる。尚、添
加量は実験の結果、好適の範囲は前記の（イ）（ロ）
（ハ）（ニ）の合計組成に対して０．００５〜０．５重
量％であることを確認した。このセラミック組成物から
還元再酸化型半導体セラミックコンデンサを製造するに
は、慣用の方法を用いれば足りる。即ち、先ず前記範囲
の組成物を空気中で１２００〜１４００℃の温度に１〜
４時間加熱し、燒結して絶縁体セラミックを製造する。
次に、これを還元性ガス例えば水素、一酸化炭素、アン
モニア等の単独又は窒素ガス、アルゴン等の不活性ガス
との混合ガス流中で、９００〜１２５０℃で０．５〜１
０時間処理してセラミックを半導体化する。更に、空気
中で７００〜１２００℃で０．２５〜５時間処理するこ
とにより半導体セラミックの表面部に薄い再酸化層即ち
誘電体層が形成される。次に、電極用の銀ペーストを塗
布し焼き付けすることにより、還元再酸化型半導体セラ
ミックコンデンサが完成する。
【０００９】
【発明の効果】本発明の組成物は、従来の組成物に比し
コンデンサ用として優れた性質を有する。即ち、本発明
の組成物より製造されたセラミックコンデンサは破壊電
圧９００Ｖ以上、絶縁抵抗１００００ＭΩ以上高いにも
かかわらず、単位面積当りの容量が０．７μＦ／ｃｍ2
以上、誘電損失ｔａｎδが３％以下と極めて優れた特性
を同時に満足するものであり、これにより、他の性能を
低下させることなく単位面積当りの容量の高い還元再酸
化型半導体セラミックコンデンサを提供することが可能
となった。
コンデンサ用として優れた性質を有する。即ち、本発明
の組成物より製造されたセラミックコンデンサは破壊電
圧９００Ｖ以上、絶縁抵抗１００００ＭΩ以上高いにも
かかわらず、単位面積当りの容量が０．７μＦ／ｃｍ2
以上、誘電損失ｔａｎδが３％以下と極めて優れた特性
を同時に満足するものであり、これにより、他の性能を
低下させることなく単位面積当りの容量の高い還元再酸
化型半導体セラミックコンデンサを提供することが可能
となった。
【００１０】
〈実施例、比較例〉 実施例 １〜１９，比較例 １〜１２ 市販の工業用原料ＢａＣＯ3 粉末（純度９９．０％以
上）、ＴｉＯ2 粉末（純度９９．０％以上）、ＺｒＯ2
粉末（純度９９．０％以上）、市販の試薬特級Ｌａ2 Ｏ
3 、ＣｅＯ2 の各粉末及び市販の特級試薬ＣｕＯ、Ｚｎ
Ｏの各粉末を用い、表１，２に示す本発明の組成物、即
ち実施例１〜１９、及び表に示す本発明外の組成物、即
ち比較例１〜１２の組成比になるように配合し、ポット
とナイロンボールを用いて湿式混合した。乾燥後、各混
合物を１１５０℃の温度で４時間仮焼した。この仮焼物
を湿式粉砕して、乾燥した後ポリビニルアルコール水溶
液をバインダーにして混合し、３２メッシュパスに整粒
した。この整粒物を直径９．５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの
円板形に約１ｔ／ｃｍ2 の圧力で成形し、これらの成形
体を空気中において１３００℃の温度で２時間焼成して
得た直径約８．０ｍｍ、厚さ約０．４ｍｍの円板形誘電
体セラミックを９０％Ｎ2 −１０％Ｈ2 混合ガス気流中
にて１０５０℃の温度で２時間加熱処理して半導体化し
た。次にこの半導体セラミックを空気中において１００
０℃の温度で１時間加熱処理した。このようにして得ら
れた還元再酸化型半導体セラミックの両面に、銀電極を
焼き付けてコンデンサ素子とし、その単位面積当りの容
量Ｃ、誘電損失ｔａｎδ（以上測定電圧；交流０．１
Ｖ、周波数；１ｋＨｚ）、絶縁抵抗ＩＲ（印加電圧；直
流２５Ｖ）、絶縁破壊電圧Ｖｂを測定した。その結果を
表１，２に示す。
上）、ＴｉＯ2 粉末（純度９９．０％以上）、ＺｒＯ2
粉末（純度９９．０％以上）、市販の試薬特級Ｌａ2 Ｏ
3 、ＣｅＯ2 の各粉末及び市販の特級試薬ＣｕＯ、Ｚｎ
Ｏの各粉末を用い、表１，２に示す本発明の組成物、即
ち実施例１〜１９、及び表に示す本発明外の組成物、即
ち比較例１〜１２の組成比になるように配合し、ポット
とナイロンボールを用いて湿式混合した。乾燥後、各混
合物を１１５０℃の温度で４時間仮焼した。この仮焼物
を湿式粉砕して、乾燥した後ポリビニルアルコール水溶
液をバインダーにして混合し、３２メッシュパスに整粒
した。この整粒物を直径９．５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの
円板形に約１ｔ／ｃｍ2 の圧力で成形し、これらの成形
体を空気中において１３００℃の温度で２時間焼成して
得た直径約８．０ｍｍ、厚さ約０．４ｍｍの円板形誘電
体セラミックを９０％Ｎ2 −１０％Ｈ2 混合ガス気流中
にて１０５０℃の温度で２時間加熱処理して半導体化し
た。次にこの半導体セラミックを空気中において１００
０℃の温度で１時間加熱処理した。このようにして得ら
れた還元再酸化型半導体セラミックの両面に、銀電極を
焼き付けてコンデンサ素子とし、その単位面積当りの容
量Ｃ、誘電損失ｔａｎδ（以上測定電圧；交流０．１
Ｖ、周波数；１ｋＨｚ）、絶縁抵抗ＩＲ（印加電圧；直
流２５Ｖ）、絶縁破壊電圧Ｖｂを測定した。その結果を
表１，２に示す。
【００１１】
【表１】
【表２】
【００１２】表１、表２において本発明にかゝる組成物
より製造される還元再酸化半導体セラミックコンデンサ
は単位面積当りの容量０．７μＦ／ｃｍ2 以上、誘電損
失ｔａｎδ３．０％以下、絶縁抵抗１００００ＭΩ以
上、破壊電圧９００Ｖ以上という優れた特性を有してい
る。各実施例、比較例について述べる。実施例１〜３、
比較例１，２は本発明の組成物において、ＢａＴｉＯ3
とＢａＺｒＯ3 とがモル比で、８５．０〜９９．５：
０．５〜１５．０の範囲内にある必要のあること、実施
例４〜６、比較例３，４はＬａ2 Ｏ3 がＢａＴｉＯ3 と
ＢａＺｒＯ3 、即ち（イ）成分１００モルに対して０．
０１〜３．０モルの範囲内にある必要のあること、実施
例７〜９、比較例５，６はＣｅＯ2 が（イ）成分１００
モルに対して０．１〜５．０モルの範囲内にある必要の
あること、実施例１０〜１２、比較例７，８はＴｉＯ2
が同様に０．２〜１７．０モルの範囲にあることを夫々
示している。更に実施例１３〜１５、１６〜１８、１９
及び比較例９，１０，１１，１２はＣｕＯ、ＺｎＯとは
少なくとも一種が（イ）（ロ）（ハ）（ニ）成分の合量
に対して０．００５〜０．５重量％の範囲にある必要の
あることを示している。
より製造される還元再酸化半導体セラミックコンデンサ
は単位面積当りの容量０．７μＦ／ｃｍ2 以上、誘電損
失ｔａｎδ３．０％以下、絶縁抵抗１００００ＭΩ以
上、破壊電圧９００Ｖ以上という優れた特性を有してい
る。各実施例、比較例について述べる。実施例１〜３、
比較例１，２は本発明の組成物において、ＢａＴｉＯ3
とＢａＺｒＯ3 とがモル比で、８５．０〜９９．５：
０．５〜１５．０の範囲内にある必要のあること、実施
例４〜６、比較例３，４はＬａ2 Ｏ3 がＢａＴｉＯ3 と
ＢａＺｒＯ3 、即ち（イ）成分１００モルに対して０．
０１〜３．０モルの範囲内にある必要のあること、実施
例７〜９、比較例５，６はＣｅＯ2 が（イ）成分１００
モルに対して０．１〜５．０モルの範囲内にある必要の
あること、実施例１０〜１２、比較例７，８はＴｉＯ2
が同様に０．２〜１７．０モルの範囲にあることを夫々
示している。更に実施例１３〜１５、１６〜１８、１９
及び比較例９，１０，１１，１２はＣｕＯ、ＺｎＯとは
少なくとも一種が（イ）（ロ）（ハ）（ニ）成分の合量
に対して０．００５〜０．５重量％の範囲にある必要の
あることを示している。
Claims (1)
- 【請求項１】 （イ）ＢａＴｉＯ3 ８５．０〜９９．
５モル％、ＢａＺｒＯ3 ０．５〜１５．０モル％； （ロ）Ｌａ2 Ｏ3 ； （ハ）ＣｅＯ2 ； （ニ）ＴｉＯ2 ； （ホ）ＣｕＯ、ＺｎＯの少なくとも一種を含み、（イ）
成分、（ロ）成分、（ハ）成分、（ニ）成分はモル比で
１００：０．０１〜３．０：０．１〜５．０：０．２〜
１７．０であり、（ホ）成分は（イ）、（ロ）、
（ハ）、（ニ）の合計量の０．００５〜０．５重量％で
ある還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ用組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4319221A JPH06144926A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用セラミック組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4319221A JPH06144926A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用セラミック組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06144926A true JPH06144926A (ja) | 1994-05-24 |
Family
ID=18107763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4319221A Pending JPH06144926A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用セラミック組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06144926A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984355B2 (en) * | 1999-11-02 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconducting ceramic material, process for producing the ceramic material, and thermistor |
-
1992
- 1992-11-05 JP JP4319221A patent/JPH06144926A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984355B2 (en) * | 1999-11-02 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconducting ceramic material, process for producing the ceramic material, and thermistor |
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