JPH01300259A - 感光体および画像形成方法 - Google Patents
感光体および画像形成方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Developing For Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は感光体および該感光体を使用する画像形成方法
に関し、特に電子写真感光体および該感光体を使用する
電子写真複写方法に関するものである。
に関し、特に電子写真感光体および該感光体を使用する
電子写真複写方法に関するものである。
[従来技術]
カールソン方法の電子写真複写方法においては、感光体
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜像を1−ナーによって現像し、次い
でその可視像を紙等に転写、定着させる。同時に、感光
体は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、
長期に亘って反復使用される。
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜像を1−ナーによって現像し、次い
でその可視像を紙等に転写、定着させる。同時に、感光
体は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、
長期に亘って反復使用される。
従って、電子写真感光体としては、帯電特性おにび感度
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真待性は勿論である
が、加えて操返し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等
の物理的性質や、コロナ放電時に発生ずるオゾン、露光
時の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好であ
ることが要求される。
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真待性は勿論である
が、加えて操返し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等
の物理的性質や、コロナ放電時に発生ずるオゾン、露光
時の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好であ
ることが要求される。
従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無典光導゛電性物買を主成分とする感
光層を有する無に感光体が広く用いられている。
化カドミウム等の無典光導゛電性物買を主成分とする感
光層を有する無に感光体が広く用いられている。
一方、種々の有数光導電性1カ買を電子写真感光体の感
光層の材料として利用することが近年活発に開発、研究
されている。
光層の材料として利用することが近年活発に開発、研究
されている。
例えば特公昭5O−1049f3号公報には、ポリ−1
N−ビニルカルバゾールと2.4.7−ドリニトロー9
−フルオレノンを含有した感光層を右する有機感光体に
ついて記載されている。しかし、この感光体は、感度及
び耐久性において必ずしも満足できるものではない。こ
のような欠点を改善するために、感光層において、キャ
リア発生様能とキャリア輸送機能とを異なる物質に個別
に分担させることにより、感度が高くて耐久性の大きい
有は感光体を開発する試みがなされている。このような
いわば機能分離型の電子写真感光体においては、各機能
を発揮する物質を広い範囲の5のから選択することがで
きるので、任意の特性を有する電子写真感光体を比較的
容易に作製することが可能である。そのため、感度が高
く、耐久性の大きい有機感光体が得られることが期待さ
れている。
N−ビニルカルバゾールと2.4.7−ドリニトロー9
−フルオレノンを含有した感光層を右する有機感光体に
ついて記載されている。しかし、この感光体は、感度及
び耐久性において必ずしも満足できるものではない。こ
のような欠点を改善するために、感光層において、キャ
リア発生様能とキャリア輸送機能とを異なる物質に個別
に分担させることにより、感度が高くて耐久性の大きい
有は感光体を開発する試みがなされている。このような
いわば機能分離型の電子写真感光体においては、各機能
を発揮する物質を広い範囲の5のから選択することがで
きるので、任意の特性を有する電子写真感光体を比較的
容易に作製することが可能である。そのため、感度が高
く、耐久性の大きい有機感光体が得られることが期待さ
れている。
第6図は、こうした有は光導電性物質を用いる機能分離
型の電子写真感光体を示すものである。
型の電子写真感光体を示すものである。
この電子写真感光体は、導電性基体1の上にキャリア発
生層2、キャリア輸送層3を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。即ち
、感光層4はキャリア発生層2とキャリア輸送層3から
構成されている。
生層2、キャリア輸送層3を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。即ち
、感光層4はキャリア発生層2とキャリア輸送層3から
構成されている。
上述のような層構成を有する電子写真感光体においては
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移動度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でさ、光感度等の点で有利である。
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移動度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でさ、光感度等の点で有利である。
これに対し、電子輸送性の材料には優れた特性を持つも
のが殆どなく、あるいは発がん性を有するので使用に適
さない。かかる理由より、上述のような感光体は負帯電
用に使用されている。この場合、高感度を達成する上で
、ホール輸送能の大きな材料を使用することが有利であ
る。
のが殆どなく、あるいは発がん性を有するので使用に適
さない。かかる理由より、上述のような感光体は負帯電
用に使用されている。この場合、高感度を達成する上で
、ホール輸送能の大きな材料を使用することが有利であ
る。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、上述のような感光体においては、第6図
に示すように負帯電時に導電性基体又は下層側からのギ
ヤリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。こうした局所的
なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電性
基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一等
が原因として考えられる。
に示すように負帯電時に導電性基体又は下層側からのギ
ヤリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。こうした局所的
なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電性
基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一等
が原因として考えられる。
そして、こうした局所的なキャリア注入によって以下の
問題点が生じている。
問題点が生じている。
即ち、最近、例えばデジタル処理を伴うプリンタ等にお
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部(表面電荷の消失した部分、VL )に
1〜ナー像が形成され、未露光部(表面電荷が保持され
ている部分、vH)にはトナー像が形成されない。
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部(表面電荷の消失した部分、VL )に
1〜ナー像が形成され、未露光部(表面電荷が保持され
ている部分、vH)にはトナー像が形成されない。
しかしながら、反転現像法において、上記した如くにし
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分にトナーが現像され、いわゆるカブリ画像となる
。このようなカブリは通常のカブリとは異なり、上述の
ように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的に
消失、減少することにより発生する瑛象であり、「黒ボ
デ」と呼ばれている。こうした黒ポチは、白地にトナー
が局所的に付着した状態であるから、黒地部分が白く抜
ける場合と比べて非常に目立ち、両図の品質を茗しく低
下させるものであって、不)内当な画像欠陥である。
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分にトナーが現像され、いわゆるカブリ画像となる
。このようなカブリは通常のカブリとは異なり、上述の
ように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的に
消失、減少することにより発生する瑛象であり、「黒ボ
デ」と呼ばれている。こうした黒ポチは、白地にトナー
が局所的に付着した状態であるから、黒地部分が白く抜
ける場合と比べて非常に目立ち、両図の品質を茗しく低
下させるものであって、不)内当な画像欠陥である。
こうした問題を解決する方法として、キャリア輸送層3
において、キャリア輸送物Vゴ(以下、CTMと呼ぶこ
とがある。)の含有Φを減らし、あるいはCTMやバイ
ンダー樹脂の種類を変更することが考えられる。これら
はい−ずれも、キャリア輸送層30ホール楡送能を低下
せしめて感光体表面へのキャリア注入を抑制しようとす
るものであるが、この感光体では、光感度の低下、残留
電位の上昇、IVLIの上界、繰り返し使用時の1Vし
1安定性の低下をIGき、しかも温度特性の低下を生
じ、低温においては特にIVLIの上昇q7、感光体1
S性が大きく悪化する。
において、キャリア輸送物Vゴ(以下、CTMと呼ぶこ
とがある。)の含有Φを減らし、あるいはCTMやバイ
ンダー樹脂の種類を変更することが考えられる。これら
はい−ずれも、キャリア輸送層30ホール楡送能を低下
せしめて感光体表面へのキャリア注入を抑制しようとす
るものであるが、この感光体では、光感度の低下、残留
電位の上昇、IVLIの上界、繰り返し使用時の1Vし
1安定性の低下をIGき、しかも温度特性の低下を生
じ、低温においては特にIVLIの上昇q7、感光体1
S性が大きく悪化する。
一方、第6図にc13いて、キャリア発生層2と導電性
基体1との間に電荷ブロッキング層を設け、り肩付基体
1からのキャリア注入を阻止することも考えられる。し
かし、この場合には、光照射時にも発生した光キャリア
の輸送がブロッキング層によって抑制、阻止され、繰り
返し使用時に残留電位が上昇し、画像、1度不足をJB
<。また、温度特性も大ぎく劣化し、例えば低温ff
14下においては初期から画像濃度が不足するため、著
しく不都合である。
基体1との間に電荷ブロッキング層を設け、り肩付基体
1からのキャリア注入を阻止することも考えられる。し
かし、この場合には、光照射時にも発生した光キャリア
の輸送がブロッキング層によって抑制、阻止され、繰り
返し使用時に残留電位が上昇し、画像、1度不足をJB
<。また、温度特性も大ぎく劣化し、例えば低温ff
14下においては初期から画像濃度が不足するため、著
しく不都合である。
更に、キャリア発生層2をかかるz Aブロッキング層
上に塗布する際に、キャリア発生物質の種類によっては
キャリア発生物質の凝集を生じて塗布不良となり、黒ポ
チの増加、画像taの低下、更には画像ムラをも招き、
茗しい不都合を生じた。
上に塗布する際に、キャリア発生物質の種類によっては
キャリア発生物質の凝集を生じて塗布不良となり、黒ポ
チの増加、画像taの低下、更には画像ムラをも招き、
茗しい不都合を生じた。
一方、プロセス面からの対策としては、帯電電位VHと
バイアス電圧Vpcとの差を大きくすることが考えられ
るが、これでは露光部の電位VLとバイアス電圧Voc
との差が小さくなるため、画像濃度が低下する。
バイアス電圧Vpcとの差を大きくすることが考えられ
るが、これでは露光部の電位VLとバイアス電圧Voc
との差が小さくなるため、画像濃度が低下する。
以上のように、従来黒ポチ等の画像欠陥を解消し、かつ
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる亙いに相反する課題の技術的解決が望まれていたの
である。
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる亙いに相反する課題の技術的解決が望まれていたの
である。
また、近年電子写真複写方法において、安価、小型で直
接変調できる等の特徴を有する半導体レーザー光源が用
いられている。
接変調できる等の特徴を有する半導体レーザー光源が用
いられている。
現在、半導体レーザーとして広範に用いられているガリ
ウムーアルミニウムーヒ素(Ga −At;1−As
)系発光素子は、発振波長が750nm Pi!度以上
である。このような長波長光に高感度の電子写真感光体
を1qるために、従来数多くの検討がなされてきた。例
えば、可視光領域に高感度を有するセレン、硫化カドミ
ウム等の感光材料に、新たに長波長化するための増感剤
を添加する方法が考えられたが、セレン、疏化カドミウ
ムは温度、湿度等に対する耐環境性が十分でなく、毒性
もあって実用化には問題がある。また、多数知られてい
るイ1芸系光導電[オ料も、その感度が通常700nm
以下の可視光領域に限定され、これより長波長域に十分
な感度を右する材r1は少ないため、高信頼性の明侍さ
れる半導体レーナー光源を用いるレーザープリンタに用
いることは困難であった。
ウムーアルミニウムーヒ素(Ga −At;1−As
)系発光素子は、発振波長が750nm Pi!度以上
である。このような長波長光に高感度の電子写真感光体
を1qるために、従来数多くの検討がなされてきた。例
えば、可視光領域に高感度を有するセレン、硫化カドミ
ウム等の感光材料に、新たに長波長化するための増感剤
を添加する方法が考えられたが、セレン、疏化カドミウ
ムは温度、湿度等に対する耐環境性が十分でなく、毒性
もあって実用化には問題がある。また、多数知られてい
るイ1芸系光導電[オ料も、その感度が通常700nm
以下の可視光領域に限定され、これより長波長域に十分
な感度を右する材r1は少ないため、高信頼性の明侍さ
れる半導体レーナー光源を用いるレーザープリンタに用
いることは困難であった。
かかるレーFアービーム等を用いる技術体系はプリンタ
への応用がI’AIIされてd3す、有用な反転現像に
よる画像形成方法の出現が望まれるゆえんである。
への応用がI’AIIされてd3す、有用な反転現像に
よる画像形成方法の出現が望まれるゆえんである。
本発明の目的は、黒ポチの生じ易い反転現像において、
黒ポチ等の画像欠陥のない良好な画像を1ワることがで
き、高温高湿・低温低湿等の環境下においてもカブリが
なく画像濃度の高い高品位の画像を得ることができ、か
つ繰り返し使用時にも画@濃度が高い均一な画像を安定
して供給することができるような感光体および該感光体
を使用する画像形成方法を提供することである。
黒ポチ等の画像欠陥のない良好な画像を1ワることがで
き、高温高湿・低温低湿等の環境下においてもカブリが
なく画像濃度の高い高品位の画像を得ることができ、か
つ繰り返し使用時にも画@濃度が高い均一な画像を安定
して供給することができるような感光体および該感光体
を使用する画像形成方法を提供することである。
[問題を解決するための手段]
本発明は、有は顔料及び塩化ビニル−酢酸ビニル系樹脂
を含有する電荷ブロッキング層の上に、フタロシアニン
化合物をキャリア発生物質として含有するキャリア発生
層及びキャリア輸送層を順次設けてなることを特徴とす
る感光体に係るものであり、また更に本発明は、キャリ
ア発生層の上にキトリア輸送層を設(プてなる感光層を
有する感光体を使用する画像形成方法において、(a)
フタロシアニン化合物がキャリア発生物質どして含有さ
れているキャリア発生層と:このキャリア発生層と導電
性基体との間に設けられ、有機顔料及び塩化ビニル−酢
酸ビニル系樹脂が含有されている電荷プロツキングベと
を有する感光体を使用し、 (b)この感光体に帯電電位の絶対値が400v〜90
0 Vである帯電を付与した後、露光により静電潜像を
形成し、次いで前記帯゛慝雷位の絶対鳴よりも、0〜2
00v低い絶対噴を有する直流バイアス電圧を印加して
、前記静電潜像の反転現像を行なうことを特徴とする画
像形成方法に係るしのである。
を含有する電荷ブロッキング層の上に、フタロシアニン
化合物をキャリア発生物質として含有するキャリア発生
層及びキャリア輸送層を順次設けてなることを特徴とす
る感光体に係るものであり、また更に本発明は、キャリ
ア発生層の上にキトリア輸送層を設(プてなる感光層を
有する感光体を使用する画像形成方法において、(a)
フタロシアニン化合物がキャリア発生物質どして含有さ
れているキャリア発生層と:このキャリア発生層と導電
性基体との間に設けられ、有機顔料及び塩化ビニル−酢
酸ビニル系樹脂が含有されている電荷プロツキングベと
を有する感光体を使用し、 (b)この感光体に帯電電位の絶対値が400v〜90
0 Vである帯電を付与した後、露光により静電潜像を
形成し、次いで前記帯゛慝雷位の絶対鳴よりも、0〜2
00v低い絶対噴を有する直流バイアス電圧を印加して
、前記静電潜像の反転現像を行なうことを特徴とする画
像形成方法に係るしのである。
但し、帯電電位と直流バイアス゛電圧とは同符号とする
。
。
[作用及び効果1
本発明においては、キャリア発生物質としてフタロシア
ニン化合物をキトリア発生、稍中に含有せしめ、かつこ
のキャリア発生層と導電性基体との間に設けられた電荷
ブロッキング層の材質、含有物を特定している点に顕著
な特徴を有する。
ニン化合物をキトリア発生、稍中に含有せしめ、かつこ
のキャリア発生層と導電性基体との間に設けられた電荷
ブロッキング層の材質、含有物を特定している点に顕著
な特徴を有する。
即ち、導電性基体とキャリア発生層との間に電荷ブロッ
キング層を設けることにより、反転現像において黒ポチ
の発生を防止できる。この理由は明らかではないが、−
旧法のように考えられる。
キング層を設けることにより、反転現像において黒ポチ
の発生を防止できる。この理由は明らかではないが、−
旧法のように考えられる。
即ち、第6図に示したような従来の感光体においては、
基体1側から注入されるキャリア(ホール)はキャリア
発生層2中を容易に通過し、ホール輸送性の高いキャリ
ア輸送層3を介して感光体表面にまで至るのである。言
い換えると、キャリア発生層2は局所的なキャリア注入
に対するPi壁としては機能し19ないのである。
基体1側から注入されるキャリア(ホール)はキャリア
発生層2中を容易に通過し、ホール輸送性の高いキャリ
ア輸送層3を介して感光体表面にまで至るのである。言
い換えると、キャリア発生層2は局所的なキャリア注入
に対するPi壁としては機能し19ないのである。
これに対し、本発明においては、基体とキャリア発生層
との間に電荷ブロッキング層を設;プることにより、1
2電性基体側からの局所的なキャリア注入に対する障壁
を設けることができ、局所的なキャリア注入による表面
電荷の消失、減少を閉止できると考えられる。従って、
反転現像を行った場合に画像上に黒ポチが生ずることは
なく、画像欠陥のない高品質の画像を1ワるという顕著
な作用効果を奏することができる。
との間に電荷ブロッキング層を設;プることにより、1
2電性基体側からの局所的なキャリア注入に対する障壁
を設けることができ、局所的なキャリア注入による表面
電荷の消失、減少を閉止できると考えられる。従って、
反転現像を行った場合に画像上に黒ポチが生ずることは
なく、画像欠陥のない高品質の画像を1ワるという顕著
な作用効果を奏することができる。
電荷ブロッキング層がかかる機n’sを発揮しうるのは
、バインダー物質及び′fi機11ifi I+の作用
により、電荷ブロッキング層自体の電気抵抗が高く保j
′!iされるからであろうと考えられ、この点で電荷ブ
ロッキング層の処方は重要といえる。
、バインダー物質及び′fi機11ifi I+の作用
により、電荷ブロッキング層自体の電気抵抗が高く保j
′!iされるからであろうと考えられ、この点で電荷ブ
ロッキング層の処方は重要といえる。
しかしながら、ここにおいてもう一つ重要なことはキャ
リア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との選択であ
り、両者の組み合わせなのである。
リア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との選択であ
り、両者の組み合わせなのである。
即ち、キャリア発生層は電荷ブロッキング層の上に直接
塗布形成され、しかもそれ自体極めて薄いものであるか
ら、キャリア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との
組み合わせの如何によっては、キャリア発生物質の凝集
、塗布不良を生じ、黒ポチが茗しく増加し、光感度の低
下、更には画像ムラを生じるため、はなはだしく不都合
である。
塗布形成され、しかもそれ自体極めて薄いものであるか
ら、キャリア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との
組み合わせの如何によっては、キャリア発生物質の凝集
、塗布不良を生じ、黒ポチが茗しく増加し、光感度の低
下、更には画像ムラを生じるため、はなはだしく不都合
である。
しかし、無数にひ在する高分子材料、多数のキトリア発
生物質中から、塗布不良を生じないような好適な相み合
わせを選択するについて一般的、画一的な選択手段があ
るというのではなく、実験の積み重ねにより良好な組み
合わせを決定していく他ないのが実情といえる。
生物質中から、塗布不良を生じないような好適な相み合
わせを選択するについて一般的、画一的な選択手段があ
るというのではなく、実験の積み重ねにより良好な組み
合わせを決定していく他ないのが実情といえる。
ここに、本発明者は種々検討の結果、上記したフタロシ
アニン化合物と、塩化ビニル−酢酸ビニル系樹脂との組
み合わせを特に選択することにより、極めて良好な結果
が冑られることを見出した。
アニン化合物と、塩化ビニル−酢酸ビニル系樹脂との組
み合わせを特に選択することにより、極めて良好な結果
が冑られることを見出した。
即ち、上記したフタロシアニン化合物は光感度に優れて
おり、この化合物をキャリア発生物質として使用するこ
とにより、感光体の繰り返し使用時の電位安定性が良く
なり、メモリー現象も少4τく、残留電位も少なく、か
つ安定となる。しかも、このフタロシアニン化合物は長
波長域に高感度を有することから、半導体レーザーを光
源とする反転現像による画像形成方法に特にマツチング
した高性能の感光体を提供できる。
おり、この化合物をキャリア発生物質として使用するこ
とにより、感光体の繰り返し使用時の電位安定性が良く
なり、メモリー現象も少4τく、残留電位も少なく、か
つ安定となる。しかも、このフタロシアニン化合物は長
波長域に高感度を有することから、半導体レーザーを光
源とする反転現像による画像形成方法に特にマツチング
した高性能の感光体を提供できる。
また、電荷ブロッキング層に、塩化ビニル−酢酸ビニル
系樹脂を含有せしめることにより、上記フタロシアニン
化合物がキャリア発生層の塗布形成時に凝集することが
なく、従って反転現像において黒ポチ、画像ムラを防止
できると共に、上記フタロシアニン化合物がキャリア発
生層中に均一に分散され、上記フタロシアニン化合物の
本来の光感度を妨げることなく発揮せしめることができ
る。従って、高品質かつ均一な画像を提供でき、画像濃
度も高くできる。
系樹脂を含有せしめることにより、上記フタロシアニン
化合物がキャリア発生層の塗布形成時に凝集することが
なく、従って反転現像において黒ポチ、画像ムラを防止
できると共に、上記フタロシアニン化合物がキャリア発
生層中に均一に分散され、上記フタロシアニン化合物の
本来の光感度を妨げることなく発揮せしめることができ
る。従って、高品質かつ均一な画像を提供でき、画像濃
度も高くできる。
しかも、電荷ブロッキング層の材質のみならず含有物を
も特定した点が重要であり、これにより上記のように黒
ボデ防止という反転現像に必須の技術的課題を解決しな
がら、かつ温度、湿度特性(耐環境特性)に浸れ、高温
高湿下、低温低湿下においても良好な画像を提供しうる
点が注目に1直する。
も特定した点が重要であり、これにより上記のように黒
ボデ防止という反転現像に必須の技術的課題を解決しな
がら、かつ温度、湿度特性(耐環境特性)に浸れ、高温
高湿下、低温低湿下においても良好な画像を提供しうる
点が注目に1直する。
即ち、プリンター等の機器は種々の条件下で任期間使用
されるものであるため、高温高湿、低温低湿等の環境に
曝される機会は極めて多く、匹記下等においても良好な
画像を提供することが要請されるゆえんである。
されるものであるため、高温高湿、低温低湿等の環境に
曝される機会は極めて多く、匹記下等においても良好な
画像を提供することが要請されるゆえんである。
この点、本発明においては、光照射時にキャリア発生層
内で発生した負の光キャリアは、有機顔料によって電荷
ブロッキング層内を輸送され、導電性基体へと移送され
るものと思われる。即ら、有握顔料の作用により、電荷
ブロッキング層に電子伝導性が付与されたものと考えら
れる。従って、光キャリアの移動は円滑となり、光感度
の上昇、繰り返し使用時の残留1位の低減、画像1度の
上昇が可能となる。ゆえに、繰り返し使用時にも画像濃
度が不足せず、また特に低温低湿下においても充分な画
像濃度が得られる。また、高温高湿下においても、キャ
リア発生層は薄膜であって暗減衰増大は抑えることがで
き、カブリは発生しない。
内で発生した負の光キャリアは、有機顔料によって電荷
ブロッキング層内を輸送され、導電性基体へと移送され
るものと思われる。即ら、有握顔料の作用により、電荷
ブロッキング層に電子伝導性が付与されたものと考えら
れる。従って、光キャリアの移動は円滑となり、光感度
の上昇、繰り返し使用時の残留1位の低減、画像1度の
上昇が可能となる。ゆえに、繰り返し使用時にも画像濃
度が不足せず、また特に低温低湿下においても充分な画
像濃度が得られる。また、高温高湿下においても、キャ
リア発生層は薄膜であって暗減衰増大は抑えることがで
き、カブリは発生しない。
しかも、電荷ブロッキング層中に有機顔料を含有せしめ
ることによって、層の高抵抗を維持しているのであり、
もし仮に、導電性の無機物質等を使用した場合には、キ
ャリア注入は阻止しえず、画像上に黒ポチが発生し、電
荷ブロッキング機能を発揮しえないものと考えられる。
ることによって、層の高抵抗を維持しているのであり、
もし仮に、導電性の無機物質等を使用した場合には、キ
ャリア注入は阻止しえず、画像上に黒ポチが発生し、電
荷ブロッキング機能を発揮しえないものと考えられる。
更に、本発明の画像形成方法において注目すべきことは
、上記したことに加えて、既述したIV)+1で表され
る帯電電位の絶対値をlVH1400Vでは、必要とさ
れる電界強度を冑ることが困雌であるが、l VHl
> 900Vとするとこのためには感光層の膜iが大き
くなり、これによって感度が低下し、好ましくない。ま
た、本発明の画像形成方法ではIVHIとl Vpc
l (直流バイアス電圧の絶対値)との差であるIV
HI IVoclを0〜200Vと特定していること
も重要である。
、上記したことに加えて、既述したIV)+1で表され
る帯電電位の絶対値をlVH1400Vでは、必要とさ
れる電界強度を冑ることが困雌であるが、l VHl
> 900Vとするとこのためには感光層の膜iが大き
くなり、これによって感度が低下し、好ましくない。ま
た、本発明の画像形成方法ではIVHIとl Vpc
l (直流バイアス電圧の絶対値)との差であるIV
HI IVoclを0〜200Vと特定していること
も重要である。
即ち、IV)I l−1Vocl<0V(7)場合ニハ
カフリが発生してしまい、また、IVHI−IV9G+
> 200Vの場合はキャリア(1着く二成分現象剤の
とき)や逆極性トナーの付着(両極性−成分現像剤のと
き)が生じてしま・うのである。
カフリが発生してしまい、また、IVHI−IV9G+
> 200Vの場合はキャリア(1着く二成分現象剤の
とき)や逆極性トナーの付着(両極性−成分現像剤のと
き)が生じてしま・うのである。
従って、本発明の画像形成方法において、1Vs1=4
00〜900V (望ましくは500〜700■)、か
つl VHl l Voc l =0〜200V (
望ましくは50〜150V )という条件で反転現像を
行うことにより高感度を保持しながら、高画質で黒ポチ
のない良好な画像を得ることができる。
00〜900V (望ましくは500〜700■)、か
つl VHl l Voc l =0〜200V (
望ましくは50〜150V )という条件で反転現像を
行うことにより高感度を保持しながら、高画質で黒ポチ
のない良好な画像を得ることができる。
反転現像法に本発明を適用した場合には、特にプリンタ
に適用した場合等においては、文字部(黒地部)が白地
部よりも面積が小(即ら、露光面積が小)であり、正規
現象法による場合に比べて感光体の劣化防止等の面で有
利である。
に適用した場合等においては、文字部(黒地部)が白地
部よりも面積が小(即ら、露光面積が小)であり、正規
現象法による場合に比べて感光体の劣化防止等の面で有
利である。
次に、本発明をレーザー光源に対して適用した場合の効
果について述べる。
果について述べる。
前述のように、レーザープリンター等は有望な技術分野
であるが、従来、例えば第6図に示すような感光体を使
用し、半導体レーザー光を照射して画像形成を行った場
合、ベタ画像においてモアレと呼ばれる干渉縞状の濃度
ムラを生じていた。
であるが、従来、例えば第6図に示すような感光体を使
用し、半導体レーザー光を照射して画像形成を行った場
合、ベタ画像においてモアレと呼ばれる干渉縞状の濃度
ムラを生じていた。
このため、モアレを解消できる方法が要望されていた。
かかるモアレを防止すべく、種々の対策が考えられる。
例えば、導電性基体の表面を適当に粗し、干渉を防止す
ることが考えられる。しかし、この方法では反転現像に
おいて黒ポチが著しく増加し、実用的でない。
ることが考えられる。しかし、この方法では反転現像に
おいて黒ポチが著しく増加し、実用的でない。
一方、キャリア発生層の膜厚を大きくし、キャリア発生
層内での吸光度を大きくして干渉を防止することも考え
られる。しかし、こうした感光体は特性が不充分で、と
りわけ温度湿度特性の劣化が著しいという欠点がある。
層内での吸光度を大きくして干渉を防止することも考え
られる。しかし、こうした感光体は特性が不充分で、と
りわけ温度湿度特性の劣化が著しいという欠点がある。
即ち、反転現像において、高湿下では画像上にカブリを
生じ、低湿下では画像濃度の不足を招き、しかも黒ポチ
の発生が顕著となる。
生じ、低湿下では画像濃度の不足を招き、しかも黒ポチ
の発生が顕著となる。
これらに対し、本発明においては、レーザー光源の照射
により静電潜像を形成した場合にも、干渉縞状の濃度ム
ラの発生を防止して均一な画像を得ることができる。
により静電潜像を形成した場合にも、干渉縞状の濃度ム
ラの発生を防止して均一な画像を得ることができる。
この理由については、以下のように推測される。
画像上に干渉縞状の濃度ムラが生ずる原因は明らかでは
ないが、−旧法のように考えられる。
ないが、−旧法のように考えられる。
第7図で示すように、第6図の感光体表面にレーザー光
が照射された場合、入射光6の一部はキャリア輸送層3
の表面3aで反射されて反射光7となり、一部は感光層
4内に入射し基体表面1aで反射されて射出光8として
射出される。このとき、感光層の屈折率をn、厚さd、
半導体レーザー光の波長λとし、レーザー光の入射が感
光層4に垂直に行われるとすると、光7と光8との間に
< 2 nd−λ/2)の光学的路程差が生ずる。レー
ザー光はコヒーレントであるため、光7と光8との間に
干渉が生じ、ndがλ/2の整数倍のときは反射光の強
度が極大、すなわちキャリア輸送層3の内部へ入ってい
(光の強度が極小(エネルギー保存則による) 、nd
がλ/4の奇数倍のときは反射光が極小、すなわち内部
へ入っていく光が極大となる。ところで、dには製造上
1μm程度の場所ムラが避けられない。レーザー光は単
色性がよく、コヒーレントなため、dの場所ムラに対応
して前記の干渉条件が変化し、キャリア発生層2でのレ
ーザー光の吸収間の場所ムラが生じ、それがベタ画像の
濃度の干渉縞状のムラとなって現れると考えられる。な
お通常の複写ぼでは、光源が単色光でないため、波長に
よって干渉縞状の濃度ムラの幅が変わり、平均化されて
見えない。
が照射された場合、入射光6の一部はキャリア輸送層3
の表面3aで反射されて反射光7となり、一部は感光層
4内に入射し基体表面1aで反射されて射出光8として
射出される。このとき、感光層の屈折率をn、厚さd、
半導体レーザー光の波長λとし、レーザー光の入射が感
光層4に垂直に行われるとすると、光7と光8との間に
< 2 nd−λ/2)の光学的路程差が生ずる。レー
ザー光はコヒーレントであるため、光7と光8との間に
干渉が生じ、ndがλ/2の整数倍のときは反射光の強
度が極大、すなわちキャリア輸送層3の内部へ入ってい
(光の強度が極小(エネルギー保存則による) 、nd
がλ/4の奇数倍のときは反射光が極小、すなわち内部
へ入っていく光が極大となる。ところで、dには製造上
1μm程度の場所ムラが避けられない。レーザー光は単
色性がよく、コヒーレントなため、dの場所ムラに対応
して前記の干渉条件が変化し、キャリア発生層2でのレ
ーザー光の吸収間の場所ムラが生じ、それがベタ画像の
濃度の干渉縞状のムラとなって現れると考えられる。な
お通常の複写ぼでは、光源が単色光でないため、波長に
よって干渉縞状の濃度ムラの幅が変わり、平均化されて
見えない。
これに対し、本発明によれば、導電性基体と感光層との
間に電荷ブロッキング層を設け、この電荷ブロッキング
層に上記特定のバインダー樹脂と有ぼ顔料とを含有せし
めているので、有成顔利の分散状態によって電荷ブロッ
キング層内へと入(1・jした光は散乱される。これに
より、干渉は生じなくなり、干渉による反射光の強度の
場所ムラも生じなくなると考えられる。
間に電荷ブロッキング層を設け、この電荷ブロッキング
層に上記特定のバインダー樹脂と有ぼ顔料とを含有せし
めているので、有成顔利の分散状態によって電荷ブロッ
キング層内へと入(1・jした光は散乱される。これに
より、干渉は生じなくなり、干渉による反射光の強度の
場所ムラも生じなくなると考えられる。
[発明の具体的構成]
本発明に使用する感光体、例えば電子写真感光体の一般
的な構成を第1図に例示する。
的な構成を第1図に例示する。
第1図の感光体においては、yJ導電性基体の上に電荷
ブロッキング層5を介してキャリア発生層2が設けられ
、キャリア発生層2上にキャリア輸送層3が設けられて
いる。4は感光層を示す。
ブロッキング層5を介してキャリア発生層2が設けられ
、キャリア発生層2上にキャリア輸送層3が設けられて
いる。4は感光層を示す。
第1図のような感光体において、キャリア発生層とキャ
リア輸送層との間に、ブロッキング殿能等を付与された
中間層を設けても良い。また、耐刷性向上等のため感光
体表面に保護層(保護膜)を形成しても良く、例えば合
成樹脂a qaをコーティングして良い。
リア輸送層との間に、ブロッキング殿能等を付与された
中間層を設けても良い。また、耐刷性向上等のため感光
体表面に保護層(保護膜)を形成しても良く、例えば合
成樹脂a qaをコーティングして良い。
次に、本発明でキャリア発生物質として使用するフタロ
シアニン化合物について述べる。
シアニン化合物について述べる。
即ち、有磯系光導電材料の一つであるフタロシアニン系
化合物は、他のものに比べ感光域が長波長域に拡大して
いることが知られている。そしてα型のフタロシアニン
化合物が結品形の安定なβ型のフタロシアニン化合物に
変わる過程で各種結品形のフタロシアニン化合物が見出
されている。
化合物は、他のものに比べ感光域が長波長域に拡大して
いることが知られている。そしてα型のフタロシアニン
化合物が結品形の安定なβ型のフタロシアニン化合物に
変わる過程で各種結品形のフタロシアニン化合物が見出
されている。
これらの光導電性を示すフタロシアニン系化合物として
は、例えば特公昭49−4338号公報記載のX型無金
属フタロシアニン化合物、特開昭58−182639号
公報、特開昭60−19151号公報に記載されている
τ、τ′、η、η′型無金屈フタロシアニン化合物、特
開昭61−295784号明細心に記載されているフタ
ロシアニン化合物等の他、各種の金属フタロシアニン化
合物が例示される。例えばチタニルフタロシアニン化合
物について特願昭62−241938号明細書に記載さ
れているものがある。
は、例えば特公昭49−4338号公報記載のX型無金
属フタロシアニン化合物、特開昭58−182639号
公報、特開昭60−19151号公報に記載されている
τ、τ′、η、η′型無金屈フタロシアニン化合物、特
開昭61−295784号明細心に記載されているフタ
ロシアニン化合物等の他、各種の金属フタロシアニン化
合物が例示される。例えばチタニルフタロシアニン化合
物について特願昭62−241938号明細書に記載さ
れているものがある。
この他、特に半導体レーザーに好適なフタロシアニン化
合物を例示する。
合物を例示する。
以下余白
−テ
フタロシアニン例示化合物
次に、塩化ビニル−酢酸ビニル系樹脂について述べる。
これは、塩化ビニルと酢酸ビニルとを光やα線の照射、
過酸化物などの′Fi離基離合重合触媒在下で共重合さ
せて得られるものである。また塩化ビニル、酢酸ビニル
のほかにマレイン酸エステル等も加えて共重合体を作る
ことができる。
過酸化物などの′Fi離基離合重合触媒在下で共重合さ
せて得られるものである。また塩化ビニル、酢酸ビニル
のほかにマレイン酸エステル等も加えて共重合体を作る
ことができる。
具体的商品名としては、rVYHHJ 。
rVYHDJ、rVYLFJ、rVYNs−3J。
rVAGHJ、rVAGDJ、rVAGFJ。
rVROHJ、rVYEsJ、rVYNcj。
rVMCHJ、rVMccJ、rVMcAJ (以上、
ユニオンカーバイド社製)、[エスレツクMF−10J
、rエスレックA−5J (以上、積水化学社製)等
が挙げられる。
ユニオンカーバイド社製)、[エスレツクMF−10J
、rエスレックA−5J (以上、積水化学社製)等
が挙げられる。
本発明において使用する有機顔料としては、・例えば、
赤(400〜500nm ) 、緑(500〜600n
m )、青く600〜700nm )などの各色の透過
率の高いものであり、耐熱性があり、ブリードを生じな
いものが望ましい。
赤(400〜500nm ) 、緑(500〜600n
m )、青く600〜700nm )などの各色の透過
率の高いものであり、耐熱性があり、ブリードを生じな
いものが望ましい。
青色の有様顔料としては、例えばε型銅フタロシアニン
ブルーおよびビクトリアブルーレーキ(C,(、Pig
ment Blue 1 )の1種もしくは2種を主
成分とし、メチルバイオレッ!・レーキ(C,1,Pi
gment ■1olet 3)およびジオキサジン
バイオレット(C,1,PiglentV 1olet
1 )の1種もしくは2種を分光特性調整剤として用
いたものなどが挙げられる。なお、ε型銅フタロシアニ
ンブルーは特開昭52−6301号公報などによって公
知である赤味の強い鮮明な青′色顔料であり、例えばL
1onol 3 Iue E (東洋インキ製造(株
、商標名)として入手可能である。
ブルーおよびビクトリアブルーレーキ(C,(、Pig
ment Blue 1 )の1種もしくは2種を主
成分とし、メチルバイオレッ!・レーキ(C,1,Pi
gment ■1olet 3)およびジオキサジン
バイオレット(C,1,PiglentV 1olet
1 )の1種もしくは2種を分光特性調整剤として用
いたものなどが挙げられる。なお、ε型銅フタロシアニ
ンブルーは特開昭52−6301号公報などによって公
知である赤味の強い鮮明な青′色顔料であり、例えばL
1onol 3 Iue E (東洋インキ製造(株
、商標名)として入手可能である。
最も汎用されているα、βなどの各種結晶形のフタロシ
アニン顔料の分光特性(可視吸収スペクトル)は、その
主波長が490〜500nmであり、ε型銅フタロシア
ニンブルーでは470〜480nmと短波長側にあり、
また、ビクトリアブルーレーキは主波長が430nn+
である。
アニン顔料の分光特性(可視吸収スペクトル)は、その
主波長が490〜500nmであり、ε型銅フタロシア
ニンブルーでは470〜480nmと短波長側にあり、
また、ビクトリアブルーレーキは主波長が430nn+
である。
また、赤色の有様顔料としては例えばナフトール系橙色
顔料(C,1,Pigment Qrange24)
、ピラゾロン系田色顔料(C,I。
顔料(C,1,Pigment Qrange24)
、ピラゾロン系田色顔料(C,I。
Pigment Qrange l 3.同1)およ
びジスアゾ系橙色顔Fl (C,I 、 P igme
nt 0ranoe 13 )から選ばれる1種もし
くは2種以上を主成分とし、必要に応じてナフトール系
赤色類Fl(C,I。
びジスアゾ系橙色顔Fl (C,I 、 P igme
nt 0ranoe 13 )から選ばれる1種もし
くは2種以上を主成分とし、必要に応じてナフトール系
赤色類Fl(C,I。
ptgment Red 22.同8.同5.同4
.同3゜同31.同112.同114)およびピラゾロ
ン系赤色顔料(C1I 、 Pic+ment Re
d 38)から選ばれる1種もしくは2種以上を分光
特性調整剤どして用いたものなどが挙げられる。
.同3゜同31.同112.同114)およびピラゾロ
ン系赤色顔料(C1I 、 Pic+ment Re
d 38)から選ばれる1種もしくは2種以上を分光
特性調整剤どして用いたものなどが挙げられる。
また、緑色の有機顔料としては、例えばポリクロロポリ
ブロモフタロシアニングリーン(C,I。
ブロモフタロシアニングリーン(C,I。
P igment G reen 38)を主成分
トシ、ジスアゾ系黄色顔料(C,1,Pioment
Yellow 12゜同13.同14)およびイソイ
ンドリノン系黄色顔料(C,l 、 Pigment
Yellow 109 、同100)の群から選ばれ
る1種もしくは2種以上を分光特性調整剤として用いた
ものなどが挙げられる。緑色顔料として汎用されている
ポリクロロフタロシアニングリーン(C,I 、 Pi
gment Green37)は主波長が510nm
にあり、一方ポリクロロポリブロモフタロシアニングリ
ーンのそれは535n+mにある。
トシ、ジスアゾ系黄色顔料(C,1,Pioment
Yellow 12゜同13.同14)およびイソイ
ンドリノン系黄色顔料(C,l 、 Pigment
Yellow 109 、同100)の群から選ばれ
る1種もしくは2種以上を分光特性調整剤として用いた
ものなどが挙げられる。緑色顔料として汎用されている
ポリクロロフタロシアニングリーン(C,I 、 Pi
gment Green37)は主波長が510nm
にあり、一方ポリクロロポリブロモフタロシアニングリ
ーンのそれは535n+mにある。
電荷ブロッキング層の膜厚は0.1〜5μmとするのが
好ましく、0.5〜2μmの範囲内とするのが更に好ま
しい。また、電荷ブロッキング層中において、有機顔料
とバインダー物質との含有F比(重遣比)は(’I:1
0)〜(10:1)の範囲内とするのが好ましい。
好ましく、0.5〜2μmの範囲内とするのが更に好ま
しい。また、電荷ブロッキング層中において、有機顔料
とバインダー物質との含有F比(重遣比)は(’I:1
0)〜(10:1)の範囲内とするのが好ましい。
キャリア発生層において、キャリア発生物質のバインダ
ー物質に対する含有浴比は3/1〜1/10とするのが
好ましく、2./1〜1/3とすると更に好ましい。
ー物質に対する含有浴比は3/1〜1/10とするのが
好ましく、2./1〜1/3とすると更に好ましい。
キャリア発生層の膜厚は0.1μ石以上とすることが好
ましく、0.2〜5μmの範囲内とすることがより好ま
しい。
ましく、0.2〜5μmの範囲内とすることがより好ま
しい。
キャリア輸送層の膜厚は10μm以上であることが好ま
しい。
しい。
感光層全体の膜厚は10〜40μmの範囲内とするのが
好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好まし
い。この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いために帯
電電位が小さくなり、耐刷性も低下する傾向がある。ま
た、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留=
Il、は上R−dる上に、上記したキャリア発生層が厚
すぎる場合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が1
4がたくなる傾向が現れ、このため繰り返し使用時には
残留電信の上背が起こり易くなる。
好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好まし
い。この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いために帯
電電位が小さくなり、耐刷性も低下する傾向がある。ま
た、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留=
Il、は上R−dる上に、上記したキャリア発生層が厚
すぎる場合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が1
4がたくなる傾向が現れ、このため繰り返し使用時には
残留電信の上背が起こり易くなる。
キャリア発生層中にキャリア輸送物質をも含有せしめる
ことも可能である。
ことも可能である。
粒状のキャリア発生物質を分散せしめて感光層を形成す
る場合においては、当該キャリア発生物質は2μm以下
、好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.5μmの
平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。
る場合においては、当該キャリア発生物質は2μm以下
、好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.5μmの
平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。
また、キャリア輸送層において、キャリア輸送物質はバ
インダー物質との相溶性に優れたものが好ましい。これ
により、バインダー物質に対するmを多くしても濁り及
び不透明化を生ずることがないので、バインダー物質と
の混合割合を非常に広くとることができ、また、相溶性
が優れていることから電荷発生層が均一、かつ安定であ
り、結果的に感度、帯電特性がより良好となり、更に高
感度で鮮明な画像を形成できる感光体をうろことができ
る。更に、特に反復転写式電子写真に用いたとき、疲労
劣化を生ずることが少ないという作用効果を秦すること
ができる。
インダー物質との相溶性に優れたものが好ましい。これ
により、バインダー物質に対するmを多くしても濁り及
び不透明化を生ずることがないので、バインダー物質と
の混合割合を非常に広くとることができ、また、相溶性
が優れていることから電荷発生層が均一、かつ安定であ
り、結果的に感度、帯電特性がより良好となり、更に高
感度で鮮明な画像を形成できる感光体をうろことができ
る。更に、特に反復転写式電子写真に用いたとき、疲労
劣化を生ずることが少ないという作用効果を秦すること
ができる。
本発明にJ3いては、フタロシアニン化合物と共に、他
のキャリア発生物質の一種又は二種以上を併用すること
も可能である。併用できるキャリア発生物質としては、
アントラキノン顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、
スクアリック酸メチン顔料、シアニン色素、アズレニウ
ム化合物等が挙げられる。
のキャリア発生物質の一種又は二種以上を併用すること
も可能である。併用できるキャリア発生物質としては、
アントラキノン顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、
スクアリック酸メチン顔料、シアニン色素、アズレニウ
ム化合物等が挙げられる。
本発明で使用するキャリア輸送物質は、カルバゾール誘
導体、オキサゾールW W3体、オキサジアゾール誘導
体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導
体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体
、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導
体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベ
ンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフ
ラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジンg 13体
、アミノスチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体
、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、
ポリ−9−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は
二種以上であってよい。
導体、オキサゾールW W3体、オキサジアゾール誘導
体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導
体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体
、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導
体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベ
ンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフ
ラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジンg 13体
、アミノスチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体
、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、
ポリ−9−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は
二種以上であってよい。
かかるキャリア輸送物質の具体的化合物例は特願昭61
−195881号明細書に記載されている。以下にその
一般式を掲げる。
−195881号明細書に記載されている。以下にその
一般式を掲げる。
キャリア輸送物質としての次の一般式[I]又は[II
]のスチリル化合物が使用回能である。
]のスチリル化合物が使用回能である。
以下゛余白□
:’ 、−−ti
一般式[工]:
R“、
(但、この一般式中、
R1、R2:置換若しくは未置換のアルキル基、アリー
ル基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ
基、置換アミノ基、水IJi、ハロゲン原子、アリール
基を用いる。
ル基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ
基、置換アミノ基、水IJi、ハロゲン原子、アリール
基を用いる。
へr’、Ar2:置換若しくは未置換のアリール基を表
わし、M l!i!!’4としてはアルキル基、アルコ
キシ基、置換アミムL水酸基、ハロゲン原子、アリール
基を用いる。
わし、M l!i!!’4としてはアルキル基、アルコ
キシ基、置換アミムL水酸基、ハロゲン原子、アリール
基を用いる。
R3、R4:置換若しくは未置換のアリール基、水素原
子を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基
、置換アミノ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基を
用いる。) 一般式[■] : (但、この一般式中、 R5:置換若しくは未置換のアリール基、R6:水素原
子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アミン基、置換アミン基、水酸基、 R7、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは
未置換の複素環基を表わす。)また、キャリア輸送物質
として次の一般式%式%[] のヒドラゾン化合物も使用可能である 一般式[■]: (但、この一般式中、 R8及びR9:それぞれ水素原子又はハロゲン原子、 Rto及びR11:それぞれ置換若しくは未置換のアリ
ール基、 Ar3:置換若しくは未置換のアリーレン基を表わす。
子を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基
、置換アミノ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基を
用いる。) 一般式[■] : (但、この一般式中、 R5:置換若しくは未置換のアリール基、R6:水素原
子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アミン基、置換アミン基、水酸基、 R7、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは
未置換の複素環基を表わす。)また、キャリア輸送物質
として次の一般式%式%[] のヒドラゾン化合物も使用可能である 一般式[■]: (但、この一般式中、 R8及びR9:それぞれ水素原子又はハロゲン原子、 Rto及びR11:それぞれ置換若しくは未置換のアリ
ール基、 Ar3:置換若しくは未置換のアリーレン基を表わす。
)
(但、この一般式中、
R12:置換若しくは未置換のアリール基、置換若しく
は未置換のカルバゾリル基、又は置換若しくは未置換の
複素環基を表し、 R+3.R+4及びR15:水素原子、アルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置
換のアラルキル基を表す。) 一般式[IVa]: R1フ (但、この一般式中、 R16:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチル基、 R17:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基、 R18:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基を示す。) 一般式[IVbl: (但、この一般式中、R19は置換若しくは未置換のナ
フチル基;R20は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又はアリール基:R21は水素原子、アル
キル基又はアルコキシB 、 R22及びR23は置換
若しくは未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリー
ル基からなる互いに同一の若しくは異なる基を示り。) 一般式[V]: に6″ (但、この一般式中、 R24:置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環基、 R25:水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは未置換のアリール基、Q:水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、置換アミノ基、アルコキシ基
又はシアノ基、S:O又は1の整数を表ず。) また、キャリア輸送物質として、次の一般式[VI]の
ピラゾリン化合物も使用可能である。
は未置換のカルバゾリル基、又は置換若しくは未置換の
複素環基を表し、 R+3.R+4及びR15:水素原子、アルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置
換のアラルキル基を表す。) 一般式[IVa]: R1フ (但、この一般式中、 R16:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチル基、 R17:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基、 R18:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基を示す。) 一般式[IVbl: (但、この一般式中、R19は置換若しくは未置換のナ
フチル基;R20は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又はアリール基:R21は水素原子、アル
キル基又はアルコキシB 、 R22及びR23は置換
若しくは未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリー
ル基からなる互いに同一の若しくは異なる基を示り。) 一般式[V]: に6″ (但、この一般式中、 R24:置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環基、 R25:水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは未置換のアリール基、Q:水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、置換アミノ基、アルコキシ基
又はシアノ基、S:O又は1の整数を表ず。) また、キャリア輸送物質として、次の一般式[VI]の
ピラゾリン化合物も使用可能である。
一般式[VI]:
(但、この一般式中、
2:0又は1、
R26及びR27:vi置換若くは未置換のアリール基
、 R28:置換若しくは未置換のアリール基、若しくは複
素環基、 R29及びR30:水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは未置換のアリール基若しくは
アラルキル基(但、R29及びR30は共に水素原子で
あることはなく、また前記2がOのときはR29は水素
原子ではない。)コ更に、次の一般式[■]のアミン誘
導体もキャリア輸送物質どして使用できる。
、 R28:置換若しくは未置換のアリール基、若しくは複
素環基、 R29及びR30:水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは未置換のアリール基若しくは
アラルキル基(但、R29及びR30は共に水素原子で
あることはなく、また前記2がOのときはR29は水素
原子ではない。)コ更に、次の一般式[■]のアミン誘
導体もキャリア輸送物質どして使用できる。
一般式[W]:
〆
Ar’
(但、この一般式中、
Ar4.Ar5:II置換若くは未置換のフェニル基を
表し、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アル
ケニル基、ニトロ基、アルコキシ基を用いる。
表し、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アル
ケニル基、ニトロ基、アルコキシ基を用いる。
Ar6 :@換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フルオレニル基、複素環基を表し、
置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、水gl、アリールオキシ基、アリール基、アミノ基
、二1・口塞、ピペリジ/23.モルホリノ基、ナフチ
ル基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。但、置
換アミノ基の置換基としてアシル基、アルキル基、アリ
ール基、アラルキル基を用いる。) 更に、次の一般式[■]の化合物もキャリア輸送物質と
して使用できる。
基、アントリル基、フルオレニル基、複素環基を表し、
置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、水gl、アリールオキシ基、アリール基、アミノ基
、二1・口塞、ピペリジ/23.モルホリノ基、ナフチ
ル基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。但、置
換アミノ基の置換基としてアシル基、アルキル基、アリ
ール基、アラルキル基を用いる。) 更に、次の一般式[■]の化合物もキャリア輸送物質と
して使用できる。
一般式[■]:
(但、この一般式中、
A、r’:置換又は未置換のアリーレン基を表し、R3
1、R32,R33及びR3′:置換若しくは未置換の
アルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は置
換若しくは未置換のアラルキル基を表す。) 更に、次の一般式[rX]の化合物もキャリア輸送物質
として使用できる。
1、R32,R33及びR3′:置換若しくは未置換の
アルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は置
換若しくは未置換のアラルキル基を表す。) 更に、次の一般式[rX]の化合物もキャリア輸送物質
として使用できる。
一般式[IXコニ
(但、この一般式中、R35、R36、R37及びR3
6は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
ベンジル基又はアラルキル基、R39及びR40は、そ
れぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数1〜
40のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基(但
、R39とR40とが共同して炭素原子数3〜10の飽
和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。)R
41、R42、R43及びR44は、それぞれ水素原子
、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換
のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、アラルキル基、アルコキシ基、アミン基、アル
キルアミノ基又はアリールアミノ基である。1 キャリア輸送層、キャリア発生層中に酸化防止剤を含有
せしめることができる。これにより放電で発生するオゾ
ンの影響を抑制でき、操り返し使用時の残留電位上昇1
)帯電電位の低下を防止できる。
6は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
ベンジル基又はアラルキル基、R39及びR40は、そ
れぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数1〜
40のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基(但
、R39とR40とが共同して炭素原子数3〜10の飽
和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。)R
41、R42、R43及びR44は、それぞれ水素原子
、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換
のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、アラルキル基、アルコキシ基、アミン基、アル
キルアミノ基又はアリールアミノ基である。1 キャリア輸送層、キャリア発生層中に酸化防止剤を含有
せしめることができる。これにより放電で発生するオゾ
ンの影響を抑制でき、操り返し使用時の残留電位上昇1
)帯電電位の低下を防止できる。
酸化防止剤どしては、ヒンダードフェノール、ヒンダー
ドアミン、バラノエニレンジアミン、アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スビロイングノン
及びそれらの誘導体、荷重硫黄化合物、有は燐化合物等
が挙げられる。
ドアミン、バラノエニレンジアミン、アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スビロイングノン
及びそれらの誘導体、荷重硫黄化合物、有は燐化合物等
が挙げられる。
これらの具体的化合物としては、特願昭131−162
866号、同61−188975号、同61−1958
78号、同61−157644号、同G1−19587
9号、同61−162867号、同61−204469
号、同61−217493号、同61−217492号
及び同61−224541号に記載がある。
866号、同61−188975号、同61−1958
78号、同61−157644号、同G1−19587
9号、同61−162867号、同61−204469
号、同61−217493号、同61−217492号
及び同61−224541号に記載がある。
感光層中に高分子有機半導体を含有せしめることもでき
る。こうした高分子有機半導体のうちボ’J −N−ビ
ニルカルバゾール又はその、71体が効果が大であり、
好ましく用いられる。かかるポリ−N−ビニルカルバゾ
ール誘導体とは、その繰り返し単位における全部又は一
部のカルバゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基
、二]・口塞、アミノ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原
子によって置換されたものである。
る。こうした高分子有機半導体のうちボ’J −N−ビ
ニルカルバゾール又はその、71体が効果が大であり、
好ましく用いられる。かかるポリ−N−ビニルカルバゾ
ール誘導体とは、その繰り返し単位における全部又は一
部のカルバゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基
、二]・口塞、アミノ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原
子によって置換されたものである。
また、感光層内に感度の向上、残留電位ないし反復使用
時の疲労低減等を目的として、少なくと61種の電子受
容性物質を含有uしめることができる。
時の疲労低減等を目的として、少なくと61種の電子受
容性物質を含有uしめることができる。
本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質としては、
例えば無水こはく酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラクロル無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、
4−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リッ!・酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ジメタン′、0−ジニトロベンゼン、■−ジニトロベン
ゼン、1.3.5−トリニトロベンゼン、バラニトロベ
ンゾニ1−リル、ビクリルクロライド、キノンクロルイ
ミド、クロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノ
ン、ジクロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノ
ン、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン
、9−フルオレニリデン−[ジシアノメチレンマロノジ
ニトリル]、ポリ二]−ロー9−フルオレニリデン−[
ジシアノメチレンマロノジニトリル1、ピクリン酸、O
−二1〜ロ安息香酸、p−ニトロ安息11ij2.3.
5−ジニトロ安息香酸、ペンクフルオロ安息香酸、5−
二トロサリチル酸、3,5−ジニトロ脅ナリチル酸、フ
タル酸、メリッ1−腎、その他の電子親和力の大きい化
合物の一種又は二種以上を挙げることができる。これら
のうち、フルオレノン系、キノン系や、C2、CN、N
O2等の電子吸引性の置換基のあるベンゼン誘導体が特
によい。
例えば無水こはく酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラクロル無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、
4−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リッ!・酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ジメタン′、0−ジニトロベンゼン、■−ジニトロベン
ゼン、1.3.5−トリニトロベンゼン、バラニトロベ
ンゾニ1−リル、ビクリルクロライド、キノンクロルイ
ミド、クロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノ
ン、ジクロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノ
ン、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン
、9−フルオレニリデン−[ジシアノメチレンマロノジ
ニトリル]、ポリ二]−ロー9−フルオレニリデン−[
ジシアノメチレンマロノジニトリル1、ピクリン酸、O
−二1〜ロ安息香酸、p−ニトロ安息11ij2.3.
5−ジニトロ安息香酸、ペンクフルオロ安息香酸、5−
二トロサリチル酸、3,5−ジニトロ脅ナリチル酸、フ
タル酸、メリッ1−腎、その他の電子親和力の大きい化
合物の一種又は二種以上を挙げることができる。これら
のうち、フルオレノン系、キノン系や、C2、CN、N
O2等の電子吸引性の置換基のあるベンゼン誘導体が特
によい。
また更に表面改質剤としてシリコーンオイル、フッ素系
界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性向上剤とし
てアンモニウム化合物が含有されていてもよい。
界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性向上剤とし
てアンモニウム化合物が含有されていてもよい。
更に紫外線吸収剤を用いてもよい。好ましい紫外線吸収
剤としては、安息香酸、スチルベン化合物等及びその誘
導体、1〜リアゾ一ル化合物、イミダゾール化合物、i
・リアジン化合物、クマリン化合物、オキサジアゾール
化合物、チアゾール化合物及びその誘導体等の含窒素化
合物類が用いられる。
剤としては、安息香酸、スチルベン化合物等及びその誘
導体、1〜リアゾ一ル化合物、イミダゾール化合物、i
・リアジン化合物、クマリン化合物、オキサジアゾール
化合物、チアゾール化合物及びその誘導体等の含窒素化
合物類が用いられる。
感光体の構成層に使用可能なバインダ樹脂としては、例
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン等の付加重合型樹脂、
重付加型樹脂、重縮合型樹脂並びにこれらの繰り返し単
位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体樹脂等の絶縁性樹脂、スチレン−ブ
タジェン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリロニト
リル共重合体樹脂等、更にはN−ビニルカルバゾール等
の高分子有機半導体を挙げることができる。
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン等の付加重合型樹脂、
重付加型樹脂、重縮合型樹脂並びにこれらの繰り返し単
位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体樹脂等の絶縁性樹脂、スチレン−ブ
タジェン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリロニト
リル共重合体樹脂等、更にはN−ビニルカルバゾール等
の高分子有機半導体を挙げることができる。
上記のバインダーは、単独であるいは二種以上の混合物
として用いることができる。
として用いることができる。
必要に応じて設けられる保mEのバインダーとしては、
体積抵抗108Ω・cm以上、好ましくは1010Ω・
cm以上、より好ましくは1013Ω−cm以上の透明
樹脂が用いられる。又前記バインダーは光又は熱により
硬化する樹脂を用いてもよく、かかる光又は熱により硬
化する樹脂としては、例えば熱硬化性アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹
脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性桂皮酸樹
脂等又はこれらの共重合若しくは縮合樹脂があり、その
他電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂の全てが
利用される。又前記保護層中には加工性及び物性の改良
(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要により熱
可塑性樹脂を50重1%未満含有せしめることができる
。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロピレン
、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢
酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、
又はこれらの共重合樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル等の高分子有機半導体、その他電子写莫材料に供され
る熱可塑性樹脂の全てが利用される。
体積抵抗108Ω・cm以上、好ましくは1010Ω・
cm以上、より好ましくは1013Ω−cm以上の透明
樹脂が用いられる。又前記バインダーは光又は熱により
硬化する樹脂を用いてもよく、かかる光又は熱により硬
化する樹脂としては、例えば熱硬化性アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹
脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性桂皮酸樹
脂等又はこれらの共重合若しくは縮合樹脂があり、その
他電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂の全てが
利用される。又前記保護層中には加工性及び物性の改良
(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要により熱
可塑性樹脂を50重1%未満含有せしめることができる
。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロピレン
、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢
酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、
又はこれらの共重合樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル等の高分子有機半導体、その他電子写莫材料に供され
る熱可塑性樹脂の全てが利用される。
キャリア発生層は、次のような方法によって設けること
ができる。
ができる。
(イ)キャリア発生物質等にバインダー、mFRを加え
て混合溶解した溶液を塗布する方法。
て混合溶解した溶液を塗布する方法。
(ロ)キャリア発生物質等をボールミル、ホモミキサー
、サンドミル、超音波分散機、71〜ライタ等によって
分散媒中で微細粒子とし、バインダーを加えて混合分散
して得られる分散液を塗布する方法。
、サンドミル、超音波分散機、71〜ライタ等によって
分散媒中で微細粒子とし、バインダーを加えて混合分散
して得られる分散液を塗布する方法。
これらの方法において超音波の作用下に粒子を分散させ
ると、均一分散が可能になる。
ると、均一分散が可能になる。
また、キャリア輸送層は、既述のキャリア輸送物質を単
独であるいは既述したバインダー樹脂と共に溶解、分散
せしめたものを塗布、乾燥して形成することができる。
独であるいは既述したバインダー樹脂と共に溶解、分散
せしめたものを塗布、乾燥して形成することができる。
この場合、キャリア発生居中にキャリア輸送物質を含有
せしめる場合には、上記(イ)の溶液、(ロ)の分散液
中に予めキャリア輸送物質を溶解又は分散せしめる方法
、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加する
方法がある。この場合は、キャリア輸送物質の添加1を
バインダー100重量部に対して1〜100重量部の範
囲内とするのが好ましい。また、キャリア輸送物質を含
有する溶液をキルリア発生層上に塗布し、キャリア発生
層を膨潤あるいは一部溶解せしめてキャリア輸送物質を
キャリア発生層内に拡散せしめる方法がある。この方法
を採用した場合は、上述のようにキャリア発生層中にキ
ャリア輸送物質を添加しておく必要はないが、上述の二
方法を同時に行うことも差し支えない。
せしめる場合には、上記(イ)の溶液、(ロ)の分散液
中に予めキャリア輸送物質を溶解又は分散せしめる方法
、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加する
方法がある。この場合は、キャリア輸送物質の添加1を
バインダー100重量部に対して1〜100重量部の範
囲内とするのが好ましい。また、キャリア輸送物質を含
有する溶液をキルリア発生層上に塗布し、キャリア発生
層を膨潤あるいは一部溶解せしめてキャリア輸送物質を
キャリア発生層内に拡散せしめる方法がある。この方法
を採用した場合は、上述のようにキャリア発生層中にキ
ャリア輸送物質を添加しておく必要はないが、上述の二
方法を同時に行うことも差し支えない。
層の形成に使用される溶剤あるいは分散媒としては、n
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチレンジアミン、N、N−ジメチルホルムアミド、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベン
ゼン、1〜ルエン、キシレン、クロロホルム、1,2−
ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン
、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパツ
ール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド
等を挙げることができる。
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチレンジアミン、N、N−ジメチルホルムアミド、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベン
ゼン、1〜ルエン、キシレン、クロロホルム、1,2−
ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン
、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパツ
ール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド
等を挙げることができる。
上記感光層、下引き層、中間層、保護層等は、例えばブ
レード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗布
、スパイラル塗布等によりHI′Jることができる。
レード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗布
、スパイラル塗布等によりHI′Jることができる。
なお、導電性基体は金属板、金属ドラム又は導電性ポリ
マー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネーi−等の手段により、紙、プラス
ナックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる
。
マー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネーi−等の手段により、紙、プラス
ナックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる
。
次に、本発明の好ましい実施の態様について説明する。
第2図は本発明の画像形成方法を実施する記録装置の一
例を示す構成概要図、第3図は像露光のだめのレーザー
ビームスキャナの概要構成図、第4図は現象器の一例を
示す部分断面図、第5図は本発明の画Q形成方法の実施
フローチャートである。
例を示す構成概要図、第3図は像露光のだめのレーザー
ビームスキャナの概要構成図、第4図は現象器の一例を
示す部分断面図、第5図は本発明の画Q形成方法の実施
フローチャートである。
第2図の装置において、10は上)ホした有I光導電性
物質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像
担持体、9は像担持体10の表面を一様帯電する帯電器
、11は象露光、12は現象器である。13は像担持体
10上にトナー像が形成された画&を記録体Pに転写し
易くするために必要に応じて設けられる転写前露光ラン
プ、14は転写器、15は分離用コロナ放電器、18は
記録体Pに転写されたトナー像を定着させる定着器であ
る。16は除電ランプと除電用コロナtll電器の一方
又は両者の組合ぜからなる除電器、17は像担持体10
の画像を転写した後の表面の残留トノ−を除去するため
のクリーニングブレードやファーブラシを有するクリー
ニング装置である。像露光を半導体レー1j−で行う揚
台、第2図の記録装置のようにドラム状の像担持体10
を用いるものにあっては、像露光11は、第3図に示し
たようなレーザービームスキャナによるものが好ましい
。
物質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像
担持体、9は像担持体10の表面を一様帯電する帯電器
、11は象露光、12は現象器である。13は像担持体
10上にトナー像が形成された画&を記録体Pに転写し
易くするために必要に応じて設けられる転写前露光ラン
プ、14は転写器、15は分離用コロナ放電器、18は
記録体Pに転写されたトナー像を定着させる定着器であ
る。16は除電ランプと除電用コロナtll電器の一方
又は両者の組合ぜからなる除電器、17は像担持体10
の画像を転写した後の表面の残留トノ−を除去するため
のクリーニングブレードやファーブラシを有するクリー
ニング装置である。像露光を半導体レー1j−で行う揚
台、第2図の記録装置のようにドラム状の像担持体10
を用いるものにあっては、像露光11は、第3図に示し
たようなレーザービームスキャナによるものが好ましい
。
第3図のレーザービームスキャナの動作を次に述べる。
・
半導体レーザー19で発生されたレーザービームは、駆
動モータ22により回転されるポリゴンミラー23によ
り回転走査され、f−θレンズ24を経て反用鏡26に
より光路を曲げられて像担持体10の表面上に役割され
輝線27を形成する。28はビーム走査開始を検出する
ためのインデックスセンサで、20.25は倒れ角補正
用のシリンドリカルレンズである。21a 、21b、
21cは反rAmでビーム走査光路及びビーム検知の光
路を形成する。
動モータ22により回転されるポリゴンミラー23によ
り回転走査され、f−θレンズ24を経て反用鏡26に
より光路を曲げられて像担持体10の表面上に役割され
輝線27を形成する。28はビーム走査開始を検出する
ためのインデックスセンサで、20.25は倒れ角補正
用のシリンドリカルレンズである。21a 、21b、
21cは反rAmでビーム走査光路及びビーム検知の光
路を形成する。
走査が開始されるとビームがインデックスセンサ28に
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器9により予め一様に帯電されている像担持体10上
を走査する。レーザービーム29にJ:る主走査と像担
持体10の回転による副走査によりドラム表面に潜像が
形成されてゆく。
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器9により予め一様に帯電されている像担持体10上
を走査する。レーザービーム29にJ:る主走査と像担
持体10の回転による副走査によりドラム表面に潜像が
形成されてゆく。
また、像担持体がベルト状のように平面状態をとり得る
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。
現象器12としては第4図に示したような構造のものが
好ましく用いられる。第4図において現像剤りは磁石体
31が矢印F方向、スリーブ30が矢印G方向に回転す
ることにより矢印G方向に搬送される。現象剤りは、搬
送途中で穂立規制ブレード32によりその厚さtが規制
される。穂立規制ブレード32は弾性金1L板架でスリ
ーブ300表面を押圧し、搬送さ杭る現像剤の厚さを制
御する。現像剤溜り35内には現像剤りの攪拌が十分に
行われるよう攪拌スクリュー33が設けられており、現
[粂剤溜り35内の現像剤りが消費された時には、ト太
−供給ローラ34が回転することによりトナーホッパー
36からトナーTが補給される。そして、スリーブ30
に現像バイアスを印加づる直流電源37及び保護抵抗3
8が直列に接続されている。また、スリーブ30と像担
持体10とは間隔dを隔てて対向配列され、現像領域E
で現像剤が像担持体10に対し接触し、t>dとなって
いる。この際、現像は、いわゆる非接触条件(t <d
)で行ってもよい。
好ましく用いられる。第4図において現像剤りは磁石体
31が矢印F方向、スリーブ30が矢印G方向に回転す
ることにより矢印G方向に搬送される。現象剤りは、搬
送途中で穂立規制ブレード32によりその厚さtが規制
される。穂立規制ブレード32は弾性金1L板架でスリ
ーブ300表面を押圧し、搬送さ杭る現像剤の厚さを制
御する。現像剤溜り35内には現像剤りの攪拌が十分に
行われるよう攪拌スクリュー33が設けられており、現
[粂剤溜り35内の現像剤りが消費された時には、ト太
−供給ローラ34が回転することによりトナーホッパー
36からトナーTが補給される。そして、スリーブ30
に現像バイアスを印加づる直流電源37及び保護抵抗3
8が直列に接続されている。また、スリーブ30と像担
持体10とは間隔dを隔てて対向配列され、現像領域E
で現像剤が像担持体10に対し接触し、t>dとなって
いる。この際、現像は、いわゆる非接触条件(t <d
)で行ってもよい。
図は現像スリーブ30と磁石体31がそれぞれ矢印G、
F方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ30が固定であっても、磁石体31が固定であ
っても、或いは現像スリーブ30と磁石体31が同方向
に回転するようなものであってもよい。磁石体31を固
定とする場合は、通常、像担持体10に対向する磁極の
磁束密度を他の磁極の磁束密度よりも大きくするために
、磁化を強くしたり、そこに同極或いはFjtf+の2
個の[!を近接させて設けたりすることが行われる。
F方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ30が固定であっても、磁石体31が固定であ
っても、或いは現像スリーブ30と磁石体31が同方向
に回転するようなものであってもよい。磁石体31を固
定とする場合は、通常、像担持体10に対向する磁極の
磁束密度を他の磁極の磁束密度よりも大きくするために
、磁化を強くしたり、そこに同極或いはFjtf+の2
個の[!を近接させて設けたりすることが行われる。
上記した装置において、本発明の画録形成方法に基づい
て、静電潜像のIVMIが400〜900vとなるよう
に帯電せしめ、かつ反転現像時の1VHl 1Voc
、1=c)〜200Vトス6゜但シ、Vocは像担持体
10に対向する現像剤搬送担体としてのスリーブ30に
印加する直流バイアス電圧である。
て、静電潜像のIVMIが400〜900vとなるよう
に帯電せしめ、かつ反転現像時の1VHl 1Voc
、1=c)〜200Vトス6゜但シ、Vocは像担持体
10に対向する現像剤搬送担体としてのスリーブ30に
印加する直流バイアス電圧である。
直流バイアス電圧には交流バイアス電圧を重畳すること
が好ましい。この際、交流バイアス電圧の実効値は0.
5〜4KVが好ましく、周波数は0.1KH2〜1〜I
Hzが好ましい。
が好ましい。この際、交流バイアス電圧の実効値は0.
5〜4KVが好ましく、周波数は0.1KH2〜1〜I
Hzが好ましい。
以上のような記録装置によって、第5図に示したような
本発明の画像形成方法を実施することができる。
本発明の画像形成方法を実施することができる。
第5図は、像露光部が背m部より6低電位の静電像とな
る静電像形成法によって静電像が形成され、現像が静電
像に背票部電泣ど同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現像の例を示してい
る。
る静電像形成法によって静電像が形成され、現像が静電
像に背票部電泣ど同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現像の例を示してい
る。
第2図の記録装置を用いた場合の第5図の例について説
明する。
明する。
最初に、除°躍器16で除電され、クリーニング装置1
7でクリーニングされて、電位がOとなっている初期状
態の像担持体10の表面に、帯電器9によって一様に帯
電を施し、その帯電面に像露光11を投影して静電像部
の電位が略0となる像露光を行い、得られた静電像を現
像器12(トナーT)によって現像する。
7でクリーニングされて、電位がOとなっている初期状
態の像担持体10の表面に、帯電器9によって一様に帯
電を施し、その帯電面に像露光11を投影して静電像部
の電位が略0となる像露光を行い、得られた静電像を現
像器12(トナーT)によって現像する。
なお、本発明の感光体および画像形成方法は、ハロゲン
ランプ、タングステンランプ、LED(発光ダイオード
)、l\リウムーネオン、アルゴン、ヘリウム−カドミ
ウム等の気体レーザー、半導体レーザー等の各種光源に
対し適用できる。
ランプ、タングステンランプ、LED(発光ダイオード
)、l\リウムーネオン、アルゴン、ヘリウム−カドミ
ウム等の気体レーザー、半導体レーザー等の各種光源に
対し適用できる。
本発明の感光体および画像形成方法は、電子写貞複写ぼ
、プリンタ等の多種多様の用途を有するものである。
、プリンタ等の多種多様の用途を有するものである。
[実施例]
以下、本発明を実施例について更に詳細に説明するが、
これにより本発明は限定されるもので1よない。
これにより本発明は限定されるもので1よない。
〈キャリア発生層の塗布性の評価〉
(実施例1・比較例1)
まず以下のようにして電荷ブロッキング層(又は下引層
)を形成した。
)を形成した。
表1に示す所定のバインダー樹脂100gを溶媒100
01Rに溶解させた溶液に表1に示す物質30gを加え
てボールミルで24時間分散せしめて得られた電荷ブロ
ッキング層(又は下引層)用塗布液を用い、レーデ−プ
リンターrLIPs−10PLUSJ (コニカ社製
)用アルミニウム素管(径60I)上にデイツプ塗布し
、摸厚杓2μmの電値ブロッキング層(又は下引層)を
形成した。
01Rに溶解させた溶液に表1に示す物質30gを加え
てボールミルで24時間分散せしめて得られた電荷ブロ
ッキング層(又は下引層)用塗布液を用い、レーデ−プ
リンターrLIPs−10PLUSJ (コニカ社製
)用アルミニウム素管(径60I)上にデイツプ塗布し
、摸厚杓2μmの電値ブロッキング層(又は下引層)を
形成した。
つぎに表1に示すキャリア発生1力貿20りをボールミ
ルにて200rpmで15時間粉砕した後、アクリル樹
脂「ダイヤナール5R−85J (三菱レーヨン社製
)209を1.2−ジクロロエタン10001Qに溶解
せしめた溶液を加えて更に200時間分散しめて(qら
れたキャリア発生層用塗布液を前記電荷ブロッキング層
(又は下引層)上にデイツプ1布し、キャリア発生層を
形成し、キャリア発生−の塗布性を評価した。
ルにて200rpmで15時間粉砕した後、アクリル樹
脂「ダイヤナール5R−85J (三菱レーヨン社製
)209を1.2−ジクロロエタン10001Qに溶解
せしめた溶液を加えて更に200時間分散しめて(qら
れたキャリア発生層用塗布液を前記電荷ブロッキング層
(又は下引層)上にデイツプ1布し、キャリア発生層を
形成し、キャリア発生−の塗布性を評価した。
キャリア発生層の塗布性の良・不良については、キャリ
ア発生層のデイツプ塗布時における塗布液液面の相対的
降下速度(c/s)を0.6 (cm/sec )、1
.2 (cm/sec>としてキャリア発生層を塗布し
たときの100Cf(16m2 )当りのキャリア発生
層の併示を測定し、この値が相対的降下速度1.2(c
m/sec )の場合にも2m(1/ dt’未満の場
合は、塗布不良とした。またキャリア発生層の凝集につ
いてはキャリア発生層の濃度ムラの有無を目視により確
認し、凝集がみられる場合、塗布不良とした。
ア発生層のデイツプ塗布時における塗布液液面の相対的
降下速度(c/s)を0.6 (cm/sec )、1
.2 (cm/sec>としてキャリア発生層を塗布し
たときの100Cf(16m2 )当りのキャリア発生
層の併示を測定し、この値が相対的降下速度1.2(c
m/sec )の場合にも2m(1/ dt’未満の場
合は、塗布不良とした。またキャリア発生層の凝集につ
いてはキャリア発生層の濃度ムラの有無を目視により確
認し、凝集がみられる場合、塗布不良とした。
結果を表1に示す。
以下余白
゛ 。
(α1)有機顔料rKET Rcd305J(大日本
インキ化学工業社製) (α2)有機顔料rKET Rer1309J(大日
本インキ化学工業社製) (α3)有機顔料r K E T R(!(+ 31
1J(大日本インキ化学工業社製) (α4)有磯顔If r K E T Yellow
403 J(大日本インキ化学工業社製) (α5)有は顔料r K E T Yellow 4
06 J(大日本インキ化学工業社製) 〈α6)有機顔料r K E T Green 20
1J(大日本インキ化学工業社製) (α7)下記構造の有機顔料 (β) 導電性酸化ヂタン「500WJ(6原産業社製
) (γ) カーボンブラック「モーガルL」(キャボット
社製) バインダー(X) カルボキシル変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂r
VMCCJ (ユニオンカーバイド社製)バインダー
(Y) ヒドロキシ変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂rV
AGHJ (同上) バインダー(Z) 塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合樹脂「エス
レックMF−10J(漬水化学工業社製)バインダー(
S) シリコン樹脂r K R−5240J (信越化学社
製)バインダー(T) ポリビニルブチラール「エスレックBLSj(漬水化学
工業社製) 溶剤(1) テトラヒドロフラン(THF)CGM(
1> リチウムフタロシアニン502をO′Cで60(hRの
′m硫酸に加え2時間撹拌し続けた。この溶液を粒い焼
結されたガラス2斗で濾過し、41の氷水の中へ撹拌し
ながら徐々に注入した。生成した塊をメタノールで数回
洗浄し、空気中で乾燥さけた後、24時間連続抽出装置
中でアセトン抽出を行ない、空気中で乾燥させて金属を
含まないα型フタロシアニン化合物を得た。このα型フ
タロシアニン化合物30gを直径73/ 16インチの
ボールで半分溝たされた内容積’l OOmRのl’1
ボールミル中に仕込み、約8 Orpmで164時間シ
リングして無金属フタロシアニン化合物CGM (1)
を得Iζ。
インキ化学工業社製) (α2)有機顔料rKET Rer1309J(大日
本インキ化学工業社製) (α3)有機顔料r K E T R(!(+ 31
1J(大日本インキ化学工業社製) (α4)有磯顔If r K E T Yellow
403 J(大日本インキ化学工業社製) (α5)有は顔料r K E T Yellow 4
06 J(大日本インキ化学工業社製) 〈α6)有機顔料r K E T Green 20
1J(大日本インキ化学工業社製) (α7)下記構造の有機顔料 (β) 導電性酸化ヂタン「500WJ(6原産業社製
) (γ) カーボンブラック「モーガルL」(キャボット
社製) バインダー(X) カルボキシル変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂r
VMCCJ (ユニオンカーバイド社製)バインダー
(Y) ヒドロキシ変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂rV
AGHJ (同上) バインダー(Z) 塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合樹脂「エス
レックMF−10J(漬水化学工業社製)バインダー(
S) シリコン樹脂r K R−5240J (信越化学社
製)バインダー(T) ポリビニルブチラール「エスレックBLSj(漬水化学
工業社製) 溶剤(1) テトラヒドロフラン(THF)CGM(
1> リチウムフタロシアニン502をO′Cで60(hRの
′m硫酸に加え2時間撹拌し続けた。この溶液を粒い焼
結されたガラス2斗で濾過し、41の氷水の中へ撹拌し
ながら徐々に注入した。生成した塊をメタノールで数回
洗浄し、空気中で乾燥さけた後、24時間連続抽出装置
中でアセトン抽出を行ない、空気中で乾燥させて金属を
含まないα型フタロシアニン化合物を得た。このα型フ
タロシアニン化合物30gを直径73/ 16インチの
ボールで半分溝たされた内容積’l OOmRのl’1
ボールミル中に仕込み、約8 Orpmで164時間シ
リングして無金属フタロシアニン化合物CGM (1)
を得Iζ。
フタロシアニン化合物CGM(1)のX線回折スペクト
ルを第8図に示した。
ルを第8図に示した。
CGM(2>
α型無金属フタロシアニン化合物(IC1%Iモノライ
トフ7−ス1−プルGS)を、加熱したラメ1チルホル
ムアルデヒドにより3回抽出して精製した。この操作に
より精製物はβ型に転移した。次に、このβ型無金属フ
タロシアニン化合物の一部分を′a硫酸に溶解し、この
溶液を氷水中に注いで再沈澱させることにより、α型に
転移させた。この再沈澱物をアンモニア水、メタノール
等で洗浄後10℃で乾燥した。次に、上記により精製し
たα型無金属フタロシアニン化合物を磨砕助剤及び分散
剤とともにサンドミルに入れ、温度100±20℃で1
5〜25時間混練した。この操作により結晶形がτ型に
転移したのを確認後、容器より取り出し、水及びメタノ
ール等で磨砕助剤及び分散剤を十分除去した後、乾燥し
て、鮮明な青味を帯びたで型態金属フタロシアニンCG
M(2>の青色結晶を得た。
トフ7−ス1−プルGS)を、加熱したラメ1チルホル
ムアルデヒドにより3回抽出して精製した。この操作に
より精製物はβ型に転移した。次に、このβ型無金属フ
タロシアニン化合物の一部分を′a硫酸に溶解し、この
溶液を氷水中に注いで再沈澱させることにより、α型に
転移させた。この再沈澱物をアンモニア水、メタノール
等で洗浄後10℃で乾燥した。次に、上記により精製し
たα型無金属フタロシアニン化合物を磨砕助剤及び分散
剤とともにサンドミルに入れ、温度100±20℃で1
5〜25時間混練した。この操作により結晶形がτ型に
転移したのを確認後、容器より取り出し、水及びメタノ
ール等で磨砕助剤及び分散剤を十分除去した後、乾燥し
て、鮮明な青味を帯びたで型態金属フタロシアニンCG
M(2>の青色結晶を得た。
このフタロシアニン化合物CGM(2)のX線回折スペ
クトルを第9図に示した。
クトルを第9図に示した。
CGM(3)
α梨チタニルフタロシアニン10部と磨砕助剤として食
塩5乃至20部、分子1媒として(ポリエチレングリコ
ール)10部をサンドグラインダーに入れ、60 ”C
乃至120℃で7乃至15時間磨砕した。この場合、高
温でグラインダすると、β型結晶形を示し易くなり、ま
た、分解し易くなる。
塩5乃至20部、分子1媒として(ポリエチレングリコ
ール)10部をサンドグラインダーに入れ、60 ”C
乃至120℃で7乃至15時間磨砕した。この場合、高
温でグラインダすると、β型結晶形を示し易くなり、ま
た、分解し易くなる。
容器より取り出し、水及びメタノールで磨砕助剤、分散
媒を取り除いた後、2%の希硫酸水溶液で精製し、ろ過
、水洗、乾燥して鮮明な緑味の青色結晶チタニルフタロ
シアニンCGM(3)を得た。
媒を取り除いた後、2%の希硫酸水溶液で精製し、ろ過
、水洗、乾燥して鮮明な緑味の青色結晶チタニルフタロ
シアニンCGM(3)を得た。
このチタニルフタロシアニンCGM(3)のX線回折ス
ペクトルを第10図に示した。
ペクトルを第10図に示した。
CGM(4)
表1に示すように、塩化ビニル−酢酸ビニル系樹脂を含
有する電荷ブロッキング層(又は下引層)上にフタロシ
アニン化合物をキトリア発生物質として含有するキャリ
ア発生層を形成せしめた場合はいずれも塗布性良好であ
った。これに対して、塩化ビニル−酢酸ビニル系樹脂と
フタロシアニン化合物の組合せ以外の場合は塗布性不良
であった。
有する電荷ブロッキング層(又は下引層)上にフタロシ
アニン化合物をキトリア発生物質として含有するキャリ
ア発生層を形成せしめた場合はいずれも塗布性良好であ
った。これに対して、塩化ビニル−酢酸ビニル系樹脂と
フタロシアニン化合物の組合せ以外の場合は塗布性不良
であった。
〈感光体の作製〉
表1においてCGL付囚が2mo/df以上確保できた
組合せのみについて感光体を作製した。電荷ブロッキン
グ層〈又は下引層)及びキャリア発生層の形成方法は前
記と同じであるが、CGI−の付量が2±0.1mg/
6m2になるようにc/s (デイツプ塗布時の液
面の相対的降下速度)を調節した。
組合せのみについて感光体を作製した。電荷ブロッキン
グ層〈又は下引層)及びキャリア発生層の形成方法は前
記と同じであるが、CGI−の付量が2±0.1mg/
6m2になるようにc/s (デイツプ塗布時の液
面の相対的降下速度)を調節した。
また、族1以外の組合せとして下引層中に含有物を入れ
ないものも同様に作製した。
ないものも同様に作製した。
さらに、前記キャリア発生層上に、下記構造式(5)で
示されるキャリア輸送物質100gとポリカーボネート
樹脂「ニーピロンZ−200J(三菱瓦斯化学社製)
200りとを1.2−ジクロロエタン1000戴に溶解
して1qられたキャリア輸送層用塗布液を用いてデイツ
プ塗布し、温度90℃で1時間乾燥させ、膜厚約25μ
mのキャリア輸送層を形成し、本発明の感光体及び比較
用の感光体を作製し 1こ 。
示されるキャリア輸送物質100gとポリカーボネート
樹脂「ニーピロンZ−200J(三菱瓦斯化学社製)
200りとを1.2−ジクロロエタン1000戴に溶解
して1qられたキャリア輸送層用塗布液を用いてデイツ
プ塗布し、温度90℃で1時間乾燥させ、膜厚約25μ
mのキャリア輸送層を形成し、本発明の感光体及び比較
用の感光体を作製し 1こ 。
構造式(5)
各感光体の処方を表2に示す。
以下余′白1
く画像評価(1)>(実施例2・比較例2)感光体A−
1及びa〜r (但しg、h、iはなし)のそれぞれを
、半導体レーザー(波fz 780nm、出力2+nW
)を光源とするレーザープリンターrLIPs−10P
LUSJ (コニカ社製)改造機に搭載し、VHが一
650±10[]になるようにグリッド電圧を調節した
後、現像バイアスDC−500[V]+AC+000[
V] (2KH2)を印加して非接触で反転現像し、
得られた画像の白地部分の黒ポチ、網点部分のモアレ及
び黒地部分の画像濃度を評価した。
1及びa〜r (但しg、h、iはなし)のそれぞれを
、半導体レーザー(波fz 780nm、出力2+nW
)を光源とするレーザープリンターrLIPs−10P
LUSJ (コニカ社製)改造機に搭載し、VHが一
650±10[]になるようにグリッド電圧を調節した
後、現像バイアスDC−500[V]+AC+000[
V] (2KH2)を印加して非接触で反転現像し、
得られた画像の白地部分の黒ポチ、網点部分のモアレ及
び黒地部分の画像濃度を評価した。
黒ポチの評価は、画像解析装置「オムニコン3000形
」 (島)↑製作所社製)を用いて黒ポチの粒径と個数
を測定し、φ(径) 0.05n+m以上の黒ポチが
1cm2当たり何個あるかにより判定した。黒ポチ評価
の判定基準は表3に示す通りである。
」 (島)↑製作所社製)を用いて黒ポチの粒径と個数
を測定し、φ(径) 0.05n+m以上の黒ポチが
1cm2当たり何個あるかにより判定した。黒ポチ評価
の判定基準は表3に示す通りである。
以下糸−白
表 3
またモアレの評価は、黒地面積率30%の網点画像の部
分についてモアレ発生の有無を目視で評価し、○はモア
レのないことを、×はモアレの発生を示す。
分についてモアレ発生の有無を目視で評価し、○はモア
レのないことを、×はモアレの発生を示す。
各感光体における画像評価の結果は表4の通りである。
rFlへ警
以下余白
−□□□ノ
表4
表4に示す通り、本発明の感光体を使用した場合、黒ポ
チ、モアレ、画像濃度とも満足のいく結果が得られた。
チ、モアレ、画像濃度とも満足のいく結果が得られた。
これに対し、比較用の感光体a〜f (下引層中の含有
物が導電性酸化チタン又(31カーボンブラツク)を使
用した場合はいずれも電位がのらず画像評価できなかっ
た。また比較用の感光体j〜o(CGfvl凝集あり)
を使用した場合はいずれも黒ポチが発生した。さらに比
較用の感光体p−r(下引層中の含有物なし)を使用し
た場合は下引層のブロッキング効果のため黒ポチにz、
lしては良好な結果が得られたものの、低感度であるた
め画像濃度が極めて低く、モアレも発生した。
物が導電性酸化チタン又(31カーボンブラツク)を使
用した場合はいずれも電位がのらず画像評価できなかっ
た。また比較用の感光体j〜o(CGfvl凝集あり)
を使用した場合はいずれも黒ポチが発生した。さらに比
較用の感光体p−r(下引層中の含有物なし)を使用し
た場合は下引層のブロッキング効果のため黒ポチにz、
lしては良好な結果が得られたものの、低感度であるた
め画像濃度が極めて低く、モアレも発生した。
〈画像評fi[i (2) > (実施例3)本発明の
感光体A−1を前記rLIPs−10PLUSJ改造機
に搭載し、10°C20%の低温低湿度環境下及び30
℃80%の高温高湿度環境下でそれぞれ1万サイクルの
ロングラン試験を行なったところ、いずれの8境下にお
いても、黒ポチ、モアレ、カブリ等のない高1度の画像
が安定して得られた。
感光体A−1を前記rLIPs−10PLUSJ改造機
に搭載し、10°C20%の低温低湿度環境下及び30
℃80%の高温高湿度環境下でそれぞれ1万サイクルの
ロングラン試験を行なったところ、いずれの8境下にお
いても、黒ポチ、モアレ、カブリ等のない高1度の画像
が安定して得られた。
なお画像形成条件は次の通りである。
グリッド電圧ニー6QO[Vコ
帯電のトータル電流:0.6mA
現像バイアス:
DC−500[V] +AC1000[V](2KH2
) 現像:非接触−成分磁気ブラシ現像
) 現像:非接触−成分磁気ブラシ現像
第1図は本発明の感光体の断面図、第2図は像形成装置
の構成概要図、第3図は像露光のためのレーザービーム
スキャブの構成概要図、第4図は現像器の要部断面図、
第5図は像形成の過程を示すフローチャート、第6図は
従来使用されている感光体の断面図、第7図はモアレの
発生原因を説明するための感光体の断面図である。 第8図〜第10図はそれぞれフタロシアニン化合物のX
線回折スペクトル図である。 1・・・導電性基体 3・・・キャリア輸送層2・
・・キャリア発生層 5・・・電荷ブロッキング層4・
・・感光層 18・・・定着器16・・・除電
器 17・・・クリーニング装置12・・・現像
器 13・・・転写前露光ランプ14・・・転写
器 9・・・帯電器10・・・@l■持体
19・・・レーザー23・・・ポリゴンミラー 24・・・結像用 f−〇レンズ 20.25・・・シリンドリカルレンズ2つ・・・レー
ザービーム 30・・・現像スリーブ
の構成概要図、第3図は像露光のためのレーザービーム
スキャブの構成概要図、第4図は現像器の要部断面図、
第5図は像形成の過程を示すフローチャート、第6図は
従来使用されている感光体の断面図、第7図はモアレの
発生原因を説明するための感光体の断面図である。 第8図〜第10図はそれぞれフタロシアニン化合物のX
線回折スペクトル図である。 1・・・導電性基体 3・・・キャリア輸送層2・
・・キャリア発生層 5・・・電荷ブロッキング層4・
・・感光層 18・・・定着器16・・・除電
器 17・・・クリーニング装置12・・・現像
器 13・・・転写前露光ランプ14・・・転写
器 9・・・帯電器10・・・@l■持体
19・・・レーザー23・・・ポリゴンミラー 24・・・結像用 f−〇レンズ 20.25・・・シリンドリカルレンズ2つ・・・レー
ザービーム 30・・・現像スリーブ
Claims (2)
- (1)有機顔料及び塩化ビニル−酢酸ビニル系樹脂を含
有する電荷ブロッキング層の上に、フタロシアニン化合
物をキャリア発生物質として含有するキャリア発生層及
びキャリア輸送層を順次設けてなることを特徴とする感
光体。 - (2)キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設けてな
る感光層を有する感光体を使用する画像形成方法におい
て、 (a)フタロシアニン化合物がキャリア発生物質として
含有されているキャリア発生層と;このキヤリア発生層
と導電性基体との間に設けられ、有機顔料及び塩化ビニ
ル−酢酸ビニル系樹脂が含有されている電荷ブロッキン
グ層とを有する感光体を使用し、 (b)この感光体に帯電電位の絶対値が400V〜90
0Vである帯電を付与した後、露光により静電潜像を形
成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも0〜200V
低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、前記
静電潜像の反転現像を行なうことを特徴とする画像形成
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13128788A JPH01300259A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 感光体および画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13128788A JPH01300259A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 感光体および画像形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01300259A true JPH01300259A (ja) | 1989-12-04 |
Family
ID=15054430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13128788A Pending JPH01300259A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 感光体および画像形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01300259A (ja) |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP13128788A patent/JPH01300259A/ja active Pending
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