JPH01217354A - 画像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は画像形成方法に関し、特に電子写真複写方法に
関するものである。

ロ、従来技術 カールソン方法の電子写真複写方法においては、感光体
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜像をトナーによって現像し、次いで
その可視像を紙等に転写、定着させる。同時に、感光体
は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、長
期に亘って反復使用される。

従って、電子写真感光体としては、帯電特性および感度
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論である
が、加えて繰り返し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性
等の物理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、露
光時の紫外線等への耐性（耐環境性）においても良好で
あることが要求される。

従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられている。

一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。

例えば、特公昭５０−１０４９６号公報には、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾールと２．４．７−ドリニトロー９−
フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体につ
いて記載されている。しかし、この感光体は、感度及び
耐久性において必ずしも満足できるものではない。この
ような欠点を改善するために、感光層において、キャリ
ア発生機能とキャリア輸送機能とを異なる物質に個別に
分担させることにより、感度が高くて耐久性の大きい有
機感光体を開発する試みがなされている。このようない
わば機能分離型の電子写真感光体においては、各機能を
発揮する物質を広い範囲のものから選択することができ
るので、任意の特性を有する電子写真感光体を比較的容
易に作製することが可能である。そのため、感度が高く
、耐久性の大きい有機感光体が得られることが期待され
ている。

第６図は、こうした有機光導電性物質を用いる機能分離
型の電子写真感光体を示すものである。

この電子写真感光体は、導電性基体１の上にキャリア発
生層６、キャリア輸送層４を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。即ち
、感光層８はキャリア発生層６とキャリア輸送層４から
構成されている。

上述のような層構成を有する電子写真感光体においては
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移動度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でき、光感度等の点で有利である。

これに対し、電子輸送性の材料には優れた特性を持つも
のが殆どなく、あるいは発がん性を有するので使用に適
さない。かかる理由より、上述のような感光体は負帯電
用に使用されている。この場合、高感度を達成する上で
、ホール輸送能の大きな材料を使用することが有利であ
る。

しかしながら、上述のような感光体においては、第６図
に示すように負帯電時に導電性基体又は下層側からのキ
ャリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。こうした局所的
なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電性
基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一等
が原因として考えられる。

そして、こうした局所的なキャリア注入によって以下の
問題点が生じている。

即ち、最近、例えばデジタル処理を伴うプリンタ等にお
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部（表面電荷の消失した部分、ＶＬ）にト
ナー像が形成され、未露光部（表面電荷が保持されてい
る部分、ＶＨ）にはトナー像が形成されない。

しかしながら、反転現像法において、上記した如くにし
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分にトナーが現像され、いわゆるカブリ画像となる
。このよりなカブリは通常のカブリとは異なり、上述の
ように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的に
消失、減少することにより発生する現象であり、「黒ポ
チ」と呼ばれている。こうした黒ポチは、白地にトナー
が局所的に付着した状態であるから、黒地部分が白く抜
ける場合と比べて非常に目立ち、画像の品質を著しく低
下させるものであって、不適当な画像欠陥である。

こうした問題を解決する方法として、キャリア輸送層４
において、キャリア輸送物質（以下、ＣＴＭと呼ぶこと
がある。）の含有量を減らし、あるいはＣＴＭやバイン
ダー樹脂の種類を変更することが考えられる。これらは
いずれも、キャリア輸送層４０ホール輸送能を低下せし
めて感光体表面へのキャリア注入を抑制しようとするも
のであるが、この感光体では、光感度の低下、残留電位
の上昇、ＩＶＬ　ｌの上昇、繰り返し使用時のＩＶＬＩ
安定性の低下を招き、しかも温度特硅の低下を生じ、低
温においては特にＩＶＬ　ｌの上昇等、感光体特性が大
きく悪化する。

一方、第６図において、キャリア発生層６と導電性基体
１との間に電荷ブロッキング層を設け、導電性基体１か
らのキャリア注入を阻止することも考えられる。しかし
、この場合には、光照射時にも発生した光キャリアの輸
送がブロッキング層によって抑制、阻止され、繰り返し
使用時に残留電位が上昇し、画像濃度不足を招く。また
、温度特性も大きく劣化し、例えば低温低湿下において
は初期から画像濃度が不足するため、著しく不都合であ
る。更に、キャリア発生層６をかかる電荷ブロッキング
層上に塗布する際に、キャリア発生物質の種類によって
はキャリア発生物質の凝集を生じて塗布不良となり、黒
ポチの増加、画像濃度の低下、更には画像ムラをも招き
、著しい不都合を生じた。

一方、プロセス面からの対策としては、帯電電位ＶＨと
バイアス電圧ＶＤＣとの差を大きくすることが考えられ
るが、これでは露光部の電位ＶＬとバイアス電圧ＶＤＣ
との差が小さくなるため、画像濃度が低下する。

以上のように、従来黒ポチ等の画像欠陥を解消し、かつ
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる互いに相反する課題の技術的解決が望まれていたの
である。

また、近年、電子写真複写方法において、安価。

小型で直接変調できる等の特徴を有する半導体レーザー
光源が用いられている。現在、半導体レーザーとして広
範圧用いられているガリウムーアルミニウムーヒ素（Ｇ
ａ−Ａｌ−Ａｓ　）系発光素子は、発振波長が７５０　
ｎｍ程度以上である。このような長波長光に高感度の電
子写真感光体を得るために、従来数多くの検討がなされ
てきた。例えば、可視光領域に高感度を有するセレン、
硫化カドミウム等の感光材料に、新たに長波長化するた
めの増感剤を添加する方法が考えられたが、セレン、硫
化カドミウムは温度、湿度等に対する耐環境性が十分で
なく、毒性もあって、実用化には問題がある。また、多
数知られている有機系光導電材料も、その感度が通常７
００　ｎｍ以下の可視光領域に限定され、これより長波
長域に十分な感度を有する材料は少ないため、高信頼性
の期待される半導体レーザー光源を用いるレーザープリ
ンタに用いることは困難であった。

かかるレーザービーム等を用いる技術体系はプリンタへ
の応用が期待されており、有用な反転現像による画像形
成方法の出現が望まれるゆえんである。

ハ１発明の目的 本発明の目的は、 黒ポチの生じ易い反転現像において、黒ポチ等の画像欠
陥のない良好な画像を得ることができ、高温高湿、低温
低湿等の環境下においても、カブリがなく画像濃度の高
い高品位の画像を得ることができ、 かつ繰り返し使用時にも画像濃度が高い均一な画像を安
定して供給することができるような画像形成方法を提供
することである。

二１発明の構成及びその作用効果 本発明は、キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設け
てなる感光層を有する感光体を使用する画像形成方法に
おいて、 （ａ）、分子内に下記一般式［Ｉ］で表わされるカプラ
ーを有しかつ少なくとも２個のアゾ基を分子内に有する
化合物がキャリア発生物質として含有されているキャリ
ア発生層と；ノボラック形フェノール樹脂と導電処理さ
れていない酸化チタンとが含有され、かつ前記キャリア
発生層と導電性基体との間に設けられている電荷ブロッ
キング層とを有する感光体を使用し、（ｂ）、この感光
体に帯電電位の絶対値が４００　Ｖ〜９００ｖである帯
電を付与した後、霧光により静電潜像を形成し、次いで
前記帯電電位の絶対値よりも０〜２００ｖ低い絶対値を
有する直流バイアス電圧を印加して、前記静電潜像の反
転現像を行う ことを特徴とする画像形成方法に係るものである。

（以下余白、次頁に続く） 一般式［Ｉ］： 〔但し、上記一般式中、 Ａｒ“　は、アリール基を表し、 Ｙ、Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは未置
換のアルキル基、置換若し くは未置換のアミノ基、又は置換若 しくは未置換のアルコキシ基を表わ し、 Ｓは、０〜４を表わし、 ｒは、０〜２を表わす。〕 但し、帯電電位と直流バイアス電圧とは同符号とする。

本発明においては、キャリア発生物質として前記一般式
［Ｉ］で表わされるカプラーを有する特定のアゾ化合物
をキャリア発生層中に含有せしめ、かつこのキャリア発
生層と導電性基体との間に設けられた電荷ブロッキング
層の材質、含有物を特定している点に顕著な特徴を有す
る。

即ち、導電性基体とキャリア発生層との間に電荷ブロッ
キング層を設けることにより、反転現像において黒ポチ
の発生を防止できる。この理由は明らかではないが、一
応次のように考えられる。

即ち、第６図に示したような従来の感光体においては、
基体１側から注入されるキャリア（ホール）はキャリア
発生層６中を容易に通過し、ホール輸送性の高いキャリ
ア輸送層４を介して感光体表面にまで至るのである。言
い換えると、キャリア発生層６は局所的なキャリア注入
に対する障壁としては機能し得ないのである。

これに対し、本発明においては、基体とキャリア発生層
との間に電荷ブロッキング層を設けることにより、導電
性基体側からの局所的なキャリア注入に対する障壁を設
けることができ、局所的なキャリア注入による表面電荷
の消失、減少を阻止できると考えられる。従って、反転
現像を行った場合に画像上に黒ポチが生ずることはなく
、画像欠陥のない高品質の画像を得るという顕著な作用
効果を奏することができる。

電荷ブロッキング層がかかる機能を発揮しうるのは、バ
インダー物質及び導電処理されていない酸化チタンの作
用により、電荷ブロッキング層自体の電気抵抗が高く保
持されるからであろうと考えられ、この点で電荷ブロッ
キング層の処方は重要といえる。

しかしながら、ここにおいてもう一つ重要なことはキャ
リア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との選択であ
り、両者の組み合わせなのである。

即ち、キャリア発生層は電荷ブロッキング層の上に直接
塗布形成され、しかもそれ自体極めて薄いものであるか
ら、キャリア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との
組み合わせのいかんによっては、キャリア発生物質の凝
集、塗布不良を生じ、黒ポチが著しく増加し、光感度の
低下、更には画像ムラを生じるため、はなはだしく不都
合である。

しかし、無数に存在する高分子材料、多数のキャリア発
生物質中から、塗布不良を生じないような好適な組合せ
を選択するについて、一般的１画一的な選択手段がある
というものではなく、実験の積み重ねにより良好な組合
せを決定していく他ないのが実情といえる。

ここに、本発明者は、種々検討の結果、上記した特定の
アゾ化合物と、バインダー物質としてのノボラック形フ
ェノール樹脂との組合せを選択することにより′、極め
て良好な結果が得られることを見出した。

即ち、上記した特定のアゾ化合物は光感度に優れており
、この化合物をキャリア発生物質として使用することに
より、感光体の繰り返し使用時の電位安定性が良くなり
、メモリー現象も少なく、残留電位も少なく、かつ安定
となる。しかも、この上記アゾ化合物は長波長域に高感
度を有することから、半導体レーザーを光源とする反転
現像による画像形成方法に特にマツチングした高性能の
感光体を提供できる。

また、電荷ブロッキング層にノボラック形フェノール樹
脂を含有せしめることにより、上記アゾ化合物がキャリ
ア発生層の塗布形成時に凝集することがなく、従って反
転現像において黒ポチ、画像ムラを防止できると共に、
上記アゾ化合物がキャリア発生層中に均一に分散され、
上記アゾ化合物の本来の光感度を妨げることなく発揮せ
しめることができる。従って、高品質かつ均一な画像を
提供でき、画、像濃度も高くできる。

しかも、電荷ブロッキング層の材質のみならず含有物を
も特定した点が重要であり、これにより。

上記のように黒ポチ防止という反転現像罠必須の技術的
課題を解決しながら、かつ温度、温度特性（耐環境特性
）に優れ、高温高湿下、低温低湿下においても良好な画
像を提供しうる点が注目に値いする。

界 即ち、プリンター等の機μは種々の条件下で長期間使用
されるものであるため、高温高湿、低温低湿等の環境に
曝される機会は極めて多く、低温下等においても良好な
画像を提供することが要請されるゆえんである。

この点、本発明においては、光照射時にキャリア発生層
内で発生した負の光キャリアは、導電処理されていない
酸化チタンによって電荷ブロッキング層内を輸送され、
導電性基体へと移送されるものと思われる。即ち、酸化
チタンの作用により、電荷ブロッキング層に電子伝導性
が付与されたものと考えられる。従って、光キャリアの
移動は円滑となり、光感度の上昇、繰り返し使用時の残
留電位の低減、画像濃度の上昇が可能となる。ゆえに、
繰り返し使用時にも画像濃度が不足せず、また特に低温
低湿下においても充分な画像濃度が得られる。また、高
温高湿下においても、キャリア発生層は薄膜であって暗
減衰増大は抑えることができ、カプリは発生しない。

しかも、電荷ブロッキング層中に導電処理していない酸
化チタンを含有せしめることによって、層の高抵抗を維
持しているのであり、もし仮に、導電処理した酸化チタ
ンを使用した場合には、キャリア注入は阻止しえず、画
像上例黒ボチが発生し、電荷ブロッキング機能を発揮し
えないものと考えられる。

更に、本発明において注目すべきことはへ上記したこと
に加えて、既述したＩＶＩで表わされる帯ｔｔ　位（７
）　絶対値をＩＶＨ＋　＝　４００　Ｖ　〜９００　Ｖ
と特定範囲に限定しているので、既述した如き欠陥は生
じない。即ち、１Ｖｕｌ（４００Ｖでは、必要とされる
電界強度を得ることが困難であるが、ＩＶＩ）　９００
　Ｖとするとこのためには感光層の膜厚が大きくなり、
これによって感度が低下し、好ましくない。また、本発
明ではＩＶＨＩとＩＶＤｃＩ（直流バイアス電圧の絶対
値）との差であるＩＶＨＩ　−ＩＶＤｃＩをＯ〜２００
ｖと特定していることも重要である。即ち、ＩＶＨｌ−
ＩＶＤｃｌ（ＯＶ（７）場合には、カプリが発生してし
まい、また、１ＶＨ１−ＩＶＤｃ　ｌ　＞　２００　Ｖ
の場合は、キャリア付着（二成分現像剤のとき）や逆極
性トナーの付着（両極性−成分現像剤のとき）が生じて
しまうのである。

従って、本発明に基いて、ＩＶＨｌ　＝　４００〜９０
０Ｖ（望ましくは５００〜７００　Ｖ　）とすべきであ
り、かツ１ｖｌ−ｌｖｎｃｌ＝ｏ　〜２ｏｏｖ（望１ｔ
、＜ハ５０〜１５０　Ｖ　’）とすべきであり、これら
の条件で反転現像を行うことが高感度を保持しながら、
高画質で黒ポチのない良好な画像を得るための必須不可
欠な条件である。

反転現像法に本発明を適用した場合には、特に、プリン
タに適用した場合等においては、文字部（黒地部）が白
地部よりも面積が小（即ち、露光面積が小）であり、正
規現像法による場合に比べて感光体の劣化防止等の面で
有利である。

次に、本発明をレーザー光源に対して適用した場合の効
果について述べる。

前述のように、レーザープリンター等は有望な技術分野
なのであるが、従来、例えば第６図に示すような感光体
を使用し、半導体レーザー光を照射して画像形成を行っ
た場合、ベタ画像において、モアレと呼ばれる干渉縞状
の濃度ムラを生じていた。このため、モアレを解消でき
る画像形成方法が要望されていた。

かかるモアレを防止すべく、種々の対策が考えられる。

例えば、導電性基体の表面を適当に粗らし、干渉を防止
することが考えられる。しかし、この方法では反転現像
において黒ポチが著しく増加し、実用的でない。

一方、キャリア発生層の膜厚を大きくし、キャー　リア
発生層内での吸光度を大きくして干渉を防止することも
考えられる。しかし、こうした感光体は特性が不充分で
、とりわけ温度、湿度特性の劣化が著しいという欠点が
ある。即ち、反転現像において、高湿下では画像上にカ
ブリを生じ、低湿下では画像濃度の不足を招き、しかも
黒ポチの発生が顕著となる。

これらに対し、本発明においては、レーザー光源の照射
により静電潜像を形成した場合にも、干渉縞状の濃度ム
ラの発生を防止して均一な画像を得ることができる。

この理由については、以下のように推測される。

画像上に干渉縞状の濃度ムラが生ずる原因は明らかでは
ないが、一応次のように考えられる。

第７図で示すように、第６図の感光体表面にレーザー光
１６が照射された場合、入射光１６の一部はキャリア輸
送層４の表面４ａで反射されて反射光１７となり、一部
は感光層８内に入射し基体表面１ａで反射されて射出光
１８として射出される。このとき、感光層の屈折率をｎ
、厚さｄ、半導体レーザー光の波長λとし、レーザー光
１６の入射が感光層８に垂直に行われるとすると、光１
７と光１８との間に（２ｎｄ−λ／２）の光学的路程差
が生ずる。

レーザー光はコヒーレントであるため、光１７と光１８
との間に干渉が生じ、ｎｄがλ／２の整数倍のときは反
射光の強度が極大、すなわちキャリア輸送層４の内部へ
入っていく光の強度が極小（エネルギー保存則による）
、ｎｄがλ／４の奇数倍のときは反射光が極小、すなわ
ち内部へ入っていく光が極大となる。ところで、ｄには
製造上１μｍ程度の場所ムラが避けられない。レーザー
光は単色性がよく、コヒーレントなため、ｄの場所ムラ
に対応して前記の干渉条件が変化し、キャリア発生層６
でのレーザー光の吸収量の場所ムラが生じ、それがベタ
画像の濃度の干渉縞状のムラとなって現われると考えら
れる。なお通常の複写機では、光源が単色光でないため
、波長によって干渉縞状の濃度ムラの幅が変わり、平均
化されて見えない。

これに対し１本発明によれば、導電性基体と感光層との
間に電荷ブロッキング層を設け、この電荷プロツキソゲ
層忙上記特定のバインダー樹脂と導電処理されていない
酸化チタンとを含有せしめているので、酸化チタンの分
散状態によって電荷ブロッキング層内へと入射した光は
散乱される。

これにより、干渉は生じなくな′す、干渉による反射光
の強度の場所ムラも生じなくなると考えられる。

本発明に使用する感光体、例えば電子写真感光体の一般
的な構成を第１図に例示する。

第１図の感光体においては、導電性基体１の上に電荷ブ
ロッキング層７を介してキャリア発生層６が設けられ、
キャリア発生層６上にキャリア輸送層４が設けられてい
る。８は感光層を示す。

第１図のような感光体において、ギヤリア発生層とキャ
リア輸送層との間に、ブロッキング機能等を付与された
中間層を設けても良い。また、耐刷性向上等のため感光
体表面に保護層（保護膜）を形成しても良く、例えば合
成樹脂被膜をコーティングして良い。

キャリア発生層において一般的には、粒状のキャリア発
生物質とキャリア輸送物質とがバインダー物質で結着さ
れている。即ち、層中に顔料の形で分散されている。

次に、本発明でキャリア発生物質として使用する特定の
アゾ化合物について述べる。

これは、分子内に一般式［Ｉ］で表わされるカプラーを
有しかつ少なくとも２個のアゾ基を分子内に有する化合
物である。

具体的には、分子内にアゾ基を２個有するジスアゾ化合
物や、アゾ基を３個有するトリスアゾ化合物、アゾ基を
４個以上有するものがある。

ジスアゾ化合物として、下記一般式［■］に示すものが
例示される。

一般式［■］： Ｃｐ−Ｎ−Ｎ−Ｄ−Ｎ＝Ｎ−ｃｐ 〔但し、Ｄとしては、 Ｎ ＣＨ。

等がある。〕 また、その他のアゾ化合物として、下記一般式［■コ、
［■コ、［Ｖ］に示すものがある。

（以下余白、次頁に続く） 一般式［■］： Ｃｐ−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ”　−Ｎ−Ａｒ”　−Ｎ＝Ｎ　−Ｃ
ｐ夫、・ Ｎ＝Ｎ−ｃｐ 一般式［■］： Ｃｐ　−Ｎ　＝　Ｎ　−Ａ　ｒ　’　−Ｎ　＝　Ｎ　−
Ａ　ｒ　”　−Ｎ　＝　Ｎ　−Ｃｐ一般式［Ｖ］： Ｃｐ　−Ｎ　＝　Ｎ−Ａｒ’　−Ｎ　＝　Ｎ−Ａｒ”　
−Ｎ＝　Ｎ−Ａｒ’　−−Ｎ−Ｎ−Ｃｐ 〔但し、Ａｒ’、Ａ　ｒｍ、Ａｒ’は、それぞれ置換若
しくは未置換の炭素環式芳香族環基、又は置換若しくは
未置換の複素環式芳香族環基を表わす。

更に、Ａｒ’、Ａｒ”、Ａｒ’の具体例を例示すると、 また、Ｃｐ（カプラー）としては、例えば次のようなも
のがある。

〔但し、Ａとしては、 ＣＨ，ＣＭ。

ＮＯ。

次に、ノボラック形フェノール樹脂について述べる。

これはフェノール類とアルデヒド類とを酸性触媒下にお
いて反応させて得られるものである。

フェノール類としては、フェノール、ｍ−クレソ−に、
　ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノール、レ
ゾルシン等が挙げられ、アルデヒド類としては、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール等が挙げ
られる。

なお、ここでフェノール樹脂とは、フェノール変性樹脂
をも含む総称である。

具体的商品名としては、５Ｋ−１，２，３，４，５，６
，７，８，９，１０，１０１，１０２，１０３，１０４
，１０５，１０６，１０７，１０８，１０９，１１０，
１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１３６，１
３７，１５６，１５８，１５９（以上、径大ジーレス社
製）等が挙げられる。

導電処理されていない酸化チタンにおいて、比抵抗が１
０８Ω・Ｃｍ以上のものが好ましい。

酸化チタンは平均粒径１μｍ以下の粒状のものが好まし
く、０．１〜０．４μｍのものが更に好まし一ゝＯ ここで、上記の「平均粒径」は、電子顕微鏡で直接選別
的にカウントして測定してもよいし、しく２８） −ザー光線等を用いて粒径分布から測定してもよい。ま
た比表面積から球形として算出することもできる。また
他の公知の方法を用いることもできる。

酸化チタンには導電処理以外の処理を施してよく、主要
処理剤としては、アルミニウム、ケイ素、亜鉛、ニッケ
ル、アンチモン、クロム等が挙げられる。

酸化チタンの前処理として、不純物として存在する各種
イオンを洗浄したり、イオン交換処理することもできる
。また、粒子表面をカップリング剤によって処理し、分
散性を向上させることも可能である。

具体的な商品名としては、高純度酸化チタン１’−ＣＲ
−Ｅ　ＬＪ　、超微粒子酸化チタンｒＴＴＯ−５５」、
硫酸性酸化チタンｌ’−Ｒ−５５０Ｊ、ｒＲ−６３０」
、［Ｒ−６８０４、［Ｒ−６７０Ｊ、ｒＲ−５８０Ｊ＝
　　「Ｒ−７８０」、「Ａ−１００Ｊ、ｒＡ　−２２０
」、「Ｗ−１０４、塩素性酸化チタンｒＣＲ−５０」、
［ＣＲ−６０ｊ、ｒｃＲ−６０−２Ｊ、「ＣＲ−６７Ｊ
、［ＣＲ−５８Ｊ、（以上、石原産業社製）等が例示さ
れる。

電荷ブロッキング層の膜厚は０．１〜５μｍとするのが
好ましく、０５〜２μｍの範囲内とするのが更に好まし
い。また、電荷ブロッキング層中において、導電処理さ
れていない酸化チタンとバインター−物質との含有量比
（重量比）は（１：　１０）〜（１０：　１　）の範囲
内とするのが好ましい。

キャリア発生層において、キャリア発生物質のバインダ
ー物質に対する含有量比は３／１〜】／１０とするのが
好ましく、２／１〜１／３とすると更に好ましい。

キャリア発生層の膜厚は０．１μｍ以上とすることが好
ましく、０．２〜５μｍの範囲内とすることがより好ま
しい。

キャリア輸送層の膜厚は１０μｍ以上であることが好ま
しい。

感光層全体の膜厚ば１０〜４０μｍの範囲内とするのが
好ましく、１５〜３０μｍの範囲内とすると更に好まし
い。この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いために帯
電電位が小さくなり、耐刷性も低下する傾向がある。ま
た、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留電位
は上昇する上に、上記したキャリア発生層が厚すぎる場
合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がたくな
る傾向が現れ、このため繰り返し使用時には残留電位の
上昇が起こり易くなる。

キャリア発生層中にキャリア輸送物質をも含有せしめる
ことも可能である。

粒状のキャリア発生物質を分散せしめて感光層を形成す
る場合においては、当該キャリア発生物質は２μｍ以下
、好ましくは１μｍ以下、更に好ましくは０．５μｍの
平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。

また、キャリア輸送層において、キャリア輸送物質はバ
インダー物質との相溶性に優れたものが好ましい。

これにより、バインダー物質に対する量を多（しても濁
り及び不透明化を生ずることがないので、バインダー物
質との混合割合を非常に広くとることができ、また、相
溶性がすぐれていることから電荷発生層が均一、かつ安
定であり、結果的に感度、帯電特性がより良好となり、
更に高感度で鮮明な画像を形成できる感光体をうろこと
ができる。

更に、特に反復転写式電子写真に用いたとき、疲労劣化
を生ずることが少ないという作用効果を奏することがで
きる。

本発明においては、前述したカプラーを有するアゾ化合
物と共に、他のキャリア発生物質の一種又は二種以上を
併用することも可能である。併用できるキャリア発生物
質としては、アントラキノン顔料、ペリレン顔料、多環
キノン顔料、スクアリック酸メチン顔料、シアニン色素
、アズレニウム化合物等が挙げられる。

本発明で使用するキャリア輸送物質は、カルバゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、
イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、ス
チリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、
オキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズ
イミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノ
スチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェニ
レンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール、ポリ−１−ビニルピレン、ポリ−９
−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種以上
であってよ−１゜ かかるキャリア輸送物質の具体的化合物例は特願昭６１
−１９５８８１号明細書に記載されている。以下にその
一般式を掲げる。

キャリア輸送物質としての次の一般式［ＶＩ］又は［■
］のスチリル化合物が使用可能である。

一般式［■コ； Ｒ゛ 〔但し、この一般式中、 Ｒ“　、Ｒｏ：置換若しくは未置換のアルキル基、アリ
ール基を表わし、置換基とし てはアルキル基、アルコキシ基、 置換アミ７基、水酸基、ハロゲン 原子、了り−ル基を用いる。

Ａｒ”、Ａｒ’　：置換若しくは未置換のアリール基を
表わし、置換基としてはアルキ ル基、アルコキク基、置換アミノ 基、水酸基、ハロゲン原子、了り −ル基を用いる。

Ｒ”　、　Ｒ’　　：置換若しくは未置換のアリール基
、水素原子を表わし、置換基として はアルキル基、アルコキシ基、置 換アミン基、水酸基、ハロゲン原 子、了り−ル基を用いる。〕 一般式［■］： 〔但し、この一般式中、 Ｒ“　：置換若しくは未置換のアリール基、 Ｒｏ：水素原子、・・ロゲン原子、置換若しくは未置換
のアルキル基、 アルコキシ基、アミノ基、置換 アミノ基、水酸基、 Ｒ１：置換若しくは未置換のアリール 基、置換若しくは未置換の複素 環基を表わす。〕 また、キャリア輸送物質として次の一般式［■］、［Ｉ
Ｘ］、［ＩＸａ］、［ｌＸｂ　］又は［Ｘ］のヒドラゾ
ン化合物も使用可能である。

一般式［■］： 〔但し、この一般式中、 Ｒ”及びＲｏ；それぞれ水素原子又はハロゲン原子。

Ｒ及びＲ：それぞれ置換若しくは未置換のアリール基、 Ａｒ’　　：置換若しくは未置換のアリーレン基を表す
。〕 一般式［■］： 〔但し、この一般式中、 Ｒ：置換若しくは未置換のアリール 基、置換若しくは未置換のカル バゾリル基、又は置換若しくは 未置換の複素環基を表し、・ Ｒ，Ｒ：水素原子、アルキル基、置換若及びＲＬ＜は未
置換のアリール基、又 は置換若しくは未置換のアラル キル基を表す。〕 一般式［ＩＸａ］： ■ Ｒ，、Ｒｔｓ 〔但、この一般式中、 Ｒ：メチル基、エチル基、２−ヒドロ キ７エチル基又は２−クロルエチ ル基、 Ｒ：メチル基、エチル基、ベンジル基 又はフェニル基、 Ｒ：メチル基、エチル基、ベンジル基 又はフェニル基を示ス。〕 一般式［ＩＸｂ］： 〔但、この一般式中、ＲＩＩは置換若しくは未置換のナ
フチル基；Ｒｏ。は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又はアリール基；　Ｒ”は水素原子、アル
キル基又はアルコキシ基；Ｒ及びＲは置換若しくは未置
換のアルキル基、アラルキル基又はアリール基からなる
互い九同−の若しくは異なる基を示す。〕 一般式［Ｘ］： 〔但、この一般式中、 Ｒ：置換若しくは未置換のアリール基 又は置換若しくは未置換の複素環 基、 Ｒ：水素原子、置換若しくは未置換の アルキル基又は置換若しくは未置 換のアリール基、 Ｑ：水素原子、ハロゲン原子、アルキ ル基、置換アミノ基、アルコキシ 基又はシアノ基、 ｓ：０又は１の整数を表す。〕 また、キャリア輸送物質として、次の一般式［ＸＩ］の
ピラゾリン化合物も使用可能である。

一般式［Ｘ［］　： 〔但、この一般式中、 ｌ二〇又はＩ Ｒ及びＲ：置換若しくは未置換の了り−ル基、Ｒ：置換
若しくは未置換のアリール基 若しくは複素環基。

Ｒ及びＲ：水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、
又は置換若しくは未置 換ノアリール基若しくはアラルキ ル基（但、Ｒ及びＲは共に水 素原子であることはなく、また前 記ｌがＯのときはＲは水素原子 ではない。）〕 更に、次の一般式［■］のアミン誘導体もキャリア輸送
物質として使用できる。

一般式［■］： 〔但、この一般式中、 Ａｒ”、Ａｒ”　　：置換若しくは未置換のフェニル基
を表し、置換基としてはハロゲン 原子、アルキル基、ニトロ基、ア ルコキシ基を用いる。

Ａｒ　　；置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フル オレニル基、複素環基を表し、置 換基としてはアルキル基、アルコ キシ基、ハロゲン原子、水酸基、 アリールオキシ基、アリール基、 アミノ基、ニトロ基、ピペリジノ 基、モルホリノ基、ナフチル基、 アンスリル基及び置換アミノ基を 用いる。但、置換アミノ基の置換 基としてアシル基、アルキル基、 了り−ル基、アラルキル基を用い る。〕 更に、次の一般式［ＸＩＩＩ　］の化合物もキャリア輸
送物質として使用できる。

一般式［ＸＩＩＩＩ　］　： Ｒ−Ｎ　−Ａｒ　　−Ｎ−Ｒ” Ｒ”Ｒ” 〔但、この一般式中、 Ａｒ　　：置換又は未置換のアリーレン基を表し、 Ｒ、Ｒ、Ｒ及びＲ” ：置換基しくは未置換のアルキル基、 置換若しくは未置換のアリール基。

又は置換若しくは未置換のアラル キル基を表す、） 更に、次の一般式［ＸＩＶ　］の化合物もキャリア輸送
物質として使用できる。

一般式［ＸＩＶ　］　： 〔但、この一般式中、Ｒ＝Ｒ、Ｒ及びＲ”。

は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、了り−ル基、ベ
ンジル基又はアラルキル基、Ｒｓｏ及びＲ”は、それぞ
れ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数１〜４０
のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シク
ロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基（但、Ｒ
とＲとが共同して炭素原子数３〜１０の飽和若しくは不
飽和の炭化水素環を形成してもよい。）Ｒ”　、　Ｒ’
”、Ｒ′３及びＲ４４は、それぞれ水素原子、ハロゲン
原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換のアルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ア
ラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ
基又はアリールアミノ基である。〕 キャリア輸送層、キャリア発生層中に酸化防止剤を含有
せしめることができる。これにより放電で一生するオゾ
ンの影響を抑制でき、繰り返し使用時の残留電位上昇や
帯電電位の低下を防止できる、 酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダー
ドアミン、バラフェニレンジアミン、アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン
及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等
が挙げられる。

これらの具体的化合物としては、特願昭６１−１６２８
６６号、同６１−１８８９７５号、同６１−１９５８７
８号、同６１−１５７６４４号、同６１−１９５８７９
号、同６１−１６２８６７号、同６１−２０４４６９号
、同６１−２１７４９３号、同６１−２１７４９２号及
び同６１−２２１５４１号に記載がある。

感光層中に高分子有機半導体を含有せしめることもでき
る。

こうした高分子有機半導体のうちボＩＪ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾール又はその誘導体が効果が大であり、好ましく
用いられる。かかるポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導
体とは、その繰り返し単位における全部又は一部のカル
バゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基、ニトロ
基、アミノ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によって
置換されたものである。

また、感光層内に感度の向上、残留電位ないし反復・使
用時の疲労低減等を目的として、少なくとも１種の電子
受容性物質を含有せしめることができる。

本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質としては、
例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、４
−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン、０−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、
１．３．５−）ＩＪニトロベンゼン、パラニトロベンゾ
ニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、プルマニル、２−メチルナフトキノン、ジ
クロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジ
ニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、９−
フルオレノンテンー〔ジシアノメチレンマロノジニトリ
ル〕、ポリニトロ−９−フルオレノンデンー〔ジシアノ
メチレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、０−ニトロ
安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３，５−ジニトロ安息
香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサリチル酸
、３．５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット酸
、その他の電子親和力の大きも・化合物の一種又は二種
以上を挙げることができる。

これらのうち、フルオレノン系、キノン系や、Ｃ１、Ｃ
Ｎ、ＮＯ，等の電子吸引性の置換基のあるベンゼン誘導
体、が特によい。

また更に表面改質剤としてシリコーンオイル、フッ素系
界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性向上剤とし
てアンモニウム化合物が含有させていてもよい。

更に紫外線吸収剤を用いてもよい。

好ましい紫外線吸収剤としては、安息香酸、スチルベン
化合物等及びその誘導体、トリアゾール化合物、イミダ
ゾール化合物、トリアジン化合物、クマリン化合物、オ
キサジアゾール化合物、チアゾール化合物及びその誘導
体等の含窒素化合物類が用いられる。

感光体の構成層に使用可能なバインダ樹脂としては、例
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、ア
クリル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン等の付
加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂並びにこれ
らの繰り返し単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂
、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂の絶縁性樹脂、
スチレン−ブタジェン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−
アクリロニトリル共重合体樹脂等、更にはＮ−ビニルカ
ルバゾール等の高分子有機半導体を挙げることができる
。

上記のバインダーは、単独であるいは二種以上の混合物
として用いることができる。

必要に応じて設けられる保護層のバインダーとしては１
体積抵抗１０“Ω・０ｍ以上、好ましくは１０Ω・Ｃｍ
以上、より好ましくは１０Ω・０ｍ以上の透明樹脂が用
いられる。又前記バインダーは光又は熱により硬化する
樹脂を用いてもよく、かかる光又は熱により硬化する樹
脂としては、例えば熱硬化性アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性桂皮酸樹脂等又は
これらの共重合若しくは縮合樹脂があり、その他電子写
真材料に供される光又は熱硬化性樹脂の全てが利用され
る。又前記保護層中には加工性及び物性の改良（亀裂防
止、柔難性付与等）を目的として必要により熱可塑性樹
脂を５０重量％未満含有せしめることができる。かかる
熱可塑性樹脂としく４７） ては、例えばポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリ
ル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリカーボネート樹脂又はこれらの共重合樹脂、ポ
ＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体、
その他電子写真材料に供される熱可塑性樹脂の全てが利
用される。

キャリア発生層は、次のような方法によって設けること
ができる。

（イ）キャリア発生物質等にバインダー、溶媒を加えて
混合溶解した溶液を塗布する方法。

（ロ）キャリア発生物質等をボールミル、ホモミキサー
、サンドミル、超音波分散機、アトライタ等によって分
散媒中で微細粒子とし、バインダーを加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。

これらの方法において超音波の作用下に粒子を分散させ
ると、均一分散が可能になる。

また、キャリア輸送層は、既述のキャリア輸送物質を単
独であるいは既述したバインダー樹脂と共に溶解、分散
せしめたものを塗布、乾燥して形成することができる。

この場合、キャリア発生層中にキャリア輸送物質を含有
せしめる場合には、上記（イ）の溶液、（ロ）の分散液
中に予めキャリア輸送物質を溶解又は分散せしめる方法
、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加する
方法がある。この場合は、キャリア輸送物質の添加量を
バインダー１００重量部に対して１〜１００重量部の範
囲内とするのが好ましい。また、キャリア輸送物質を含
有する溶液をキャリア発生層上に塗布し、キャリア発生
層を膨潤あるいは一部溶解せしめてキャリア輸送物質を
キャリア発生層内に拡散せしめる方法がある。この方法
を採用した場合は、上述のようにキャリア発生層中にキ
ャリア輸送物質を添加しておく必要はないが、上述の三
方法を同時に行うことも差し支えない。

層の形成に使用される溶剤あるいは分散媒としては、ｎ
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−−ジメチルホルムアミド、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１．２−
ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン
、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパツ
ール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルホルホキクド
等を挙げることができる。

上記感光層、下引き層、中間層、保護層等は、例えばブ
レード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗布
、スパイラル塗布等により設けることができる。

なお、導電性基体は金属板、金属ドラム又は導電性ポリ
マー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、プラスチ
ックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる。

次に、本発明の好ましい実施の襲用について説明する。

第２図は本発明の方法を実施する記録装置の一例を示す
構成概要図、第３図は像露光のためのレーザービームス
キャナの概要構成図、第４図は現像器の一例を示す部分
断面図、第５図は本発明の方法の実施フローチャートで
ある。

第２図の装置において、２３は上述した有機光導電性物
質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、２２は像担持体２３の表面を一様帯電する本帯電
器、冴は像露光、１５は現像器である。２０は像担持体
２３上にトナー像が形成された画像を記録体Ｐに転写し
易くするために必要に応じて設けられる転写前露光ラン
プ、２１は転写器％１９は分離用コロナ放電器、１２は
記録体Ｐに転写されたトナー像を定着させる定着器であ
る。１３は除電ランプと除電用コロナ放電器の一方又は
両者の組合せからなる除電器、１４は像担持体四の画像
を転写した後の表面の残留トナーを除去するためのクリ
ーニングブレードやファーブラシを有するクリーニング
装置である。

像露光を半導体レーザーで行う場合、第２図の記録装置
のようにドラム状の像担持体おを用いるものにあっては
、像露光スは、第３図に示したようなレーザービームス
キャナによるものが好ましくゝＯ 第３図のレーザービームスキャナの動作を次に述べる。

半導体レーザー４１で発生されたレーザービームは、駆
動モータ４２により回転されるポリゴンミラー４３によ
り回転走査され、ｆ−θレンズ４４を経て反射鏡４５に
より光路を曲げられて像担持体２３の表面上に投射され
輝線４６を形成する。４７はビーム走査開始を検出する
ためのインデックスセンサで。

４８．４９は倒れ角補正用のシリンドリカルレンズであ
る。５０ａ、５０ｂ、５０ｃは反射鏡でビーム走査光路
及びビーム検知の光路を形成する。

走査が開始されるとビームがインデックスセンサ４７に
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器２２により予め一様に帯電されている像担持体ｎ上
を走査する。レーザービーム５１による主走査と像担持
体２３の回転による副走査によりドラム表面に潜像が形
成されてゆく。

また、像担持体がベルト状のように平面状態をとり得る
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。

現像器１５としては第４図に示したような構造のものが
好ましく用いられる。第４図において現像剤Ｄｅは磁気
ロール６２が矢印Ｆ方向、スリーブ６１が矢印Ｇ方向に
回転することＫより矢印Ｇ方向に搬送される。現像剤Ｄ
ｅは搬送途中で穂立規制ブレード６３によりそ“の厚さ
ｔが規制される。穂立規制ブレード６３は弾性金属板製
でスリーブ６１の表面を押圧し、搬送される現像剤の厚
さを制御する。

現像剤溜り６６内には現像剤Ｄｅの攪拌が十分に行われ
るよう攪拌スクリュー６５が設けられており、現像剤溜
り６６内の現像剤Ｄｅが消費された時には、トナー供給
ローラ６８が回転することによりトナーホッパー６７か
らトナーＴが補給される。そして、スリーブ６１に現像
バイアスを印加する直流電源６９及び保護抵抗７０が直
列に接続されている。また、スリーブ６１と像ね特休２
３とは間隙ｄを隔てて始向配列され、現像領域Ｅで現像
剤が像担持体２３に対談 し接続し、ｔ＞ｄとなっている。この際、現像はいわゆ
る非接触条件（ｔ（ｄ）で行ってもよい。

図は現像スリーブ６１と磁石体６２がそれぞれ矢印Ｇ−
Ｆ方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ６１が測定であっても、磁石体６２が固定であ
っても、あるいは現像スリーブ６１と磁石体６２が同方
向に回転するようなものであってもよい。磁石体６２を
固定とする場合は、通常、像担持体２３に対向する磁極
の磁束密度を他の磁極の磁束密度よりも大きくするため
Ｋ、磁化を強くしたり、そこに同極あるいは異極の２個
の磁極を近接させて設けたりすることが行われる。

上記した装置において、本発明に基いて、静電潜像のＩ
ＶＨｌが４００〜９００　Ｖとなるように帯電せしめ、
かつ反転現像時のＩＶＨＩ−ＩＶＤｃＩ　＝０〜２００
ｖとする。但し、ＶＤＣは像担持体部に対向する現像剤
搬送担体としてのスリーブ６１に印加する直流バイアス
電圧である。

直流バイアス電圧には交流バイアス電圧を重畳すること
が好ましい。この際、交流バイアス電圧の実効値は０５
〜４ｋＶが好ましく、周波数は０．１に＋ｌｚ〜ＩＭ［
Ｔｚが好ましい。

以上のような記録装置によって、第５図に示したような
本発明の方法を実施することができる。

第５図は、像露光部が背景部よりも低電位の静電像とな
る静電像形成法によって静電像が形成され、現像が静電
像に背景部電位と同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現像の例を示してい
る。

第２図の記録装置を用いた場合の第５図の例について説
明する。

最初に、除電器１３で除電され、クリーニング装置１４
でクリーニングされて、電位がＯとなっている初期状態
の像担持体２３０表面に、帯電器２２によって一様に帯
電を施し、その帯電面に像露光Ｕを投影して静電像部の
電位が略０となる像露光を行い、得られた静電像を現像
器１５（トナーＴ）によって現像する。

なお、本発明の画像形成方法は、・・ロゲンランプ、タ
ングステンランプ、ＬＥＤ　（発行ダイオード）、ヘリ
ウム−ネオン、アルゴン、ヘリウム−カドミウム等の気
体レーザー、半導体レーザー等の各種光源に対し適用で
きる。

本発明の画像形成方法は、電子写真複写機、プリンタ等
の多種多様の用途を有するものである。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について更に詳細に説明するが、
これにより本発明は限定されるものではなく、種々の変
形した他の実施例も勿論含むものである。

〈キャリア発生層の塗布性の評価〉 （実施例１） まず、以下のようにして電荷ブロッキング層又は下引層
を形成した。

表−１に示す所定のバインダー樹脂１００Ｊを所定の溶
媒１０００＋＋＋Ａ！に溶解させた溶液に表−１に示す
物質（含有物）３０ｇを加えてボールミルで冴時間分散
せしめて得られた電荷ブロッキング層又は下引層用塗布
液を用い、レーザープリンター「Ｌｉｐｓ−１０」（コ
ニカ社製）用アルミニウム素管（径６０ｍｍ）上にデイ
ツプ塗布し、膜厚約２μｍの電荷ブロッキング層又は下
引層を形成した。

つぎに表−１に示すキャリア発生物質（ＣＧＭ）１０ｇ
をボールミルにて２００　ｒｐｍで１５時間粉砕した後
、ポリカーボネート樹脂［パンライトＬ−１２５０ｊ（
量大化成社製）２０ｇを１．２−ジクロロエタン１０１
００Ｏに溶解せしめた溶液を加えて更に２０時間分散せ
しめて得られたキャリア発生層用塗布液を前記電荷ブロ
ッキング層又は下引層上にデイツプ塗布し、キャリア発
生層を形成し、キャリア発生層の塗布性を評価した。

キャリア発生層の塗布性の良・不良罠ついては、キャリ
ア発生層のデイツプ塗布時における塗布液液面の相対的
降下速度（ｃ／ｓ）を０．５　ｃｍ　／　ｓｅｃ、１、
０　ｃｍ　／　ｓｅｃ、　　１．５　ｃｍ　／　ｓｅｃ
としてキャリア発生層を塗布したときの１００　ｃｒ；
（１ｄ　ｍ’）当りのＣＧＬＯ付量を測定し、この値が
２■／　ｄ　ｍ’未満の場合は塗布不良とした。またキ
ャリア発生層の凝集についてはキャリア発生層の濃度ム
ラの有無を目視により確認し、凝集が見られる場合塗布
不良とした。

表−１に結果を示す。

表−１ （ψ導電処理されていない酸化チタン「ＣＲ−ＥＬｊ（
５原産業社製） （ロ）導電処理されている酸化チタンｌ’−５００ＷＪ
（５原産業社製；酸化スズ・酸化アンチモン処理）（γ
）カーボンブラック「モーガルＬ」（キャボット社製）
バインダー（Ｘ’）　　５Ｋ−１０３（住友シュレス社
製）バインダー（Ｙ）ＳＫ−３（住友シュレス社製）バ
インダー（Ｚ）　　５Ｋ−１０７（住友ジェレス社製）
バインダー（Ｓ）　　ポリエステル樹脂「バイロン２０
０Ｊ（東洋紡社製） バインダー（Ｔ）　　塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹
脂「ＶＹＨＨＪ　（ユニオン力 −バイド社製） （Ｘ）：アセトンーシクロヘキサノン（４：１）混合溶
媒 （ａ）：１．２−ジクロロエタン ＣＧＭ（１） ＣＧＭ（４） 表−１に示すように、置換若しくは未置換のビニルフェ
ノール構造単位を有する樹脂（Ｘ）、（Ｙ）、（Ｚ）を
電荷ブロッキング層又は下引層中に含有せしめ、かつ本
発明のキャリア発生物質（１）、（２）、（３）を含有
するキャリア発生層を上記層上に塗布形成した場合は、
ＣＧＬ付量も良好で、ＣＧＭの凝集も生じない。これに
対し、電荷ブロッキング層又は下引層に樹脂（Ｓ）、（
Ｔ）を用い、又はキャリア発生物質（４）を用いた場合
は、塗布性が不良となった。

〈感光体の作製〉 以下のようにして、実施例の感光体Ａ−Ｉと比較例の感
光体ａ　”−ｒを作成した 〈ギヤリア発生層の塗布性の評価〉の項目で述べたと同
様にして、導電性基体上に電荷ブロッキング層又は下引
層を形成し、更にキャリア発生層を形成した。各層の処
方は下記衣−２に示す通りであり、感光体Ａ−Ｉは表−
１の塗布例Ａ〜工に対応し、感光体ａ　−ｏは塗布例ａ
　−ｏに対応する。

但し、ＣＧＬの付量を２±０．１　Ｗ　／　ｄ　ｍ”　
ＫなるようにＣ／Ｓ　（デイツプ塗布時の液面の相対降
下速度）を調節した。この際、塗布例ｇ、ｈ、ｉについ
ては、表−１においてＣＧＬ付量を２　ｍｌｉ’／　ｄ
　ｍ”以上確保できなかったので、感光体作製の対象か
ら除外した。また、新たＫ、下引層中に酸化ケイ素を含
有させた例（感光体ｐ、ｑ、ｒ）についても、前記と同
様にして下引層、キャリア発生層を形成した。

さらに、下記構造式（５）のキャリア輸送物質１００ｇ
とポリカーボネート樹脂「ニーピロンＺ　−２００４（
三菱瓦斯化学社製）　２００９とを１．２−ジクロロエ
タン１０００　ｍに溶解して得られたキャリア輸送層用
塗布液を前記キャリア発生層上にデイツプ塗布し、温度
８５℃で１．５時間乾燥させ、膜厚約５μｍのキャリア
輸送層を形成し、本発明に係わる感光体及び比較用の感
光体を作製した。

構造式（５） 各感光体の処方を表−２に示す。

表−２ く画像評価（１）〉 （実施例２） 感光体Ａ−Ｉ及びａ　−ｒのそれぞれを半導体レーザー
（波長７８０　ｎｍ、出力２ｍＷ）を光源とするレーザ
ープリンターｒＬｉｐｓ−１０Ｊ　（コニカ社製）　改
造機１／Ｃ搭載し、ＶＨが一５５０±１０［Ｖｌになる
ようにグリッドを調節した後、現像ノ（イアスＤＣ−４
５０［Ｖ］＋ＡＣ７００［Ｖｌ　（２ＫＩＩｚ）を印加
して非接触条件で反転現像し、得られた画像の白地部分
の黒ポチ、網点部分のモアレ及び黒地部分の画像濃度を
評価した。

黒ポチの評価は、画像解析装置「オムニコン３０００形
」（高滓製作所社製）を用いて黒ポチの粒径と個数を測
定し、φ（径）０．０５ｍｍ以上の黒ポチがｌｃｊ当た
り何個あるかにより判定した。

黒ポチ評価の判定基準は、表−３に示す通りである。

表−３ モアレは、黒地面積率３０チの網点部分についてモアレ
発生の有無を目視で評価し、○はモアレのないことを、
×はモアレの発生を示す。

各感光体における画像評価の結果は、下記表−４の通り
である。

表−４ して □諧 表−４に示す通り、本発明の方法によれば黒ポチ、モア
レ、画像濃度とも満足のいく結果が得られた。これに対
尼比較用の感光体ａ−ｆ（下引層中の含有物：導電性Ｔ
　ｉ　Ｏｓ、カーボンブラック）を使用した場合はいず
れも電位がのらず画像評価できなかった。又、比較用の
感光体ｊ＝ｏ（ＣＧＭ凝集あり）を使用した場合はいず
れも黒ポチが発生した。さらＫ、比較用の感光体ｐ−ｒ
を使用した場合、下引層のブロッキング効果のため黒ポ
チに対しては良好な結果が得られたものの、低感度であ
るため画像濃度が低下した。

〈画像評価（２）〉 （実施例３） 下記表−５に示す条件で反転現像を行ない、複写画像の
黒ボ≠、黒地部分の画像濃度、カブリをみた。

（以下余白、次頁に続く） ＊１　連続１０回コピー後に−１０００Ｖまで帯電しな
（なった。

上記より、次のことが明らかである。

ＩＶＨＩ＜４００Ｖでは画像濃度不足。

ＩＶＨｌ−ＩＶＤｃ　ｌ　）　２００　Ｖテはカプリ発
生（逆極性トナー付着によるカプリ）。

ＩＶＨＩ−ＩＶＤｃＩ（ＯＶでもカブｌＪ発生（通常の
カプリ）。

く画像評価（３）〉 （実施例４） 感光体Ａを前記ｒＬｉｐｓ−１０ｊ改造機に搭載し、１
０℃、２０％の低温低湿度下及び３０℃、８０％の高温
高湿度下でそれぞれ１万サイクルのロングラン試験を行
なったところ、いずれの環境下においてモ黒ボチ、モア
レ、カプリ等のない高濃度の画像が安定して得られた。

なお画像形成条件は次の通りである。

グリッド電圧ニー　５００　［Ｖ］ 帯電のトータル電流：０．５ｍＡ 現像バイア　ス：　Ｄ　Ｃ−４５０［Ｖ］＋ＡＣ７００
［Ｖ］（２Ｋｆｌｚ　） 現＠：非接触−成分磁気ブラシ現像 感光体ｐについて同様の条件下で画像を形成したところ
、初期から画像濃度が薄く、モアレが生じたため、１万
サイクルのロングラン試験は行えなかった。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図は本発明に使用する感光体のｆ例の断面図、 第２図は像形成装置の構成概要図。 第３図は像露光のためのレーザービームスキャナの構成
概要図、 第４図は現像器の要部断面図、 第５図は像形成の過程を示すフローチャートである。 第６図は従来使用されている感光体の一部断面図である
。 第７図はモアレの発生原因を説明するための感光体の一
部断面図である。 なお、図面に示す符号において、 １・・・・・・・・・導電性基体 ４・・・・・・・・・キャリア輸送層 ８・・・・・・・・・感光層 １２・・・・・・・・・定着器 １３・・・・・・・・・除電器 １４・・・・・・・・・クリーニング装置１５・・・・
・・・・・現像器 ２０・・・・・・・・・転写前露光ランプ２１・・・・
・・・・・転写器 ２２・・・・・・・・・帯電器 ２３・・・・・−・・・像担持体 ４１・・・・・・・・・レーザー ４３・・・・・・・・・ミラースキャナ必・・・・・・
・・・結像用ｆ−θレンズ４８、４９・・・・・・・・
・シリンドリカルレンズ５１・・・・・・・・・Ｌ／−
ｆ−ビーム６１・・・・・・・・・現像スリーブ ６２・・・・・・・・・磁石体 ６３・・・・・・・・・層厚規制ブレード６９・・・・
川・・バイアス電源 ７０・・・・・・・・・保護抵抗 である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 一一−、−＝＋ の 第５図 第６図 第７図 （自発）手習Ｅ（甫正書 昭和６３年７月７９日 １、事件の表示 昭和６３年　特許願第４２９５９号 ２、発明の名称 画像形成方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）コニカ株式会社 ４、代理人 住　所　東京都立川市柴崎町２−４−１１　ＦＩＮＥ　
’ピルｆｆｉ　　Ｏ４２５−２４−５４１１（ｒｅ６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 ■明細書第１６真下から８行目の「温度特性」を「湿度
特性」と訂正します。 ■同第５７真下から３行目の「ボールミル」を「ボール
ミル」と訂正します。 一以　上−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設けてなる
   感光層を有する感光体を使用する画像形成方法において
   、 （ａ）、分子内に下記一般式［ I ］で表わされるカプ
   ラーを有しかつ少なくとも２個のアゾ基を分子内に有す
   る化合物がキャリア発生物質として含有されているキャ
   リア発生層と；ノボラック形フェノール樹脂と導電処理
   されていない酸化チタンとが含有されかつ前記キャリア
   発生層と導電性基体との間に設けられている電荷ブロッ
   キング層とを有する感光体を使用し、 （ｂ）、この感光体に帯電電位の絶対値が４００Ｖ〜９
   ００Ｖである帯電を付与した後、露光により静電潜像を
   形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも０〜２００
   Ｖ低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、前
   記静電潜像の反転現像を行う ことを特徴とする画像形成方法。 一般式［ I ］： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、上記一般式中、 Ａｒ＾１は、アリール基を表わし、 Ｙ、Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは未置
   換のアルキル基、置換若しくは未置換のアミノ基、又は
   置換若しくは未置換のアルコキシ基を表わし、 ｓは、０〜４を表わし、 ｒは、０〜２を表わす。〕