JPH01170967A - 画像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は画像形成方法に関し、特に電子写真複写方法に
関するものである。

口、従来技術 カールソン方法の電子写真複写方法においては感光体表
面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成すると
共に、その静電潜像をトナーによって現像し、次いでそ
の可視像を紙等に転写、定着させる。同時に、感光体は
付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、長期
に亘って反復使用される。

従って、電子写真感光体としては、帯電特性および感度
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論である
が、加えて繰返し使用での耐剛性、耐摩耗性、耐湿性等
の物理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、露光
時の紫外線等への耐性（耐環境性）においても良好であ
ることが要求される。

従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられている。

一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。

例えば特公昭５０−１０４９６号公報には、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾールと２．４．７−ドリニトロー９−フ
ルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体につい
て記載されている。しかし、この感光体は、感度及び耐
久性において必ずしも満足できるものではない。このよ
うな欠点を改善するために、感光層において、キャリア
発生機能とキャリア輸送機能とを異なる物質に個別に分
担させることにより、感度が高くて耐久性の大きい有機
感光体を開発する試みがなされている。このようないわ
ば機能分離型の電子写真感光体においては、各機能を発
揮する物質を広い範囲のものから選択することができる
ので、任意の特性を有する電子写真感光体を比較的容易
に作製することが可能である。そのため、感度が高く、
耐久性の大きい有機感光体が得られることが期待されて
いる。

第８図は、こうした有機光導電性物質を用いる機能分離
型の電子写真感光体を示すものである。

この電子写真感光体は、４電性基体１の上にキャリア発
生層６、キャリア輸送層４を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。即ち
、感光層８はキャリア発生層６とキャリア輸送層４から
構成されている。

上述のような層構成を有する電子写真感光体においては
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移動度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でき、光感度等の点で有利である。

これに対し、電子輸送性の材料には優れた特性を持つも
のが殆どなく、あるいは発がん性を有するので使用に適
さない。がかる理由より、上述のような感光体は負帯電
用に使用されている。この場合、高感度を達成する上で
、ホール輸送能の大きな材料を使用することが有利であ
る。

しかしながら、上述のような感光体においては、第８図
に示すように負帯電時に導電性基体又は下層側からのキ
ャリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。こうした局所的
なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電性
基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一等
が原因として考えられる。

そして、こうした局所的なキャリア注入によって以下の
問題点が生じている。

即ち、最近、例えばデジタル処理を伴うプリンタ等にお
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部（表面電荷の消失した部分、Ｖｔ）にト
ナー像が形成され、未露光部（表面電荷が保持されてい
る部分、ＶＨ）にはトナー像が形成されない。

しかしながら、反転現像法において、上記した如くにし
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分にトナーが現像され、いわゆるカブリ画像となる
。このようなカプリは通常のカブリとは異なり、上述の
ように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的に
消失、減少することにより発生する現象であり、「黒ポ
チ」と呼ばれている。こうした黒ポチは、白地にトナー
が局所的に付着した状態であるから、黒地部分が白く抜
ける場合と比べて非常に目立ち、画像の品質を著しく低
下させるものであって、不適当な画像欠陥である。

こうした問題を解決する方法として、キャリア輸送層４
において、キャリア輸送物質（以下、ＣＴＭと呼ぶこと
がある。）の含有量を減らし、あるいはＣＴＭやバイン
ダー樹脂の種類を変更することが考えられる。これらは
いずれも、キャリア輸送層４のホール輸送能を低下せし
めて感光体表面へのキャリア注入を抑制しようとするも
のであるが、この感光体では、光感度の低下、残留電位
の上昇、ｌｖ　Ｌｔの上昇、繰り返し使用時のＩＶ　４
安定性の低下を招き、しがち温度特性の低下を生じ、低
温においては特にＩＶ　Ｌｌの上昇等、感光体特性が大
きく悪化する。

また、キャリア発生層６において、キャリア発生物質の
バインダー樹脂に対する含有率を減少せしめる方法もあ
るが、これでは光感度の低下、ｌｖ　Ｌｌの上昇を招き
、画像濃度が不充分となる。

更に、導電性基体１とキャリア発生層６との間に電荷注
入を遮蔽する機能を有する下引き層を設けることも考え
られるが、キャリア発生層６を下引き層上に塗布する際
に、キャリア発生物質の種類によってはキャリア発生物
質の凝集を生じて塗布不良となり、黒ポチの増加、画像
濃度の低下、更には画像ムラをも招き、著しい不都合を
生じた。

一方、プロセス面からの対策としては、帯電電位■、と
バイアス電圧ＶＤＣとの差を大きくすることが考えられ
るが、これでは露光部の電位Ｖ、とバイアス電圧ＶＤＣ
との差が小さくなるため、画像濃度が低下する。

以上のように、従来黒ポチ等の画像欠陥を解消し、かつ
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる互いに相反する課題の技術的解決が望まれていたの
である。

また、近年電子写真複写方法において、安価、小型で直
接変調できる等の特徴を有する半導体レーザー光源が用
いられている。

現在、半導体レーザーとして広範に用いられているガリ
ウムーアルミニウムーヒ素（Ｇａ−Ａｌ−Ａｓ）系発光
素子は、発振波長が７５０ｎｍ程度以上である。このよ
うな長波長光に高感度の電子写真感光体を得るために、
従来数多くの検討がなされてきた。例えば、可視光領域
に高感度を有するセレン、硫化カドミウム等の感光材料
に、新たに長波長化するための増感剤を添加する方法が
考えられたが、セレン、硫化カドミウムは温度、湿度等
に対する耐環境性が十分でなく、毒性もあって実用化に
は問題がある。また、多数知られている有機系光導電材
料も、その感度が通常７００ｎｍ以下の可視光領域に限
定され、これより長波長域に十分な感度を存する材料は
少ないため、高信頼性の期待される半導体レーザー光源
を用いるレーザープリンタに用いることは困難であった
。

かかるレーザービーム等を用いる技術体系はプリンクへ
の応用が期待されており、有用な反転現像による画像形
成方法の出現が望まれるゆえんである。

ハ０発明の目的 本発明の目的は、黒ポチの生じ易い反転現像法において
、黒ポチ等の画像欠陥を著しく減少せしめ、画像濃度が
高く高品質で均一な画像を得ることのできる画像形成方
法を提供することである。

二０発明の構成及びその作用効果 本発明は、キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設け
てなる感光層を有する感光体を使用する画像形成方法に
おいて、 （ａ）、フタロシアニン化合物がキャリア発生物質とし
て含有されているキャリア発生層と゛このキャリア発生
層と導電性基体との間に設けられかつ置換若しくは未置
換のビニルフェノール構造単位を有する樹脂が含有され
ている電荷ブロッキング層とを有する感光体を使用し、
（ｂ）、この感光体に帯電電位の絶対値が４００　Ｖ〜
９００　Ｖである帯電を付与した後、露光により静電潜
像を形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりもθ〜２
００■低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して
、前記静電潜像の反転現像を行なう ことを特徴とする画像形成方法に係るものである。

但し、帯電電位と直流バイアス電圧とは同符号とする。

本発明においては、フタロシアニン化合物をキャリア発
生層中に含有せしめ、かつこのキャリア発生層と導電性
基体との間に設けられた電荷ブロッキング層の材質を特
定している点に顕著な特徴を有する。

即ち、導電性基体とキャリア発生層との間に電荷ブロッ
キング層を設けることにより、反転現像において黒ポチ
の発生を防止できる。この理由は明らかではないが、一
応次のように考えられる。

即ち、第８図に示したような従来の感光体においては、
基体１側から注入されるキャリア（ホール）はキャリア
発生層６中を容易に通過し、ホール輸送性の高いキャリ
ア輸送層４を介して感光体表面にまで至るのである。言
い換えると、キャリア発生層６は局所的なキャリア注入
に対する障壁としては機能し得ないのである。

これに対し、本発明においては、基体とキャリア発生層
との間に電荷ブロッキング層を設けることにより、導電
性基体側からの局所的なキャリア注入に対する障壁を設
けることができ、局所的なキャリア注入による表面電荷
の消失、減少を阻止できると考えられる。従って、反転
現像を行った場合に画像上に黒ポチが生ずることはなく
、画像欠陥のない高品質の画像を得るという顕著な作用
効果を奏することができる。

しかしながら、ここにおいて重要なことはキャリア発生
物質と電荷ブロッキング層の材質との選択であり、両者
の組み合わせなのである。

即ち、キャリア発生層は電荷ブロッキング層の上に直接
塗布形成され、しかもそれ自体極めて薄いものであるか
ら、キャリア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との
組み合わせの如何によっては、キャリア発生物質の凝集
、塗布不良を生じ、黒ポチが著しく増加し、光感度の低
下、更には画像ムラを生じるため、はなはだしく不都合
である。

しかし、無数に存在する高分子材料、多数のキャリア発
生物質中から、塗布不良を生じないような好適な組み合
わせを選択するについて一般的、画一的な選択手段があ
るというのではなく、実験の積み重ねにより良好な組み
合わせを決定していく他ないのが実情といえる。

ここに、本発明者は種々検討の結果、上記したフタロシ
アニン化合物と、置換若しくは未置換のビニルフェノー
ル構造単位を有する樹脂との組み合わせを特に選択する
ことにより、極めて良好な結果が得られることを見出し
た。

即ち、上記したフタロシアニン化合物は光感度に優れて
おり、この化合物をキャリア発生物質として使用するこ
とにより、感光体の繰り返し使用時の電位安定性が良く
なり、メモリー現象も少なことから、半導体レーザーを
光源とする反転現像による画像形成方法に特にマツチン
グした高性能の感光体を提供できる。

また、置換若しくは未置換のビニルフェノール構造単位
を有する樹脂を電荷ブロッキング層へと含有せしめるこ
とにより、上記フタロシアニン化合物がキャリア発生層
の塗布形成時に凝集することがなく、従って反転現像に
おいて黒ポチ、画像ムラを防止できると共に、上記フタ
ロシアニン化合物がキャリア発生層中に均一に分散され
、上記フタロシアニン化合物の本来の光感度を妨げるこ
とな（発揮せしめるＥとができる。従って、高品質かつ
均一な画像を提供でき、画像濃度も高くできる。

更に、本発明において注目すべきことは、上記したこと
に加えて、既述した１ｖ工１で表される帯電１１即ちｌ
ｖ　、Ｉｌ　＜　４ｏｏｖでは、必要とされる電界強度
を得ることが困難であるが、ｌＶ、ｌ＞　（ｌｏｏｖと
するとこのためには感光層の膜厚が大きくなり、これに
よって感度が低下し、好ましくない。また、本発明では
１■、４１と１ｖ−ｃｌ（直流バイアス電圧の絶対値）
との差であるｌｖ、ｌ−１ｖ−を０〜２００　Ｖと特定
していることも重要である。即ち、ｌｖ　Ｈｌ　−１ｖ
　ＤＪ＜Ｏｖの場合にはカブリが発生してしまい、また
、１ｖＨＩ　　ｌｖｌ、ｃｌ＞　２００Ｖ（７）場合４
；ｔニーｔ−＋　’Ｊ　Ｔ付ｉＦ　＜二成分現像剤のと
き）や逆極性トナーの付着（両極性−成分現像剤のとき
）が生じてしまうのである。

従って、本発明に基づいて、ＩＶｌｌ＋＝　４００〜９
００Ｖ（望ましくは５００〜７００　Ｖ　）とすべきで
あり、かつ１ｖＨＩ　　ＩＶｏＪ＝　ｏ〜２ＱＯＶ　（
望ましくは５０〜１５０■）とすべきであり、これらの
条件で反転現像を行うことが高感度を保持しながら、高
画質で黒ポチのない良好な画像を得るための必須不可欠
な条件である。

しかも、反転現像法によるものであるから、特に、プリ
ンタに適用した場合等においては、文字部（黒地部）が
白地部よりも面積が小（即ち、露光面積が小）であり、
正規現像法による場合に比べて感光体の劣化防止等の面
で有利である。

以上述べてきたように、本発明によれば、キャリア発生
物質の種類と電荷ブロッキング層の材質とを特に選択す
ること等により、反転現像において黒ポチ、画像ムラ、
キャリア付着、カブリを防止し、かつ均一で画像濃度が
高い高品質の画像を提供できる。

本発明に使用する感光体、例えば電子写真感光体の一般
的な構成を第１図に例示する。

第１図の感光体においては、導電性基体１の上に電荷ブ
ロッキング層７を介してキャリア発生層６が設けられ、
キャリア発生層６上にキャリア輸送層４が設けられてい
る。８は感光層を示す。

第１図のような感光体において、キャリア発生層とキャ
リア輸送層との間に、ブロッキング機能等を付与された
中間層を設けても良い。また、耐刷性向上等のため感光
体表面に保護層（保護膜）を形成しても良く、例えば合
成樹脂被膜をコーティングして良い。

キャリア発生層において一般的には、粒状のキャリア発
生物質とキャリア輸送物質とがバインダー物質で結着さ
れている。即ち、層中に顔料の形で分散されている。

次に、本発明でキャリア発生物質として使用するフタロ
シアニン化合物について述べる。

即ち、有機系光導電材料の一つであるフタロシアニン系
化合物は、他のものに比べ感光域が長波長域に拡大して
いることが知られている。そしてα型のフタロシアニン
化合物が結晶形の安定なβ型のフタロシアニン化合物に
変わる過程で各種結晶形のフタロシアニン化合物が見出
されている。

これらの光導電性を示すフタロシアニン系化合物として
は、例えば特公昭４９−４３３８号公頼記載のＸ型無金
属フタロシアニン化合物、特開昭５８−１８２６３９号
公報、特開昭６０−１９１５１号公報に記載されている
τ、τ゛、η、η°型型金金属フタロシアニン化合物特
願昭６１−２９５７８４号明細書に記載されているフタ
ロシアニン化合物等の他、各種の金属フタロシアニン化
合物が例示される。例えばチタニルフタロシアニン化合
物について特願昭６２−２４１９３８号明細書に記載さ
れているものがある。

この他、特に半導体レーザーに好適なフタロシアニン化
合物を例示する。

フタロシアニン例示化合物 次に、置換若しくは未置換のビニルフェノール構造単位
を有する樹脂について述べる。

ビニルフェノール構造単位としては次のものが例示され
る。

等が例示される。

また、上記ビニルフェノール構造単位と他の単量体、ビ
ニル単量体とを共重合せしめた共重合体樹脂でもよい。

かかる単量体（モノマー）は種々選択でき、共重合体の
特性を最適に調整することができる。

共重合酸モノマーとしては、公知のものを使用でき、例
えば酢酸ビニル、プロピオン酸等のビニルエステル、塩
化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、メタク
リロニトリル、スチレン、アクリル酸、メタクリル酸、
種々のアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、エ
チレン、プロピレン、イソブチン、ブタジェン、イソプ
レン、ビニルエーテル、アリールエーテル、アリールエ
ステル、アクリルアミド、メタクリルアミド、マレイン
酸エステル等が例示される。

上記樹脂は乳化重合、溶液重合、懸濁重合、塊状重合等
の重合法により重合される。いずれの方法においても、
必要に応じて分子量調節剤、重合開始剤、モノマーの分
割添加あるいは連結添加などの公知の技術が応用できる
。

下記に具体的な共重合体樹脂を例示する。

ビニルフェノ−ＪＬ／−ＭＭＡ共重波型ビニルフェノー
ノヘチレン共重合物 ビニルフェノール−ＨＥＭＡ共重合物 ビニルフェノール−フェニルマレイミド共重合物上記に
おいて、ビニルフェノール構造単位のモル比は５０％以
上であることが好ましい。具体的な商品名としては、マ
ルカ　リンカ−Ｍ（平均分子１ｉ２０００〜３００００
）、マルカ　リンカ−ＭＢ　（平均分子量６０００〜７
０００）　、マルカ　リンカＭの各種誘導体、マルカ　
リンカ−ＣＭＭ、マルカ　リンカＣ３Ｔ−６、マルカ　
リンカＣ３Ｔ−７、マルカリンカＣ３Ｔ−９、マルカ　
リンカＣＨＭ、マルカ　リンカＣＭＩ、マルカ　リンカ
ＣＭＡ−２（以上、丸善石油化学社製）等を例示できる
。

電荷ブロッキング層の膜厚は０．０５〜２μｍの範囲内
とするのが好ましく、０．１〜０．５μｍが更に好まし
い。

キャリア発生層において、キャリア発生物質のバインダ
ー物質に対する含有量比は３／１〜１／１０とするのが
好ましく、３／１〜１／３とすると更に好ましい。キャ
リア発生物質の含有量比が上記範囲より大きいと、黒ポ
チ等が著しく現れるか或いは現れ易くなる。但し、キャ
リア発生物質の割合があまり小さいと、却って光感度等
が低下してしまう。

キャリア発生層の膜厚は０．１μｍ以上とすることが好
ましく、０．２〜５μｍの範囲内とすることがより好ま
しい。

キャリア輸送層の膜厚は１０μｍ以上であることが好ま
しい。

感光層全体の膜厚は１０〜４０μｍの範囲内とするのが
好ましく、１５〜３０μｍの範囲内とすると更に好まし
い。この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いために帯
電電位が小さ（なり、耐剛性も低下する傾向がある。ま
た、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留電位
は上昇する上に、上記したキャリア発生層が厚すぎる場
合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がたくな
る傾向が現れ、このため繰り返し使用時には残留電位の
上昇が起こり易くなる。

キャリア発生層中にキャリア輸送物質をも含有せしめる
ことも可能である。

粒状のキャリア発生物質を分散せしめて感光層を形成す
る場合においては、当該キャリア発生物が好ましい。

また、キャリア輸送層において、キャリア輸送物質はバ
インダー物質との相溶性に優れたものが好ましい。これ
により、バインダー物質に対する量を多くしても濁り及
び不透明化を生ずることがないので、バインダー物質と
の混合割合を非常に広くとることができ、また、相溶性
が優れていることから電荷発生層が均一、かつ安定であ
り、結果的に感度、帯電特性がより良好となり、更に高
感度で鮮明な画像を形成できる感光体をうろことができ
る。更に、特に反復転写式電子写真に用いたとき、疲労
劣化を生ずることが少ないという作用効果を奏すること
ができる。

本発明においては、フタロシアニン化合物と共に、他の
キャリア発生物質の一種又は二種以上を併用することも
可能である。併用できるキャリア発生物質としては、ア
ントラキノン顔料、ペリレン顔料、多環牛ノン顔料、ス
クアリック酸メチン顔料、シアニン色素、アズレニウム
化合物等が挙げられる。

本発明で使用するキャリア輸送物質は、カルバゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、
イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、ス
チリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、
オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズ
イミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノ
スチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェニ
レンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール、ポリ−１−ビニルピレン、ポリ−９
−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種以上
であってよい。

かかるキャリア輸送物質の具体的化合物例は特願昭６１
−１９５８８１号明細書に記載されている。以下にその
一般式を掲げる。

キャリア輸送物質としての次の一般式（１）又は（ＩＩ
）のスチリル化合物が使用可能である。

−最大〔■〕　： （但、この一般式中、 Ｒ１、Ｒ２、置換若しくは未置換のアルキル基、了り−
ル基を表わし、置換基とし てはアルキル基、アルコキシ基、 置換アミノ基、水酸基、ハロゲン 原子、アリール基を用いる。

Ａｒ’、Ａｒ”　　：置換若しくは未置換のアリール基
を表わし、置換基としてはアル キル基、アルコキシ基、置換アミ ノ基、水酸基、ハロゲン原子、ア リール基を用いる。

Ｒ３、Ｒ４：置換若しくは未置換のアリール基、水素原
子を表わし、置換基として はアルキル基、アルコキシ基、置 換アミノ基、水酸基、ハロゲン原 子、アリール基を用いる。） 一般式〔■〕　： 占・ （但、この一般式中、 Ｒ５，置換若しくは未置換のアリール基、Ｒ６，水素原
子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
アル コキシ基、アミノ基、置換アミノ 基、水酸基、 Ｒ？、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは
未置換の複素環基を 表わす。） また、キャリア輸送物質として次の一般式（ＩＩＩ）（
ＩＶ）、（■ａ）、（ＩＶｂ）又は（Ｖ）のヒドラゾン
化合物も使用可能である。

一般式〔■〕　： （但、この−最大中、 Ｒ８及びＲ９：それぞれ水素原子又はハロゲン原子・ ＲＩＯ及びＲ■：それぞれ置換若しくは未置換のアリー
ル基、 Ａｒ３．置換若しくは未置換のアリーレン基を表す。） 一般式〔■〕　： （但、この−最大中、 Ｒ１！：置換若しくは未置換のアリール基、置換若しく
は未置換のカルバゾリ ル基、又は置換若しくは未置換の 複素環基を表し、 Ｒ”Ｉ　Ｒ”及びＲＩＳ：水素原子、アルキル基、置換
若しくは未置換のアリール基、 又は置換若しくは未置換のアラル キル基を表す。） 一般式（ＩＶａ）： 占・・ （但、この−最大中、 Ｒ１６：メチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基
又は２−クロルエチ ル基、 Ｒ”：メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基
、 Ｒ１ｌ＋、メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニ
ル基を示す。

一般式（ＩＶｂ）： （但、この−最大中、ＲＩ９は置換若しくは未置換のナ
フチル基；Ｒ２０は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又はアリール基；Ｒ”は水素原子、アルキ
ル基又はアルコキシ基：Ｒ２を及びＲ２３は置換若しく
は未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリール基か
らなる互いに同一の若しくは異なる基を示す。） −最大〔■〕　： （但、この−最大中、 Ｒ２４：置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環 基、 Ｒ２５：水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは米量 換のアリール基、 Ｑ：水素原子、ハロゲン原子、アルキ ル基、置換アミノ基、アルコキシ 基又はシアノ基、 Ｓ：Ｏ又は１の整数を表す。） ′　また、キャリア輸送物質として、次の一般式（Ｖｌ
）のピラゾリン化合物も使用可能である。

−最大〔■〕　： 〔但、この−最大中、 ｌ：０又は１、 Ｒ２ｈ及びＲ２７：置換若しくは未置換のアリール基、
Ｒ２８：置換若しくは未置換のアリール基若しくは複素
環基、 Ｒ２９及びＲ３０：水素原子、炭素原子数１〜４のアル
キル基、又は置換若しくは来貢 換のアリール基若しくはアラルキ ル基（但、Ｒ”及びＲ”は共に水 素原子であることはなく、また前 記！が０のときはＲ２９は水素原子 ではない。）〕 更に、次の一般式〔■〕のアミン誘導体もキャリア輸送
物質として使用できる。

一般式〔■〕　： （但、この−最大中、 Ａｒ’、Ａｒ５　：置換若しくは未置換のフェニル基を
表し、置換基としてはハロゲン 原子、アルキル基、ニトロ基、ア ルコキシ基を用いる。

Ａｒ’　　：置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチ
ル基、アントリル基、フル オレニル基、複素環基を表し、置 換基としてはアルキル基、アルコ キシ基、ハロゲン原子、水酸基、 アリールオキシ基、アリール基、 アミノ基、ニトロ基、ピペリジノ 基、モルホリノ基、ナフチル基、 アンスリル基及び置換アミノ基を 用いる。但、置換アミノ基の置換 基としてアシル基、アルキル基、 アリール基、アラルキル基を用い る。） 更に、次の一般式〔■〕の化合物もキャリア輸送物質と
して使用できる。

一般式〔■〕　： （但、この−最大中、 Ａｒ’　　：置換又は未置換のアリーレン基を表し、 Ｒ”ｔ　　Ｒ”＋　　Ｒ３３及びＲ３４：置換若しくは
未置換のアルキル基、 置換若しくは未置換のアリール基、 又は置換若しくは未置換のアラル キル基を表す。） 更に、次の一般式（ＩＸ）の化合物もキャリア輸送物質
として使用できる。

一般式〔■〕　： 〔但、この−最大中、Ｒ”％　Ｒ３ｂ％　Ｒ”及びＲ３
ａは、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
ベンジル基又はアラルキル基、 Ｒ”及びＲ”は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置
換の炭素原子数１〜４０のアルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又
はアラルキル基（但、Ｒ”とＲ４０とが共同して炭素原
子数３〜１０の飽和若しくは不飽和の炭化水素環を形成
してもよい。） Ｒ”％　Ｒ”、Ｒ４３及びＲ”は、それぞれ水素原子、
ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換の
アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリー
ル基、アラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキ
ルアミノ基又はアリールアミノ基である。〕キャリア輸
送層、キャリア発生層中に酸化防止剤を含有せしめるこ
とができる。これにより放電で発生するオゾンの影響を
抑制でき、繰り返し使用時の残留電位上昇や帯電電位の
低下を防止できる。

酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダー
ドアミン、パラフェニレンジアミン−アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン
及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等
が挙げられる。

これらの具体的化合物としては、特願昭６１−１６２８
６６号、同６１−１８８９７５号、同６１−１９５８７
８号、同６１−１５７６４４号、同６１−１９５８７９
号、同６１−１６２８６７号、同６１−２０４４６９号
、同６１−２１７４９３号、同６１−２１７４９２°号
及び同６１−２２１５４１号に記載がある。

感光層中に高分子有機半導体を含有せしめることもでき
る。こうした高分子有機半導体のうちポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール又はその誘導体が効果が大であり、好まし
く用いられる。かかるポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘
導体とは、その繰り返し単位における全部又は一部のカ
ルバゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基、ニト
ロ基、アミノ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によっ
て置換されたものである。

また、感光層内に感度の向上、残留電位ないし反復使用
時の疲労低減等を目的として、少なくとも１種の電子受
容性物質を含有せしめることができる。

本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質としては、
例えば無水こはく酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、
４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、Ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン
、１．３．５−　）ジニトロベンゼン、バラニトロベン
ゾニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド
、クロラニル、ブルマニル、２−メチルナフトキノン、
ジクロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、
ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、９
−フルオレニリデンー〔ジシアノメチレンマロノジニト
リル〕、ポリニトロ−９−フルオレニリデンー〔ジシア
ノメチレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、０−ニト
ロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３．５−ジニトロ安
息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサリチル
酸、３．５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット
酸、その他の電子親和力の大きい化合物の一種又は二種
以上を挙げることができる。

これらのうち、フルオレノン系、キノン系や、ＣＩ　Ｃ
Ｎ、　Ｎｏｗ等の電子吸引性の置換基のあるベンゼン誘
導体が特によい。

また更に表面改質剤としてシリコーンオイル、フッ素系
界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性向上剤とし
てアンモニウム化合物が含有されていてもよい。

更に紫外線吸収剤を用いてもよい。好ましい紫外線吸収
剤としては、安息香酸、スチルベン化合物等及びその誘
導体、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物、トリ
アジン化合物、クマリン化合物、オキサジアゾール化合
物、チアゾール化合物及びその誘導体等の含窒素化合物
類が用いられる。

感光体の構成層に使用可能なバインダ樹脂としては、例
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合
型樹脂並びにこれらの繰り返し単位のうちの２つ以上を
含む共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹
脂等の絶縁性樹脂、スチレン−ブタジェン共重合体樹脂
、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体樹脂等、
更にはＮ−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体を
挙げることができる。

上記のバインダーは、単独であるいは二種以上の混合物
として用いることができる。

必要に応じて設けられる保護層のバインダーとしては、
体積抵抗１０”Ω・１以上、好ましくはＩＱＩ＠Ω・値
以上、より好ましくは１０１３Ω・Ｃ以上の透明樹脂が
用いられる。又前記バインダーは光又は熱により硬化す
る樹脂を用いてもよく、かかる光又は熱により硬化する
樹脂としては、例えば熱硬化性アクリル樹脂、エポキシ
樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ア
ルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性桂皮酸樹脂等又
はこれらの共重合若しくは縮合樹脂があり、その他電子
写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂の全てが利用さ
れる。又前記保護層中には加工性及び物性の改良（亀裂
防止、柔軟性付与等）を目的として必要により熱可塑性
樹脂を５０重量％未満含有せしめることができる。かか
る熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロピレン、アク
リル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、又はこ
れらの共重合樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の
高分子有機半導体、その他電子写真材料に供される熱可
塑性樹脂の全てが利用される。

キャリア発生層は、次のような方法によって設けること
ができる。

（イ）キャリア発生物質等にバインダー、溶媒を加えて
混合溶解した溶液を塗布する方法。

（ロ）キャリア発生物質等をボールミル、ホモミキサー
、サンドミル、超音波分散機、アトライタ等によって分
散媒中で微細粒子とし、バインダーを加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。

これらの方法において超音波の作用下に粒子を分散させ
ると、均一分散が可能になる。

また、キャリア輸送層は、既述のキャリア輸送物質を単
独であるいは既述したバインダー樹脂と共に溶解、分散
せしめたものを塗布、乾燥して形　。

成することができる。

この場合、キャリア発生層中にキャリア輸送物質を含有
せしめる場合には、上記（イ）の溶液、（ロ）の分散液
中に予めキャリア輸送物質を溶解又は分散せしめる方法
、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加する
方法がある。この場合は、キャリア輸送物質の添加量を
バインダー１００重量部に対して１〜１００重量部の範
囲内とするのが好ましい。また、キャリア輸送物質を含
有する溶液をキャリア発生層上に塗布し、キャリア発生
層を膨潤あるいは一部溶解せしめてキャリア輸送物質を
キャリア発生層内に拡散せしめる方法がある。この方法
を採用した場合は、上述のようにキャリア発生層中にキ
ャリア輸送物質を添加しておく必要はないが、上述の三
方法を同時に行うことも差し支えない。

層の形成に使用される溶剤あるいは分散媒としては、ｎ
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチレンジアミン、Ｎ、　　Ｎ−ジメチルホルムアミド
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１，２
−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパ
ツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシ
ド等を挙げることができる。

上記感光層、下引き層、中間層、保護層等は、例えばブ
レード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗布
、スパイラル塗布等により設けることができる。

なお、導電性基体は金属板、金属ドラム又は導電性ポリ
マー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、プラスチ
ックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる。

次に、本発明の好ましい実施の態様について説明する。

第２図は本発明の方法を実施する記録装置の一例を示す
構成概要図、第３図は像露光のためのレーザービームス
キャナの概要構成図、第４図は現像器の一例を示す部分
断面図、第５図は本発明の方法の実施フローチャートで
ある。

第２図の装置において、２３は上述した有機光導電性物
質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、２２は像担持体２３の表面を一様帯電する本帯電
器、２４は像露光、１５は現像器である。２０は像担持
体２３上にトナー像が形成された画像を記録体Ｐに転写
し易くするために必要に応じて設けられる転写前露光ラ
ンプ、２１は転写器、１９は分離用コロナ放電器、１２
は記録体Ｐに転写されたトナー像を定着させる定着器で
ある。１３は除電ランプと除電用コロナ放電器の一方又
は両者の組合せからなる除電器、１４は像担持体２３の
画像を転写した後の表面の残留トナーを除去するための
クリーニングブレ−ドやファーブラシを有するクリーニ
ング装置である。像露光を半導体レーザーで行う場合、
第２図の記録装置のようにドラム状の像担持体２３を用
いるものにあっては、像露光２４は、第３図に示したよ
うなレーザービームスキャナによるものが好ましい。

第３図のレーザービームスキャナの動作を次に述べる。

半導体レーザー４１で発生されたレーザービームは、駆
動モータ４２により回転されるポリゴンミラー４３によ
り回転走査され、ｆ−θレンズ４４を経て反射鏡４５に
より光路を曲げられて像担持体２３の表面上に投射され
輝線４６を形成する。４７はビーム走査開始を検出する
ためのインデックスセンサで、４８．４９は倒れ角補正
用の　・シリンドリカルレンズである。５０ａ、５０ｂ
、５０Ｃは反射鏡でビーム走査光路及びビーム検知の光
路を形成する。

走査が開始されるとビームがインデックスセンサ４７に
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器２２により予め一様に帯電されている像担持体２３
上を走査する。レーザービーム５１による主走査と像担
持体２３の回転による副走査によりドラム表面に潜像が
形成されてゆく。

また、像担持体がベルト状のように平面状態をとり得る
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。

現像器１５としては第４図に示したような構造のものが
好ましく用いられる。第４図において現像剤Ｄｅは磁気
ロール６２が矢印Ｆ方向、スリーブ６１が矢印Ｇ方向に
回転することにより矢印Ｇ方向に搬送される。現像剤Ｄ
ｅは、搬送途中で穂立規制ブレード６３によりその厚さ
ｔが規制される。穂立規制ブレード６３は弾性金属板製
でスリーブ６１の表面を押圧し、搬送される現像剤の厚
さを制御する。現像剤溜り６６内には現像剤（）ｅの攪
拌が十分に行われるよう攪拌スクリュー６５が設けられ
ており、現像剤溜り６６内の現像剤Ｄｅが消費された時
には、トナー供給ローラ６８が回転することによりトナ
ーホッパー６７からトナーＴが補給される。そして、ス
リーブ６１に現像バイアスを印加する直流電源６９及び
保護抵抗７０が直列に接続されている。また、スリーブ
６１と像担持体２３とは間隙ｄを隔てて対向配列され、
現像領域Ｅで現像剤が像担持体２３に対し接触し、ｔ＞
ｄとなっている。

図は現像スリーブ６１と磁石体６２がそれぞれ矢印Ｇ、
Ｆ方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ６１が固定であっても、磁石体６２が固定であ
っても、或いは現像スリーブ６１と磁石体６２が同方向
に回転するようなものであってもよい。磁石体６２を固
定とする場合は、通常、像担持体２３に対向する磁極の
磁束密度を他の磁極の磁束密度よりも大きくするために
、磁化を強くしたり、そこに同極或いは異極の２個の磁
極を近接させて設けたりすることが行われる。

上記した装置において、本発明に基づいて、静電潜像の
ＩＶ　ｎｌが４００〜９００ｖとなるように帯電せしめ
、かつ反転現像時の１■司−１ｖｎｃｌ＝ｏ〜２００■
とする。但し、■１は像担持体２３に対向する現像剤搬
送担体としてのスリーブ６１に印加する直流バイアス電
圧である。

直流バイアス電圧には交流バイアス電圧を重畳すること
が好ましい。この際、交流バイアス電圧の実効値は０．
５〜４ＫＶが好ましく、周波数は０．１ＫＨｚ〜ＩＭＨ
ｚが好ましい。

以上のような記録装置によって、第５図に示したような
本発明の方法を実施することができる。

第５図は、像露光部が背景部よりも低電位の静電像とな
る静電像形成法によって静電像が形成され、現像が静電
像に背景部電位と同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現像の例を示してい
る。

第２図の記録装置を用いた場合の第５図の例について説
明する。

最初に、除電器１３で除電され、クリーニング装置１４
でクリーニングされて、電位がＯとなっている初期状態
の像担持体２３の表面に、帯電器２２によって一様に帯
電を施し、その帯電面に像露光２４を投影して静電像部
の電位が略０となる像露光を行い、得られた静電像を現
像器１５（トナーＴ）によって現像する。

なお、本発明の画像形成方法は、ハロゲンランプ、タン
グステンランプ、ＬＥＤ　（発光ダイオード）、ヘリウ
ム−ネオン、アルゴン、ヘリウム−カドミウム等の気体
レーザー、半導体レーザー等の各種光源に対し通用でき
る。

本発明の画像形成方法は、電子写真複写機、プリンタ等
の多種多様の用途を有するものである。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について更に詳細に説明するが、
これにより本発明は限定されるものではなく、種々の変
形した他の実施例も勿論含むものである。

くフタロシアニン系化合物の合成〉 まず、実施例に先立って第６図ないし第７図に示す特性
をもつ無金属フタロシアニン化合物Ａの合成例、τ型無
金属フタロシアニン化合物の合成例及びチタニルフタロ
シアニンの合成例を示す。

（無金属フタロシアニン化合物Ａの合成例）リチウムフ
タロシアニン５０ｇを０℃において十分攪拌した濃硫酸
の６００ｍ　ｌに加える。次いでその混合物はこの温度
において２時間°攪拌される。

次いでできた溶液は粗い焼結されたガラス濾斗を通して
濾過されて、４リツトルの氷と水の中へ撹拌しながら徐
々に注入される。数時間放置した後に、その混合物は濾
過され、得られた塊は中性になるまで水で洗浄される。

ついでその塊は最終的にメタノールで数回洗浄されかつ
空気中で乾燥させられる。この乾燥された粉末は２４時
間連続抽出装置中でアセトンによって抽出されかつ空気
中で乾燥させられて青い粉末となる。

上記においてリチウムに対して塩の残渣を保証するため
に析出は反復される。このようにして３０．５　ｇの青
い粉末が得られた。この得られたものは、そのＸ線回折
図形がすでに出版されている資料に記載されているα型
フタロシアニン化合物のＸ線回折図形と一致していた。

このようにして得られた金属を含まないα型フタロシア
ニン化合物３０ｇを直径１３／１６インチのボールで半
分溝たされた内容積９００ｍ１の磁製ボールミル中に仕
込み、約８０　ｒｐｎ＋で１６４時間ミリングした。そ
の後テトラヒドロフラン、１．２−ジクロロエタン等の
有機溶剤２００ｍ　Ｉｔをボールミル中に加え、２４時
間再度ミリングした。このミリングした後の分散液につ
いて有機溶剤の除去及び乾燥を行い、無金属フタロシア
ニン化合物Ａ　２８．２　ｇを得た。

（τ型無金属フタロシアニンの合成例）α型無金属フタ
ロシアニン化合物（ＩＣＩ製モノライトファーストプル
ＧＳ）を加熱したジメチルホルムアルデヒドにより３回
抽出して精製した。

この操作により精製物はβ型に転移した。次にこのβ型
無金属フタロシアニン化合物の一部分を濃硫酸に溶解し
、この溶液を氷水中に注いで再沈澱させることにより、
α型に転移させた。この再沈澱物をアンモニア水、メタ
ノール等で洗浄後１０℃で乾燥した。次に上記により精
製したα型無金属フタロシアニン化合物を磨砕助剤及び
分散剤とともにサンドミルに入れ、温度１００±２０℃
で１５〜２５時間混練した。この操作により結晶形がτ
型に転移したのを確認後、容器より取り出し、水及びメ
タノール等で磨砕助剤及び分散剤を十分除去した後乾燥
して鮮明な青味を帯びたτ型無金属フタロシアニンの青
色結晶を得た。

（チタニルフタロシアニンの合成例） フタロジニトリル４０ｇと４塩化チタン１８ｇ及びα−
クロロナフタレン５００ｒｒｌの混合物を肇素気流下２
４０〜２５０℃で３時間加熱攪拌して反応を完結させた
。その後濾過し、生成物であるジクロロチタニウムフタ
ロシアニンを収得した。得られたジクロロチタニウムフ
タロシアニンと淵アンモニア水３００ｍｆｆ１の混合物
を１時間加熱還流し、目的物であるチタニルフタロシア
ニン１８ｇを得た。生成物はアセトンにより、ソックス
レー抽出器で充分洗浄を行った。

この生成物を質量スペクトル分析したところ、チタニル
フタロシアニン（Ｍ＋！５７６）を主成分とし、クロル
化チタニルフタロシアニン（Ｍｔ６１０）　’ｆｃ少量
含むものであった。

〈感光体の製造〉 下記のようにして実施例の感光体Ａ−Ｍ及び比較例の感
光体ａ　／％＝　ｄを製造した。即ち、各感光体の製造
手順は共通である。

表−２に示す所定のバインダー樹脂１５ｇをアセトン／
シクロヘキサノン（１：　１）混合溶媒１１中に溶解さ
せて得た電荷ブロッキング層用塗布液を、ｒＫＯＮ　Ｉ
　ＣＡ　　Ｕ−Ｂｉｘ１５５０　（コニカ社製）用アル
ミニウム製基体ドラム（径８０Ｉｕ）にデイツプ塗布し
、所定膜厚の電荷ブロッキング層を得た。

次に、表−２に示す所定のキャリア発生物質（ＣＧＭ）
を磁性ボールミルにて４Ｏｒｐｍで１８時間粉砕した後
、ポリカーボネート「パンライトに一１３００Ｊ　　（
奇人化成社製）２０ｇを１．２−ジクロロエタン１００
０．ｍ　ｌに溶解させた溶液を加えて更に２４時間分散
させ、得られたキャリア発生層用塗布液を前記電荷ブロ
ッキング層上にデイツプ塗布し、表−２に示すＰ／Ｂ比
（キャリア発生物質／バインダー物質の重量比）を有す
るキャリア発生層を得た。

但し、比較例の感光体Ｃについては電荷ブロッキング層
を設けず、導電性基体上に直接キャリア発生層を形成し
た。

更に、下記構造式（５）のキャリア輸送物質１１２．５
　ｇとポリカーボネート樹脂「ニーピロンＺ−２００Ｊ
（三菱瓦斯化学社製＞　　１５０ｇとを１．２−ジクロ
ロエタン１０１００Ｏ！に溶解し、得られた溶液をキャ
リア発生層上にデイツプ塗布し、温度９０℃で１時間乾
燥してキャリア輸送層を形成し、膜厚約２０μｍの感光
層とした。

以上のようにして、共通の製造手順により、それぞれ個
別の構成及び処方を有する各感光体Ａ〜Ｍ及びａｗｄが
製造された。

即ち、各感光体において、電荷ブロッキング層の材質、
キャリア発生物質等はそれぞれ互いに変化させられてい
る。

ＣＧＭ　（１） 無金属フタロシアニン化合物Ａ ＣＧＭ　　（２） τ型無金属フタロシア、コン ＣＧＭ　（３） 前記チタニルフタロシアニン　。

ＣＧＭ　（４） キャリア輸送物質（５） 樹脂（Ｓ） ポリエステル樹脂［バイロン２００Ｊ　　（東洋紡社製
）樹脂（Ｔ） 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂 ｒＶＹＨＨＪ　　（ユニオンカーバイド社製）樹脂（Ｘ
） マルカ　リンカ−Ｍ（丸善石油化学社製）樹脂（Ｙ） マルカ　リンカ−ＣＨＭ　（同上） 樹脂（Ｚ） マルカ　リンカ−ＴＭ５０（同上） １　び　較例１ 実施例、比較例の各感光体を、半導体レーザーを光源と
するｒＫＯＮ　Ｉ　ＣＡ　　Ｕ−Ｂｉｘ１５５０Ｊ（コ
ニカ社製）改造機に搭載し、ｖＨが一６００±１０（Ｖ
）になるようにグリッド電圧を調節し、現像バイアス−
４８０（Ｖ）で反転現像し、複写画像の白地部分の黒ポ
チ、黒地部分（原画の白地部分に対応する部分）の画像
濃度Ｄ□８、キャリア発生層の塗布性、画像欠陥を評価
した。

なお、黒ポチの評価は、画像解析装置「オムニコン３０
００形」　（島津製作所社製）を用いて黒ポチの粒径と
個数を測定し、φ（径＞　０．０５ｍ以上の黒ポチがｌ
　ｃ４当たり何個あるかにより判定した。

黒ポチ評価の判定基準は、表−１に示す通りである。

表−１ なお、黒ポチ判定の結果が◎、○、△であれば実用にな
るが、×、××である場合は実用に適さない。

キャリア発生層の塗布性の良、不良については次のよう
にした。

即ち、キャリア発生層のデイツプ塗布時における塗布液
液面の相対的降下速度を一定（０，５ｃｍ／ｓｅｃ　）
とし、キャリア発生層を塗布した時の１００　ｃｄ　（
１ｄ　ｎｆ）当たりのＣＧＭの付着量を測定し、これが
２■／　ｄ　ｒｄ未満の場合は塗布不良とした。また、
キャリア発生層の凝集については、キャリア発生層の濃
度ムラの有無を目視により確認した。なお、キャリア発
生層の凝集が見られる場合も塗布不良とした。

また、画像欠陥については、複写画像の黒ベタ部分の濃
度ムラの有無等を目視により確認した。

各感光体における黒ポチ評価の結果等は下記表−２に示
す。

（以下余白、次ページに続（） 表−２に示す結果から、本発明の画像形成方法に基づい
て複写画像形成を行えば、黒ポチが著しく減少し、画像
の濃度ムラも生じず、また画像濃度も高くでき、均一か
つ高品質の画像が得られることが解る。

２　　び　　′１２ 下記表−３に示す条件で、実施例１　（又は比較例１）
と同様に反転現像を行い、黒ポチ、複写画像の黒地部分
の画像濃度ＤＩＩｌｌＸ、キャリア付着及びカブリをみ
た。但し、キャリア付着については、０は付着のないこ
とを表し、×は付着の発生を表す。

（以下余白、次ページに続く） 表−３ ＊１０回コピー後に９５０Ｖまでは帯電不能となった。

この結果から、次のことが明らかである。

感光体Ａの場合： ｌｖ、ｌ　＜　４００Ｖでは画像濃度不足。

ＩＶＨＩ　−ＩＶｏｃｌ＞　２００Ｖテ＆；！−ｔ−＋
　Ｉ７７付着発生。

ＩＶ　Ｈｔ　　ｌｖ　ｏｃｌ＜　ＯＶ　ｉ’は全面カブ
リ発生。

感光体ｄの場合： 黒ポチが発生、画像濃度不足。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図は本発明に使用する感光体の例の断面図、第２図
は像形成装置の構成概要図、 第３図は像露光のためのレーザービームスキャナの構成
概要図、 第４図は現像器の要部断面図、 第５図は像形成の過程を示すフローチャート、第６図は
無金属フタロシアニン化合物のＸ線回折スペクトル図、 第７図は無金属フタロシアニン化合物の近赤外吸収スペ
クトル図 である。 第８図は従来イ衷用されている感光体の一部断面図 である。 なお、図面に示す符号において、 １　・・・−導電性基体 ４　・・・・キャリア輸送層 ６　・・・・キャリア発生層 ７　・・・・電荷ブロッキング層 ８　・・・・感光層 １２・・・・定着器 １３・・・・除電器 １４・・・・クリーニング装置 １５・・・・現像器 ２０・・・・転写前露光ランプ ２１・・・・転写器 ２２・・・・帯電器 ２３・・・・像担持体 ４１・・・・レーザー ４３・・・・ミラースキャナ ４４・・・・結像用ｆ−θレンズ ４８．４９・・・・シリンドリカルレンズ５１・・・・
レーザービーム ６１　・・・・現像スリーブ ６２　・・・・磁石体 ６３　・・・・層厚規制ブレード ６９　・・・・バイアス電源 ７０　・・・・保護抵抗 である。 代理人　　弁理士　　逢　坂　　　宏 第１図 第２図 ＜ｉｔｔ＊ｉ　（Ａｂｓｏｒｂａｎｃｅ　（Ａｒｂ、Ｕ
、）　）χ穐先度（ＣＯＵＮＴＳ） 昭和６３年３月１１ 特許庁長官　　小　川　邦　夫　　殿 １、事件の表示 昭和６２年　特許願第３２９０６９号 ２、発明の名称 画像形成方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）コニカ株式会社 ４、代理人 住　所　東京都立川市柴崎町２−４−１１ＦＩＮＩＩｉ
ビルｆ１　０４２５−２４−５４１１■ −へ （１）、明細書第１８頁１行目の 一以　上−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設けてなる
   感光層を有する感光体を使用する画像形成方法において
   、 （ａ）、フタロシアニン化合物がキャリア発生物質とし
   て含有されているキャリア発生層と：このキャリア発生
   層と導電性基体との間に設けられかつ置換若しくは未置
   換のビニルフェノール構造単位を有する樹脂が含有され
   ている電荷ブロッキング層とを有する感光体を使用し、 （ｂ）、この感光体に帯電電位の絶対値が４００Ｖ〜９
   ００Ｖである帯電を付与した後、露光により静電潜像を
   形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも０〜２００
   Ｖ低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、前
   記静電潜像の反転現像を行なう ことを特徴とする画像形成方法。