JPH01302264A - 感光体および画像形成方法 - Google Patents
感光体および画像形成方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は感光体および該感光体を使用する画像形成方法
に関し、特に電子写真感光体および該感光体を使用する
電子写真複写方法に関するものである。
に関し、特に電子写真感光体および該感光体を使用する
電子写真複写方法に関するものである。
[従来技術]
カールソン方法の電子写真複写方法においては、感光体
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜像をトナーによって現像し、次いで
その可視像を紙等に転写、定着させる。同時に、感光体
は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、長
期に亘って反復使用される。
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成する
と共に、その静電潜像をトナーによって現像し、次いで
その可視像を紙等に転写、定着させる。同時に、感光体
は付着トナーの除去や除電、表面の清浄化が施され、長
期に亘って反復使用される。
従って、電子写真感光体としては、帯電特性および感度
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論である
が、加えて繰返し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等
の物理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、露光
時の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好であ
ることが要求される。
が良好で暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論である
が、加えて繰返し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等
の物理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、露光
時の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好であ
ることが要求される。
従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられている。
化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感光
層を有する無機感光体が広く用いられている。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
例えば特公昭50−10496号公報には、ポリ−N−
ビニルカルバゾール 9−フルオレノンを含有した感光層を有する有数感光体
について記載されている。しかし、この感光体は、感度
及び耐久性において必ずしも満足できるものではない。
ビニルカルバゾール 9−フルオレノンを含有した感光層を有する有数感光体
について記載されている。しかし、この感光体は、感度
及び耐久性において必ずしも満足できるものではない。
このような欠点を改善するために、感光層において、キ
ャリア発生機能とキャリア輸送機能とを異なる物質に個
別に分担させることにより、感度が高くて耐久性の大き
い有は感光体を開発する試みがなされている。このよう
ないわば■脂分離型の電子写真感光体においては、各機
能を発揮する物質を広い範囲のものから選択することが
できるので、任意の特性を有づ°る電子写真感光体を比
較的容易に作¥lJVることが可能である。そのため、
感度が高く、耐久性の大ぎい有機感光体が得られること
が期待されている。
ャリア発生機能とキャリア輸送機能とを異なる物質に個
別に分担させることにより、感度が高くて耐久性の大き
い有は感光体を開発する試みがなされている。このよう
ないわば■脂分離型の電子写真感光体においては、各機
能を発揮する物質を広い範囲のものから選択することが
できるので、任意の特性を有づ°る電子写真感光体を比
較的容易に作¥lJVることが可能である。そのため、
感度が高く、耐久性の大ぎい有機感光体が得られること
が期待されている。
第6図は、こうした有機光導電性物質を用いる機能分列
型の電子写真感光体を示すものである。
型の電子写真感光体を示すものである。
この電子写真感光体は、導電性基体1の上にキャリア発
生層2、キャリア輸送層3を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。即ち
、感光層4はキャリア発生層2とキャリア輸送層3から
構成されている。
生層2、キャリア輸送層3を順次積層した構成とされて
おり、負帯電用として使用されているものである。即ち
、感光層4はキャリア発生層2とキャリア輸送層3から
構成されている。
上述のような層構成を有する電子写真感光体においては
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移動度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でき、光感度等の点て有利である。
、負帯電使用の場合に電子よりもホールの移動度が大き
いことから、良好な特性を有するホール輸送性の光導電
材料を使用でき、光感度等の点て有利である。
これに対し、電子輸送性の材料には優れた特性を持つも
のが殆どなく、あるいは発がん性を有するので使用に適
さない。かかる理由より、上述のような感光体は負帯電
用に使用されている。この場合、高感度を達成する上で
、ホール輸送能の大きな材料を使用することが有利であ
る。
のが殆どなく、あるいは発がん性を有するので使用に適
さない。かかる理由より、上述のような感光体は負帯電
用に使用されている。この場合、高感度を達成する上で
、ホール輸送能の大きな材料を使用することが有利であ
る。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、上述のような感光体においては、第6図
に示すように負帯電時に導電性基体又は下層側からのキ
ャリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。こうした局所的
なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電性
基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一等
が原因として考えられる。
に示すように負帯電時に導電性基体又は下層側からのキ
ャリア注入が生じ易く、このために表面電荷が微視的に
みて消失し、あるいは減少してしまう。こうした局所的
なキャリア注入の生じる原因は定かではないが、導電性
基体表面の欠陥や不均一あるいは電荷発生層の不均一等
が原因として考えられる。
そして、こうした局所的なキャリア注入によって以下の
問題点が生じている。
問題点が生じている。
即ち、最近、例えばデジタル処理を伴うプリンタ等にお
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部(表面電荷の消失した部分、VL )に
トナー像が形成され、未露光部(表面電荷が保持されて
いる部分、VH )にはトナー像が形成されない。
いて反転現像が多く採用されているが、反転現像法にお
いては、露光部(表面電荷の消失した部分、VL )に
トナー像が形成され、未露光部(表面電荷が保持されて
いる部分、VH )にはトナー像が形成されない。
しかしながら、反転現像法において、上記した如くにし
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分に1−ナーが現象され、いわゆるカブリ画像とな
る。このようなカブリは通常のカブリとは異なり、上述
のように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的
1ピ消失、減少することにより発生する現象であり、「
黒ポチ」と呼ばれている。こうした黒ポチは、白地にト
ナーが局所的に付着した状態であるから、黒地部分が白
く抜ける場合と比べて非常に目立ち、画像の品質を著し
く低下させるものであって、不適当な画&欠陥である。
て未露光部で基体あるいは下層からのキャリア注入等に
より表面電荷が微視的に消失又は減少した場合には、そ
の部分に1−ナーが現象され、いわゆるカブリ画像とな
る。このようなカブリは通常のカブリとは異なり、上述
のように反転現像において感光体上の表面電荷が微視的
1ピ消失、減少することにより発生する現象であり、「
黒ポチ」と呼ばれている。こうした黒ポチは、白地にト
ナーが局所的に付着した状態であるから、黒地部分が白
く抜ける場合と比べて非常に目立ち、画像の品質を著し
く低下させるものであって、不適当な画&欠陥である。
こうした問題を解決する方法として、キャリア輸送層3
において、キャリア輸送物質(以下、CTMと呼ぶこと
がある。)の含有量を減らし、あるいはCTMやバイン
ダー樹脂の種類を変更することが考えられる。これらは
いずれも、キャリア輸送層3のホール輸送能を低下せし
めて感光体表面へのキャリア注入を抑制しようとするも
のであるが、この感光体では、光感度の低下、残留電位
の上昇、lVL lの上昇、繰り返し使用時のIVLI
安定性の低下を招き、しかも温度特性の低下を生じ、低
温においては特にIVLIの上昇等、感光体特性が大き
く悪化する。
において、キャリア輸送物質(以下、CTMと呼ぶこと
がある。)の含有量を減らし、あるいはCTMやバイン
ダー樹脂の種類を変更することが考えられる。これらは
いずれも、キャリア輸送層3のホール輸送能を低下せし
めて感光体表面へのキャリア注入を抑制しようとするも
のであるが、この感光体では、光感度の低下、残留電位
の上昇、lVL lの上昇、繰り返し使用時のIVLI
安定性の低下を招き、しかも温度特性の低下を生じ、低
温においては特にIVLIの上昇等、感光体特性が大き
く悪化する。
一方、第6図において、キャリア発生層2と導電性基体
1との間に電荷ブロッキング層を設け、導電性基体1か
らのキャリア注入を阻止することも考えられる。しかし
、この場合には、光照射時にも発生した光キャリアの輸
送がブロッキング層によって抑制、阻止され、繰り返し
使用時に残留電位が上昇し、画像濃度不足を招く。また
、温度特性も大きく劣化し、例えば低温低湿下において
は初期から画像濃度が不足するため、著しく不都合であ
る。
1との間に電荷ブロッキング層を設け、導電性基体1か
らのキャリア注入を阻止することも考えられる。しかし
、この場合には、光照射時にも発生した光キャリアの輸
送がブロッキング層によって抑制、阻止され、繰り返し
使用時に残留電位が上昇し、画像濃度不足を招く。また
、温度特性も大きく劣化し、例えば低温低湿下において
は初期から画像濃度が不足するため、著しく不都合であ
る。
更に、キャリア発生層2をかかる電荷ブロッキング層上
に塗布する際に、キャリア発生物質の種類によってはキ
ャリア発生物質の凝集を生じて塗布不良となり、黒ポチ
の増加、画像濃度の低下、更には画商ムラをも沼き、著
しい不都合を生じた5゜一方、プロセス面からの対策と
しては、帯電型1ffl V sとバイアス電圧p、ど
の差を大ぎくすることが考えられるが、これでは露光部
の電位VLとバイアス電圧Vpcとの差が小さくなるた
め、画像濃度が低下する。
に塗布する際に、キャリア発生物質の種類によってはキ
ャリア発生物質の凝集を生じて塗布不良となり、黒ポチ
の増加、画像濃度の低下、更には画商ムラをも沼き、著
しい不都合を生じた5゜一方、プロセス面からの対策と
しては、帯電型1ffl V sとバイアス電圧p、ど
の差を大ぎくすることが考えられるが、これでは露光部
の電位VLとバイアス電圧Vpcとの差が小さくなるた
め、画像濃度が低下する。
以上のように、従来黒ポチ等の画急欠陥を解消し、かつ
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる互いに相反する課題の技1+i的解決が望まれてい
たのである。
良好な感光体特性を有する感光体は知られておらず、か
かる互いに相反する課題の技1+i的解決が望まれてい
たのである。
また、近年電子写真複写方法において、安価、小型で直
接変調できる等の特徴を有する半導体レーザー光源が用
いられている。
接変調できる等の特徴を有する半導体レーザー光源が用
いられている。
現在、半導体レーザーとして広範に用いられているガリ
ウム〜アルミニウムーヒ素(Ga −Af−As )系
発光索子は、発成波長が750nm程度以上である。こ
のような長波長光に高感度の電子写真感光体を得るため
に、従来数多くの検討がなされてきた。例えば、可視光
領域に高感度を有するセレン、硫化カドミウム等の感光
材料に、新たに長波長化するための増感剤を添加する方
法が考えられたが、セレン、硫化カドミウムは温度、湿
度等に対する耐環境性が十分でなく、毒性もあって実用
化には問題がある。また、多数知られている有機系光導
電材料も、その感度が通常700nn+以下の可視光領
域に限定され、これより長波長域に十分な感度を有する
材料は少ないため、高信頼性の期待される半導体レーザ
ー光源を用いるレーザープリンタに用いることは困nで
あった。
ウム〜アルミニウムーヒ素(Ga −Af−As )系
発光索子は、発成波長が750nm程度以上である。こ
のような長波長光に高感度の電子写真感光体を得るため
に、従来数多くの検討がなされてきた。例えば、可視光
領域に高感度を有するセレン、硫化カドミウム等の感光
材料に、新たに長波長化するための増感剤を添加する方
法が考えられたが、セレン、硫化カドミウムは温度、湿
度等に対する耐環境性が十分でなく、毒性もあって実用
化には問題がある。また、多数知られている有機系光導
電材料も、その感度が通常700nn+以下の可視光領
域に限定され、これより長波長域に十分な感度を有する
材料は少ないため、高信頼性の期待される半導体レーザ
ー光源を用いるレーザープリンタに用いることは困nで
あった。
かかるレーザービーム等を用いる技術体系はプリンタへ
の応用が期待されており、有用な反転現像による画像形
成方法の出現が望まれるゆえんである。
の応用が期待されており、有用な反転現像による画像形
成方法の出現が望まれるゆえんである。
本発明の目的は、黒ポチの生じ易い反転現像に6いて、
黒ポチ等の画像欠陥のない良好な画像を得ることができ
、高温高湿・低温低湿等の環境下においてもカブリがな
く画@濃度の高い高品位の画像を得ることができ、かつ
繰り返し使用時にも画像濃度が高い均一な画像を安定し
て供給することができるような感光体および該感光体を
使用する画像形成方法を提供することである。
黒ポチ等の画像欠陥のない良好な画像を得ることができ
、高温高湿・低温低湿等の環境下においてもカブリがな
く画@濃度の高い高品位の画像を得ることができ、かつ
繰り返し使用時にも画像濃度が高い均一な画像を安定し
て供給することができるような感光体および該感光体を
使用する画像形成方法を提供することである。
[問題を解決するための手段]
本発明は、有次顔料及び置換若しくは未置換のビニルフ
ェノール病造単位を有する樹脂を含有する°電荷ブロッ
キング層の上に、フタロシアニン化合物をキャリア発生
物質として含有するキャリア発生層及びキャリア輸送層
を順次設けてなることを特徴とする感光体に係るもので
あり、また更に本発明は、キャリア発生層の上にキャリ
ア輸送層を設けてなる感光層を有する感光体を使用する
画像形成方法において、 (a)フタロシアニン化合物がキャリア発生物質として
含有されているキャリア発生層と;このキレリア発生層
とS電性基体との間に設けられ、有故顔料及び置換若し
くは未置換のビニルフェノール構造単位を有する樹脂が
含有されている電荷ブロッキング層とを有する感光体を
使用し、(b)この感光体に帯電電位の絶対値が400
v〜900Vである帯電を付与した後、露光により静電
潜像を形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりもO〜
200V低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加し
て、前記静電潜像の反転現像を行なうことを特徴とする
画像形成方法に係るものである。
ェノール病造単位を有する樹脂を含有する°電荷ブロッ
キング層の上に、フタロシアニン化合物をキャリア発生
物質として含有するキャリア発生層及びキャリア輸送層
を順次設けてなることを特徴とする感光体に係るもので
あり、また更に本発明は、キャリア発生層の上にキャリ
ア輸送層を設けてなる感光層を有する感光体を使用する
画像形成方法において、 (a)フタロシアニン化合物がキャリア発生物質として
含有されているキャリア発生層と;このキレリア発生層
とS電性基体との間に設けられ、有故顔料及び置換若し
くは未置換のビニルフェノール構造単位を有する樹脂が
含有されている電荷ブロッキング層とを有する感光体を
使用し、(b)この感光体に帯電電位の絶対値が400
v〜900Vである帯電を付与した後、露光により静電
潜像を形成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりもO〜
200V低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加し
て、前記静電潜像の反転現像を行なうことを特徴とする
画像形成方法に係るものである。
但し、帯電電位と直流バイアス電圧とは同符号とする。
[作用及び効果]
本発明においては、キャリア発生物質としてフタロシア
ニン化合物をキャリア発生層中に含F4t!しめ、かつ
このキャリア発生層と導電性基体との間に設けられた電
荷ブロッキング層の材質、含有物を特定している点に顕
著な特徴を有する。
ニン化合物をキャリア発生層中に含F4t!しめ、かつ
このキャリア発生層と導電性基体との間に設けられた電
荷ブロッキング層の材質、含有物を特定している点に顕
著な特徴を有する。
即ち、導電性基体とキャリア発生層との間に電荷ブロッ
キングMを設けることにより、反転現像において黒ポチ
の発生を防止できる。この理由は明らかではないが、一
応次のように考えられる。
キングMを設けることにより、反転現像において黒ポチ
の発生を防止できる。この理由は明らかではないが、一
応次のように考えられる。
即ち、第6図に示したような従来の感光体においては、
基体1側から注入されるキャリア(ホール)はキャリア
発生層2中を容易に通過し、ホール輸送性の高いキャリ
ア輸送層3を介して感光体表面にまで至るのである。言
い換えると、キャリア発生層2は局所的なキャリア注入
に対する障壁としては機能し得ないのである。
基体1側から注入されるキャリア(ホール)はキャリア
発生層2中を容易に通過し、ホール輸送性の高いキャリ
ア輸送層3を介して感光体表面にまで至るのである。言
い換えると、キャリア発生層2は局所的なキャリア注入
に対する障壁としては機能し得ないのである。
これに対し、本発明においては、基体とキャリア発生層
との間に電荷ブロッキング層を設けることにより、導電
性基体側からの局所的なキャリア注入に対する障壁を設
けることができ、局所的なキャリア注入による表面電荷
の消失、減少を阻止できると考えられる。従って、反転
現像を行った場合に画像上に黒ポチが生ずることはなく
、画像欠陥のない高品質の画像を得るという顕著な作用
効果を奏することができる。
との間に電荷ブロッキング層を設けることにより、導電
性基体側からの局所的なキャリア注入に対する障壁を設
けることができ、局所的なキャリア注入による表面電荷
の消失、減少を阻止できると考えられる。従って、反転
現像を行った場合に画像上に黒ポチが生ずることはなく
、画像欠陥のない高品質の画像を得るという顕著な作用
効果を奏することができる。
電荷ブロッキング層がかかる機能を発揮しうるのは、バ
インダー物質及び有滋顔料の作用により、電荷ブロッキ
ング層自体の電気抵抗が高く保持されるからであろうと
考えられ、この点で電荷ブロッキング層の処方は重要と
いえる。
インダー物質及び有滋顔料の作用により、電荷ブロッキ
ング層自体の電気抵抗が高く保持されるからであろうと
考えられ、この点で電荷ブロッキング層の処方は重要と
いえる。
しかしながら、ここにおいてもう一つ重要なことはキャ
リア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との選択であ
り、両者の組み合わせなのである。
リア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との選択であ
り、両者の組み合わせなのである。
即ち、キャリア発生層は電荷ブロッキング層の上に直接
塗布形成され、しかもそれ自体極めて薄いものであるか
ら、キャリア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との
組み合わせの如何によっては、キャリア発生物質の凝集
、塗布不良を生じ、黒ポチが署しく増加し、光感度の低
下、更には画像ムラを生じるため、はなはだしく不都合
である。
塗布形成され、しかもそれ自体極めて薄いものであるか
ら、キャリア発生物質と電荷ブロッキング層の材質との
組み合わせの如何によっては、キャリア発生物質の凝集
、塗布不良を生じ、黒ポチが署しく増加し、光感度の低
下、更には画像ムラを生じるため、はなはだしく不都合
である。
しかし、無数に存在する高分子材料、多数のキャリア発
生物質中から、塗布不良を生じないような好適な組み合
わせを選択するについて一般的、画一的な選択手段があ
るというのではなく、実験の積み重ねにより良好な組み
合わせを決定していく他ないのが実情といえる。
生物質中から、塗布不良を生じないような好適な組み合
わせを選択するについて一般的、画一的な選択手段があ
るというのではなく、実験の積み重ねにより良好な組み
合わせを決定していく他ないのが実情といえる。
ここに、本発明者は種々検討の結果、上記したフタロシ
アニン化合物と、置換若しくは未置換のビニルフェノー
ル構造単位を有する樹脂との組み合わせを特に選択する
ことにより、極めて良好な結果が得られることを見出し
た。
アニン化合物と、置換若しくは未置換のビニルフェノー
ル構造単位を有する樹脂との組み合わせを特に選択する
ことにより、極めて良好な結果が得られることを見出し
た。
即ち、上記したフタロシアニン化合物は光感度に優れて
おり、この化合物をキャリア発生物質として使用するこ
とにより、感光体の繰り返し使用時のTi位安定性が良
くなり、メモリー現争も少なく、残留電位も少なく、か
つ安定となる。しかも、このフタロシアニン化合物は長
波長域に高感度を有することから、半導体レーザーを光
源とづ゛る反転現像による画像形成方法に特にマツチン
グした高性能の感光体を提供できる。
おり、この化合物をキャリア発生物質として使用するこ
とにより、感光体の繰り返し使用時のTi位安定性が良
くなり、メモリー現争も少なく、残留電位も少なく、か
つ安定となる。しかも、このフタロシアニン化合物は長
波長域に高感度を有することから、半導体レーザーを光
源とづ゛る反転現像による画像形成方法に特にマツチン
グした高性能の感光体を提供できる。
また、電荷ブロッキング層に、置換若しくは未置換のビ
ニルフェノール11造単位を有する樹脂を含有せしめる
ことにより、上記フタロシアニン化合物がキャリア発生
層の塗布形成時に凝集することがなく、従って反転現像
において黒ポチ、画像ムラを防止できると共に、上記フ
タロシアニン化合物がキャリア発生層中に均一に分散さ
れ、上記フタロシアニン化合物の本来の光感度を妨げる
ことなく発揮せしめることができる。従って、高品質か
つ均一な画像を提供でき、画像濃度も高くできる。
ニルフェノール11造単位を有する樹脂を含有せしめる
ことにより、上記フタロシアニン化合物がキャリア発生
層の塗布形成時に凝集することがなく、従って反転現像
において黒ポチ、画像ムラを防止できると共に、上記フ
タロシアニン化合物がキャリア発生層中に均一に分散さ
れ、上記フタロシアニン化合物の本来の光感度を妨げる
ことなく発揮せしめることができる。従って、高品質か
つ均一な画像を提供でき、画像濃度も高くできる。
しかも、電荷ブロッキング層の材質のみならず含有物を
も特定した点が重要であり、これにより上記のように黒
ポチ防止という反転現像に必須の技術的課題を解決しな
がら、かつ温度、湿度特性(耐環境特性)に優れ、高温
高湿下、低温低湿下においても良好な画像を提供しうる
点が注目に値する。
も特定した点が重要であり、これにより上記のように黒
ポチ防止という反転現像に必須の技術的課題を解決しな
がら、かつ温度、湿度特性(耐環境特性)に優れ、高温
高湿下、低温低湿下においても良好な画像を提供しうる
点が注目に値する。
即ち、プリンター等の機器は種々の条件下で長期間使用
されるものであるため、高温高湿、低温低湿等の環境に
曝される機会は極めて多く、低温下等においても良好な
画像を提供することが要請されるゆえんである。
されるものであるため、高温高湿、低温低湿等の環境に
曝される機会は極めて多く、低温下等においても良好な
画像を提供することが要請されるゆえんである。
この点、本発明においては、光照射時にキャリア発生層
内で発生した負の光キャリアは、有慨顔料によって電荷
ブロッキング層内を輸送され、導電性基体へと移送され
るものと思われる。即ち、有機顔料の作用により、電荷
ブロッキング層に電子伝導性が付与されたものと考えら
れる。従って、光キャリアの移動は円滑となり、光感度
の上昇、繰り返し使用時の残留電位の低減、画@濃度の
上昇が可能となる。ゆえに、繰り返し使用時にも画像濃
度が不足せず、また特に低温低湿下においても充分な画
独澹度が得られる。また、高温高湿下においても、キャ
リア発生層は薄膜であって暗減衰増大は抑えることがで
き、カブリは発生しない。
内で発生した負の光キャリアは、有慨顔料によって電荷
ブロッキング層内を輸送され、導電性基体へと移送され
るものと思われる。即ち、有機顔料の作用により、電荷
ブロッキング層に電子伝導性が付与されたものと考えら
れる。従って、光キャリアの移動は円滑となり、光感度
の上昇、繰り返し使用時の残留電位の低減、画@濃度の
上昇が可能となる。ゆえに、繰り返し使用時にも画像濃
度が不足せず、また特に低温低湿下においても充分な画
独澹度が得られる。また、高温高湿下においても、キャ
リア発生層は薄膜であって暗減衰増大は抑えることがで
き、カブリは発生しない。
しかも、電荷ブロッキング層中に有機顔料を含有せしめ
ることによって、層の高抵抗を維持しているのであり、
もし仮に、導電性の魚類物質等を使用した場合には、キ
1シリア注入は阻止しえず、画像上に黒ポチが発生し、
電荷ブロッキングd能を発揮しえないものと考えられる
。
ることによって、層の高抵抗を維持しているのであり、
もし仮に、導電性の魚類物質等を使用した場合には、キ
1シリア注入は阻止しえず、画像上に黒ポチが発生し、
電荷ブロッキングd能を発揮しえないものと考えられる
。
更に、本発明の画像形成方法において注目すべきことは
、上記したことに加えて、既述したIVHIで表される
帯電電位の絶対値をIVHI= 400V〜900 V
と特定範囲に限定しているので、既述した如き結果は生
じない。即ち1vH1〈400■では、必要とされる電
界強度を得ることが困難であるが、l VHl > 9
00Vとするとこのためには感光層の膜厚が大きくなり
、これによって感度が低下し、好ましくない。また、本
発明の画像形成方法では1Vslと1Vpcl(直流バ
イアス電圧の絶対値)との差であるIVHI IVp
clをO〜200■と特定していることも重要である。
、上記したことに加えて、既述したIVHIで表される
帯電電位の絶対値をIVHI= 400V〜900 V
と特定範囲に限定しているので、既述した如き結果は生
じない。即ち1vH1〈400■では、必要とされる電
界強度を得ることが困難であるが、l VHl > 9
00Vとするとこのためには感光層の膜厚が大きくなり
、これによって感度が低下し、好ましくない。また、本
発明の画像形成方法では1Vslと1Vpcl(直流バ
イアス電圧の絶対値)との差であるIVHI IVp
clをO〜200■と特定していることも重要である。
即ち、IVHI−IV几l <QVの場合にはカブリが
発生してしまい、また、1Vol lVp、1> 2
00Vの場合はキャリア付@(二成分現像剤のどき)や
逆極性トナーの付着(両極性−成分現像剤のとき)が生
じてしまうのである。
発生してしまい、また、1Vol lVp、1> 2
00Vの場合はキャリア付@(二成分現像剤のどき)や
逆極性トナーの付着(両極性−成分現像剤のとき)が生
じてしまうのである。
従って、本発明の画像形成方法において、l VHl
= 400〜900V (望ましクハ500〜700■
)、かつIVHI−IV匹1−0〜200V (望まし
くは50〜150V )という条件で反転現像を行うこ
とにより高感度を保持しながら、高画質で黒ポチのない
良好な画像を得ることができる。
= 400〜900V (望ましクハ500〜700■
)、かつIVHI−IV匹1−0〜200V (望まし
くは50〜150V )という条件で反転現像を行うこ
とにより高感度を保持しながら、高画質で黒ポチのない
良好な画像を得ることができる。
反転現像法に本発明を適用した場合には、特にプリンタ
に適用した場合等においては、文字部(黒地部)が白地
部よりも面積が小(即ち、露光面積が小)であり、正規
現像法による場合に比べて感光体の劣化防止等の面で有
利である。
に適用した場合等においては、文字部(黒地部)が白地
部よりも面積が小(即ち、露光面積が小)であり、正規
現像法による場合に比べて感光体の劣化防止等の面で有
利である。
次に、本発明をレーザー光源に対して適用した場合の効
果について述べる。
果について述べる。
前述のように、レーザープリンター等は有望な技術分野
であるが、従来、例えば第6図に示すような感光体を使
用し、半η体し−ザー光を照射して画像形成を行った場
合、ベタ両会においてモアレと呼ばれる干渉縞状の濃度
ムラを生じていた。
であるが、従来、例えば第6図に示すような感光体を使
用し、半η体し−ザー光を照射して画像形成を行った場
合、ベタ両会においてモアレと呼ばれる干渉縞状の濃度
ムラを生じていた。
このため、モアレを解消できる方法が要望されていた。
かかるモアレを防止すべく、種々の対策が考えられる。
例えば、導電性基体の表面を適当に粗し、干渉を防止す
ることが考えられる。しかし、この方法では反転現像に
おいて黒ポチが著しく増加し、実用的でない。
ることが考えられる。しかし、この方法では反転現像に
おいて黒ポチが著しく増加し、実用的でない。
一方、キャリア発生層の膜厚を大きくし、キャリア発生
層内での吸光度を大きくして干渉を防止することも考え
られる。しかし、こうした感光体は特性が不充分で、と
りわけ温度湿度特性の劣化が著しいという欠点がある。
層内での吸光度を大きくして干渉を防止することも考え
られる。しかし、こうした感光体は特性が不充分で、と
りわけ温度湿度特性の劣化が著しいという欠点がある。
即ち、反転現像において、高湿下では画像上にカブリを
生じ、低湿下では画像濃度の不足を招き、しかも黒ポチ
の発生が顕著となる。
生じ、低湿下では画像濃度の不足を招き、しかも黒ポチ
の発生が顕著となる。
これらに対し、本発明においては、レーザー光源の照射
により静電潜像を形成した場合にも、干渉縞状の濃度ム
ラの発生を防止して均一な画像をjワることができる。
により静電潜像を形成した場合にも、干渉縞状の濃度ム
ラの発生を防止して均一な画像をjワることができる。
この理由については、以下のように推測される。
画像上に干渉縞状の濃度ムラが生ずる原因は明らかでは
ないが、一応次のように考えられる。
ないが、一応次のように考えられる。
第7図で示すように、第6図の感光体表面にレーザー光
が照射された場合、入射光6の一部はキャリア輸送層3
の表面3aで反射されて反射光7となり、一部は感光層
4内に入射し基体表面1aで反射されて(ト)出光8と
して射出される。このとき、感光層の屈折率をn、厚さ
d、半導体レーザー光の波長λとし、レーザー光の入射
が感光層4に垂直に行われるとすると、光7と光8どの
間に(2nd−λ/2)の光学的路程差が生ずる。レー
ザー光はコヒーレントであるため、光7と光8との間に
干渉が生じ、ndがλ/2の整数倍のときは反射光の強
度が極大、すなわちキャリア輸送層3の内部l\入って
いく光の強度が極小(エネルギー保存則ににる) 、
ndがλ/4の奇数倍のときは反射光が極小、すなわち
内部へ入っていく光が極大となる。ところで、dには製
造上1μI11程度の場所ムラが避けられない。レーザ
ー光は単色性がよく、コヒーレントなため、dの場所ム
ラに対応して前記の干渉条件が変化し、キャリア発生層
2でのレーザー光の吸収価の場所ムラが生じ、それかベ
タ画像の濃度の干渉縞状のムラとなって現れると考えら
れる。なお通常の複写鍬では、光源が単色光でないため
、波長によって干渉縞状の濃度ムラの幅が変わり、平均
化されて見えない。
が照射された場合、入射光6の一部はキャリア輸送層3
の表面3aで反射されて反射光7となり、一部は感光層
4内に入射し基体表面1aで反射されて(ト)出光8と
して射出される。このとき、感光層の屈折率をn、厚さ
d、半導体レーザー光の波長λとし、レーザー光の入射
が感光層4に垂直に行われるとすると、光7と光8どの
間に(2nd−λ/2)の光学的路程差が生ずる。レー
ザー光はコヒーレントであるため、光7と光8との間に
干渉が生じ、ndがλ/2の整数倍のときは反射光の強
度が極大、すなわちキャリア輸送層3の内部l\入って
いく光の強度が極小(エネルギー保存則ににる) 、
ndがλ/4の奇数倍のときは反射光が極小、すなわち
内部へ入っていく光が極大となる。ところで、dには製
造上1μI11程度の場所ムラが避けられない。レーザ
ー光は単色性がよく、コヒーレントなため、dの場所ム
ラに対応して前記の干渉条件が変化し、キャリア発生層
2でのレーザー光の吸収価の場所ムラが生じ、それかベ
タ画像の濃度の干渉縞状のムラとなって現れると考えら
れる。なお通常の複写鍬では、光源が単色光でないため
、波長によって干渉縞状の濃度ムラの幅が変わり、平均
化されて見えない。
これに対し、本発明によれば、導電性基体と感光層との
間に電荷ブロッキング層を設け、この電荷ブロッキング
層に上記特定のバインダー樹脂と有機顔料とを含有せし
めているので、有機顔料の分散状態によって電荷ブロッ
キング層内へと入射した光は散乱される。これにより、
干渉は生じなくなり、干渉による反射光の強度の場所ム
ラも生じなくなると考えられる。
間に電荷ブロッキング層を設け、この電荷ブロッキング
層に上記特定のバインダー樹脂と有機顔料とを含有せし
めているので、有機顔料の分散状態によって電荷ブロッ
キング層内へと入射した光は散乱される。これにより、
干渉は生じなくなり、干渉による反射光の強度の場所ム
ラも生じなくなると考えられる。
[発明の具体的構成]
本発明に使用する感光体、例えば電子写真感光体の一般
的な構成を第1図に例示する。
的な構成を第1図に例示する。
第1図の感光体においては、導電性基体1の上に電荷ブ
ロッキング層5を介してキャリア発生層2が設けられ、
キャリア発生層2上にキャリア輸送層3が設けられてい
る。4は感光層を示す。
ロッキング層5を介してキャリア発生層2が設けられ、
キャリア発生層2上にキャリア輸送層3が設けられてい
る。4は感光層を示す。
第1図のような感光体において、キャリア発生層とキャ
リア輸送層との間に、ブロッキング機能等を付与された
中間層を設けても良い。また、耐刷性向上等のため感光
体表面に保IF!2(保護膜)を形成しても良く、例え
ば合成樹脂被膜をコーティングして良い。
リア輸送層との間に、ブロッキング機能等を付与された
中間層を設けても良い。また、耐刷性向上等のため感光
体表面に保IF!2(保護膜)を形成しても良く、例え
ば合成樹脂被膜をコーティングして良い。
次に、本発明でキャリア発生物質として使用するフタロ
シアニン化合物について述べる。
シアニン化合物について述べる。
即ち、有機系光導電材料の一つであるフタロシアニン系
化合物は、他のものに比べ感光域が長波長域に拡大して
いることが知られている。そしてα型のフタロシアニン
化合物が結晶形の安定なβ型のフタロシアニン化合物に
変わる過程で各種結晶形のフタロシアニン化合物が見出
されている。
化合物は、他のものに比べ感光域が長波長域に拡大して
いることが知られている。そしてα型のフタロシアニン
化合物が結晶形の安定なβ型のフタロシアニン化合物に
変わる過程で各種結晶形のフタロシアニン化合物が見出
されている。
これらの光導電性を示すフタロシアニン系化合物として
は、例えば特公昭49−4338@公報記戎のX型無金
属フタロシアニン化合物、特開昭58−182639@
公報、特開昭60−19151号公報に記載されている
τ、τ′、η、η′型型金金属フタロシアニン化合物特
開昭61−29578,1号明細書に記載されているフ
タロシアニン化合物等の他、各柵の金属フタロシアニン
化合物が例示される。例えばチタニルフタロシアニン化
合物について特願昭62−241938号明細書に記載
されているものがある。
は、例えば特公昭49−4338@公報記戎のX型無金
属フタロシアニン化合物、特開昭58−182639@
公報、特開昭60−19151号公報に記載されている
τ、τ′、η、η′型型金金属フタロシアニン化合物特
開昭61−29578,1号明細書に記載されているフ
タロシアニン化合物等の他、各柵の金属フタロシアニン
化合物が例示される。例えばチタニルフタロシアニン化
合物について特願昭62−241938号明細書に記載
されているものがある。
この伯、特に半導体レーデ−に好適なフタロシアニン化
合物を例示する。
合物を例示する。
以下余茜
リ−・ 。
次に、置換若しくは未置換のビニルフェノール構造単位
を有する樹脂について述べる。
を有する樹脂について述べる。
ビニルフェノール構造単位としては次のものが例示され
る。
る。
等が例示される。
また、上記ビニルフェノール構造単位と他の単量体、ビ
ニル単母体とを共重合せしめた共重合体樹脂でもよい。
ニル単母体とを共重合せしめた共重合体樹脂でもよい。
かかるLrllU体(モノマー)は種々選択でき、共重
合体の特性を最適に調整することができる。
合体の特性を最適に調整することができる。
共重含成モノマーとしては、公知のものを使用でき、例
えば酢酸ビニル、プロピオン酸等のビニルエステル、塩
化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、メタク
リロニトリル、スチレン、アクリル酸、メタクリル酸、
種々のアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、エ
チレン、プロピレン、イソブチン、ブタジェン、イソプ
レン、ビニルエーテル、アリールエーテル、アリールエ
ステル、アクリルアミド、メタクリルアミド、マレイン
酸エステル等が例示される。
えば酢酸ビニル、プロピオン酸等のビニルエステル、塩
化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、メタク
リロニトリル、スチレン、アクリル酸、メタクリル酸、
種々のアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、エ
チレン、プロピレン、イソブチン、ブタジェン、イソプ
レン、ビニルエーテル、アリールエーテル、アリールエ
ステル、アクリルアミド、メタクリルアミド、マレイン
酸エステル等が例示される。
上記樹脂は乳化重合、溶液重合、懸濁重合、塊状重合等
の重合法により重合される。いずれの方法においても、
必要に応じて分子母調節剤、重合開始剤、モノマーの分
割添加あるいは連結添加などの公知の技術が応用できる
。
の重合法により重合される。いずれの方法においても、
必要に応じて分子母調節剤、重合開始剤、モノマーの分
割添加あるいは連結添加などの公知の技術が応用できる
。
ビニル7 x / −ルー M M A g7f1合電
ビニルフェノール−スチレン共m+物 ビニル71ノール−HEMA共重合物 ビニルフェノール−フェニルマレイミド共X+物上記に
おいて、ビニルフェノール構造単位のモル比は50%以
上であることが好ましい。
ビニルフェノール−スチレン共m+物 ビニル71ノール−HEMA共重合物 ビニルフェノール−フェニルマレイミド共X+物上記に
おいて、ビニルフェノール構造単位のモル比は50%以
上であることが好ましい。
具体的な商品名としては、マルカ リンカM(平均分子
ffi 2000〜30000 )マリ力 リンカMB
(平均分子16000〜7000) 、マルカ リンカ
Mの各種誘導体、マリ力 リンカCMM、マルカ リン
カC3T−6、マルカ リンカCTS−7.マルカ リ
ンカC3T−9、マルカ リンカCHM。
ffi 2000〜30000 )マリ力 リンカMB
(平均分子16000〜7000) 、マルカ リンカ
Mの各種誘導体、マリ力 リンカCMM、マルカ リン
カC3T−6、マルカ リンカCTS−7.マルカ リ
ンカC3T−9、マルカ リンカCHM。
マルカ リンカCM1、マルカ リンカCM A −2
(以上、丸善石油化学社製)等を例示できる。
(以上、丸善石油化学社製)等を例示できる。
本発明において使用する有機顔料としては、例えば、赤
、(400〜5000m)、緑(500〜600nll
l )、青く600〜700rv )などの各色の透過
率の高いものであり、耐熱性があり、ブリードを生じな
いものが望ましい。
、(400〜5000m)、緑(500〜600nll
l )、青く600〜700rv )などの各色の透過
率の高いものであり、耐熱性があり、ブリードを生じな
いものが望ましい。
青色の有81IIFi料としては、例えばε型銅フタロ
シアニンブルーおよびビクトリアブルーレーキ(C,1
,Piuent Blue 1 ) 01種もシく4
2種を主成分とし、メチルバイオレットレーキ(C,1
,Pigment Violet 3)およびジオキ
サジンバイオレット(C01,PigmentV 1o
le[1)の1種もしくは2種を分光特性調整剤として
用いたものなどが挙げられる。なお、ε型鋼フタロシア
ニンブルーは特開昭52−(i301号公報などによっ
て公知である赤味の強い鮮明な青色顔料であり、〃1え
ばし1onol 31ue E (東洋インキ製造(株
、商標名)として入手可能である。
シアニンブルーおよびビクトリアブルーレーキ(C,1
,Piuent Blue 1 ) 01種もシく4
2種を主成分とし、メチルバイオレットレーキ(C,1
,Pigment Violet 3)およびジオキ
サジンバイオレット(C01,PigmentV 1o
le[1)の1種もしくは2種を分光特性調整剤として
用いたものなどが挙げられる。なお、ε型鋼フタロシア
ニンブルーは特開昭52−(i301号公報などによっ
て公知である赤味の強い鮮明な青色顔料であり、〃1え
ばし1onol 31ue E (東洋インキ製造(株
、商標名)として入手可能である。
最も汎用されているα、βなどの各種結晶形のフタロシ
アニン顔料の分光特性(可視吸収スペクトル)は、その
主波長が490〜500nmであり、ε型銅フタロシア
ニンブルーでは470〜480rvと短波長側にあり、
また、ビクトリアブルーレーキは主波長が430nmで
ある。
アニン顔料の分光特性(可視吸収スペクトル)は、その
主波長が490〜500nmであり、ε型銅フタロシア
ニンブルーでは470〜480rvと短波長側にあり、
また、ビクトリアブルーレーキは主波長が430nmで
ある。
また、赤色の有!l顔料としては例えばナフトール系橙
色顔料(C,1,Pigment Orange24
〉、ピラゾロン系橙色顔料(C,[。
色顔料(C,1,Pigment Orange24
〉、ピラゾロン系橙色顔料(C,[。
P igment Q range 13 、同1)
およびジスアゾ系橙色顔料(C,1,Piu+ent
Orange 13)から選ばれる1種もしくは2種
以上を主成分とし、必要に応じてナフトール系赤色顔料
(C,I。
およびジスアゾ系橙色顔料(C,1,Piu+ent
Orange 13)から選ばれる1種もしくは2種
以上を主成分とし、必要に応じてナフトール系赤色顔料
(C,I。
p igg+ent Red 22 、同8.同5
.同4.同3゜同31.同112.同114)およびピ
ラゾロン系赤色顔料(C0I 、pigment R
ed 38)から選ばれる1種もしくは2種以上を分
光特性調整剤として用いたものなどが挙げられる。
.同4.同3゜同31.同112.同114)およびピ
ラゾロン系赤色顔料(C0I 、pigment R
ed 38)から選ばれる1種もしくは2種以上を分
光特性調整剤として用いたものなどが挙げられる。
また、緑色の有機顔料としては、例えばポリクロロポリ
ブロモフタロシアニングリーン(C,I。
ブロモフタロシアニングリーン(C,I。
P ioment G reen 38 )を主成
分とし、ジスアゾ系黄色顔料(C,1,Pigment
Yellow 12゜同13.同14)およびイソ
インドリノン系黄色顔料(C,I 、pigment
Yellow 109 、同100)の群から選ばれ
る1種もしくは2種以上を分光特性調整剤として用いた
ものなどが挙げられる。緑色顔料として汎用されている
ポリクロロフタロシアニングリーン(C,I 、 Pi
glent Qreen37)は主波長が510nm
にあり、一方ポリクロロポリブロモフタロシアニングリ
ーンのそれは535niにある。
分とし、ジスアゾ系黄色顔料(C,1,Pigment
Yellow 12゜同13.同14)およびイソ
インドリノン系黄色顔料(C,I 、pigment
Yellow 109 、同100)の群から選ばれ
る1種もしくは2種以上を分光特性調整剤として用いた
ものなどが挙げられる。緑色顔料として汎用されている
ポリクロロフタロシアニングリーン(C,I 、 Pi
glent Qreen37)は主波長が510nm
にあり、一方ポリクロロポリブロモフタロシアニングリ
ーンのそれは535niにある。
電荷ブロッキング層の膜厚は0.1〜5μmとするのが
好ましく、0.5〜2μmの範囲内とするのが更に好ま
しい。また、電荷ブロツキング弓中(こJ3いて、有殿
顔料とバインダー物質との含有G比(重量比)は(1:
10)〜(10:1)の範囲内とするのが好ましい。
好ましく、0.5〜2μmの範囲内とするのが更に好ま
しい。また、電荷ブロツキング弓中(こJ3いて、有殿
顔料とバインダー物質との含有G比(重量比)は(1:
10)〜(10:1)の範囲内とするのが好ましい。
キャリア発生層において、キャリア発生物質のバインダ
ー物質に対する含有量比は3/1〜1/10とするのが
好ましく、2/1〜1/3とすると更に好ましい。
ー物質に対する含有量比は3/1〜1/10とするのが
好ましく、2/1〜1/3とすると更に好ましい。
キロリア発生層の膜厚は0.1μm以上とすることが好
ましく、0.2〜5μmの範囲内とすることがより好ま
しい。
ましく、0.2〜5μmの範囲内とすることがより好ま
しい。
キャリア輸送層のS厚は10μ1以上であることが好ま
しい。
しい。
感光層全体の膜厚は1o〜40μmの範囲内とするのが
好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好まし
い。この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いために帯
電電位が小さくなり、耐刷性も低下する傾向がある。ま
た、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留電位
は上昇する上に、上記したキレリア発生居が厚すぎる場
合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がたくな
る傾向が現れ、このため繰り返し使用時には残留電位の
上昇が起こり易くなる。
好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好まし
い。この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いために帯
電電位が小さくなり、耐刷性も低下する傾向がある。ま
た、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留電位
は上昇する上に、上記したキレリア発生居が厚すぎる場
合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がたくな
る傾向が現れ、このため繰り返し使用時には残留電位の
上昇が起こり易くなる。
キャリア発生層中にキャリア輸送物質をも含有せしめる
ことも可能である。
ことも可能である。
粒状のキャリア発生物質を分散せしめて感光層を形成す
る場合においては、当該キャリア発生物質は2μ偽以下
、好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.5μmの
平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。
る場合においては、当該キャリア発生物質は2μ偽以下
、好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.5μmの
平均粒径の粉粒体とされるのが好ましい。
また、キャリア輸送層において、キャリア輸送物質はバ
インダー物質との相溶性に優れたものが好ましい。これ
により、バインダー物質に対する俗を多くしても濁り及
び不透明化を生ずることがないので、バインダー物質と
の混合割合を非常に広くとることかでき、また、相溶性
が優れていることから電荷発生層が均一、かつ安定であ
り、結果的に感度、帯電特性がより良好となり、更に高
感度で鮮明な画像を形成できる感光体をうろことができ
る。更に、特に反復転写式電子写真に用いたとき、疲労
劣化を生ずることが少ないという作用効果を奏すること
ができる。
インダー物質との相溶性に優れたものが好ましい。これ
により、バインダー物質に対する俗を多くしても濁り及
び不透明化を生ずることがないので、バインダー物質と
の混合割合を非常に広くとることかでき、また、相溶性
が優れていることから電荷発生層が均一、かつ安定であ
り、結果的に感度、帯電特性がより良好となり、更に高
感度で鮮明な画像を形成できる感光体をうろことができ
る。更に、特に反復転写式電子写真に用いたとき、疲労
劣化を生ずることが少ないという作用効果を奏すること
ができる。
本発明においては、フタロシアニン化合物と共に、他の
キャリア発生物質の一種又は二種以上を併用することも
可能である。併用できるキレ9フ発生物質としては、ア
ントラキノン顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、ス
クアリック酸メチン顔料、シアニン色素、アズレニウム
化合物等が挙げられる。
キャリア発生物質の一種又は二種以上を併用することも
可能である。併用できるキレ9フ発生物質としては、ア
ントラキノン顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、ス
クアリック酸メチン顔料、シアニン色素、アズレニウム
化合物等が挙げられる。
本発明で使用するキャリア輸送物質は、カルバゾールM
8体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体
、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体
、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、
スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体
、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベン
ズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラ
ン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミ
ノスチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェ
ニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−
9−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種以
上であってよい。
8体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体
、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体
、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、
スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体
、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベン
ズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラ
ン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミ
ノスチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェ
ニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−
9−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種以
上であってよい。
かかるキャリア輸送物質の具体的化合物例は特願昭61
−195881号明細書に記載されている。以下にその
一般式を掲げる。
−195881号明細書に記載されている。以下にその
一般式を掲げる。
キャリア輸送物質としての次の一般式[I]又は[IN
のスチリル化合物が使用可能である。
のスチリル化合物が使用可能である。
以下余白
一2ニ )
−綴代[■] :
pl
(但、この−綴代中、
R1、R2:置換若しくは未置換のアルキル基、アリー
ル基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ
基、置換アミLL水酸基、ハロゲン原子、アリール基を
用いる。
ル基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ
基、置換アミLL水酸基、ハロゲン原子、アリール基を
用いる。
API 、 Ar2 :置換若しくは未置換のアリール
基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基
、置換アミノ基、水M塁、ハロゲン原子、アリール基を
用いる。
基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基
、置換アミノ基、水M塁、ハロゲン原子、アリール基を
用いる。
R3,R4:置換若しくは未置換のアリール基、水素原
子を表わし、i IA基としてはアルキル基、アルコキ
シ基、置換アミノ基、水MM、ハaゲン原子、アリール
基を用いる。) 一般式[■]: (但、この−綴代中、 R5:置換若しくは未置換のアリール基、R6:水素原
子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アミン基、置換アミノ基、水酸基、 R7、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは
未置換の複素環基を表わす。)また、キャリア輸送物質
として次の一般式%式%] のヒドラゾン化合物も使用可能である。
子を表わし、i IA基としてはアルキル基、アルコキ
シ基、置換アミノ基、水MM、ハaゲン原子、アリール
基を用いる。) 一般式[■]: (但、この−綴代中、 R5:置換若しくは未置換のアリール基、R6:水素原
子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アミン基、置換アミノ基、水酸基、 R7、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは
未置換の複素環基を表わす。)また、キャリア輸送物質
として次の一般式%式%] のヒドラゾン化合物も使用可能である。
−綴代[■]:
(但、この−綴代中、
R8及びR9:それぞれ水素原子又はハロゲン原子、
R10及びR11:それぞれ置換若しくは未置換のアリ
ール基、 Ar3 :置換若しくは未置換のアリーレン基を表わす
。) (但、この−綴代中、 R12:置換若しくは未置換のアリール基、置換若しく
は未置換のカルバゾリル基、又は置換若しくは未置換の
複素環基を表し、 R+3.RM及びR15:水素原子、アルキル基、置換
若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換
のアラルキル基を表す。) −綴代[IVa]: (但、この−綴代中、 R16:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチル基、 R17:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基、 R18:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基を示す。) 一般式[TVb ] : (但、この−綴代中、R19は置換若しくは未置換のナ
フチル基;R20は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又はアリールW 、 R21は水素原子、
アルキル基又はアルコキシ14 、 R22及びR23
は置換若しくは未置換のアルキル基、アラルキル基又は
アリール基からなる互いに同一の若しくは異なる基を示
す。) 一般式[V]: に″′ (但、この−綴代中、 R24:置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素EM基、 R25:水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは未置換のアリール基、Q:水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、置換アミLLアルコキシ基又
はシアノ基、S:0又は1の整数を表ず、) また、キャリア輸送物質として、次の一般式[VT]の
ピラゾリン化合物も使用可能である。
ール基、 Ar3 :置換若しくは未置換のアリーレン基を表わす
。) (但、この−綴代中、 R12:置換若しくは未置換のアリール基、置換若しく
は未置換のカルバゾリル基、又は置換若しくは未置換の
複素環基を表し、 R+3.RM及びR15:水素原子、アルキル基、置換
若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換
のアラルキル基を表す。) −綴代[IVa]: (但、この−綴代中、 R16:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチル基、 R17:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基、 R18:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基を示す。) 一般式[TVb ] : (但、この−綴代中、R19は置換若しくは未置換のナ
フチル基;R20は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又はアリールW 、 R21は水素原子、
アルキル基又はアルコキシ14 、 R22及びR23
は置換若しくは未置換のアルキル基、アラルキル基又は
アリール基からなる互いに同一の若しくは異なる基を示
す。) 一般式[V]: に″′ (但、この−綴代中、 R24:置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素EM基、 R25:水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは未置換のアリール基、Q:水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、置換アミLLアルコキシ基又
はシアノ基、S:0又は1の整数を表ず、) また、キャリア輸送物質として、次の一般式[VT]の
ピラゾリン化合物も使用可能である。
−綴代[■1:
HR2S
I
(但、この−綴代中、
l:O又は1、
R26及びR27:−換若しくは未置換のアリール基、
R28:置換若しくは未置換のアリール基、若しくは複
素環基、 R29及びR30:水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは未置換のアリール基若しくは
アラルキル基(但、R29及びR30は共に水素原子で
あることはなく、また前記fが0のときはR29は水素
原子ではない。)]更に、次の一般式[■]のアミン誘
導体もキャリア輸送物質として使用できる。
素環基、 R29及びR30:水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは未置換のアリール基若しくは
アラルキル基(但、R29及びR30は共に水素原子で
あることはなく、また前記fが0のときはR29は水素
原子ではない。)]更に、次の一般式[■]のアミン誘
導体もキャリア輸送物質として使用できる。
一般式[■]:
Ar’
\
(但、この−綴代中、
Ar4.Ar5:fl置換若くは未置換のフェニル基を
表し、置換基どしてはハロゲン原子、アルキル基、アル
ケニル基、ニトロ基、アルコキシ基を用いる。
表し、置換基どしてはハロゲン原子、アルキル基、アル
ケニル基、ニトロ基、アルコキシ基を用いる。
△1゛6:置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フルオレニル基、複素1M基を表し
、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン
原子、水酸基、アリールオキシ基、アリール基、アミノ
基、二1・口塞、ピペリジノ基、モルホリノ基、ナフチ
ル基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。但、置
換アミノ基の置換基としてアシル基、アルキル基、アリ
ール基、アラルキル基を用いる。) 更に、次の一般式[■]の化合物もキせリア輸送物質と
して使用できる。
基、アントリル基、フルオレニル基、複素1M基を表し
、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン
原子、水酸基、アリールオキシ基、アリール基、アミノ
基、二1・口塞、ピペリジノ基、モルホリノ基、ナフチ
ル基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。但、置
換アミノ基の置換基としてアシル基、アルキル基、アリ
ール基、アラルキル基を用いる。) 更に、次の一般式[■]の化合物もキせリア輸送物質と
して使用できる。
一般式[■]:
(但、この−綴代中、
Ar7 :置換又は未置換のアリーレン基を表し、R3
1,R32,R33及びR31:置換若しくは未置換の
アルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は置
換若しくは未置換のアラルキル基を表す。) 更に、次の一般式[■]の化合物もキャリア輸送物質と
して使用できる。
1,R32,R33及びR31:置換若しくは未置換の
アルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又は置
換若しくは未置換のアラルキル基を表す。) 更に、次の一般式[■]の化合物もキャリア輸送物質と
して使用できる。
一般式[■]:
(但、この−綴代中、R35、R36、R37及びR3
8は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
ベンジル基又はアラルキル基、R39及びR40は、そ
れぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数1〜
40のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基(但
、R39とR40どが共同して炭素原子数3〜10の飽
和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。)R
4+、R42、R43及びR44は、それぞれ水素原子
、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換
のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、アラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アル
ギルアミノ基又はアリールアミノ基である。] キャリア輸送層、キャリア発生層中に酸化防止剤を含有
せしめることができる。これにより放電で発生するオゾ
ンの影響を抑制でき、繰り返し使用時の残留電位1昇や
帯電電位の低下を防止できる。
8は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
ベンジル基又はアラルキル基、R39及びR40は、そ
れぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数1〜
40のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基(但
、R39とR40どが共同して炭素原子数3〜10の飽
和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。)R
4+、R42、R43及びR44は、それぞれ水素原子
、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換
のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、アラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アル
ギルアミノ基又はアリールアミノ基である。] キャリア輸送層、キャリア発生層中に酸化防止剤を含有
せしめることができる。これにより放電で発生するオゾ
ンの影響を抑制でき、繰り返し使用時の残留電位1昇や
帯電電位の低下を防止できる。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダー
ドアミン、バラフェニレンジアミン、アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン
及びそれらの誘導体、fi穀硫黄化合物、有機燐化合物
等が挙げられる。
ドアミン、バラフェニレンジアミン、アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン
及びそれらの誘導体、fi穀硫黄化合物、有機燐化合物
等が挙げられる。
これらの具体的化合物としては、特願昭61−1628
66号、同61−188975号、同61−19587
8号、同61−157644号、同61−195879
号、同61−162867号、同61−204469号
、同61−217493号、同61−217492号及
び同61−221541号に記載がある。
66号、同61−188975号、同61−19587
8号、同61−157644号、同61−195879
号、同61−162867号、同61−204469号
、同61−217493号、同61−217492号及
び同61−221541号に記載がある。
感光層中に高分子有様半導体を含有せしめることもでき
る。こうした高分子有様半導体のうちポリ−N−ビニル
カルバゾール又はその誘導体が効果が大であり、好まし
く用いられる。かかるポリーN−ビニルカルバゾール誘
導体とは、その繰り返し単位における全部又は一部のカ
ルバゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基、二I
・口塞、アミノ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によ
って置換されたものである。
る。こうした高分子有様半導体のうちポリ−N−ビニル
カルバゾール又はその誘導体が効果が大であり、好まし
く用いられる。かかるポリーN−ビニルカルバゾール誘
導体とは、その繰り返し単位における全部又は一部のカ
ルバゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基、二I
・口塞、アミノ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によ
って置換されたものである。
また、感光層内に感度の向上、残留電位ないし反復使用
時の疲労低減等を目的として、少なくとも1種の電子受
容性物質を含有せしめることができる。
時の疲労低減等を目的として、少なくとも1種の電子受
容性物質を含有せしめることができる。
本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質としては、
例えば無水こは<酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、
4−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、0−ジニトロベンゼン、−一ジニトロベンゼン
、1.3.5−hジニトロベンゼン、バラニトロベンゾ
ニ]−リル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド
、クロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、
ジクロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、
ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9
−フルオレニリデン−[ジシアノメチレンマロノジニト
リルコ、ポリニトロ−9−フルオレニリデン−[ジシア
ノメチレンマロノジニ!〜リル]、ピクリン酸、0−ニ
トロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3,5−ジニトロ
安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−二トロサリチ
ル酸、3.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリッ
ト酸、その他の電子親和力の大きい化合物の一種又は二
種以上を挙げることができる。これらのうち、フルオレ
ノン系、キノン系や、Cに、CN、NO2等の電子吸引
性の置換基のあるベンゼン誘導体が特によい。
例えば無水こは<酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、
4−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、0−ジニトロベンゼン、−一ジニトロベンゼン
、1.3.5−hジニトロベンゼン、バラニトロベンゾ
ニ]−リル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド
、クロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、
ジクロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、
ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9
−フルオレニリデン−[ジシアノメチレンマロノジニト
リルコ、ポリニトロ−9−フルオレニリデン−[ジシア
ノメチレンマロノジニ!〜リル]、ピクリン酸、0−ニ
トロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3,5−ジニトロ
安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−二トロサリチ
ル酸、3.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリッ
ト酸、その他の電子親和力の大きい化合物の一種又は二
種以上を挙げることができる。これらのうち、フルオレ
ノン系、キノン系や、Cに、CN、NO2等の電子吸引
性の置換基のあるベンゼン誘導体が特によい。
また更に表面改質剤としてシリコーンオイル、フッ素系
界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性向上剤とし
てアンモニウム化合物が含有されていでもよい。
界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性向上剤とし
てアンモニウム化合物が含有されていでもよい。
更に紫外線吸収剤を用いてもよい。好ましい紫外線吸収
剤としては、安息香酸、スチルベン化合物等及びその誘
導体、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物、トリ
アジン化合物、クマリン化合物、オキサジアゾール化合
物、チアゾール化合物及びその誘導体等の含窒素化合物
類が用いられる。
剤としては、安息香酸、スチルベン化合物等及びその誘
導体、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物、トリ
アジン化合物、クマリン化合物、オキサジアゾール化合
物、チアゾール化合物及びその誘導体等の含窒素化合物
類が用いられる。
感光体の構成層に使用可能なバインダ樹脂としては、例
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン等の付加重合型樹脂、
重付加型樹脂、重縮合型樹脂並びにこれらの繰り返し単
位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体樹脂等の絶縁性樹脂、スチレン−ブ
タジェン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリロニト
リル共重合体樹脂等、更にはN−ビニルカルバゾール等
の高分子有様半導体を挙げることができる。
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、メラミン樹脂、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン等の付加重合型樹脂、
重付加型樹脂、重縮合型樹脂並びにこれらの繰り返し単
位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体樹脂等の絶縁性樹脂、スチレン−ブ
タジェン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリロニト
リル共重合体樹脂等、更にはN−ビニルカルバゾール等
の高分子有様半導体を挙げることができる。
上記のバインダーは、単独であるいは二種以上の混合物
として用いることができる。
として用いることができる。
必要に応じて設けられる保護層のバインダーとしては、
体積抵抗108Ω・cm以上、好ましくは1QIoΩ・
cm以上、より好ましくは1013Ω−C01以上の透
明樹脂が用いられる。又前記バインダーは光又は熱によ
り硬化する樹脂を用いてもよく、かかる光又は熱により
硬化する樹脂としては、例えば熱硬化性アクリル樹脂、
エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性桂皮M
64脂等又はこれらの共重合若しくは縮合樹脂があり、
その他電子写冥材料に供される光又は熱硬化性樹脂の全
てが利用される。又前記保護層中には加工性及び物性の
改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要によ
り熱可塑性樹脂を5011’%未満含有せしめることが
できる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロ
ピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート
樹脂、又はこれらの共重合樹脂、ポリ−N−ビニルカル
バゾール等の高分子有様半導体、その他電子写真材料に
供される熱可塑性樹脂の全てが利用される。
体積抵抗108Ω・cm以上、好ましくは1QIoΩ・
cm以上、より好ましくは1013Ω−C01以上の透
明樹脂が用いられる。又前記バインダーは光又は熱によ
り硬化する樹脂を用いてもよく、かかる光又は熱により
硬化する樹脂としては、例えば熱硬化性アクリル樹脂、
エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性桂皮M
64脂等又はこれらの共重合若しくは縮合樹脂があり、
その他電子写冥材料に供される光又は熱硬化性樹脂の全
てが利用される。又前記保護層中には加工性及び物性の
改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要によ
り熱可塑性樹脂を5011’%未満含有せしめることが
できる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロ
ピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート
樹脂、又はこれらの共重合樹脂、ポリ−N−ビニルカル
バゾール等の高分子有様半導体、その他電子写真材料に
供される熱可塑性樹脂の全てが利用される。
キャリア発生層は、次のような方法によって設けること
ができる。
ができる。
(イ)キャリア発生物質等にバインダー、溶媒を加えて
混合溶解した溶液を塗布する方法。
混合溶解した溶液を塗布する方法。
(ロ)キャリア発生物質等をボールミル、ホモミキサー
、サンドミル、超音波分散機、アトライタ等によって分
散媒中で微細粒子とし、バインダーを加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。
、サンドミル、超音波分散機、アトライタ等によって分
散媒中で微細粒子とし、バインダーを加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。
これらの方法において超音波の作用下に粒子を分散させ
ると、均一分散が可能になる。
ると、均一分散が可能になる。
また、キャリア輸送層は、既述のキャリア輸送物質を単
独であるいは既述したバインダー樹脂と共に溶解、分散
せしめたものを塗布、乾燥して形成することができる。
独であるいは既述したバインダー樹脂と共に溶解、分散
せしめたものを塗布、乾燥して形成することができる。
この場合、キレリア発生層中にキャリア輸送物質を含有
せしめる場合には、上記(イ)の溶液、(ロ)の分散液
中に予めキャリア輸送物質を溶解又は分散せしめる方法
、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加す°
る方法がある。この場合は、キャリア輸送物質の添加量
をバインダー100重1部に対して1〜100重量部の
範囲内どするのが好ましい。また、キャリア輸送物質を
含有する溶液をキャリア発生層上に塗布し、キャリア発
生層を膨潤あるいは一部溶解せしめてキャリア輸送物質
をキャリア発生層内に拡散せしめる方法がある。この方
法を採用した場合は、上述のようにキャリア発生層中に
キレリア輸送物質を添加しておく必要はないが、上述の
三方法を同時に行うことも差し支えない。
せしめる場合には、上記(イ)の溶液、(ロ)の分散液
中に予めキャリア輸送物質を溶解又は分散せしめる方法
、即ちキャリア発生層中にキャリア輸送物質を添加す°
る方法がある。この場合は、キャリア輸送物質の添加量
をバインダー100重1部に対して1〜100重量部の
範囲内どするのが好ましい。また、キャリア輸送物質を
含有する溶液をキャリア発生層上に塗布し、キャリア発
生層を膨潤あるいは一部溶解せしめてキャリア輸送物質
をキャリア発生層内に拡散せしめる方法がある。この方
法を採用した場合は、上述のようにキャリア発生層中に
キレリア輸送物質を添加しておく必要はないが、上述の
三方法を同時に行うことも差し支えない。
層の形成に使用される溶剤あるいは分散媒としては、n
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチレンジアミン、N、N−ジメチルホルムアミド、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1,2−ジ
クロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパツー
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド等
を挙げることができる。
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチレンジアミン、N、N−ジメチルホルムアミド、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1,2−ジ
クロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパツー
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド等
を挙げることができる。
上記感光層、下引き層、中間層、保護層等は、例えばブ
レード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗布
、スパイラル塗布等により設けることができる。
レード塗布、デイツプ塗布、スプレー塗布、ロール塗布
、スパイラル塗布等により設けることができる。
なお、導電性基体は金属板、金属ドラム又は導電性ポリ
マー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、プラスチ
ックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる。
マー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアルミ
ニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、プラスチ
ックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられる。
次に、本発明の好ましい実施の態様について説明する。
第2図は本発明の画像形成方法を実施する記録装躍の一
例を示す構成概要図、第3図は像露光のだめのレーザー
ビームスキpすのJl要13成図、第4図は現象器の一
例を示す部分断面図、第5図は本発明の画像形成方法の
実廠フローチ+7−1−である。
例を示す構成概要図、第3図は像露光のだめのレーザー
ビームスキpすのJl要13成図、第4図は現象器の一
例を示す部分断面図、第5図は本発明の画像形成方法の
実廠フローチ+7−1−である。
第2図の装置において、10は上述した有刷光導電性物
買の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、9は像担持体10の表面を一様帯電する帯Ti器
、11は像露光、12は現像器である。13は像担持体
10上にトナー酸が形成された画像を記録体Pに転写し
易くするために必要に応じて設けられる転写前露光ラン
プ、14は転写器、15は分離用コロナ放電器、18は
記録体Pに転写されたトナー像を定着させる定着器であ
る。16は除電ランプと除電用コロナ放電器の一方又は
両者の組合せからなる除電器、17は像担持体10の画
像を転写した後の表面の残留トナーを除去するためのク
リーニングブレードやファーブラシを有するクリーニン
グ装置である。像露光を半導体レーザーで行う場合、第
2図の記録装置のようにドラム状の像担持体10を用い
るものにあっては、像露光11は、第3図に示したよう
なレーザービームスキャナによるものが好ましい。
買の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、9は像担持体10の表面を一様帯電する帯Ti器
、11は像露光、12は現像器である。13は像担持体
10上にトナー酸が形成された画像を記録体Pに転写し
易くするために必要に応じて設けられる転写前露光ラン
プ、14は転写器、15は分離用コロナ放電器、18は
記録体Pに転写されたトナー像を定着させる定着器であ
る。16は除電ランプと除電用コロナ放電器の一方又は
両者の組合せからなる除電器、17は像担持体10の画
像を転写した後の表面の残留トナーを除去するためのク
リーニングブレードやファーブラシを有するクリーニン
グ装置である。像露光を半導体レーザーで行う場合、第
2図の記録装置のようにドラム状の像担持体10を用い
るものにあっては、像露光11は、第3図に示したよう
なレーザービームスキャナによるものが好ましい。
第3図のレーザービームスキャナの動作を次に述べる。
半導体レーザー19で発生されたレーザービームは、駆
動モータ22により回転されるポリゴンミラー23によ
り回転走査され、f−θレンズ24を経て反0AIN
26により光路を曲げられて像担持体10の表面上に投
射され輝線27を形成する。28はビーム走査開始を検
出するためのインデックスセンサで、20,25は倒れ
色補正用のシリンドリカルレンズである。21a 、2
1b、21cは反gAllでビーム走査光路及びビーム
検知の光路を形成する。
動モータ22により回転されるポリゴンミラー23によ
り回転走査され、f−θレンズ24を経て反0AIN
26により光路を曲げられて像担持体10の表面上に投
射され輝線27を形成する。28はビーム走査開始を検
出するためのインデックスセンサで、20,25は倒れ
色補正用のシリンドリカルレンズである。21a 、2
1b、21cは反gAllでビーム走査光路及びビーム
検知の光路を形成する。
走査が開始されるとビームがインデックスセンサ28に
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器9により予め一様に帯電されている像担持体10上
を走査する。レーザービーム29による主走査と像担持
体10の回転による副走査によりドラム表面に潜像が形
成されてゆく。
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器9により予め一様に帯電されている像担持体10上
を走査する。レーザービーム29による主走査と像担持
体10の回転による副走査によりドラム表面に潜像が形
成されてゆく。
また、像担持体がベルト状のように平面状悪をとり得る
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。
現像器12としては第4図に示したような構造のものが
好ましく用いられる。第4図において現像剤りは磁石体
31が矢印F方向、スリーブ30が矢印G方向に回転す
ることにより矢印G方向に搬送される。現像剤りは、搬
送途中で穂立規制ブレード32によりその厚さtが規制
される。穂立規制ブレード32は弾性金属板製でスリー
ブ30の表面を押圧し、搬送される現像剤の厚さを制御
する。現像剤溜り35内には現象剤りの攪拌が十分に行
われるよう攪拌スクリュー33が設けられており、現像
剤溜り35内の現象剤りが消費された時には、トナー供
給ローラ34が回転することによりトナーホッパー36
からトナーTが補給される。そして、スリーブ30に現
像バイアスを印加する直流電源37及び保護抵抗38が
直列に接続されている。また、スリーブ30と像担持体
10とは間隔dを隔てて対向配列され、現像領域Eで現
像剤が像担持体10に対し接触し、t>dとなっている
。この際、現像は、いわゆる非接触条件(t <d )
で行ってもよい。
好ましく用いられる。第4図において現像剤りは磁石体
31が矢印F方向、スリーブ30が矢印G方向に回転す
ることにより矢印G方向に搬送される。現像剤りは、搬
送途中で穂立規制ブレード32によりその厚さtが規制
される。穂立規制ブレード32は弾性金属板製でスリー
ブ30の表面を押圧し、搬送される現像剤の厚さを制御
する。現像剤溜り35内には現象剤りの攪拌が十分に行
われるよう攪拌スクリュー33が設けられており、現像
剤溜り35内の現象剤りが消費された時には、トナー供
給ローラ34が回転することによりトナーホッパー36
からトナーTが補給される。そして、スリーブ30に現
像バイアスを印加する直流電源37及び保護抵抗38が
直列に接続されている。また、スリーブ30と像担持体
10とは間隔dを隔てて対向配列され、現像領域Eで現
像剤が像担持体10に対し接触し、t>dとなっている
。この際、現像は、いわゆる非接触条件(t <d )
で行ってもよい。
図は現像スリーブ30と磁石体31がそれぞれ矢印G、
F方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ30が固定であっても、磁石体31が固定であ
っても、或いは現像スリーブ30と磁石体31が同方向
に回転するようなものであってもよい。磁石体31を固
定とする場合は、通常、像担持体10に対向する磁極の
磁束密度を他の磁極の磁束密度よりも大きくするために
、磁化を強くしたり、そこに同極或いは異極の2個の磁
極を近接させて設けたりすることが行われる。
F方向に回転するものであることを示しているが、現像
スリーブ30が固定であっても、磁石体31が固定であ
っても、或いは現像スリーブ30と磁石体31が同方向
に回転するようなものであってもよい。磁石体31を固
定とする場合は、通常、像担持体10に対向する磁極の
磁束密度を他の磁極の磁束密度よりも大きくするために
、磁化を強くしたり、そこに同極或いは異極の2個の磁
極を近接させて設けたりすることが行われる。
上記した装置において、本発明の画像形成方法に基づい
て、静電潜像のIVHIが400〜900Vとなるよう
に帯電せしめ、かつ反転現像時のl VHl −l V
at I−0〜200VトTル。但シ、ocは像担持体
10に対向する現像剤搬送担体としてのスリーブ3oに
印加する直流バイアス電圧である。
て、静電潜像のIVHIが400〜900Vとなるよう
に帯電せしめ、かつ反転現像時のl VHl −l V
at I−0〜200VトTル。但シ、ocは像担持体
10に対向する現像剤搬送担体としてのスリーブ3oに
印加する直流バイアス電圧である。
直流バイアス電圧には交流バイアス電圧を重曇づること
か好ましい。この際、交流バイアス電圧の実効値は05
〜4KVが好ましく、周波数は0.1KHz〜1きA
l−1zが好ましい。
か好ましい。この際、交流バイアス電圧の実効値は05
〜4KVが好ましく、周波数は0.1KHz〜1きA
l−1zが好ましい。
以上のような記録装置によって、第5図に示したような
本発明の画像形成方法を実茄することかできる。
本発明の画像形成方法を実茄することかできる。
第5図は、像露光部が背泉部よりも低電位の静電像とな
る静電象形成法によって静電像が形成され、現象が静電
像に背景部電位と同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現像の例を示してい
る。
る静電象形成法によって静電像が形成され、現象が静電
像に背景部電位と同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる、本発明の反転現像の例を示してい
る。
第2図の記録装置を用いた場合の第5図の例について説
明する。
明する。
最初に、除電器16で除電され、クリーニング装置17
でクリーニングされて、電位がOとなっている初期状態
の懺担持体10の表面に、帯電器9によって一様に帯電
を施し、その帯電面に像露光11を投影して静電像部の
電位が略Oとなる像露光を行い、得られた静電像を現像
器12(トナーT)によって現像する。
でクリーニングされて、電位がOとなっている初期状態
の懺担持体10の表面に、帯電器9によって一様に帯電
を施し、その帯電面に像露光11を投影して静電像部の
電位が略Oとなる像露光を行い、得られた静電像を現像
器12(トナーT)によって現像する。
なお、本発明の感光体および画像形成方法は、ハロゲン
ランプ、タングステンランプ、LED(発光ダイオード
)、ヘリウム−ネオン、アルゴン、ヘリウム−カドミウ
ム等の気体レーザー、半導体レーザー等の各種光源に対
し適用できる。
ランプ、タングステンランプ、LED(発光ダイオード
)、ヘリウム−ネオン、アルゴン、ヘリウム−カドミウ
ム等の気体レーザー、半導体レーザー等の各種光源に対
し適用できる。
本発明の感光体および画像形成方法は、電子写真複写機
、プリンタ等の多種多様の用途を有するものである。
、プリンタ等の多種多様の用途を有するものである。
[実施例]
以下、本発明を実施例について更に詳細に説明するが、
これにより本発明は限定されるものではない。
これにより本発明は限定されるものではない。
くキせリア発生層の塗布性の評価〉
(実施例1・比較例1)
まず以下のようにして電荷ブロッキング層(又は下引層
)を形成した。
)を形成した。
表1に示ず所定のバインダー樹脂100gを溶媒100
0 v2に溶解させた溶液に表1に示す物質30gを加
えてボールミルで24時間分散せしめて得られた電荷ブ
ロッキング層(又9よ下引層)用¥面々を用い、レーザ
ープリンターrLIPs−10PLUSJ (コニカ
社製)用アルミニウム素管(径60IilIl)上にデ
イツプ塗布し、膜厚的2μmの電荷ブロッキング層(又
は下引層)を形成した。
0 v2に溶解させた溶液に表1に示す物質30gを加
えてボールミルで24時間分散せしめて得られた電荷ブ
ロッキング層(又9よ下引層)用¥面々を用い、レーザ
ープリンターrLIPs−10PLUSJ (コニカ
社製)用アルミニウム素管(径60IilIl)上にデ
イツプ塗布し、膜厚的2μmの電荷ブロッキング層(又
は下引層)を形成した。
つぎに表1に示すキャリア発生物質209をボールミル
にて200rpmで15時間粉砕した後、アクリル樹脂
[ダイヤナールBR−8,5J (三菱レーヨン社製)
20gを1.2−ジクロロエタン1000叙に溶解せし
めた溶液を加えて更に200時間分散しめて得られたキ
レリア発生層用塗布液を前記電荷ブロッキングWi(又
は下引層)上にデイツプ塗布し、キャリア発生層を形成
し、キャリア発生層の塗布性を評価した。
にて200rpmで15時間粉砕した後、アクリル樹脂
[ダイヤナールBR−8,5J (三菱レーヨン社製)
20gを1.2−ジクロロエタン1000叙に溶解せし
めた溶液を加えて更に200時間分散しめて得られたキ
レリア発生層用塗布液を前記電荷ブロッキングWi(又
は下引層)上にデイツプ塗布し、キャリア発生層を形成
し、キャリア発生層の塗布性を評価した。
キャリア発生層の塗布性の良・不良については、キャリ
ア発生層のデイツプ塗布時における塗布液液面の相対的
降下速度(c/s)を0.6 (cl/sec )、1
.2 (cab/5ec)としてキャリア発生層を塗布
したときの100Cf(16m2 )当りのキャリア発
生層の付備を測定し、この値が相対的降下速度1.2(
cm/sec )の場合にも2n+g/df未満の場合
は、塗布不良とした。またキャリア発生層の凝集につい
てはキャリア発生層の濃度ムラの有無を目視により確認
し、凝集がみられる場合、塗布不良とした。
ア発生層のデイツプ塗布時における塗布液液面の相対的
降下速度(c/s)を0.6 (cl/sec )、1
.2 (cab/5ec)としてキャリア発生層を塗布
したときの100Cf(16m2 )当りのキャリア発
生層の付備を測定し、この値が相対的降下速度1.2(
cm/sec )の場合にも2n+g/df未満の場合
は、塗布不良とした。またキャリア発生層の凝集につい
てはキャリア発生層の濃度ムラの有無を目視により確認
し、凝集がみられる場合、塗布不良とした。
結果を表1に示す。
(α1)有聞顧料rK E T Red 305J(
大日本インキ化学工業社製) (α2)有機顔料rKET Red309J(大日本
インキ化学工業社製) (α3)有様顔料rKET Rar1311J(大日
本インキ化学工業社製) (α4)有RM料r K E T Yellow 4
03 J(大日本インキ化学工業社製) (α5)有8N顔料r K E T Yellow
406 J(大日本インキ化学工業社製) (α6)有i顔料rKET Green201J(大
日本インキ化学工業社製) 〈α7)下記構造の有機顔料 (β) 導電性酸化チタン「500W」(6原産業社製
) (γ) カーボンブラック「モーガルし」(キャボット
社製) バインダー(X) ポリ−ロービニルフェノール [マルカ リンカ−MJ (丸善石油化学社裂)バイ
ンダー(Y) P−ビニルフェノール−B−ヒドロキシエチルメタクリ
レート共重合体「マルカ リンカ−〇HMJ (同上) バインダー(Z) ・ 「マルカ リンカ−M」と塩化ビニル−酢酸ビニル−マ
レイン酸共重合体「エスレックMF−10」 (補水化
学工業社製)との4:1混合物バインダー(S) シリコン樹脂r E S −1001N J (信越
化学社製)バインダー(T) ポリビニルブチラール「エスレックBL−IJ(補水化
学工業社製) 溶剤<1) テトラヒドロフラン(THF)CGM(
1) リチウムフタロシアニン50!Iを0℃で600dの濃
硫酸に加え2時間Ij!拝し続けた。この溶液を粒い焼
結されたガラス濾斗で濾過し、4iの氷水の中へ撹拌し
ながら徐々に注入した。生成した塊をメタノールで数回
洗浄し、空気中で乾燥させた後、24時間連続抽出装置
中でアセトン抽出を行ない、空気中で乾燥させて金属を
含まないα型フタロシアニン化合物を得た。このα型フ
タロシアニン化合物30(Jを直径13/ 16インチ
のボールで半分溝たされた内容積900戴の1alJボ
ールミル中に仕込み、約80 rpmで164時間シリ
ングして無金腐フタロシアニン化合物CGM(1)を得
た。
大日本インキ化学工業社製) (α2)有機顔料rKET Red309J(大日本
インキ化学工業社製) (α3)有様顔料rKET Rar1311J(大日
本インキ化学工業社製) (α4)有RM料r K E T Yellow 4
03 J(大日本インキ化学工業社製) (α5)有8N顔料r K E T Yellow
406 J(大日本インキ化学工業社製) (α6)有i顔料rKET Green201J(大
日本インキ化学工業社製) 〈α7)下記構造の有機顔料 (β) 導電性酸化チタン「500W」(6原産業社製
) (γ) カーボンブラック「モーガルし」(キャボット
社製) バインダー(X) ポリ−ロービニルフェノール [マルカ リンカ−MJ (丸善石油化学社裂)バイ
ンダー(Y) P−ビニルフェノール−B−ヒドロキシエチルメタクリ
レート共重合体「マルカ リンカ−〇HMJ (同上) バインダー(Z) ・ 「マルカ リンカ−M」と塩化ビニル−酢酸ビニル−マ
レイン酸共重合体「エスレックMF−10」 (補水化
学工業社製)との4:1混合物バインダー(S) シリコン樹脂r E S −1001N J (信越
化学社製)バインダー(T) ポリビニルブチラール「エスレックBL−IJ(補水化
学工業社製) 溶剤<1) テトラヒドロフラン(THF)CGM(
1) リチウムフタロシアニン50!Iを0℃で600dの濃
硫酸に加え2時間Ij!拝し続けた。この溶液を粒い焼
結されたガラス濾斗で濾過し、4iの氷水の中へ撹拌し
ながら徐々に注入した。生成した塊をメタノールで数回
洗浄し、空気中で乾燥させた後、24時間連続抽出装置
中でアセトン抽出を行ない、空気中で乾燥させて金属を
含まないα型フタロシアニン化合物を得た。このα型フ
タロシアニン化合物30(Jを直径13/ 16インチ
のボールで半分溝たされた内容積900戴の1alJボ
ールミル中に仕込み、約80 rpmで164時間シリ
ングして無金腐フタロシアニン化合物CGM(1)を得
た。
フタロシアニン化合物CGM (1)のxi回折スペク
トルを第8図に示した。
トルを第8図に示した。
CGM(2)
α型無金属フタロシアニン化合物(ICI製モノライト
ファーストプルGS)を、加熱したジメチルホルムアル
デヒドにより3回抽出して精製した。この操作により精
製物はβ型に転移した。次に、このβ型無金属フタロシ
アニン化合物の一部分を濃硫酸に溶解し、この溶液を氷
水中に注いで再沈澱させることにより、α型に転移させ
た。この再沈澱物をアンモニア水、メタノール等で洗浄
後10℃で乾燥した。次に、上記により精製したα型無
金属フタロシアニン化合物を磨砕助剤及び分散剤ととも
にサンドミルに入れ、温度100±20℃で15〜25
時間混練した。この操作により結晶形がτ型に転移した
のを確認後、容器より取り出し、水及びメタノール等で
磨砕助剤及び分散剤を十分除去した後、乾燥して、鮮明
な青味を帯びたτ型態金属フタロシアニン化合物(2>
の青色結晶を得た。
ファーストプルGS)を、加熱したジメチルホルムアル
デヒドにより3回抽出して精製した。この操作により精
製物はβ型に転移した。次に、このβ型無金属フタロシ
アニン化合物の一部分を濃硫酸に溶解し、この溶液を氷
水中に注いで再沈澱させることにより、α型に転移させ
た。この再沈澱物をアンモニア水、メタノール等で洗浄
後10℃で乾燥した。次に、上記により精製したα型無
金属フタロシアニン化合物を磨砕助剤及び分散剤ととも
にサンドミルに入れ、温度100±20℃で15〜25
時間混練した。この操作により結晶形がτ型に転移した
のを確認後、容器より取り出し、水及びメタノール等で
磨砕助剤及び分散剤を十分除去した後、乾燥して、鮮明
な青味を帯びたτ型態金属フタロシアニン化合物(2>
の青色結晶を得た。
このフタロシアニン化合物CGM(2)のxta回折ス
ペクトルを第9図に示した。
ペクトルを第9図に示した。
CGM(3)
α型チタニルフタロシアニン10部と磨砕助剤として食
塩5乃至20部、分散媒として(ポリエチレングリコー
ル)10部をサンドグラインダーに入れ、60℃乃至1
20℃で7乃至15時間磨砕した。この場合、高温でグ
ラインダすると、β型結晶形を示し易くなり、また、分
解し易くなる。
塩5乃至20部、分散媒として(ポリエチレングリコー
ル)10部をサンドグラインダーに入れ、60℃乃至1
20℃で7乃至15時間磨砕した。この場合、高温でグ
ラインダすると、β型結晶形を示し易くなり、また、分
解し易くなる。
容器より取り出し、水及びメタノールで磨砕助剤、分散
媒を取り除いた後、2%の希@駿水溶液で精製し、ろ過
、水洗、乾燥して鮮明な緑味の青色結晶チタニルフタロ
シアニンCGM(3)を得た。
媒を取り除いた後、2%の希@駿水溶液で精製し、ろ過
、水洗、乾燥して鮮明な緑味の青色結晶チタニルフタロ
シアニンCGM(3)を得た。
このチタニルフタロシアニンCGM(3)のX線回折ス
ペクトルを第10図に示した。
ペクトルを第10図に示した。
CGM(4)
表1に示すように、置換若しくは未置換のビニルフェノ
ール構造単位を有する樹脂を含有する電荷ブロッキング
層(又は下引層)上にフタロシアニン化合物をキャリア
発生物質として含有するキャリア発生層を形成せしめた
場合はいずれも塗布性良好であった。これに対して、置
換若しくは未置換のビニルフェノール構造単位を有する
樹脂とフタロシアニン化合物の組合せ以外の場合は塗布
性不良であった。
ール構造単位を有する樹脂を含有する電荷ブロッキング
層(又は下引層)上にフタロシアニン化合物をキャリア
発生物質として含有するキャリア発生層を形成せしめた
場合はいずれも塗布性良好であった。これに対して、置
換若しくは未置換のビニルフェノール構造単位を有する
樹脂とフタロシアニン化合物の組合せ以外の場合は塗布
性不良であった。
く感光体の作製〉
表1においてCGL付量が280/df以上確保できた
組合せのみについて感光体を作製した。電荷ブロッキン
グ1ii(又は下引層)及びキャリア発生層の形成方法
は前記と同じであるが、CGLの付Bが2±0.1a+
g/ d12になるようにc/s(ティップ塗布時の液
面の相対的降下速度)を調節した。
組合せのみについて感光体を作製した。電荷ブロッキン
グ1ii(又は下引層)及びキャリア発生層の形成方法
は前記と同じであるが、CGLの付Bが2±0.1a+
g/ d12になるようにc/s(ティップ塗布時の液
面の相対的降下速度)を調節した。
また、表1以外の組合せとして下引層中に含有物を入れ
ないものも同様に作製した。
ないものも同様に作製した。
さらに、前記キャリア発生層上に、下記構造式(5)で
示されるキャリア輸送物質100gとポリカーボネート
樹脂「ニーピロンZ−200J(三菱瓦斯化学社製)
200Qとを1,2−ジクロ口エタン1000112に
溶解して(qられたキャリア輸送層用塗布液を用いてデ
イツプ塗布し、温度90℃で1時間乾燥させ、膜厚約2
5μmのキャリア輸送層を形成し、本発明の感光体及び
比較用の感光体を作製した。
示されるキャリア輸送物質100gとポリカーボネート
樹脂「ニーピロンZ−200J(三菱瓦斯化学社製)
200Qとを1,2−ジクロ口エタン1000112に
溶解して(qられたキャリア輸送層用塗布液を用いてデ
イツプ塗布し、温度90℃で1時間乾燥させ、膜厚約2
5μmのキャリア輸送層を形成し、本発明の感光体及び
比較用の感光体を作製した。
構造式(5)
各感光体の処方を表2に示す。
以下余白
、−・ j
く画像評価(1)>(実施例2・比較例2)感光体A〜
I及びa−r(但しg、h、iはなし)のそれぞれを、
半導体レーザー(波長780nm 。
I及びa−r(但しg、h、iはなし)のそれぞれを、
半導体レーザー(波長780nm 。
出力2mW)を光源とするレーザープリンターrLIP
s−10PLUSJ (コニカ社製)改造懇に搭載し
、VHが一650±10 [V ]になるようにグリッ
ド電圧を調節した後、現像バイアスDC−500[V]
+AC1000[V] (2KHz )を印加して
非接触で反転現像し、得られた画像の白地部分の黒ポチ
、網点部分のモアレ及び黒地部分の画像濃度を評価した
。
s−10PLUSJ (コニカ社製)改造懇に搭載し
、VHが一650±10 [V ]になるようにグリッ
ド電圧を調節した後、現像バイアスDC−500[V]
+AC1000[V] (2KHz )を印加して
非接触で反転現像し、得られた画像の白地部分の黒ポチ
、網点部分のモアレ及び黒地部分の画像濃度を評価した
。
黒ポチの評価は、画像解析装置[オムニコン3000形
」 (島津製作所社製)を用いて黒ボデの粒径と個数を
測定し、φ(径) 0.05mm以上の黒ポチが1
cm2当たり何個あるかにより判定した。黒ポチ計画の
判定基準は表3に示す通りである。
」 (島津製作所社製)を用いて黒ボデの粒径と個数を
測定し、φ(径) 0.05mm以上の黒ポチが1
cm2当たり何個あるかにより判定した。黒ポチ計画の
判定基準は表3に示す通りである。
以下余白 ・
、・ ・−ニー1
表 3
またモアレの評価は、黒地面積率30%の網点画像の部
分についてモアレ発生の有無を目視で評価し、○はモア
レのないことを、Xはモアレの発生を示す。
分についてモアレ発生の有無を目視で評価し、○はモア
レのないことを、Xはモアレの発生を示す。
各感光体における画像評価の結果は表4の通り表4
表4に示す通り、本発明の感光体を使用した場合、黒ポ
チ、モアレ、画像D’lJ度とも満足のいく結果が得ら
れた。これに対し、比較用の感光体a〜「 (下引層中
の含有物が導電性酸化チタン又はカーボンブラック)を
使用した場合はいずれも電位がのらず画像評価できなか
った。また比較用の感光体J〜O(CGM凝集あり)を
使用した場合はいずれも黒ポチが発生した。さらに比較
用の感光体p〜r (下引層中の含有物なし)を使用し
た場合は下引層のブロッキング効果のため黒ポチに対し
ては良好な結果が得られたものの、低感度であるため画
像濃度が極めて低く、モアレも発生した。
チ、モアレ、画像D’lJ度とも満足のいく結果が得ら
れた。これに対し、比較用の感光体a〜「 (下引層中
の含有物が導電性酸化チタン又はカーボンブラック)を
使用した場合はいずれも電位がのらず画像評価できなか
った。また比較用の感光体J〜O(CGM凝集あり)を
使用した場合はいずれも黒ポチが発生した。さらに比較
用の感光体p〜r (下引層中の含有物なし)を使用し
た場合は下引層のブロッキング効果のため黒ポチに対し
ては良好な結果が得られたものの、低感度であるため画
像濃度が極めて低く、モアレも発生した。
〈画像評1i(2)>(実施例3)
本発明の感光体A−Iを前記rLIPs−10PLUS
J改造鍬に搭載し、10℃20%の低温低湿度環境下及
び30℃80%の高温高湿度環境下でそれぞれ1万サイ
クルのロングラン試験を行なったところ、いずれの環境
下においても、黒ポチ、モアレ、カブリ等のない高濃度
の画像が安定して得られた。
J改造鍬に搭載し、10℃20%の低温低湿度環境下及
び30℃80%の高温高湿度環境下でそれぞれ1万サイ
クルのロングラン試験を行なったところ、いずれの環境
下においても、黒ポチ、モアレ、カブリ等のない高濃度
の画像が安定して得られた。
なお画ゆ形成条件は次の通りである。
グリッド電圧ニー600[V]
帯電のトータル電流=0.6■A
現像バイアス:
DC−500[V] +AC1000[V](2KHz
) 現象:非接触−成分磁気ブラシ現像
) 現象:非接触−成分磁気ブラシ現像
第1因は本発明の感光体の断面図、第2図は像形成装置
の構成概要図、第3図は像露光のためのレーザービーム
スキャナの構成概要図、第4図は現像器の要部断面図、
第5図は像形成の過程を示すフローヂャート、第6図は
従来使用されている感光体の断面図、第7図はモアレの
発生原因を説明するための感光体の断面図である。 第8図〜第10図はそれぞれフタロシアニン化合物のX
線回折スペクトル図である。 1・・・導電性基体 3・・・キャリア輸送を2・
・・キャリア発生FJ!5・・・電荷ブロッキング層4
・・・感光M 18・・・定着器16・・・除
電器 17・・・クリーニング装置12・・・現
像器 13・・・転写前露光ランプ14・・・転
写器 9・・・帯電器10・・・像担持体
19・・・レーザー23・・・ポリゴンミラー 24・・・結像用f−θレンズ 20.25・・・シリンドリカルレンズ29・・・レー
ザービーム 30・・・現像スリーブ
の構成概要図、第3図は像露光のためのレーザービーム
スキャナの構成概要図、第4図は現像器の要部断面図、
第5図は像形成の過程を示すフローヂャート、第6図は
従来使用されている感光体の断面図、第7図はモアレの
発生原因を説明するための感光体の断面図である。 第8図〜第10図はそれぞれフタロシアニン化合物のX
線回折スペクトル図である。 1・・・導電性基体 3・・・キャリア輸送を2・
・・キャリア発生FJ!5・・・電荷ブロッキング層4
・・・感光M 18・・・定着器16・・・除
電器 17・・・クリーニング装置12・・・現
像器 13・・・転写前露光ランプ14・・・転
写器 9・・・帯電器10・・・像担持体
19・・・レーザー23・・・ポリゴンミラー 24・・・結像用f−θレンズ 20.25・・・シリンドリカルレンズ29・・・レー
ザービーム 30・・・現像スリーブ
Claims (2)
- (1)有機顔料及び置換若しくは未置換のビニルフェノ
ール構造単位を有する樹脂を含有する電荷ブロッキング
層の上に、フタロシアニン化合物をキャリア発生物質と
して含有するキャリア発生層及びキャリア輸送層を順次
設けてなることを特徴とする感光体。 - (2)キャリア発生層の上にキャリア輸送層を設けてな
る感光層を有する感光体を使用する画像形成方法におい
て、 (a)フタロシアニン化合物がキャリア発生物質として
含有されているキャリア発生層と;このキャリア発生層
と導電性基体との間に設けられ、有機顔料及び置換若し
くは未置換のビニルフェノール構造単位を有する樹脂が
含有されている電荷ブロッキング層とを有する感光体を
使用し、 (b)この感光体に帯電電位の絶対値が400V〜90
0Vである帯電を付与した後、露光により静電潜像を形
成し、次いで前記帯電電位の絶対値よりも0〜200V
低い絶対値を有する直流バイアス電圧を印加して、前記
静電潜像の反転現像を行なうことを特徴とする画像形成
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13237788A JPH01302264A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 感光体および画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13237788A JPH01302264A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 感光体および画像形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01302264A true JPH01302264A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15079956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13237788A Pending JPH01302264A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 感光体および画像形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01302264A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002006525A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-01-09 | Xerox Corp | 粗表面を有する光散乱粒子を含むブロッキング層 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13237788A patent/JPH01302264A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002006525A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-01-09 | Xerox Corp | 粗表面を有する光散乱粒子を含むブロッキング層 |
JP4740473B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2011-08-03 | ゼロックス コーポレイション | 粗表面を有する光散乱粒子を含むブロッキング層 |
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