JPH01170951A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体に関し、例えば電子写真感光体に関する
ものである。

口、従来技術 カールソン法の電子写真複写機においては、感光体表面
を一様に帯電させた後、露光によって画像様に電荷を消
去して静電潜像を形成し、その静電潜像をトナーによっ
て現像し、次いでそのトナー像を紙等に転写、定着させ
る。

一方、感光体には付着トナーの除去や除電、表面の清浄
化が施され、長期に亘って反復使用される。

従って、電子写真感光体としては、帯電特性および感度
が良好で更に暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論、
加えて繰返し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等の物
理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、露光時の
紫外線等への耐性（耐環境性）においても良好であるこ
とが要求される。

従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を感光層主成分とす
る無機感光体が広く用いられていた。

近年、電子写真用感光体の感光層として、キャリア発生
機能とキャリア輸送機能とを異なる物質に分担させ、希
望する特性に照して各機能を発揮する物質を広い範囲か
ら選択し、感度が高く耐久性の大きい有機感光体を実用
化する動向〆にある。

このような機能分担型の有機感光体は従来主として負帯
電用として用いられ、特開昭６０−２４７６４７号記載
されるように支持体上に薄いキャリア発生層を設け、こ
の上に比較的厚いキャリア輸送層を設ける構成がとられ
ている。

この理由は、負帯電使用の場合には、キャリアのうちホ
ールの移動度が大きいことから、ホール輸送性の材料を
使用でき、光感度等の点で有利であるのに対し、電子輸
送性の材料には優れた特性をもつものがほとんど無く、
あるいは発がん性、催奇性を有するので使用できないた
めである。

しかしながら、このような負帯電使用では、次の如き問
題があることが判明している。

（１）負のコロナ放電時、帯電器による負帯電時に、雰
囲気中に発生するオゾンの量が多く、環境条件の悪化を
生ずる。このため、イオン性物質の感光体表面への吸着
や、感光体表面の材質の劣化を招くため、繰り返し使用
時に電位低下をきたし、画偉の品質の低下の原因となり
、感光体そのものの寿命にも影響する。また、コロナ放
電器の放電ワイヤが汚れ易い等の理由で、・放電ムラ、
画儂ムラが発生することもある。

（２）負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要
となるが、正極性のトナーは強磁性体キャリア粒子に対
する“摩擦帯電系列からみて製造が困難である。

（３）光活性なキャリア発生層は極めて薄い層として支
持体上に設けられるため、支持体又は必要により設けら
れる中間層の表面状態又は化学的作用等の影響を層単位
体積当り篤くうけ、不安定となり易い。

そこで、有機光導電性物質を用いる正帯電用感光体が魅
力ある技術分野として検討されている。

かかる正帯電用感光体においては、前記負帯電性感光体
に比して帯電時のオゾンの発生が非常に少なく、現像に
供される負帯電性トナー構成が容易である等の利点があ
る。

この正帯電用感光体の構成については、例えばキャリア
発生層上にキャリア輸送層を積層し、キャリア輸送層を
電子輸送能の大きい物質で形成した感光体は、正帯電用
として使用できる。しかし、前述したように、電子輸送
性の材料には優れた特性を有するものがほとんど無く、
あるいは環境的配慮から使用できないので、上述の構成
の感光体は実用的でない。例えば、キャリア輸送層に電
子輸送能をもたせるため、トリニトロフルオレノンを含
有させることが考えられるが、この物質には発がん性が
あるため不適当である。他方、ホール輸送能の大きいキ
ャリア輸送層上にキャリア発生層を積層した正帯電用感
光体が考えられる。

しかし、薄層のキャリア発生層が表面側へと露出すると
、現像、転写、クリーニング等の感光体表面と当接する
部材のある工程で、キャリア発生層表面の減耗や傷の発
生が生じ易く、耐摩耗性、耐刷性に劣り、繰り返し使用
時の安定性が低下する。

この欠点を排除する方法としてキャリア発生層上に保護
層を設けることが行われるが、充分な保護効果を生ずる
厚みとすると残留電位が大きくなり、かつ感度も下がる
傾向があり、一方この難点を避けて層を薄くするには耐
摩耗性、耐刷性に満足される物性素材が見当らない。

他の方法としてはキャリア発生層にキャリア輸送物質を
混入し層を厚くすることが行われる。

しかし、キャリア発生層は通常顔料分散系であって膜強
度が充分ではなく、繰り返し使用時に傷や膜の減耗を生
じ、画像上に黒スジとなって現われたり、帯電電位の低
下を生ずる。また、キャリア発生層の膜厚を大きくして
も光励起キャリアが深部で発生する事態を招き、光感度
の向上には限度がある。また、キャリア発生物質の含有
率を大きくして感度の向上を図った場合は、その分だけ
膜強度の減少を招き、上述の問題を生ずる。この−方、
キャリア発生物質の含有率を小さくして膜強度の向上を
図った場合は、光感度が低下する。

従って、かかる問題を解決した正帯電用感光体の出現が
望まれている。

ところで反転現像法はトナー像が形成される部分だけが
露光され、トナー像を形成する必要のない部分には露光
が与えられず表面電荷は残存したままである。

従って複写対象の主体が文字画像である場合ては感光体
に対する光照射量密度が甚だ少なくてすみ、感光体の光
照射による傷みを大いに軽減し実用上好ましい効用をも
りている。

一方、正負帯電性感光体のいずれの場合にも、一般に露
光に用いる光源は、通常種々の波長の光を数多く含む白
色光が用いられている。

他方、近年、画像情報を電気信号に変換し、該電気信号
により駆動するレーザーダイオード（ＬＤ）、或は発光
ダイオード（ＬＥＤ’）等の光源体からの単色光を用い
て感光体を像露光して静電潜像を形成する技術が開発さ
れている。

かかる技術は例えば特開昭５７−１６５８４５号に記載
されている。該技術は、支持体上に中間層及びＳｅ系感
光層を設けた感光体を用い、該感光体上に電気信号によ
り変調されたレーザビームを露光して像形成を行うもの
である。しかし、前記レーザビームに対し充分に高感度
で耐用性の高い有機光導電性感光体かえられていない。

このレーザビーム等を用いる技術体系はプリンタへの用
途が拡がっている。このプリンタの技術分野は有機正帯
電性感光体の反転現像法に最も適した技術分野であり、
有用な有機光導電性感光体の出現と前記した欠陥除去が
最も望まれる分野である。

ハ、発明の目的 本発明の目的は、特に正帯電使用に好適であり、耐刷性
、耐傷性に優れていて黒スジ等の画像欠陥を防止でき、
繰返し使用時の電位安定性疋優れ、光感度の向上も可能
であり、かつ特に反転現像、レーザー光源にも適した感
光体を提供することである。

二、発明の構成及びその作用効果 本発明は、キャリア輸送層上にキャリア発生層と保護層
とを順次積層してなる感光体において、前記保護層に高
硬度粒子が含有されていることを特徴とする感光体に係
るものである。

本発明圧おいては、保護層に高硬度粒子を含有せしめた
ことが極めて重要である。

即ち、仮にキャリア発生層が感光体表面に露出している
場合には従来技術の項で述べた問題を生じ、キャリア発
生層上に保護層を設けた場合にも樹脂のみでは充分な光
感度、電位安定性と耐傷性、耐刷性の両立は得られなか
った。

これに対し、本発明においては、保護層中の高硬度粒子
の作用により、保護層表面の硬度が増し特にクリーニン
グブレード紙粉とりローラー等との当接に対して効果的
に保護層の減耗、削れを防止でき、特に耐刷性が著しく
向上する。従って、感光体の耐摩耗性、耐久性、繰り返
し使用時の感度安定性が向上し、更にキャリア発生層も
キャリア発生物質の含有率を大きくして薄膜化できるの
で、光感度の向上も達成できる。

また、帯電時に発生するオゾン等から感光体表面の材質
（キャリア発生物質等）を保護することができるので、
それら材質の劣化を防止でき、感光体保守の観点からも
好都合である。

ホ、実施例 以下、本発明の実施例について述べる。

第１図〜第３図はそれぞれ電子写真感光体の一例を示す
一部断面図である。

第１図の例においては、導電性基体１の上に中間層５を
介してキャリア輸送層２、キャリア発生層３、保護層４
が順次積層され、キャリア発生層３と保護層４との間に
は接着層７が介在せしめられている８図中、６は感光層
を示す。

第２図の例においては、導電性基体１の上にキャリア輸
送層２、キャリア発生層３、保護層４が順次積層されて
いる。

第３図の例においては、導電性基体１上Ｋ、中間層５、
キャリア輸送層２、キャリア発生層３、保護層４が順次
積層せしめられている。

次に、保護層中に含有せしめる高硬度粒子について述べ
る。

高硬度粒子としては、特に制限はないが、一般に電気絶
縁性が高く、粒径が小さく、大きさの揃っているものが
好ましい。一般に研磨剤、顔料として使用される物質は
使用可能である。この例としては、例えばアルミナ（好
ましくはα−１２０，）、炭化ケイ素、酸化クロム、窒
化ケイ素、酸化チタン、α−酸化鉄、酸化ケイ素、炭化
カルシウム、酸化亜鉛、α−Ｆｅ２０３、タルク、カオ
リン、硫酸カルシウム、窒化ホウ素、７ツ化亜鉛、二酸
化モリブデン、炭酸カルシウム、５ｉ（ＯＨ２）”ｎＨ
２Ｏ。

クレー、炭化ホウ素、酸化セリウム等の無機粉末、ベン
ゾグアナミン系樹脂、メラミン系樹脂等の有機粉末、更
には各種合金等が挙げられる。

粒子の硬度はモース硬度５以上のものが好ましく、６以
上のものが更に好ましい。

高硬度粒子の平均粒径は１μｍ以下がよ＜、０．５μｍ
以下、更には０．４μｍ以下が更に好ましい。

ここで、上記の「平均粒径」は、電子顕微鏡で直接選別
的にカウントして測定してもよいし、レーザー光線等を
用いて粒径分布から測定してもよい。また比表面積から
球形として算出することもできる。また他の公知の方法
を用いることもできる。

高硬度粒子の前処理として、不純物として存在する各種
イオンを洗浄したり、イオン交換処理することもできる
。また、粒子表面をカップリング剤によって処理し、分
散性を向上させることも可能である。

保護層の電子移動度と寿命の積μτは１０　　ｃυＮ以
上とするのが好ましく、１０−”ｃｆ１１／Ｖ以上、更
に以上Ｏ−１２ｃｒＡ／Ｖ以上とするとより好ましい。

これにより、光照射時にキャリア発生層中で発生した電
子が保護層中を円滑に移動でき、繰り返し使用時にも残
留電位上昇を抑えることができ、光感度もより向上する
。

「保護層のμτ」の定義は、以下の通りである。

〈測定法〉 ゛　アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィ
ルム上に後述の実施例１と同様のＣＧＬを塗布して、そ
の上に試料となる保護層と同一の組成を有しかつ厚さが
２０μｍである単一の感光層を設け、感光体とする。

次に、前記感光体上を一６０σＶに帯電し、前記保護層
の最大吸収波長光を照射した時の光減衰曲線の初期の勾
配より、下記の式（１）に従いμτが求められる。

式（１）に於て、 μ；電子の移動度　　　（ｃｎ！　／　Ｖ’ｓｅｃ　）
τ；電子の寿命　　　　（ｓ＝ｃ　） Ｆ；単位面積、単位時間当りのフォトン数（１／ｃＩ＋
！・５６ｃ） ｅ；電荷素置　　（１，６Ｘ１０”クローン）Ｘ；真空
の誘電率（８，８５２Ｘ　１Ｏ−１４Ｆ　／　ｃｍ　）
Ｋｏ；比誘電率 ■；表表面位（Ｖ） Ｌ；試料膜厚（ｃｍ　） 第４図に前記帯電から照射光による減衰までの感光体表
面電位の推移を示した。即ち各曲線は帯電期間ｔＯ〜ｔ
１、暗減衰期間ｔ、〜ｔ２、及びｔ２以降の光減衰期間
の夫々の電位曲線である。

保護層のμτを１０　　ｃｒＡ／Ｖ以上とすることは保
護層中に電子伝導性物質を含有せしめることで達成でき
る。この保護層中に含有される電子伝導性物質（以下、
ＯＣＭと呼ぶ）としては、従来キャリア発生物質として
知られているもので、電子輸送能の方が正孔輸送能より
も大きいものが好ましく例示される。但し、これは電子
伝導のために使用するものであるから、感光層（キャリ
ア発生層）の感光波長域には実質的に感度を有せず、こ
の感光波長域外に感光ピークを有するものであることが
好ましい。

即ち、感光層が半導体レーザ光に感度を有する場合には
保護層は７５０ｎｍ以下に感光ピークを有し、またＬＥ
Ｄ、ＬＤレーザ光に感度を有する場合には６００　ｎｍ
以下に感光ピークを有する電子導電性物質を含有するこ
とが好ましい。

ここで「実質的感度を有しない」とは前記単色光に対す
る吸光度が１０％以下、好ましくは１％以下に止まるこ
とである。

また保護層の感光ピークを感光層の感度波長域から外す
ことによって、静電潜像に実質的減衰を与えることなく
、また照射過多による感光層の損傷を招くことなく残留
電位を光照射により除去できる。

次に、感光体構成層の膜厚、処方について述べる。

保護層において、バインダ１００重量部に対する高硬度
粒子の含有量は、１０〜９０重量％の範囲内が良く、２
０〜５０重量％の範囲内とすると更に好ましい。

バインダ１００に対するＯＣＭの重量％は５〜２００ｗ
Ｌ％が好ましく、また保護層（ＯＣＬ　）の厚みはＯ：
１〜５μｍ、好ましくは０．５〜５μｍである。また必
要によってはＣＴＭを含有させてもよい。

キャリア発生層・（ＣＧＭ）の膜厚は５μｍ以下が好ま
しく、３μｍ以下とすると更に好ましい。

即ち、本発明においては、キャリア発生層が表面に露出
しておらず、従ってキャリア発生層を薄膜とすることに
よって光照射時における光キャリアの移動距離が少なく
なり、正電荷、負電荷共に大きな飛程が要求されなくて
済む。従って、光感度を更に向上させることができる。

キャリア発生層中にはキャリア輸送物質（ＣＴＬ）を含
有せしめ、正電荷を担持させることも可能である。

ＣＧＬにおいてＣＧＭがバインダ樹脂に含有される割合
は、バインダ樹脂１００に対して５〜３００ｗｔ％、好
ましくは５０〜２００　ｗｔ％である。

ＣＧＭの含有割合がこれより少ないと光感度が低く、残
留電位の増加を招き、又これより多いと暗減衰及び受容
電位が低下する。

またＣＴＭを含有させる場合、ＣＴＭがバインダ樹脂に
対して含有される割合は、バインダ樹脂１００に対して
１０〜２００ｗｔ％、好ましくは２０〜１５０ｗｔ％で
ある。

ＣＴＭの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く残留
電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。

ＣＧＬ中にＣＴＭを含有させる場合のＣＧＭとＣＴＭと
の含有量比は、重量比で１＝２０〜１：４０とするのが
好ましい。

キャリア輸送層（ＣＴＬ　）中のＣＴＭの含有量はバイ
ンダ樹脂１００当り１０〜２００　ｗ　ｔ％、好ましく
は２０〜１５０ｗｔ％である。

ＣＴＭの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く残留
電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。

形成されるＣＴＬの膜厚は、好ましくは５〜５０μｍ、
＠に好ましくは５〜３０μｍである。またＣＧＬとＣＴ
Ｌの膜厚比は１：（１，６〜８０）であるのが好ましい
。

ＯＣＬとＣＧＬとの膜厚の総和は０．５〜１０μｍの範
囲内とするのが好ましい。

次に、各感光体構成層の形成方法について述べる。

ＣＧＭ、ＣＴＭ、ＯＣＭを含有するＣＧＬ、ＣＴＬ、Ｏ
ＣＬは、ＣＧＭ、ＣＴＭ、ＯＣＭを真空蒸着させる方法
またはＣＧＭ、　ＣＴ　Ｍ、ＯＣＭを適当な溶媒もしく
は適当なバインダ樹脂溶媒溶液に溶解もしくは分散懸濁
せしめたものを塗布して乾燥させる方法により設けるこ
とができる。

ＣＧＬ、ＣＴＬ、ＯＣＬの形成に用いられる前記溶媒と
しては、例えばＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、１．２
−ジクロロエタン、ジクロロメタン、１，１．２−トリ
クロロエタン、テトラヒドロフラン、メチルエチルケト
ン、酢酸エチル、酢酸ブチル等を挙げることができる。

ＣＧＭ、ＣＴＭ、ＯＣＭを溶媒もしくはバインダ樹脂溶
液に分散懸濁させた塗料を塗布・乾燥してＣＧＬ％ＣＴ
Ｌ、ＯＣＭを形成する場合には、次の如き方法忙よって
設けることが好ましい。即ち、前述のＣＧＭ、ＣＴＭ、
ＯＣＭをボールミルホモミキサ等によって分散媒中で微
細粒子とし、バインダ樹脂を加えて混合分散して得られ
る分散液が用いられる。この方法において超音波の作用
下に粒子を均一分散させることが好ましい。

前記ＣＧＭ、ＣＴＭ、ＯＣＭを分散せしめてＯＧＬ、Ｃ
ＴＬ、ＯＣＬを形成する場合、当該ＣＧＭ、ＣＴＭ、Ｏ
ＣＭは２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下の平均粒径の
粉粒体とするのが好ましい。

即ち、粒径があまり大きいと層中への分散が悪くなる。

ただし、上記粒径があまり小さいと却って凝集し易く、
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性が低下したり、或は微細化する上で限界があるか
ら、平均粒径の下限を０．０１μｍとするのが望ましい
。

本発明に於て、ＣＴＬは、ＣＴＭを前記と同様にして（
即ち、単独であるいはバインダ樹脂と共に溶解、分散せ
しめたものを塗布、乾燥して）形成することができる。

次に、各感光体構成層に使用できる物質について述べる
。

キャリア発生層中のＣＧＭ、保護層中のＯＣＭは、電磁
波を吸収してフリーキャリアを発生するものであれば、
無機顔料及び有機顔料の何れも用いることができる。

ＣＧＭ、ＯＣＭとして以下のものが例示される。

（１）無定型セレン、三方晶系セレン、セレン−砒素合
金、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、セレン化カ
ドミウム、硫セレン化カドミウム、硫化水銀、硫化鉛、
酸化亜鉛、酸化チタン、無定型シリコン等の無機顔料。

（２）モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔料
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料。

（３）アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料。

（４）インジゴ銹導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料。

（５）チタニルフタロシアニン、バナジルフタロシアニ
ン等の各種金属フタロシアニン、及びα型、β型、τ型
、τ型、ｒｌ型、η型、η′型等の無金属フタロシアニ
ン等のフタロシアニン系顔料。

（６）ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニウ
ム系顔料。

（７）アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料。

（８）シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料。

（９）　　キノリン系顔料。

（１０）ニトロ系顔料。

（１１）ニトロソ系顔料。

（１２）ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料。

（１３）ナフタルイミド系顔料。

（１４）ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系
顔料。

（１５）フルオレノン系顔料。

（１６）スクアリリウム顔料。

（１７）アズレニウム化合物 （１８）ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペ
リレン系顔料。

更に、好ましいアゾ化合物、多環キノン系顔料の例につ
いて示す。これら化合物の具体例については特願昭６１
−１９５８８１号明細書に詳細に記載されている。

（１−４”） Ａ−Ｎ＝Ｎ−Ａ　ｒ　’　−ＣＨ＝　ＣＨ−Ａ　ｒ　２
−Ｎ　＝　Ｎ−Ａ（Ｉ−６） Ａ−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ’−ＣＨ＝ＣＨ−Ａｒ　２−ＣＨ＝Ｃ
）（−Ａｒｓ−Ｎ＝Ｎ−Ａ （１−８’） Ａ−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ’−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ　２−Ｎ＝Ｎ−ＡＡ
−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ’−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ　２−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ　
’−−Ｎ＝Ｎ−Ａ −Ｎ＝Ｎ−Ａ 〔但し、上記各−最大中、 Ａｒ’、Ａ　ｒ　、’−及びＡｒ’：それぞれ、置換若
しくは未置換の炭素環式芳香族 環基、 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３：それぞれ、電子吸引性基及びＲ４又
は水素原子であって、 Ｒ−Ｈの少な（とも １つはシアン基等の電子 吸引性基、 Ａｒ’ （Ｘは、ヒドロキシ基、 −ＮＨ８Ｏ−Ｒ’ 〈但、Ｒ及びＲはそれ ぞれ、水素原子又は置換 若しくは未置換のアルキ ル基、Ｒ８は置換若しく は未置換のアルキル基ま たは置換若しくは未置換 のアリール基〉、 Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、 置換若しくは未置換のア ルキル基、アルコキシ基、 カルボキシル基、スルホ 基、置換若しくは未置換 のカルバモイル基または 置換若しくは未置換のス ルファモイル基（但、ｍ が２以上のときは、互い に異なる基であってもよ い。）、 Ｚは、置換若しくは未置換の炭 素環式芳香族環または置 換若しくは未置換の複素 環式芳香族環を構成する に必要な原子群、 Ｒ５は、水素原子、置換若しくは 未置換のアミノ基、置換 若しくは未置換のカルバ モイル基、カルボキシル 基またはそのエステル基、 Ａｒ’は、置換若しくは未置換のア リール基、 ｎは、１または２の整数、 ｍは、Ｏ〜４の整数である。）〕 また、次の一般式（Ｉ［）群の多環キノン顔料もＯＣＭ
、ＣＧＭとして使用できる。

（但、この一般式中、では・・ロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、アシル基又はカルボキシル基を表わし、ｐは
θ〜４の整数、ｑはＯ〜６の整数を表わす。） スフアクリラム顔料については、特開昭６０−２５８５
５０号公報等に記載がある。

ｆｌニルフタロシアニンについては！願昭６２−２４１
９８３号明細書に記載がある。

アズレニウム化合物については、特願昭６２−２５１１
８８号明細書に記載がある。

更ＶＣ，％殊ｆＬ無金属７タロシアニンについて、特願
昭６１−２９５７８４号明細書等に記載がある。

本発明で使用するキャリア輸送物質は、カルバゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、
イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、ス
チリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、
オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズ
イミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノ
スチルベン誘導体、トリアリールアミ７　Ｆｍ４体、フ
ェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール、ポリ−１−ビニルピレン、ポリ
−９−ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種
以上であってよ（）。

かかるキャリア輸送物質の具体的化合物例は特願昭６１
−１９５８８１号明細書に記載されている。以下にその
数例を掲げる。

キャリア輸送物質としての次の一般式（１）又は（Ｐ／
）のスチリル化合物が使用可能である。

−最大〔厘〕： （但、この一般式中、 Ｒ？　、Ｒ１０：置換若しくは未置換のアルキル基、ア
リール基を 表わし、置換基としては アルキル基、アルコキシ 基、置換アミノ基、水酸 基、ハロゲン原子、アリ ール基を用いる。

Ａｒ５、Ａｒ’：置換若しくは未置換のアリール基を表
わし、置換 基としてはアルキル基、 アルコキシ基、置換アミ ノ基、水酸基、ハロゲン 原子、アリール基を用い る。

Ｒ１１、Ｒ１２：置換若しくは未置換のアリール基、水
素原子を表 わし、置換基としてはア ルキル基、アルコキシ基、 置換アミノ基、水酸基、 ハロゲン原子、アリール 基を用いる。） 一般式〔■〕： １．３ （但、この一般式中、 ＲＩＳ　；置換若しくは未置換のア リール基、 Ｒ１４：水素原子、ハロゲン原子、 置換若しくは未置換のア ルキル基、アルコキシ基、 アミン基、置換アミン基、 水酸基、 Ｒ１５：置換若しくは未置換のア リール基、置換若しくは 未置換の複素環基を表わ す。） また、キャリア輸送物質として次の一般式（Ｖ）、ＣＭ
）、（Ｍａ）、（Ｗｂ）又は〔■〕のヒドラゾン化合物
も使用可能である。

（但、この一般式中、 Ｒ１４およびＲ１７：それぞれ、水素原子またはハロゲ
ン原子、 Ｒ１８およびＲ１９：それぞれ、置換若しくは未置換の
アリール基、 Ａｒ’：置換若しくは未置換のア リーレン基を表わす。） 一般式〔■〕： （但、この一般式中、 Ｒ２０：置換若しくは未置換のア リール基、置換若しくは 未置換のカルバゾリル基、 または置換若しくは米量 換の複素環基を表わし、 Ｒ２１、Ｒ２２およびＲ２３ ：水素原子、アルキル基、 置換若しくは未置換のア リール基、または置換若 しくは未置換のアラルキ ル基を表わす。） 一般式（Ｍａ）： １．５ （但、この一般式中、 Ｒ２４：メチル基、エチル基、２ −ヒドロキシエチル基ま たは２−クロルエテル基、 Ｒ２６：メチル基、エチル基、ベ ンジル基またはフェニル 基、 Ｒ２６：メチル基、エチル基、ベ ンジル基またはフェニル 基を示す。

一般式（■ｂ）： （但、この一般式中、Ｒ２７は置換若しくは未置換のナ
フチル基；Ｒ２８は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又は了り−ル基；Ｒ２９は水素原子、アル
キル基又はアルコキシｆｉ；Ｒ”及びＲ３１は置換若し
くは未置換のアルキル基、アラルキル基又は了り−ル基
からなる互いに同一の若しくは異なる基を示す。） 一般式〔■〕： （但、この一般式中、 Ｒ５２＝置換若しくは未置換のア リール基または置換若し くは未置換の複素環基、 Ｒ３３：水素原子、置換若しくは 未置換のアルキル基また は置換若しくは未置換の アリール基、 Ｑ：水素原子、ハロゲン原子、 アルキル基、置換アミノ 基、アルコキシ基または シアノ基、 ｎ：０または１の整数を表わ す。） また、キャリア輸送物質として、次の一般式〔■〕のピ
ラゾリン化合物も使用可能である。

−最大〔■〕： 〔但、この一般式中、 ！：０又は１、 Ｒ５４およびＲ３５：置換若しくは未置換のアリール基
、 Ｒ３６；置換若しくは未置換のア リール基若しくは複素環 基、 Ｒ５７およびＲ３８：水素原子、炭素原子数１〜４のア
ルキル基、又は 置換若しくは未置換のア リール基若しくはアラル キル基 （但、Ｒ５７およびＲ５８は 共に水素原子であること はなく、また前記ｌが０ ０ときはＲは水素原子 ではない。）〕 更に、次の一般式（ＩＫ）のアミン誘導体もキャリア輸
送物質として使用できる。

一般式〔■〕： （但、この一般式中、 Ａｒ８、Ａｒ’：置換若しくは未置換のレエニル基を表
わし、置換 基としてはハロゲン原子、 アルキル基、ニトロ基、 アルコキシ基を用いる。

Ａｒ”：置換若しくは未置換の） 工二ル基、ナフチル基、 アントリル基、フルオレ ニル基、複素環基を表わ し、置換基としてはアル キル基、アルコキシ基、 ハロゲン原子、水酸基、 アリールオキシ基、アリ ール基、アミノ基、ニト ロ基、ピペリジノ基、モ ルホリノ基、ナフチル基、 アンスリル基及び置換ア ミノ基を用いる。但、置 換アミン基の置換基とし てアシル基、アルキル基、 アリール基、アラルキル 基を用いる。） 更に、次の一般式（Ｘ）の化合物もキャリア輸送物質と
して使用できる。

一般式〔Ｘ〕： （但、この一般式中、 Ａｒ”：置換又は未置換のアリ− レン基を表わし、 Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ４１およびＲ４２ ：置換若しくは未置換のア ルキル基、置換若しくは゛ 未置換のアリール基、ま たは置換若しくは未置換 のアラルキル基を表わす。） 更に、次の一般式（ＸＩ）の化合物もキャリア輸送物質
として使用できる。

一般式（ＸＩ　）　： 〔但、この−最大中、Ｒ４１、Ｒ４４、Ｒ４５及びＲ４
６は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、了り−ル基、
ベンジル基又はアラルキル基、Ｒ４７及びＲ４Ｂは、そ
れぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数１〜
４０のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基（但
、Ｒ４７とＲ４Ｂとが共同して炭素原子数３〜１０の飽
和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもよい。）Ｒ
４９、Ｒ２Ｏ、Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ水素原子
、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは未置換
のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、了り
−ル基、アラルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アル
キルアミノ基又は了り−ルアミノ基である。〕保護層、
キャリア発生層中に酸化防止剤を含有せしめることがで
きる。これにより放電で発生するオゾンの影響を抑制で
き、繰り返し使用時の残留電位上昇を防止できる。

酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダー
ドアミン、バラフェニレンジアミン、アリールアルカン
、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン
及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等
が挙げられる。

これらの具体的化合物としては、特願昭６１−１６２８
６６号、同６１−１８８９７５号、同６１−１９５８７
８号、同６１−１５７６４４号、同６１−１９５８７９
号、同６１−１６２８６７号、同６１−２０４４６９号
、同６１−２１７４９３号、同６１−２１７４９２号及
び同６１−２２１５４１号に記載がある。

保護層、キャリア発生層中に高分子有機半導体を含有せ
しめることもできる。

こうした高分子有機半導体のうちポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール又はその誘導体が効果が犬であり、好ましく用
いられる。かかるポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体
とは、その繰り返し単位における全部又は一部のカルバ
ゾール環が種々の置換基、例えばアルキル基、ニトロ基
、アミノ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子によって置
換されたものである。

本発明の感光体の層構成は前記のようにＯＣＬを有する
積層構成であるが、表面層をなすＯＣＬ、及びＣＴＬ、
ＣＧＬのいずれか、もしくはそれらの複数層に感度の向
上、残留電位ないし反復使用時の疲労低減等を目的とし
て、少なくとも１種の電子受容性物質を含有せしめるこ
とができる。

本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質としては、
例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水７タル酸、４
−ニトロ無水７タル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロペンゼア、
１．３．５−トリニトロベンゼン、バラニトロベンゾニ
トリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、ク
ロラニル、フルマニル、２−メチルナフトキノン、ジク
ロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニ
トロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、９−フ
ルオレノンテンー〔ジシアノメチレンマロノジニトリル
〕、ポリニトロ−９−フルオレノンデンー〔ジシアノメ
チレンマロノジニトリル〕、ヒフリン酸、ｏ−ニトロ安
息香酸、４−ニトロ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香
酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサルチル酸、
３，５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット酸、
その他の電子親和力の大きい化合物の一種又は二種以上
を挙げることができる。

これらのうち、フルオレノン系、キノン系や、Ｃ１、Ｃ
Ｎ、Ｎｏ２等の電子吸引性の置換基のあるベンゼン誘導
体が特によい。

また更に表面改質剤としてシリコーンオイル、フッ素系
界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性向上剤とし
てアンモニウム化合物が含有されていてもよい。

更に紫外線吸収剤を用いてもよい。好ましい紫外線吸収
剤としては、安息香酸、スチルベン化合物等及びその誘
導体、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物、トリ
アジン化合物、クマリン化合物、オキサジアゾール化合
物、チアゾール化合物及びその誘導体等の含窒素化合物
類が用いられる。

また本発明に係るＯＣＬ中には加工性及び物性の改良（
亀裂防止、柔軟性付与等）を目的として必要により熱可
塑性樹脂を５０重量％未満含有せしめることができる。

本発明においては感光体の構成層に使用可能なバインダ
樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸
ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ボリカ
ーボネー゛ト樹、脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の
付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合製樹脂並びにこ
れらの樹脂の繰返し単位のうち２つ以上を含む共重合体
樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等
の絶縁性樹脂の他、ボＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾール等
の高分子有機半導体が挙げられる。

また、前記中間層は接着層又はバリヤ層等として機能す
るもので、上記バインダ樹脂の外に、例エハポリヒニル
アルコール、エチルセルロース、カルボキシメチルセル
ロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、カゼイン、Ｎ
−アルコキシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられる。

本発明の電子写真感光体の構成に用いられる導電性支持
体としては、主として下記のものが用いられるが、これ
らにより限定されるものではない。

（１）アルミニウム板、ステンレス板などの金属板。

（２）紙あるいはプラスチックフィルムなどの支持体上
に、アルミニウム、パラジウム、金などの金属薄層をラ
ミネートもしくは蒸着によって設けたもの。

（３）紙あるいはプラスチックフィルムなどの支持体上
に、導電性ポリマ、酸化インジウム、酸化錫などの導電
性化合物の層を塗布もしくは蒸着によりて設けたもの。

次に、本発明の感光体の使用される複写プロセス及び現
像方法につき言及する。

第５図は、電子写真複写装置の一例を示す構成概要図で
ある。

第５図の装置において、２３は上述した有機光導電性物
質の感光層を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担
持体、２２は像担持体２３の表面を一様帯電する本帯電
器、２４は像露光、１５は現像器である。２０は像担持
体２３上にトナー偉が形成された画像を記録体Ｐに転写
し易くするために必要に応じて設けられる転写前露光ラ
ンプ、２１は転写器、１９は分離用コロナ放電器、１２
は記録体Ｐに転写されたトナー像を定着させる定着器で
ある。１３は除電ランプと除電用コロナ放電器の一方又
は両者の組合せからなる除電器、１４は像担持体２３の
画像を転写した後の表面の残留トナーを除去するための
クリーニングブレードやファーブラシを有するクリーニ
ング装置である。

この記録装置のように、ドラム状の像担持体２３を用い
るものにあっては、像露光２４は、第６図に示したよう
なレーザービームスキャナによるものが好ましく使用で
きる。

第６図のレーザービームスキャナの動作を次に述べる。

半導体レーザー４１で発生されたレーザービームは、駆
動モータ４２により回転されるポリゴンミラー４３によ
り回転走査され、ｆ−θレンズ４４を経て反射鏡４５に
より光路を曲げられて像担持体２３の表面上に投射され
輝線４６を形成する。

４７はビーム走査開始を検出するためのインデックスセ
ンサで、４８．４９は倒れ負補正用のシリンドリカルレ
ンズである。５Ｑａ、５Ｑｂ、５０ｃは反射鏡でビーム
走査光路及びビーム検知の光路な形成する。

走査が開始されるとビームがインデックスセンサ４了に
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器２２により予め一様に帯電されている像担持体２３
上を走査する。レーザービーム５１による主走査と像担
持体２３の回転による副走査によりドラム表面に潜像が
形成されてゆく。

また、像担持体がベルト状のように平面状態をとり得る
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。

現像器１５としては、第７図に示したような構造のもの
が好ましく用いられる。第７図において３１はアルミニ
ラ・ムやステンレス鋼等の非磁性材料から成る現像スリ
ーブ、３２は現像スリーブ３１の内部に設けられた周方
向に複数の磁極を有する磁石体、３３は現像スリーブ３
１上に形成される現像剤層の厚さを規制する層厚規制ブ
レード、３４は現像スリーブ３１上から現像後の現像剤
層を除去するスクレーバブレードである。３５は現像剤
溜り３６の現像剤を攪拌する攪拌回転体、３７はトナー
ホッパ、３８は表面にトナーの入り込む凹みを有し、ト
ナーホッパ３７から現像剤溜り３６にトナーを補給する
トナー補給ローラ、３９は保護抵抗４０を介して現像ス
リーブ３１に場合によっては振動電圧成分を含むバイア
ス電圧を印加し、現像スリーブ３１と感光体２３０間の
現像領域におけるトナーの運動を制御する電界を形成す
るための電源である。

図中、ｄは現像スリーブ３１と像担持体２３との間の距
離を示し、ｔは現像スリーブ３１上の現像剤の穂立ちの
高さを示す。第７図においては、ｄ）ｔとされており、
いわゆる非接触条件で現像が行われる。

なお、現像器は上述のものに限られず、いわゆる接触条
件によるもの（磁気ブラシ方式）でもよＮ　Ｏ なお、カラー現像等に於て未定着トナー像を重畳トナー
現像する場合には、現像器において形成した現像剤層を
感光体表面に接触させない非接触現像方式が好ましい。

また、感光体上でトナー像の重ね合せられたカラー画像
を転写した後、感光体がクリーニングされるクリーニン
グ方式が好ましい。

次に、静電潜像形成のプロセスについて述べる。

第８図、第９図はそれぞれこのプロセスを示すフローチ
ャートである。

第８図は、像露光部分が背景部となり、非露光部が静電
像となる静電像形成法によって静電像が形成され、現像
が静電像に逆極性に帯電するトナーが付着することによ
って行われる正規現像の例を示している。これは、第５
図の複写装置によれば、クリーニング装置１４でクリー
ニングされ、電位が０となっている初期状態の像担持体
２３の表面に、帯電器２２によって一様に帯電を施し、
その帯電面に像露光２４により静電像部以外の部分の電
位が略Ｏとなる像露光を行い、それによって得られた静
電像を現像器１５によって現像し、逆極性に帯電してい
るトナーＴを付着せしめる。

第９図は、像露光部が背景部よりも低電位の静電像とな
る静電像形成法によって静電像が形成され、現像が静電
像に背景部電位と同極性に帯電するトナーが付着するこ
とによって行われる反転現像のプロセスを示している。

反転現像を行う場合は、静電潜像の電位ＩＶＨ１が３０
０〜１００ＯＶとなるように帯電せしめ、かつ反転現像
時のＩＶＨＩ　　／ＶＤＯＩ　＝　Ｏ〜２００　Ｖとす
るのが好ましい。但し、ＶＤＯは感光体２３に対抗する
現像剤搬送担体としての現像スリーブ３１に印加する直
流バイアス電圧である。上記振動電圧は交流成分として
ＶＤＯに重畳される。

本発明の感光体をＬＤ、ＬＥＤ光源を使用したプリンタ
ーに適用すれば、正の放電は雑音を与えないため有利で
ある。また、反転現像時には負帯電用感光体のため開発
された各種現像剤が使用でき、特にプリンター用途に適
している。

以下、更に具体的な実施例につき説明するが、これによ
り本発明の実施の態様が限定されるものではない。

実施例１ アルミニウム箔をラミネートしたポリエステル上に、塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体（エス
レックＭＦ−１０：積水化学工業社製）よりなる厚さ０
．１μｍの中間層を形成した。

次いで下記ＣＴＭ／ポリカーボネート樹脂（パンライト
Ｌ−１２５０、量大化成社製）　＝　７５／１００　（
重量比）を１６．５部重量％含有する１、２−ジクロル
エタン溶液を前記中間層上にデイツプ塗布、乾燥して１
５μｍ厚のＣＴＬを得た。

次いでＣＧＭとしてε製銅フタロシアニンをボールミル
で２４時間粉砕し、ポリカーボネート樹脂（パンライト
Ｌ−１２５０．帝人化成社製）を６重量％含有する１、
２−ジクロルエタン溶液をε型銅フタロシアニン／ポリ
カーボネート樹脂＝６０／１００（重量比）になるよう
に加えて更にボールミルで２４時間分散した。この分散
液に下記ＣＴＭをポリカーボネート樹脂に対して７５１
部童％を添加り、　更にモノクロルベンゼンを加えてモ
ノクロルベンゼン／１，２−ジクロルエタン＝３／７（
体積比）になるように調製したものを前記中間層上にス
プレィ塗布方法により厚さ２μｍの感光層を形成した。

次いで、下記構造を有する顔料（ＯＣＭ）をボールミル
で２４時間粉砕し、パンライ）Ｌ−１２５０を６部、１
，２ジクロロエタンを１００部、酸化防止剤を１部より
成る溶液にＯＣＭを３部及びアルミナ（α−Ａ１２０ｓ
）（平均粒径０．３μｍ）’１０部を加えて更に２４時
間分散し、この分散液に下記ＣＴＭＺ部を加えた。

この分散液にモノクロロベンゼンを加えてモノクロロベ
ンゼン／１，２−ジクロルエタン＝３／７（体積比）に
なるように調製したものを感光層上にスプレィ塗布方法
により厚さ５μｍのＯＣＬを形成し、積層構成の感光体
層を有する本発明の感光体試料１を得た。

（ＣＴＭ） （ＯＣＭ） ２．４．７−）リートロー９−フルオレノン（酸化防止
剤） ＣＨ。

２．６−ジーｔ−ブチル−４−メチル−フェノールスミ
ライザー　ＢＨＴ　　　住友化学工業株式会社製実施例
２ 実施例りにおいて、アルミナ（α−１２０！Ｓ）の代り
に高硬度微粒子として窒化ケイ素（平均粒径０．３μｍ
）を用いた。これ以外は実施例１と同様にして感光体試
料２を得た。

実施例３ 実施例１において高硬度微粒子として酸化チタン（平均
粒径０．３μｍ）を用いた。これ以外は実施例１と同様
にして感光体試料３を得た。

実施例４ 実施例１において、保護層からＯＣＭを除き、その代り
に電子受容性物質（ベンゾキノン）１部を含有せしめた
。これ以外は実施例１と同様にして感光体試料４を得た
。

実施例５〜７ 実施例１において、高硬度微粒子の平均粒径を０．７μ
ｍに変え（実施例５）、また高硬度微粒子の含有量を１
５部（実施例６）、２０部（実施例７）に変えた。これ
以外は実施例１と同様にして感光体試料５．６．７を得
た。

実施例８〜１０ 実施例１において保護層中にフッ素系界面活性剤（Ｆｌ
ｕｏｒａｄ　　ＦＣ４３１住友スリーエム株式会社製）
０、　Ｉ　Ｉｌｌを添加した（実施例８）。また実施例
１において、キャリア発生層の膜厚を０．１μｍ（実施
例９）、５μｍ（実施例１０）にそれぞれ変化せしめた
。これ以外は実施例１と同様にして感光体試料８．９．
１０を得た。

比較例（１） 実施例４において、保護層中から高硬度粒子を取り除い
た。これ以外は実施例４と同様圧して比較用の感光体試
料（１）を得た。

比較例（２） 実施例４において、保護層中から高硬度粒子を取り除き
、かつキャリア発生層中から酸化防止剤を取り除いた。

これ以外は実施例４と同様にして比較用の感光体試料（
２）を得た。

比較例（３） 実施例４においく、保護層を取り除いた。これ以外は実
施例４と同様にしてキャリア輸送層、キャリア発生層を
形成し、比較用の感光体試料（３）を得た。

比較例（４） 比較例（３）において、キャリア発生層中に高硬度粒子
アルミナ（α−ＡＡ！２０ｓ）（平均粒径０．３μｍ）
をポリカーボネート樹脂に対し５０重量％の割合で加え
た。これ以外は比較例（３）と同様にして比較用の感光
体試料（４）を得た。

こうして得られた感光体を静電試験機ｒ）ＵＰＡ・８１
００Ｊ（川口電気製作新製）に装着し、以下の特性試験
を行った。即ち、帯電器に＋６ＫＶの電圧を印加して５
秒間コロナ放電により感光層を帯電した後、５秒間放置
（このときの電位を初期電位と称する。）し、次いで感
光層表面における光強度力１０　ｅｒｇ　／ｃＩｉ！・
式となる状態でキセノンランプの光を分光し、７８０ｎ
ｍの波長光を照射し、帯電電位を＋６００ボルトから＋
３００ボルトに減衰させるに必要な露光量、Ｅ　、、、
　（ｅｒｇ／ｃＩａ）を測定した。

また、前記５秒間の帯電及び５秒間放置後前記タングス
テンランプよりの光（光強度５０ルツクス）を１０秒間
照射する工程により残留電位ｖｒ１ポルトを測定した。

さらに前記工程を５回繰返したとき（但し１回〜４回の
それぞれの工程の終りには残留電位の消去を行なう）の
残留電位Ｖｒｓも測定した。さらにはレーザプリンタＬ
Ｐ−３０１０（コニカ株式会社製）改造機（光源として
は半導体レーザーを使用）により前記各感光体表面の機
械強度を以下の条件で測定した。

Ｌ　Ｐ　−３０１０改造機を用い、反転現像した後、Ｐ
Ｅブレード（東し社製ルミナ）にて１００１ｉ＋１ｃ＋
ａの荷重で連続１０，０００サイクルのクリーニングプ
ロセスを繰返して強制摩耗させた後、膜厚減耗量及び画
像（画質、画像欠陥）により判断した。

画質については目視忙より、「○」「×」方式によって
表示した。

また、実施例、比較例の各感光体の保護層につき、前記
の方法でμτを測定した。

結果を下記衣に示す。

（以下余白） 表に示すように、本発明の感光体により、繰り返し使用
しても残留電位の上昇がなく、感光体の機械強度の上昇
が図れ、反転現像を行っても画像欠陥（白斑点、黒スジ
）のない良好な画質が得られる。

〈正規現像〉 実施例１、比較例４の感光体をコニカ株式会社製Ｕ　−
Ｂｉｘ　１５５０　Ｍ　Ｒに装着し、１万回コピーの実
写テストを行ったところ、実施例１の感光体では１万回
コピー後も良好な画像が得られたのに対し、比較例４の
感光体では画像上に白斑点、黒スジが生じた。

【図面の簡単な説明】 第１図、第２図、第３図はそれぞれ電子写真感光体の一
例を示す部分断面図である。 第４図は静電潜像形成に至るまでの表面電位の推移を示
すグラフである。 第５図は電子写真複写装置の一例を示す揖５成概要図、 第６図はレーザービームスキャナを示す構成概要図、 第７図は現像器を示す要部断面図、 第８図、第９図はそれぞれ静電潜像形成のプロセスを示
すフローチャート である。 なお、図面に示す符号において、 １・・・・・・・・・・・・導電性基体２・・・・・・
・・・・・・キャリア輸送層３・・・・・・・・・・・
・キャリア発生層４・・・・・・・・・・・・保護層 ５・・・・・・・・・・・・中間層 ６・・・−・・・・・・・・感光層 ７・・・・・・・・・・・・接着層 １５・・・・・・・・・・・・現像器 ２３・・・・・・・・・・・・像担持体である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 昧 （自発）手わｌＬネ市正書 昭和６３年５月２０日 １、事件の表示 昭和６２年　特許願第３２９０７４号 ２、発明の名称 感光体 ３、補正をする者 、事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）コニカ株式会社 ４、代理人 住　所　東京都立川市柴崎町２−４−１１　ＦＩＮＥビ
ル含　０４２５−２４−５４１　Ｌ（１０（１）明細書
筒１８頁１０行目の「ボールミル」を「ボールミル、」
と訂正します。 （２）、明細書第５２頁下から４行目の「感光体層」を
「感光層」と訂正します。 −以上一

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、キャリア輸送層上にキャリア発生層と保護層とを順
   次積層してなる感光体において、前記保護層に高硬度粒
   子が含有されていることを特徴とする感光体。