JPH01286401A - サーマルヘッド - Google Patents
サーマルヘッドInfo
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- JPH01286401A JPH01286401A JP63116443A JP11644388A JPH01286401A JP H01286401 A JPH01286401 A JP H01286401A JP 63116443 A JP63116443 A JP 63116443A JP 11644388 A JP11644388 A JP 11644388A JP H01286401 A JPH01286401 A JP H01286401A
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はサーマルヘッドに係り、特に安価な設備で生産
性も高い上に均質なサーマルヘッドの構造に関する。
性も高い上に均質なサーマルヘッドの構造に関する。
感熱記録方式のファクシミリ装置やプリンタ等の記録部
に用いられるサーマルヘッドには、その製造方法によっ
て、スクリーン印刷・焼成技術を用いる厚膜型サーマル
ヘッドと、真空技術を用いる薄膜型サーマルヘッドがあ
る。
に用いられるサーマルヘッドには、その製造方法によっ
て、スクリーン印刷・焼成技術を用いる厚膜型サーマル
ヘッドと、真空技術を用いる薄膜型サーマルヘッドがあ
る。
厚膜型サーマルヘッドの一例を第7図によって示す。
第7図(a)は該サーマルヘッドの平面図、第7図(b
’)はb−b ’線に沿った断面図である。
’)はb−b ’線に沿った断面図である。
第7図において、1はアルミナ基板、2はアンダーグレ
ーズ層、73は個別電極、73′は共通電極、74は抵
抗体、75はオーバーグレーズ層を示す。
ーズ層、73は個別電極、73′は共通電極、74は抵
抗体、75はオーバーグレーズ層を示す。
従来のサーマルヘッドの抵抗体74は、第7図に示す如
く、個別電極73、共通電極73′上に帯状に形成され
、断面形状は膜厚が例えば15μmと厚いため、山型に
なっている。これは例えば酸化ルテニウムとガラスフリ
フトの粉末混合物を、溶剤と樹脂を混合した有機ビヒク
ルに分散させた厚膜抵抗ブーストを、基板上にスクリー
ン印刷し、焼成して抵抗体を形成するためである。8ド
ツト/龍のサーマルヘッドの例をとると、通常、抵抗体
74の膜厚は10〜20μm、幅は150〜200μm
、電極73.73′の厚さは2〜5μm程度である。
く、個別電極73、共通電極73′上に帯状に形成され
、断面形状は膜厚が例えば15μmと厚いため、山型に
なっている。これは例えば酸化ルテニウムとガラスフリ
フトの粉末混合物を、溶剤と樹脂を混合した有機ビヒク
ルに分散させた厚膜抵抗ブーストを、基板上にスクリー
ン印刷し、焼成して抵抗体を形成するためである。8ド
ツト/龍のサーマルヘッドの例をとると、通常、抵抗体
74の膜厚は10〜20μm、幅は150〜200μm
、電極73.73′の厚さは2〜5μm程度である。
また、レニウムまたはルテニウムを含む金属有機物を用
いて厚膜方式で薄膜抵抗体を得、これを用いたサーマル
ヘッドも提案されている(特開昭62−292453号
公報参照)。
いて厚膜方式で薄膜抵抗体を得、これを用いたサーマル
ヘッドも提案されている(特開昭62−292453号
公報参照)。
薄膜型サーマルヘッドに用いる抵抗体は真空技術を応用
するもので、例えばタンタル等の難溶性金属の薄膜をス
パツタリングにより基板上に蒸着し、ホトリソ技術によ
ってパターンを形成して薄H莫抵抗体を形成するもので
ある。
するもので、例えばタンタル等の難溶性金属の薄膜をス
パツタリングにより基板上に蒸着し、ホトリソ技術によ
ってパターンを形成して薄H莫抵抗体を形成するもので
ある。
ところが、厚膜型サーマルヘッドに用いる抵抗体は安価
な設備で製造出来、生産性が高いが、次のような問題点
がある。
な設備で製造出来、生産性が高いが、次のような問題点
がある。
即ち、抵抗体の膜厚が厚いため、断面形状が山型になり
(第7図(b)参照)、サーマルヘッドの隣接ドツトと
の熱分離が悪(、印字品質が劣る。
(第7図(b)参照)、サーマルヘッドの隣接ドツトと
の熱分離が悪(、印字品質が劣る。
さらに、熱応答性も劣る。
また、抵抗体がμmオーダーの粉末の焼結体であること
から、高密度化した場合に抵抗値のバラツキも大きい。
から、高密度化した場合に抵抗値のバラツキも大きい。
例えば、8ドツト/龍で288ドツトの抵抗体素子数の
場合、抵抗値のバラツキはi20%にもなる。これは1
2ドツ) / **の場合も同様である。
場合、抵抗値のバラツキはi20%にもなる。これは1
2ドツ) / **の場合も同様である。
また、レニウム等の金属有機物を用いζ、薄膜抵抗体を
形成するものは、レニウムとケイ素あるいはバリウム等
のアルカリ土類金属のNJt 、;17合わせで抵抗体
を形成しており、このような抵抗体では均一な′F!i
膜が得られず、また耐電力強度が小さく、さらに抵抗値
のバラツキも改善されない。
形成するものは、レニウムとケイ素あるいはバリウム等
のアルカリ土類金属のNJt 、;17合わせで抵抗体
を形成しており、このような抵抗体では均一な′F!i
膜が得られず、また耐電力強度が小さく、さらに抵抗値
のバラツキも改善されない。
さらに、薄膜型サーマルヘッドは、形成される抵抗体は
均質で熱応答性も高いが、生産設備が真空装置を用いる
など高価であり、メンテナンスも困難であり、生産性が
低いという問題点がある。
均質で熱応答性も高いが、生産設備が真空装置を用いる
など高価であり、メンテナンスも困難であり、生産性が
低いという問題点がある。
従って本発明の目的は、厚膜方式で、抵抗値のバラツキ
が小さく、熱応答性のよい抵抗体薄膜を形成し、この抵
抗体薄膜を利用してドツト間の熱分離のよい即ち画質の
よいサーマルヘッドを提供するものである。
が小さく、熱応答性のよい抵抗体薄膜を形成し、この抵
抗体薄膜を利用してドツト間の熱分離のよい即ち画質の
よいサーマルヘッドを提供するものである。
〔課題を解決するための手段および作用〕前記目的を達
成するため、本発明では抵抗体としてイリジウム、ロジ
ウム又はオスニウムの少なくとも一つの金属を含み、且
つその膜厚が0.05〜3μmであるのちを用いる。
成するため、本発明では抵抗体としてイリジウム、ロジ
ウム又はオスニウムの少なくとも一つの金属を含み、且
つその膜厚が0.05〜3μmであるのちを用いる。
基板の抵抗体の膜厚を薄くすることにより、サーマルヘ
ッドのドツト間の熱分離がよくなるとともに、熱応答性
も改善され、低消費エネルギー化が実現できる。
ッドのドツト間の熱分離がよくなるとともに、熱応答性
も改善され、低消費エネルギー化が実現できる。
本発明の一実施例を第1図について説明する。
第1図は本実施例のサーマルヘッドの構成図である。第
1図(a)は平面図、第1図(b)はa−a線に沿った
断面図である。
1図(a)は平面図、第1図(b)はa−a線に沿った
断面図である。
第1図において、1はアルミナ基板、2はアンダーグレ
ーズ層、3は個別電極、3′は共通電極、4は抵抗体、
5はオーバーグレーズ層を示す。
ーズ層、3は個別電極、3′は共通電極、4は抵抗体、
5はオーバーグレーズ層を示す。
第1図に示す如く、本発明のサーマルヘッドは、アルミ
ナ基板1上にガラス蓄熱層であるアンダーグレーズ層2
を有する基板上に、イリジウムの酸化物を含む抵抗体4
が、例えば幅150〜200μm程度、膜厚が0.05
〜3μmの範囲で形成されている。さらに抵抗体4の上
を含むアンダーグレーズ層2上に金膜から成る個別電極
3、共1IT1電極3′が設けられている。個別電極3
の幅は、共通電極3′の幅(通常8ドツト/鰭のサーマ
ルヘッドで30μm幅)よりも細く形成されている。こ
れは熱分離改良のためである。これら抵抗体4と個別電
極3、共通電極3′上にオーバーグレーズ層5が保護膜
として設けられている。ただし第1図(a)ではオーバ
ーグレーズ層5は図示省略しである。
ナ基板1上にガラス蓄熱層であるアンダーグレーズ層2
を有する基板上に、イリジウムの酸化物を含む抵抗体4
が、例えば幅150〜200μm程度、膜厚が0.05
〜3μmの範囲で形成されている。さらに抵抗体4の上
を含むアンダーグレーズ層2上に金膜から成る個別電極
3、共1IT1電極3′が設けられている。個別電極3
の幅は、共通電極3′の幅(通常8ドツト/鰭のサーマ
ルヘッドで30μm幅)よりも細く形成されている。こ
れは熱分離改良のためである。これら抵抗体4と個別電
極3、共通電極3′上にオーバーグレーズ層5が保護膜
として設けられている。ただし第1図(a)ではオーバ
ーグレーズ層5は図示省略しである。
次に第1図のサーマルヘッドの製造方法を説明する。
まず、アルミナ基板1上に40〜80μmの厚さに形成
したアンダーグレーズ層2を有する基板上に、例えばイ
リジウムを含む金属有機物の混合溶液をスクリーン印刷
により塗布し、乾燥後焼成して、膜厚0.05〜3μm
1幅約150〜200μmの薄膜抵抗体4を帯状に形成
する。
したアンダーグレーズ層2を有する基板上に、例えばイ
リジウムを含む金属有機物の混合溶液をスクリーン印刷
により塗布し、乾燥後焼成して、膜厚0.05〜3μm
1幅約150〜200μmの薄膜抵抗体4を帯状に形成
する。
この抵抗体の膜厚は、後述する理由により決められ、必
要とする抵抗値に合わせ込むために、スクリーンメツシ
ュ数、エマルジョン厚、印刷回数によって調整する。
要とする抵抗値に合わせ込むために、スクリーンメツシ
ュ数、エマルジョン厚、印刷回数によって調整する。
その後、金有機物くメタロオーガニック金)ペーストを
基板全面に印刷・焼成して、膜厚が例えば0.3〜1μ
mの金膜を形成する。これをフォトリソエツチングして
所望の個別電極3と共通電極3′を形成する。ここで個
別電極3の少なくとも抵抗体4上での幅は、共通電極3
′のそれよりも細(なるよう形成することがよい。これ
は熱分離改良のためである。
基板全面に印刷・焼成して、膜厚が例えば0.3〜1μ
mの金膜を形成する。これをフォトリソエツチングして
所望の個別電極3と共通電極3′を形成する。ここで個
別電極3の少なくとも抵抗体4上での幅は、共通電極3
′のそれよりも細(なるよう形成することがよい。これ
は熱分離改良のためである。
これらの抵抗体4、個別電極3、共通電極3′を含む基
板上に保護のためオーバーグレーズ層5を、抵抗体4上
で膜厚3〜5μmとなるように、ガラスペーストの印刷
・焼成により積層形成し、サーマルヘッドを得る。
板上に保護のためオーバーグレーズ層5を、抵抗体4上
で膜厚3〜5μmとなるように、ガラスペーストの印刷
・焼成により積層形成し、サーマルヘッドを得る。
第2図は本発明の組成の抵抗体の膜厚とベタ黒濃度1.
2にするための消費エネルギーの関係を示すグラフであ
る。第2図における抵抗体の組成はイリジウム:ケイ素
:ビスマス=1:0.5:0.5である。第2図によれ
ば抵抗体の膜厚を3μm以下にすると消費エネルギーは
ほぼ一定となり、3μm以上では消費エネルギーが増加
することがわかる。一般に抵抗体の膜厚を薄(すれば、
消費エネルギーは小さくなるが、従来の厚膜型サーマル
ヘッドに用いる抵抗体では、膜厚を薄くすると電力に対
する強度が弱くなり、熱で抵抗体が破壊されるため、膜
厚を5μm以下にすることは、はとんど不可能であった
。
2にするための消費エネルギーの関係を示すグラフであ
る。第2図における抵抗体の組成はイリジウム:ケイ素
:ビスマス=1:0.5:0.5である。第2図によれ
ば抵抗体の膜厚を3μm以下にすると消費エネルギーは
ほぼ一定となり、3μm以上では消費エネルギーが増加
することがわかる。一般に抵抗体の膜厚を薄(すれば、
消費エネルギーは小さくなるが、従来の厚膜型サーマル
ヘッドに用いる抵抗体では、膜厚を薄くすると電力に対
する強度が弱くなり、熱で抵抗体が破壊されるため、膜
厚を5μm以下にすることは、はとんど不可能であった
。
本発明の抵抗体では3μm以下の膜厚でも電力に対する
強度を保つことができる。
強度を保つことができる。
第3図(ま、イリジウム:ケイ素:ビスマス:ジルコニ
ウム−t:i:t:o、3の抵抗体の膜厚を変化させた
時のS S T (Step 5tress Te5t
)による電力強度試験の結果を示す。SST電力強度試
験は、周知の如く、電力量を変化させて、抵抗体の抵抗
値変化率を調べるものであり、抵抗値変化の少ないもの
程、耐電力強度が高くなり、信頬性の高いサーマルヘッ
ドを得ることができる。
ウム−t:i:t:o、3の抵抗体の膜厚を変化させた
時のS S T (Step 5tress Te5t
)による電力強度試験の結果を示す。SST電力強度試
験は、周知の如く、電力量を変化させて、抵抗体の抵抗
値変化率を調べるものであり、抵抗値変化の少ないもの
程、耐電力強度が高くなり、信頬性の高いサーマルヘッ
ドを得ることができる。
第3図から明らかな如く、膜厚が0.05μm以上にな
ると、従来の厚膜型抵抗体と同等以上の耐電力強度が得
られるが、薄くなりすぎると、抵抗体4とアンダーグレ
ーズ層2表面への密着性が悪くなり、安定に出来ない。
ると、従来の厚膜型抵抗体と同等以上の耐電力強度が得
られるが、薄くなりすぎると、抵抗体4とアンダーグレ
ーズ層2表面への密着性が悪くなり、安定に出来ない。
従って、本発明のサーマルヘッドに用いられる抵抗体の
膜厚は0.05μm〜3μmの範囲で選択することが好
ましい。
膜厚は0.05μm〜3μmの範囲で選択することが好
ましい。
なお上記実施例の構成において、抵抗体4と電極3.3
′の位置を逆にしても、つまり電極3.3′の上に抵抗
体を形成しても同様の効果が得られる。
′の位置を逆にしても、つまり電極3.3′の上に抵抗
体を形成しても同様の効果が得られる。
次に本発明により構成されるサーマルヘッドの特性につ
いて説明する。
いて説明する。
第4図は超々高感度紙を使用して8ドツト/■lのサー
マルヘッドで印字する場合のドツト当たりの消費エネル
ギーとベタ黒濃度の関係を示すグラフである。
マルヘッドで印字する場合のドツト当たりの消費エネル
ギーとベタ黒濃度の関係を示すグラフである。
第4図において、曲線■はイリジウム:ケイ素:ビスマ
ス−1: 0.5 : 0.5の組成で0.3 p m
の膜厚の抵抗体を用いたサーマルヘッドに対する特性を
示し、曲線■は従来の厚膜型抵抗体(膜厚約12μm)
を用いたサーマルヘッドの特性を示す。
ス−1: 0.5 : 0.5の組成で0.3 p m
の膜厚の抵抗体を用いたサーマルヘッドに対する特性を
示し、曲線■は従来の厚膜型抵抗体(膜厚約12μm)
を用いたサーマルヘッドの特性を示す。
曲線Iにより明らかなように、本発明によれば通常のベ
タ黒濃度として適した1、2の濃度を得るために必要な
ドツト当たりの消費エネルギーは0゜20mJであるが
、従来の厚膜型抵抗体では曲線Hによりあきらかなよう
に、0.24mJを必要としている。即ち、本発明のサ
ーマルヘッドの消費エネルギーは約2割も低減されてい
ることになる。
タ黒濃度として適した1、2の濃度を得るために必要な
ドツト当たりの消費エネルギーは0゜20mJであるが
、従来の厚膜型抵抗体では曲線Hによりあきらかなよう
に、0.24mJを必要としている。即ち、本発明のサ
ーマルヘッドの消費エネルギーは約2割も低減されてい
ることになる。
第5図はイリジウム:ケイ素:鉛=1:0.5:0.5
の抵抗体の熱応答特性を示すグラフであって、150μ
m X125μmのドツトサイズのサーマルヘッドに印
加エネルギー0.3mJ/ドツトのパルスを0.5m5
ec印加した場合の温度変化を示し、熱応答曲線Iは抵
抗体の膜厚が0.3μmの本発明のものを示し、熱応答
曲線Hは膜厚が12μmの従来の厚膜型サーマルヘッド
のものを示す。
の抵抗体の熱応答特性を示すグラフであって、150μ
m X125μmのドツトサイズのサーマルヘッドに印
加エネルギー0.3mJ/ドツトのパルスを0.5m5
ec印加した場合の温度変化を示し、熱応答曲線Iは抵
抗体の膜厚が0.3μmの本発明のものを示し、熱応答
曲線Hは膜厚が12μmの従来の厚膜型サーマルヘッド
のものを示す。
第5図によれば、本発明のサーマルヘッドの熱応答曲線
Iは従来の厚膜型サーマルヘッドの熱応答曲線Hに比べ
て、発熱性もよく、ピーク温度に達した後の冷却速度も
早く、熱応答性にすぐれていることが明らかである。
Iは従来の厚膜型サーマルヘッドの熱応答曲線Hに比べ
て、発熱性もよく、ピーク温度に達した後の冷却速度も
早く、熱応答性にすぐれていることが明らかである。
第6図は12ドツト/龍、288ドツトで膜厚が0.2
5μm程度の本発明のサーマルヘッドのドツトによる抵
抗値のバラツキを示す図である。
5μm程度の本発明のサーマルヘッドのドツトによる抵
抗値のバラツキを示す図である。
このサーマルヘッドに用いた抵抗体の組成は、イリジウ
ム:ケイ素:ビスマス:ジルコニウム=1:1: 1:
0.3である。
ム:ケイ素:ビスマス:ジルコニウム=1:1: 1:
0.3である。
第6図によれば本発明のサーマルヘッドの抵抗値のバラ
フキは±7%以内であり、従来の同様規模の厚膜型サー
マルヘッドの±20%に比ベテ大幅に低減されている。
フキは±7%以内であり、従来の同様規模の厚膜型サー
マルヘッドの±20%に比ベテ大幅に低減されている。
さらに隣接ドツト間のバラツキも、従来のサーマルヘッ
ドでは±10%以上のバラツキがあるのに対し、本発明
のサーマルヘッドでは1%以内に低減している。
ドでは±10%以上のバラツキがあるのに対し、本発明
のサーマルヘッドでは1%以内に低減している。
なお、前記実施例、特性図において、イリジウムを含む
抵抗体を用いたサーマルヘッドについて述べたが、本発
明はごれに限られず、イリジウムの代わりにルテニウム
、ロジウムまたはオスミウムを含む抵抗体を用いても、
はぼ同様の効果・特性を得ることができる。
抵抗体を用いたサーマルヘッドについて述べたが、本発
明はごれに限られず、イリジウムの代わりにルテニウム
、ロジウムまたはオスミウムを含む抵抗体を用いても、
はぼ同様の効果・特性を得ることができる。
本発明のサーマルヘッドは、従来の厚膜型サーマルヘッ
ドと同一の設備と類似の工程により、安価で生産性がよ
く、特性の優れたサーマルヘッドである。
ドと同一の設備と類似の工程により、安価で生産性がよ
く、特性の優れたサーマルヘッドである。
特に、従来の厚膜型サーマルヘッドに比べて、低消費エ
ネルギー化が図れる(第4図参照)。
ネルギー化が図れる(第4図参照)。
また、従来の厚膜型サーマルヘッドに比べて熱応答性が
高いため、高速印字が可能である(第5図参照)。
高いため、高速印字が可能である(第5図参照)。
さらにドツト間の熱分離がよいので、主走査方向のドツ
ト間の熱の流入出が低減し、孤立印字ドツトの1度低下
が少なく、画質が向上する。
ト間の熱の流入出が低減し、孤立印字ドツトの1度低下
が少なく、画質が向上する。
本発明のサーマルヘッドに用いる抵抗体は均質な酸化物
薄膜抵抗体であり、従来の厚膜抵抗体に比べて、耐電力
強度が大きく、昇華型などの電力量の大きい感熱記録、
高負荷の印字においても商い信頼性を有して応用できる
。
薄膜抵抗体であり、従来の厚膜抵抗体に比べて、耐電力
強度が大きく、昇華型などの電力量の大きい感熱記録、
高負荷の印字においても商い信頼性を有して応用できる
。
また本発明のサーマルヘッドはドツト毎の抵抗値のバラ
ツキが少なく、印字の際の濃度むらが大幅に改善される
。
ツキが少なく、印字の際の濃度むらが大幅に改善される
。
第1図は本発明のサーマルヘッドの構造説明図、第2図
は抵抗体膜厚と消費エネルギーの関係図、第3図はSS
Tによる電力強度試験の結果図、第4図は消費エネルギ
ーと印字濃度曲線図、第5図はサーマルヘッドの熱応答
曲線図、第6図は抵抗値のバラツキを示す図、 第7図は従来例の構造説明図である。 1・・・アルミナ基板、 2−アンダーグレーズ層3
−個別電極、 3′〜共通電極、4−4ff;抗
体、 5・・−オーバーグレーズ層。 特許出願人 富士ゼロックス株式会社 代理人弁理士 山 谷 晧 榮 第3図 消電エネルへ− 時間 (尻5ec) 第5図 ドラF紋 第6図 第7図
は抵抗体膜厚と消費エネルギーの関係図、第3図はSS
Tによる電力強度試験の結果図、第4図は消費エネルギ
ーと印字濃度曲線図、第5図はサーマルヘッドの熱応答
曲線図、第6図は抵抗値のバラツキを示す図、 第7図は従来例の構造説明図である。 1・・・アルミナ基板、 2−アンダーグレーズ層3
−個別電極、 3′〜共通電極、4−4ff;抗
体、 5・・−オーバーグレーズ層。 特許出願人 富士ゼロックス株式会社 代理人弁理士 山 谷 晧 榮 第3図 消電エネルへ− 時間 (尻5ec) 第5図 ドラF紋 第6図 第7図
Claims (1)
- (1)電極間を抵抗体で接続したサーマルヘッドにおい
て、前記抵抗体はイリジウム、ロジウム又はオスニウム
の少なくとも1つの金属を含み、且つその厚さが0.0
5〜3μmであることを特徴とするサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63116443A JPH01286401A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63116443A JPH01286401A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | サーマルヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01286401A true JPH01286401A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14687238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63116443A Pending JPH01286401A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | サーマルヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01286401A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2666686A1 (fr) * | 1990-09-10 | 1992-03-13 | Ramy Jean Pierre | Procede de fabrication d'un circuit hybride multicouche utilisant des composes organometalliques. |
JPH04279001A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 抵抗体膜形成材料、抵抗体膜および電子部品 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60102702A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | アルプス電気株式会社 | 厚膜抵抗層形成用ペ−スト |
JPS6437894A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | Heating resistor |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP63116443A patent/JPH01286401A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60102702A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | アルプス電気株式会社 | 厚膜抵抗層形成用ペ−スト |
JPS6437894A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | Heating resistor |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2666686A1 (fr) * | 1990-09-10 | 1992-03-13 | Ramy Jean Pierre | Procede de fabrication d'un circuit hybride multicouche utilisant des composes organometalliques. |
JPH04279001A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 抵抗体膜形成材料、抵抗体膜および電子部品 |
US5384076A (en) * | 1991-03-07 | 1995-01-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Resistive film-forming composition and electronic components using the same |
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