JPH04279001A - 抵抗体膜形成材料、抵抗体膜および電子部品 - Google Patents
抵抗体膜形成材料、抵抗体膜および電子部品Info
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- JPH04279001A JPH04279001A JP3041679A JP4167991A JPH04279001A JP H04279001 A JPH04279001 A JP H04279001A JP 3041679 A JP3041679 A JP 3041679A JP 4167991 A JP4167991 A JP 4167991A JP H04279001 A JPH04279001 A JP H04279001A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハイブリッドＩＣ、サ
ーマルヘッド等の各種電子部品に使用されている抵抗体
を形成するための抵抗体膜形成材料に関する。
ーマルヘッド等の各種電子部品に使用されている抵抗体
を形成するための抵抗体膜形成材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】抵抗体膜を形成する技術には厚膜技術と
薄膜技術とがある。前記薄膜技術は、真空容器中の絶縁
基板表面に蒸着、スパッタリング等により抵抗体膜を形
成する技術であり、薄くて均一な抵抗体膜を形成するこ
とができる反面、製造設備が大型となってコスト高にな
るという問題点があった。
薄膜技術とがある。前記薄膜技術は、真空容器中の絶縁
基板表面に蒸着、スパッタリング等により抵抗体膜を形
成する技術であり、薄くて均一な抵抗体膜を形成するこ
とができる反面、製造設備が大型となってコスト高にな
るという問題点があった。
【０００３】前記厚膜技術は、抵抗体膜形成用のペース
トを絶縁基板表面に塗布または印刷してから乾燥、焼成
して抵抗体膜を形成する技術であり、設備が安価で生産
性も高く、低コストであるが、従来多用されている厚膜
技術によって形成された抵抗体膜は一般に膜厚が厚いた
め抵抗体膜の熱容量が大きく、また、抵抗体膜がμｍオ
ーダの粉体の焼結体であるため抵抗値のばらつきが大き
い上、電界強度も弱いという問題点があった。そして、
このような抵抗体膜を発熱抵抗体として用いたサーマル
ヘッドは、エネルギ消費量が大きく、熱応答性にも劣り
、抵抗値も変化し易いという問題点があった。
トを絶縁基板表面に塗布または印刷してから乾燥、焼成
して抵抗体膜を形成する技術であり、設備が安価で生産
性も高く、低コストであるが、従来多用されている厚膜
技術によって形成された抵抗体膜は一般に膜厚が厚いた
め抵抗体膜の熱容量が大きく、また、抵抗体膜がμｍオ
ーダの粉体の焼結体であるため抵抗値のばらつきが大き
い上、電界強度も弱いという問題点があった。そして、
このような抵抗体膜を発熱抵抗体として用いたサーマル
ヘッドは、エネルギ消費量が大きく、熱応答性にも劣り
、抵抗値も変化し易いという問題点があった。
【０００４】また、従来、製造設備の安価な前記厚膜技
術を用いて薄膜状の抵抗体膜を製造する技術が種々提案
されており、それらの技術の一種として、ＭＯＤ（Ｍｅ
ｔａｌｌｏ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法が提案されている。ＭＯＤ法とは、有機金属化合
物を含有する溶液を基板上に塗布して、加熱・焼成する
ことにより分解せしめ、相当する金属酸化物等の薄膜を
得る方法である（特開昭６４−５４７１０号、特開平１
−２８６４０１号、特開平１−２２０４０２号）。この
ＭＯＤ法による抵抗体膜材料としてイリジウム化合物が
用いられることが知られている。
術を用いて薄膜状の抵抗体膜を製造する技術が種々提案
されており、それらの技術の一種として、ＭＯＤ（Ｍｅ
ｔａｌｌｏ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法が提案されている。ＭＯＤ法とは、有機金属化合
物を含有する溶液を基板上に塗布して、加熱・焼成する
ことにより分解せしめ、相当する金属酸化物等の薄膜を
得る方法である（特開昭６４−５４７１０号、特開平１
−２８６４０１号、特開平１−２２０４０２号）。この
ＭＯＤ法による抵抗体膜材料としてイリジウム化合物が
用いられることが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来知られている有機
イリジウム化合物を用いたＭＯＤ法により得られる薄膜
状の抵抗体膜は膜厚の均一性になお問題があり、クラッ
クやピンホールが存在し、また、基板との密着性が充分
ではない等の欠点があった。
イリジウム化合物を用いたＭＯＤ法により得られる薄膜
状の抵抗体膜は膜厚の均一性になお問題があり、クラッ
クやピンホールが存在し、また、基板との密着性が充分
ではない等の欠点があった。
【０００６】また、従来知られているＭＯＤ法に用いる
ことのできる有機イリジウム化合物は限られたものでし
かなく、高価であった。
ことのできる有機イリジウム化合物は限られたものでし
かなく、高価であった。
【０００７】そこで本発明はクラックやピンホールが存
在しなくて、基板との密着性が充分な抵抗体膜を形成し
得る、ＭＯＤ法に用いることのできる新しい有機イリジ
ウム化合物を見いだし、その入手を容易にすることを目
的としている。
在しなくて、基板との密着性が充分な抵抗体膜を形成し
得る、ＭＯＤ法に用いることのできる新しい有機イリジ
ウム化合物を見いだし、その入手を容易にすることを目
的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は次の
構成により解決される。すなわち、抵抗体膜形成材料を
基板上に塗布し、焼成して抵抗体膜を形成する方法に使
用する抵抗体形成材料として、少なくとも下記一般式（
１）〜（３）
構成により解決される。すなわち、抵抗体膜形成材料を
基板上に塗布し、焼成して抵抗体膜を形成する方法に使
用する抵抗体形成材料として、少なくとも下記一般式（
１）〜（３）
【０００９】
【化１】
（式中、Ｒ１は水素原子、アルキル基、またはアルコキ
シル基を示す。） Ｉｒ（ＯＯＣＲ２）３
（２）（式中、Ｒ２
はアルキル基を示す。） Ｉｒ（Ｒ４ＣＯＣＲ３ＣＯＲ５）３
（３）（式中、Ｒ３は水素原
子またはアルキル基を示し、Ｒ４およびＲ５はアルキル
基を示す。）で示される有機イリジウム化合物のいずれ
かを用いる抵抗体膜形成材料、または、シリコン（Ｓｉ
）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、カルシウム（Ｃａ）、ス
ズ（Ｓｎ）、ホウ素（Ｂ）、チタン（Ｔｉ）、バリウム
（Ｂａ）の中から選ばれた少なくとも一種の元素を含む
化合物と前記有機イリジウム化合物とを含有する抵抗体
膜形成材料、または、前記抵抗体形成材料を基板上に塗
布し、焼成して形成される抵抗体膜、または、前記抵抗
体膜を使用する電子部品、である。
シル基を示す。） Ｉｒ（ＯＯＣＲ２）３
（２）（式中、Ｒ２
はアルキル基を示す。） Ｉｒ（Ｒ４ＣＯＣＲ３ＣＯＲ５）３
（３）（式中、Ｒ３は水素原
子またはアルキル基を示し、Ｒ４およびＲ５はアルキル
基を示す。）で示される有機イリジウム化合物のいずれ
かを用いる抵抗体膜形成材料、または、シリコン（Ｓｉ
）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、カルシウム（Ｃａ）、ス
ズ（Ｓｎ）、ホウ素（Ｂ）、チタン（Ｔｉ）、バリウム
（Ｂａ）の中から選ばれた少なくとも一種の元素を含む
化合物と前記有機イリジウム化合物とを含有する抵抗体
膜形成材料、または、前記抵抗体形成材料を基板上に塗
布し、焼成して形成される抵抗体膜、または、前記抵抗
体膜を使用する電子部品、である。
【００１０】式（１）で表される有機イリジウム化合物
は、例えば次のような化合物である。式（４）で表され
るイリジウムトリス（Ｎ−ベンジリデンアントラニレー
ト）、式（５）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−（−
ｐ−メチルベンジリデン）アントラニレート）、式（６
）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−（ｐ−エチルベン
ジリデン）アントラニレート）、式（７）で表されるイ
リジウムトリス（Ｎ−（ｐ−プロピルベンジリデン）ア
ントラニレート）、式（８）で表されるイリジウムトリ
ス（Ｎ−（ｐ−メトキシベンジリデン）アントラニレー
ト）、式（９）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−（ｐ
−エトキシベンジリデン）アントラニレート）、式（１
０）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−（ｍ−メチルベ
ンジリデン）アントラニレート）、式（１１）で表され
るイリジウムトリス（Ｎ−（ｏ−メチルベンジリデン）
アントラニレート）である。
は、例えば次のような化合物である。式（４）で表され
るイリジウムトリス（Ｎ−ベンジリデンアントラニレー
ト）、式（５）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−（−
ｐ−メチルベンジリデン）アントラニレート）、式（６
）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−（ｐ−エチルベン
ジリデン）アントラニレート）、式（７）で表されるイ
リジウムトリス（Ｎ−（ｐ−プロピルベンジリデン）ア
ントラニレート）、式（８）で表されるイリジウムトリ
ス（Ｎ−（ｐ−メトキシベンジリデン）アントラニレー
ト）、式（９）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−（ｐ
−エトキシベンジリデン）アントラニレート）、式（１
０）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−（ｍ−メチルベ
ンジリデン）アントラニレート）、式（１１）で表され
るイリジウムトリス（Ｎ−（ｏ−メチルベンジリデン）
アントラニレート）である。
【００１１】
【化２】
【００１２】
【化３】
【００１３】
【化４】
【００１４】また、一般式（２）で表されるイリジウム
化合物として、例えば次の化合物が用いられる。 イリジウムプロピオネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ２Ｈ５）
３イリジウムｎ−ブチレート Ｉｒ（ＯＯＣＣ３Ｈ７
）３イリジウム２−メチルプロピオネート Ｉｒ［Ｏ
ＯＣＣＨ（ＣＨ３）２］３ イリジウムｎ−ペンタネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ４Ｈ９
）３イリジウム２−メチルブチレート Ｉｒ［ＯＯＣ
ＣＨ（ＣＨ３）Ｃ２Ｈ５］３ イリジウム３−メチルブチレート Ｉｒ［ＯＯＣＣＨ
２ＣＨ（ＣＨ３）２］３ イリジウムピバレート Ｉｒ［ＯＯＣＣ（ＣＨ３）３
］３イリジウムｎ−ヘキサネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ５
Ｈ１１）３イリジウムｎ−オクタネート Ｉｒ（ＯＯ
ＣＣ７Ｈ１５）３イリジウムｎ−デカネート Ｉｒ（Ｏ
ＯＣＣ９Ｈ１９）３イリジウムｎ−ドデカネート Ｉ
ｒ（ＯＯＣＣ１１Ｈ２３）３ イリジウムｎ−テトラデカネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ１
３Ｈ２７）３ イリジウムｎ−ヘキサデカネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ１
５Ｈ３１）３ イリジウムｎ−オクタデカネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ１
７Ｈ３５）３ イリジウムオレート Ｉｒ（ＯＯＣＣ７Ｈ１４ＣＨ＝
ＣＨＣ８Ｈ１７）３
化合物として、例えば次の化合物が用いられる。 イリジウムプロピオネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ２Ｈ５）
３イリジウムｎ−ブチレート Ｉｒ（ＯＯＣＣ３Ｈ７
）３イリジウム２−メチルプロピオネート Ｉｒ［Ｏ
ＯＣＣＨ（ＣＨ３）２］３ イリジウムｎ−ペンタネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ４Ｈ９
）３イリジウム２−メチルブチレート Ｉｒ［ＯＯＣ
ＣＨ（ＣＨ３）Ｃ２Ｈ５］３ イリジウム３−メチルブチレート Ｉｒ［ＯＯＣＣＨ
２ＣＨ（ＣＨ３）２］３ イリジウムピバレート Ｉｒ［ＯＯＣＣ（ＣＨ３）３
］３イリジウムｎ−ヘキサネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ５
Ｈ１１）３イリジウムｎ−オクタネート Ｉｒ（ＯＯ
ＣＣ７Ｈ１５）３イリジウムｎ−デカネート Ｉｒ（Ｏ
ＯＣＣ９Ｈ１９）３イリジウムｎ−ドデカネート Ｉ
ｒ（ＯＯＣＣ１１Ｈ２３）３ イリジウムｎ−テトラデカネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ１
３Ｈ２７）３ イリジウムｎ−ヘキサデカネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ１
５Ｈ３１）３ イリジウムｎ−オクタデカネート Ｉｒ（ＯＯＣＣ１
７Ｈ３５）３ イリジウムオレート Ｉｒ（ＯＯＣＣ７Ｈ１４ＣＨ＝
ＣＨＣ８Ｈ１７）３
【００１５】また、一般式（３）で表されるイリジウム
化合物として、例えば次の化合物が用いられる。 イリジウムアセチルアセトナート（イリジウム−２，４
−ペンタンジオネート） Ｉｒ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）３ イリジウム３，５−ヘプタンジオネートＩｒ（Ｃ２Ｈ５
ＣＯＣＨＣＯＣ２Ｈ５）３イリジウム４，６−ノナンジ
オネート Ｉｒ（Ｃ３Ｈ７ＣＯＣＨＣＯＣ３Ｈ７）３イリジウム２
，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート Ｉｒ［（ＣＨ３）２ＣＨＣＯＣＨＣＯＣＨ（ＣＨ３）２
］３イリジウム５，７−ウンデカンジオネートＩｒ（Ｃ
４Ｈ９ＣＯＣＨＣＯＣ４Ｈ９）３イリジウム３，７−ジ
メチル−４，６−ノナンジオネート Ｉｒ［Ｃ２Ｈ５ＣＨ（ＣＨ３）ＣＯＣＨＣＯＣＨ（ＣＨ
３）Ｃ２Ｈ５］３ イリジウム２，８−ジメチル−４，６−ノナンジオネー
ト Ｉｒ［（ＣＨ３）２ＣＨＣＨ２ＣＯＣＨＣＯＣＨ２ＣＨ
（ＣＨ３）２］３ イリジウム２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘ
プタンジオネート Ｉｒ［（ＣＨ３）２ＣＣＯＣＣＨＣＯＣ（ＣＨ３）３］
３イリジウム３−メチル−２，４−ペンタンジオネート
Ｉｒ（ＣＨ３ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣＨ３）３イリジウム４
−メチル−３，５−ペンタンジオネートＩｒ（Ｃ２Ｈ５
ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣ２Ｈ５）３イリジウム５−メチル−
４，６−ノナンジオネートＩｒ（Ｃ３Ｈ７ＣＯＣＣＨ３
ＣＯＣ３Ｃ７）３イリジウム２，４，６−トリメチル−
３，５−ペンタンジオネート Ｉｒ［（ＣＨ３）２ＣＨＣＯＣＣＨ３ＣＯＣＨ（ＣＨ３
）２］３ イリジウム６−メチル−５，７−ウンデカンジオネート
Ｉｒ（Ｃ４Ｈ９ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣ４Ｃ９）３イリジウ
ム３，５，７−トリメチル−４，６−ノナンジオネート Ｉｒ［Ｃ２Ｈ５ＣＨ（ＣＨ３）ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣＨ（
ＣＨ３）Ｃ２Ｈ５］３ イリジウム２，５，８−トリメチル−４，６−ノナンジ
オネート Ｉｒ［（ＣＨ３）２ＣＨＣＨ２ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣＨ２
ＣＨ（ＣＨ３）２］３ イリジウム２，２，４，６，６−ペンタメチル−３，５
−ヘプタンジオネート Ｉｒ［（ＣＨ３）３ＣＣＯＣＣＨ３ＣＯＣ（ＣＨ３）３
］３
化合物として、例えば次の化合物が用いられる。 イリジウムアセチルアセトナート（イリジウム−２，４
−ペンタンジオネート） Ｉｒ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）３ イリジウム３，５−ヘプタンジオネートＩｒ（Ｃ２Ｈ５
ＣＯＣＨＣＯＣ２Ｈ５）３イリジウム４，６−ノナンジ
オネート Ｉｒ（Ｃ３Ｈ７ＣＯＣＨＣＯＣ３Ｈ７）３イリジウム２
，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート Ｉｒ［（ＣＨ３）２ＣＨＣＯＣＨＣＯＣＨ（ＣＨ３）２
］３イリジウム５，７−ウンデカンジオネートＩｒ（Ｃ
４Ｈ９ＣＯＣＨＣＯＣ４Ｈ９）３イリジウム３，７−ジ
メチル−４，６−ノナンジオネート Ｉｒ［Ｃ２Ｈ５ＣＨ（ＣＨ３）ＣＯＣＨＣＯＣＨ（ＣＨ
３）Ｃ２Ｈ５］３ イリジウム２，８−ジメチル−４，６−ノナンジオネー
ト Ｉｒ［（ＣＨ３）２ＣＨＣＨ２ＣＯＣＨＣＯＣＨ２ＣＨ
（ＣＨ３）２］３ イリジウム２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘ
プタンジオネート Ｉｒ［（ＣＨ３）２ＣＣＯＣＣＨＣＯＣ（ＣＨ３）３］
３イリジウム３−メチル−２，４−ペンタンジオネート
Ｉｒ（ＣＨ３ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣＨ３）３イリジウム４
−メチル−３，５−ペンタンジオネートＩｒ（Ｃ２Ｈ５
ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣ２Ｈ５）３イリジウム５−メチル−
４，６−ノナンジオネートＩｒ（Ｃ３Ｈ７ＣＯＣＣＨ３
ＣＯＣ３Ｃ７）３イリジウム２，４，６−トリメチル−
３，５−ペンタンジオネート Ｉｒ［（ＣＨ３）２ＣＨＣＯＣＣＨ３ＣＯＣＨ（ＣＨ３
）２］３ イリジウム６−メチル−５，７−ウンデカンジオネート
Ｉｒ（Ｃ４Ｈ９ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣ４Ｃ９）３イリジウ
ム３，５，７−トリメチル−４，６−ノナンジオネート Ｉｒ［Ｃ２Ｈ５ＣＨ（ＣＨ３）ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣＨ（
ＣＨ３）Ｃ２Ｈ５］３ イリジウム２，５，８−トリメチル−４，６−ノナンジ
オネート Ｉｒ［（ＣＨ３）２ＣＨＣＨ２ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣＨ２
ＣＨ（ＣＨ３）２］３ イリジウム２，２，４，６，６−ペンタメチル−３，５
−ヘプタンジオネート Ｉｒ［（ＣＨ３）３ＣＣＯＣＣＨ３ＣＯＣ（ＣＨ３）３
］３
【００１６】また、前記有機イリジウム化合物と混
合して用いられるイリジウム以外の元素を持つ有機金属
化合物としては、例えば次のような化合物が用いられる
。 Ｓｉ ポリ（ジトリルシロキサン）−［−Ｓｉ（
Ｃ６Ｈ４ＣＨ３）２Ｏ−］−ｎＢｉ ２−エチル
ヘキサン酸ビスマスＢｉ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４
Ｈ９］３Ｐｂ ２−エチルヘキサン酸鉛 Ｐｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２Ａｌ
ラウリン酸アルミニウム Ａｌ（ＯＣＯＣ１１Ｈ２３）３ Ｚｒ ２−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムＺ
ｒＯ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２Ｃａ
２−エチルヘキサン酸カルシウムＣａ［ＯＣＯＣＨ（
Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２Ｓｎ ２−エチルヘキサ
ン酸錫 Ｓｎ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２Ｂ
２−エチルヘキサン酸ほう素Ｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２
Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］３Ｔｉ チタンテトライソプロ
ポキシドＴｉ［ＯＣＨ（ＣＨ３）２］４ Ｂａ ２−エチルヘキサン酸バリウムＢａ［ＯＣ
ＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２である。また、市販の
金属のレジネート、非金属のレジネートを用いることも
できる。
合して用いられるイリジウム以外の元素を持つ有機金属
化合物としては、例えば次のような化合物が用いられる
。 Ｓｉ ポリ（ジトリルシロキサン）−［−Ｓｉ（
Ｃ６Ｈ４ＣＨ３）２Ｏ−］−ｎＢｉ ２−エチル
ヘキサン酸ビスマスＢｉ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４
Ｈ９］３Ｐｂ ２−エチルヘキサン酸鉛 Ｐｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２Ａｌ
ラウリン酸アルミニウム Ａｌ（ＯＣＯＣ１１Ｈ２３）３ Ｚｒ ２−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムＺ
ｒＯ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２Ｃａ
２−エチルヘキサン酸カルシウムＣａ［ＯＣＯＣＨ（
Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２Ｓｎ ２−エチルヘキサ
ン酸錫 Ｓｎ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２Ｂ
２−エチルヘキサン酸ほう素Ｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２
Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］３Ｔｉ チタンテトライソプロ
ポキシドＴｉ［ＯＣＨ（ＣＨ３）２］４ Ｂａ ２−エチルヘキサン酸バリウムＢａ［ＯＣ
ＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２である。また、市販の
金属のレジネート、非金属のレジネートを用いることも
できる。
【００１７】
【作用】本発明の抵抗体膜形成材料を含む溶液を基板上
に塗布し、乾燥後、焼成することで基板に密着した抵抗
体膜が形成される。
に塗布し、乾燥後、焼成することで基板に密着した抵抗
体膜が形成される。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
実施例１
図１において、アルミナ等のセラミック製の基板本体１
ａとその表面に形成されたアンダーグレーズ層１ｂとか
ら構成された絶縁基板１の表面に、抵抗体膜形成用材料
をスクリーン印刷によりベタ印刷する。なお、以下のす
べての実施例において、図１に示すような抵抗体膜を絶
縁基板に印刷する。
ａとその表面に形成されたアンダーグレーズ層１ｂとか
ら構成された絶縁基板１の表面に、抵抗体膜形成用材料
をスクリーン印刷によりベタ印刷する。なお、以下のす
べての実施例において、図１に示すような抵抗体膜を絶
縁基板に印刷する。
【００１９】前記抵抗体膜形成用材料としては、下記の
各金属有機化合物材料を混合して使用する。 式（４）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−ベンジリデ
ンアントラニレート） ポリ（ジトリルシロキサン） −［−Ｓｉ（Ｃ６Ｈ４
ＣＨ３）２Ｏ−］ｎ− ２−エチルヘキサン酸ビスマス Ｂｉ［ＯＣＯＣＨ（
Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］３ 上記各有機化合物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ：Ｓ
ｉ：Ｂｉ＝１：１：１となるような割合で混合し、さら
にα−ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート
等の溶剤を使用して粘度を３０００〜２００００ｃｐｓ
に調整する。この混合物からなる抵抗体膜形成用材料を
１００〜４００メッシュのステンレススクリーンを用い
て、前記絶縁基板１表面上に印刷塗布する。
各金属有機化合物材料を混合して使用する。 式（４）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−ベンジリデ
ンアントラニレート） ポリ（ジトリルシロキサン） −［−Ｓｉ（Ｃ６Ｈ４
ＣＨ３）２Ｏ−］ｎ− ２−エチルヘキサン酸ビスマス Ｂｉ［ＯＣＯＣＨ（
Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］３ 上記各有機化合物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ：Ｓ
ｉ：Ｂｉ＝１：１：１となるような割合で混合し、さら
にα−ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート
等の溶剤を使用して粘度を３０００〜２００００ｃｐｓ
に調整する。この混合物からなる抵抗体膜形成用材料を
１００〜４００メッシュのステンレススクリーンを用い
て、前記絶縁基板１表面上に印刷塗布する。
【００２０】この印刷塗布された絶縁基板１を１２０℃
で乾燥してから、赤外線ベルト焼成炉において８００℃
のピーク温度で１０分間焼成して抵抗体膜２を形成する
。このようにして形成された抵抗体膜２は膜厚０．１〜
０．５μｍであり、密着性は良好でテープテストでも剥
がれなかった。シート抵抗は膜厚０．２ｍｍに換算して
４５０Ω／□程度である。
で乾燥してから、赤外線ベルト焼成炉において８００℃
のピーク温度で１０分間焼成して抵抗体膜２を形成する
。このようにして形成された抵抗体膜２は膜厚０．１〜
０．５μｍであり、密着性は良好でテープテストでも剥
がれなかった。シート抵抗は膜厚０．２ｍｍに換算して
４５０Ω／□程度である。
【００２１】実施例２
抵抗体膜形成用材料としては、下記の各金属有機化合物
材料を混合して使用する。 式（６）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−（ｐ−エチ
ルベンジリデン）アントラニレート） ２−エチルヘキサン酸鉛 Ｐｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ
５）Ｃ４Ｈ９］２ ２−エチルヘキサン酸バリウム Ｂａ［ＯＣＯＣ
Ｈ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２ 上記各金属有機化合物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ：Ｐ
ｂ：Ｂａ＝１：１：１となるような割合で混合する以外
は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成された抵
抗体膜は膜厚０．０５〜０．４μｍであり、密着性は良
好でテープテストでも剥がれなかった。シート抵抗は膜
厚０．２μｍに換算して２ＫΩ／□程度である。
材料を混合して使用する。 式（６）で表されるイリジウムトリス（Ｎ−（ｐ−エチ
ルベンジリデン）アントラニレート） ２−エチルヘキサン酸鉛 Ｐｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ
５）Ｃ４Ｈ９］２ ２−エチルヘキサン酸バリウム Ｂａ［ＯＣＯＣ
Ｈ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２ 上記各金属有機化合物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ：Ｐ
ｂ：Ｂａ＝１：１：１となるような割合で混合する以外
は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成された抵
抗体膜は膜厚０．０５〜０．４μｍであり、密着性は良
好でテープテストでも剥がれなかった。シート抵抗は膜
厚０．２μｍに換算して２ＫΩ／□程度である。
【００２２】実施例３
抵抗体膜形成用材料としては、下記の各金属有機化合物
材料を混合して使用する。 式（８）で表されるイリジウムトリス［Ｎ−（ｐ−メト
キシベンジリデン）アントラニレート］２−エチルヘキ
サン酸酸化ジルコニウムＺｒＯ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５
）Ｃ４Ｈ９］２２−エチルヘキサン酸錫 Ｓｎ［ＯＣ
ＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２ 上記各金属有機化合物を焼成後の原子数比がＩｒ：
Ｚｒ：Ｓｎ＝２：１：１となるような割合で混合する以
外は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成された
抵抗体膜は膜厚０．０５〜０．４μｍであり、密着性は
良好でテープテストでも剥がれなかった。シート抵抗は
膜厚０．２μｍに換算して６ＫΩ／□程度である。
材料を混合して使用する。 式（８）で表されるイリジウムトリス［Ｎ−（ｐ−メト
キシベンジリデン）アントラニレート］２−エチルヘキ
サン酸酸化ジルコニウムＺｒＯ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５
）Ｃ４Ｈ９］２２−エチルヘキサン酸錫 Ｓｎ［ＯＣ
ＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２ 上記各金属有機化合物を焼成後の原子数比がＩｒ：
Ｚｒ：Ｓｎ＝２：１：１となるような割合で混合する以
外は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成された
抵抗体膜は膜厚０．０５〜０．４μｍであり、密着性は
良好でテープテストでも剥がれなかった。シート抵抗は
膜厚０．２μｍに換算して６ＫΩ／□程度である。
【００２３】実施例４
前記抵抗体膜形成用材料としては、下記の各金属有機化
合物材料を混合して使用する。 イリジウムピバレート ［Ｉｒ（ＯＣＯＣ（ＣＨ３）
３）３］ ポリ（ジトリルシロキサン） −［−Ｓｉ（Ｃ６Ｈ４
ＣＨ３）２Ｏ−］ｎ− ビスマスの２−エチルヘキサン酸塩 Ｂｉ［ＯＣＯＣ
Ｈ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］３ 上記各有機化合物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ：Ｓｉ：
Ｂｉ＝１：１：１となるような割合で混合し、さらにα
−ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート等の
溶剤を使用して粘度を３０００〜２００００ｃｐｓに調
整する。この混合物（抵抗体膜形成用材料）を１００〜
４００メッシュのステンレススクリーンを用いて、前記
絶縁基板１表面上に印刷塗布する。
合物材料を混合して使用する。 イリジウムピバレート ［Ｉｒ（ＯＣＯＣ（ＣＨ３）
３）３］ ポリ（ジトリルシロキサン） −［−Ｓｉ（Ｃ６Ｈ４
ＣＨ３）２Ｏ−］ｎ− ビスマスの２−エチルヘキサン酸塩 Ｂｉ［ＯＣＯＣ
Ｈ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］３ 上記各有機化合物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ：Ｓｉ：
Ｂｉ＝１：１：１となるような割合で混合し、さらにα
−ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート等の
溶剤を使用して粘度を３０００〜２００００ｃｐｓに調
整する。この混合物（抵抗体膜形成用材料）を１００〜
４００メッシュのステンレススクリーンを用いて、前記
絶縁基板１表面上に印刷塗布する。
【００２４】この印刷塗布された絶縁基板１を１２０℃
で乾燥してから、赤外線ベルト焼成炉において８００℃
のピーク温度で１０分間焼成して抵抗体膜２を形成する
。このようにして形成された抵抗体膜２は膜厚０．１〜
０．５μｍであり、密着性は良好でテープテストでも剥
がれなかった。シート抵抗は膜厚０．２ｍｍに換算して
４５０Ω／□程度である。
で乾燥してから、赤外線ベルト焼成炉において８００℃
のピーク温度で１０分間焼成して抵抗体膜２を形成する
。このようにして形成された抵抗体膜２は膜厚０．１〜
０．５μｍであり、密着性は良好でテープテストでも剥
がれなかった。シート抵抗は膜厚０．２ｍｍに換算して
４５０Ω／□程度である。
【００２５】実施例５
前記抵抗体膜形成用材料としては、下記の各金属有機化
合物材料を混合して使用する。 イリジウム−３−メチルブチレート Ｉｒ［ＯＣＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＣＨ３）２］３ ２−エチルヘキサン酸鉛 Ｐｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ
２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２ ２−エチルヘキサン酸カルシウム Ｃａ［ＯＣＯＣＨ
（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２ 上記各金属有機化合物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ
：Ｐｂ：Ｃａ＝２：１：１となるような割合で混合する
以外は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成され
た抵抗体膜は膜厚０．１〜０．５μｍであり、密着性は
良好でテープテストでも剥がれなかった。シート抵抗は
膜厚０．２μｍに換算して２５０Ω／□程度である。
合物材料を混合して使用する。 イリジウム−３−メチルブチレート Ｉｒ［ＯＣＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＣＨ３）２］３ ２−エチルヘキサン酸鉛 Ｐｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ
２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２ ２−エチルヘキサン酸カルシウム Ｃａ［ＯＣＯＣＨ
（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２ 上記各金属有機化合物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ
：Ｐｂ：Ｃａ＝２：１：１となるような割合で混合する
以外は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成され
た抵抗体膜は膜厚０．１〜０．５μｍであり、密着性は
良好でテープテストでも剥がれなかった。シート抵抗は
膜厚０．２μｍに換算して２５０Ω／□程度である。
【００２６】実施例６
前記抵抗体膜形成用材料としては、下記の各金属有機化
合物材料を混合して使用する。 イリジウムオレート（オレイン酸イリジウム）Ｉｒ［Ｏ
ＣＯＣ７Ｈ１４ＣＨ＝ＣＨＣ８Ｈ１７）３２−エチルヘ
キサン酸酸化ジルコニウムＺｒＯ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ
５）Ｃ４Ｈ９］２チタンテトライソプロポキシド Ｔ
ｉ［ＯＣＨ（ＣＨ３）２］４ 上記各金属有機化合物を焼成後の原子数比がＩｒ：
Ｚｒ：Ｔｉ＝２：１：１となるような割合で混合する以
外は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成された
抵抗体膜は膜厚０．１〜０．４μｍであり、密着性は良
好でテープテストでも剥がれなかった。シート抵抗は膜
厚０．２μｍに換算して９ＫΩ／□程度である。
合物材料を混合して使用する。 イリジウムオレート（オレイン酸イリジウム）Ｉｒ［Ｏ
ＣＯＣ７Ｈ１４ＣＨ＝ＣＨＣ８Ｈ１７）３２−エチルヘ
キサン酸酸化ジルコニウムＺｒＯ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ
５）Ｃ４Ｈ９］２チタンテトライソプロポキシド Ｔ
ｉ［ＯＣＨ（ＣＨ３）２］４ 上記各金属有機化合物を焼成後の原子数比がＩｒ：
Ｚｒ：Ｔｉ＝２：１：１となるような割合で混合する以
外は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成された
抵抗体膜は膜厚０．１〜０．４μｍであり、密着性は良
好でテープテストでも剥がれなかった。シート抵抗は膜
厚０．２μｍに換算して９ＫΩ／□程度である。
【００２７】実施例７
前記抵抗体膜形成用材料としては、下記の各金属有機物
材料を混合して使用する。 イリジウムアセチルアセトナート ［Ｉｒ（ＣＨ３Ｃ
ＯＣＨＣＯＣＨ３）３］ ポリ（ジトリルシロキサン） −［−Ｓｉ（Ｃ６Ｈ４
ＣＨ３）２Ｏ−］ｎ− ビスマスの２−エチルヘキサン酸塩 Ｂｉ［ＯＣＯＣ
Ｈ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］３ 上記各有機化合物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ：Ｓ
ｉ：Ｂｉ＝１：１：１となるような割合で混合し、さら
にα−ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート
等の溶剤を使用して粘度を３０００〜２００００ｃｐｓ
に調整する。この混合物を１００〜４００メッシュのス
テンレススクリーンを用いて、前記絶縁基板１表面上に
印刷塗布する。
材料を混合して使用する。 イリジウムアセチルアセトナート ［Ｉｒ（ＣＨ３Ｃ
ＯＣＨＣＯＣＨ３）３］ ポリ（ジトリルシロキサン） −［−Ｓｉ（Ｃ６Ｈ４
ＣＨ３）２Ｏ−］ｎ− ビスマスの２−エチルヘキサン酸塩 Ｂｉ［ＯＣＯＣ
Ｈ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］３ 上記各有機化合物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ：Ｓ
ｉ：Ｂｉ＝１：１：１となるような割合で混合し、さら
にα−ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート
等の溶剤を使用して粘度を３０００〜２００００ｃｐｓ
に調整する。この混合物を１００〜４００メッシュのス
テンレススクリーンを用いて、前記絶縁基板１表面上に
印刷塗布する。
【００２８】この印刷塗布された絶縁基板１を１２０℃
で乾燥してから、赤外線ベルト焼成炉において８００℃
のピーク温度で１０分間焼成して抵抗体膜２を形成する
。このようにして形成された抵抗体膜２は膜厚０．１〜
０．５μｍであり、密着性は良好でテープテストでも剥
がれなかった。シート抵抗は膜厚０．２μｍ、に換算し
て４５０Ω／□程度である。
で乾燥してから、赤外線ベルト焼成炉において８００℃
のピーク温度で１０分間焼成して抵抗体膜２を形成する
。このようにして形成された抵抗体膜２は膜厚０．１〜
０．５μｍであり、密着性は良好でテープテストでも剥
がれなかった。シート抵抗は膜厚０．２μｍ、に換算し
て４５０Ω／□程度である。
【００２９】実施例８
イリジウム−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−
ヘプタンジオネート Ｉｒ［（ＣＨ３）３ＣＣＯＣＣＯＣ（ＣＨ３）３］３２
−エチルヘキサン酸鉛 Ｐｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５
）Ｃ４Ｈ９］２ ラウリン酸アルミニウム Ａｌ（ＯＣＯＣ１１Ｈ
２３）３上記各金属有機物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ
：Ｐｂ：Ａｌ＝２：２：１となるような割合で混合する
以外は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成され
た抵抗体膜は膜厚０．１〜０．５μｍであり、密着性は
良好でテープテストでも剥がれなかった。シート抵抗は
膜厚０．２μｍに換算して３００Ω／□程度である。
ヘプタンジオネート Ｉｒ［（ＣＨ３）３ＣＣＯＣＣＯＣ（ＣＨ３）３］３２
−エチルヘキサン酸鉛 Ｐｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５
）Ｃ４Ｈ９］２ ラウリン酸アルミニウム Ａｌ（ＯＣＯＣ１１Ｈ
２３）３上記各金属有機物を焼成後の原子数比が、Ｉｒ
：Ｐｂ：Ａｌ＝２：２：１となるような割合で混合する
以外は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成され
た抵抗体膜は膜厚０．１〜０．５μｍであり、密着性は
良好でテープテストでも剥がれなかった。シート抵抗は
膜厚０．２μｍに換算して３００Ω／□程度である。
【００３０】実施例９
イリジウム−３−メチル−２，４−ペンタンジオネート
Ｉｒ（ＣＨ３ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣＨ３）３ ２−エチ
ルヘキサン酸酸化ジルコニウムＺｒＯ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ
２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２２−エチルヘキサン酸ホウ素
Ｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］３ 上記各金属有機化合物を焼成後の原子数比がＩｒ：
Ｚｒ：Ｂ＝２：１：１となるような割合で混合する以外
は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成された抵
抗体膜は膜厚０．１〜０．５μｍであり、シート抵抗は
膜厚０．２μｍに換算して７ＫΩ／□程度である。
Ｉｒ（ＣＨ３ＣＯＣＣＨ３ＣＯＣＨ３）３ ２−エチ
ルヘキサン酸酸化ジルコニウムＺｒＯ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ
２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］２２−エチルヘキサン酸ホウ素
Ｂ［ＯＣＯＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９］３ 上記各金属有機化合物を焼成後の原子数比がＩｒ：
Ｚｒ：Ｂ＝２：１：１となるような割合で混合する以外
は実施例１と同様に抵抗体膜を形成する。形成された抵
抗体膜は膜厚０．１〜０．５μｍであり、シート抵抗は
膜厚０．２μｍに換算して７ＫΩ／□程度である。
【００３１】前記実施例に記載した有機イリジウム化合
物を主成分とする抵抗体膜形成用材料は、徐々に燃焼し
て、酸化イリジウム（ＩｒＯ２）を均一に含有する抵抗
体膜２となる。この抵抗体膜２は、サブミクロンのレベ
ルで均質であり、クラックやピンホールがなく、基板と
の密着強度が大きい。従って、本実施例によって形成さ
れる前記抵抗体膜は抵抗値のばらつきが小さく、また、
電界・電力に対する強度が大きく、電力印加時の抵抗値
変動が小さい。
物を主成分とする抵抗体膜形成用材料は、徐々に燃焼し
て、酸化イリジウム（ＩｒＯ２）を均一に含有する抵抗
体膜２となる。この抵抗体膜２は、サブミクロンのレベ
ルで均質であり、クラックやピンホールがなく、基板と
の密着強度が大きい。従って、本実施例によって形成さ
れる前記抵抗体膜は抵抗値のばらつきが小さく、また、
電界・電力に対する強度が大きく、電力印加時の抵抗値
変動が小さい。
【００３２】以上、本発明による抵抗体膜の形成方法の
実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明を
逸脱する事なく、種々の小設計変更を行うことが可能で
ある。例えば、粘度調整剤等を添加してもよく、抵抗体
膜形成用材料としては実施例で示したもの以外の材料も
使用することが可能であり、使用する材料に応じて、粘
度、焼成温度、焼成時間等も変えることが可能である。 また、抵抗体膜形成材料を絶縁基板表面に塗布する方法
としては、スクリーン印刷法の代わりに、ディップ法、
ロールコート法、スピンコート法、インクジェット法等
を採用することも可能である。
実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明を
逸脱する事なく、種々の小設計変更を行うことが可能で
ある。例えば、粘度調整剤等を添加してもよく、抵抗体
膜形成用材料としては実施例で示したもの以外の材料も
使用することが可能であり、使用する材料に応じて、粘
度、焼成温度、焼成時間等も変えることが可能である。 また、抵抗体膜形成材料を絶縁基板表面に塗布する方法
としては、スクリーン印刷法の代わりに、ディップ法、
ロールコート法、スピンコート法、インクジェット法等
を採用することも可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明の有機イリジウム化合物を主成分
とする抵抗体膜形成用材料を用いる抵抗体膜は酸化イリ
ジウム（ＩｒＯ２）を均一に含有し、サブミクロンのレ
ベルで均質であり、クラックやピンホールがなく、基板
との密着強度が大きい。そのため、抵抗体膜は抵抗値の
ばらつきが小さい。また、本発明によりＭＯＤ法に用い
ることのできる新たな有機イリジウム化合物が得られ、
しかも、この有機イリジウム化合物を用いることにより
、従来知られていた有機イリジウム化合物と同等以上の
性能を持つ抵抗体膜を作製することができる。
とする抵抗体膜形成用材料を用いる抵抗体膜は酸化イリ
ジウム（ＩｒＯ２）を均一に含有し、サブミクロンのレ
ベルで均質であり、クラックやピンホールがなく、基板
との密着強度が大きい。そのため、抵抗体膜は抵抗値の
ばらつきが小さい。また、本発明によりＭＯＤ法に用い
ることのできる新たな有機イリジウム化合物が得られ、
しかも、この有機イリジウム化合物を用いることにより
、従来知られていた有機イリジウム化合物と同等以上の
性能を持つ抵抗体膜を作製することができる。
【図１】本発明の実施例で得られる抵抗体膜をその表面
に形成した絶縁基板の断面図である。
に形成した絶縁基板の断面図である。
１ 絶縁基板
１ａ 基板本体
１ｂ アンダーグレーズ層
２ 抵抗体膜
Claims (4)
- 【請求項１】 抵抗体膜形成材料を基板上に塗布し、
焼成して抵抗体膜を形成する方法に使用する抵抗体形成
材料として、少なくとも下記一般式（１）〜（３）【化
１】 （式中、Ｒ１は水素原子、アルキル基またはアルコキシ
ル基を示す。） Ｉｒ（ＯＯＣＲ２）３
（２）（式中、Ｒ２
はアルキル基を示す。） Ｉｒ（Ｒ４ＣＯＣＲ３ＣＯＲ５）３
（３）（式中、Ｒ３は水素原
子またはアルキル基を示し、Ｒ４およびＲ５はアルキル
基を示す。）で示される有機イリジウム化合物のいずれ
かを用いることを特徴とする抵抗体膜形成材料。 - 【請求項２】 シリコン（Ｓｉ）、ビスマス（Ｂｉ）
、鉛（Ｐｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（
Ｚｒ）、カルシウム（Ｃａ）、スズ（Ｓｎ）、ホウ素（
Ｂ）、チタン（Ｔｉ）、バリウム（Ｂａ）の中から選ば
れた少なくとも一種の元素を含む化合物と請求項１記載
の有機イリジウム化合物とを含有することを特徴とする
抵抗体膜形成材料。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の抵抗体形成材
料を基板上に塗布し、焼成して形成されることを特徴と
する抵抗体膜。 - 【請求項４】 請求項３記載の抵抗体膜を使用するこ
とを特徴とする電子部品。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3041679A JPH07105283B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 抵抗体膜形成材料、抵抗体膜および電子部品 |
| US07/844,853 US5384076A (en) | 1991-03-07 | 1992-03-03 | Resistive film-forming composition and electronic components using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3041679A JPH07105283B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 抵抗体膜形成材料、抵抗体膜および電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04279001A true JPH04279001A (ja) | 1992-10-05 |
| JPH07105283B2 JPH07105283B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=12615113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3041679A Expired - Fee Related JPH07105283B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 抵抗体膜形成材料、抵抗体膜および電子部品 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5384076A (ja) |
| JP (1) | JPH07105283B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5520851A (en) * | 1993-11-12 | 1996-05-28 | Ppg Industries, Inc. | Iridium oxide film for electrochromic device |
| EP0736890B1 (en) | 1995-04-04 | 2002-07-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal-containing compostition for forming electron-emitting device and methods of manufacturing electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus |
| US5798860A (en) * | 1996-01-16 | 1998-08-25 | Ppg Industries, Inc. | Iridium oxide film for electrochromic device |
| US5849465A (en) * | 1996-11-08 | 1998-12-15 | Symetrix Corporation | Photosensitive titanium carboxydiketonate and titanium carboxyketoester precursor solutions and method of patterning integrated circuits using the same |
| CN1514449A (zh) * | 2002-10-18 | 2004-07-21 | 希普雷公司 | 电阻材料 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220402A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 抵抗体及びその製造方法ならびにその抵抗体を用いたサーマルヘッド |
| JPH01286401A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Fuji Xerox Co Ltd | サーマルヘッド |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454710A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of ruthenium oxide group thin-film |
| US5001598A (en) * | 1989-04-20 | 1991-03-19 | Engelhard Corporation | Sinter control additive |
| JP2605875B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1997-04-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 抵抗体膜およびその形成方法 |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP3041679A patent/JPH07105283B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-03 US US07/844,853 patent/US5384076A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220402A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 抵抗体及びその製造方法ならびにその抵抗体を用いたサーマルヘッド |
| JPH01286401A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Fuji Xerox Co Ltd | サーマルヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105283B2 (ja) | 1995-11-13 |
| US5384076A (en) | 1995-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |