JPH01276748A - 半導体素子の突起電極 - Google Patents
半導体素子の突起電極Info
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- JPH01276748A JPH01276748A JP10618388A JP10618388A JPH01276748A JP H01276748 A JPH01276748 A JP H01276748A JP 10618388 A JP10618388 A JP 10618388A JP 10618388 A JP10618388 A JP 10618388A JP H01276748 A JPH01276748 A JP H01276748A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/1301—Shape
- H01L2224/13016—Shape in side view
- H01L2224/13018—Shape in side view comprising protrusions or indentations
- H01L2224/13019—Shape in side view comprising protrusions or indentations at the bonding interface of the bump connector, i.e. on the surface of the bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体素子に設けるワイヤレスボンディング
用の突起電極（バンプ）に関し、特に金、銅等の金属を
使用してメツキによって形成するのに有利な突起電極に
係る一０゛ 〔従来の技術〕 第３図は従来の技術による突起電極を示す断面図であり
、第４図は第３図の上面図である。
用の突起電極（バンプ）に関し、特に金、銅等の金属を
使用してメツキによって形成するのに有利な突起電極に
係る一０゛ 〔従来の技術〕 第３図は従来の技術による突起電極を示す断面図であり
、第４図は第３図の上面図である。
図面において、表面にシリコン酸化膜１ａを形成した半
導体基板ｌの上にはアルミニウム等の金属配線が形成さ
れる。この金属配線の一部は金属パッド２となって半導
体素子の回路から外部へ電気的特性を引出す。金属パッ
ド２を含めた半導体素子の表面には例えばＳ ＝ ３
Ｎ ４等の保護膜３が形成されるが、金属パッド２の表
面にはリングラフィ技術によって開口部４が設けられる
。そしてこの開口部４とその周辺の保護膜３ａに金属膜
５を蒸着した後に電気めっきにより金（Ａｕ ）の突起
電極６を形成する。金をアルミニウムの金属パッド２に
直接めっきすると接合面に脆性のある合金層ができて機
械的強度が低下するので前記のように金属膜５を介して
金メツキをする。この金属膜５は例えばＴｉ、Ｐｄ、Ａ
ｕを順次蒸着させた多層の金属膜である。金めつきをす
るには金属膜５の表面に突起電極６が形成されるように
リングラフィ技術によりレジストのマスキングをし、め
っき後にレジストを剥離する。突起電極６の根本の空間
６ａはレジストを剥離した残りの形である。
導体基板ｌの上にはアルミニウム等の金属配線が形成さ
れる。この金属配線の一部は金属パッド２となって半導
体素子の回路から外部へ電気的特性を引出す。金属パッ
ド２を含めた半導体素子の表面には例えばＳ ＝ ３
Ｎ ４等の保護膜３が形成されるが、金属パッド２の表
面にはリングラフィ技術によって開口部４が設けられる
。そしてこの開口部４とその周辺の保護膜３ａに金属膜
５を蒸着した後に電気めっきにより金（Ａｕ ）の突起
電極６を形成する。金をアルミニウムの金属パッド２に
直接めっきすると接合面に脆性のある合金層ができて機
械的強度が低下するので前記のように金属膜５を介して
金メツキをする。この金属膜５は例えばＴｉ、Ｐｄ、Ａ
ｕを順次蒸着させた多層の金属膜である。金めつきをす
るには金属膜５の表面に突起電極６が形成されるように
リングラフィ技術によりレジストのマスキングをし、め
っき後にレジストを剥離する。突起電極６の根本の空間
６ａはレジストを剥離した残りの形である。
また前記金属膜５は蒸着によるので、保護膜３の開口部
４と周辺の保護膜３ａとによる凹凸は金属膜５に凹部５
ａとして表れ、この凹部５ａはめつきによる突起電極６
の上面にも表れて凹部７が形成される。ウェハプロセス
の終了した半導体素子のウェハはチップに分割され、配
線基板等の金属面に前記突起電極６の上面を当接させて
接続し、実装する。
４と周辺の保護膜３ａとによる凹凸は金属膜５に凹部５
ａとして表れ、この凹部５ａはめつきによる突起電極６
の上面にも表れて凹部７が形成される。ウェハプロセス
の終了した半導体素子のウェハはチップに分割され、配
線基板等の金属面に前記突起電極６の上面を当接させて
接続し、実装する。
前記の従来の技術による半導体素子は突起電極６の上面
に凹部７があるので実装の相手側の導体との接続が弱（
なり接続の信頼性が低いという問題点がある。
に凹部７があるので実装の相手側の導体との接続が弱（
なり接続の信頼性が低いという問題点がある。
この発明は上面に凹部のない平坦な突起電極を半導体素
子に形成して、接続強度と接続信頼性の高い半導体素子
を得ることを目的とする。
子に形成して、接続強度と接続信頼性の高い半導体素子
を得ることを目的とする。
〔課題を達成するための手段〕
この発明は前記の目的を達成するために、半導体基板上
に形成した金属パッドの表面に開口部を設けて保護膜を
被着し、前記開口部とその周辺の前記保護膜とに蒸着し
た金属膜の表面に突起電極を突出させて形成するものに
おいて、前記突起電極と前記金属膜との接合面を前記開
口部に対向する部分を除く前記周辺の保護膜に対向する
部分に設けるように構成する。
に形成した金属パッドの表面に開口部を設けて保護膜を
被着し、前記開口部とその周辺の前記保護膜とに蒸着し
た金属膜の表面に突起電極を突出させて形成するものに
おいて、前記突起電極と前記金属膜との接合面を前記開
口部に対向する部分を除く前記周辺の保護膜に対向する
部分に設けるように構成する。
保護膜３の開口部４とその周辺の保護膜３ａとによる凹
凸をそのま・受は継いで金属膜５は凹部５ａを持ってい
るが、突起電極１６は前記周辺の保護膜３ａに対向する
部分の金属膜５にのみ接合するので、突起電極１６をめ
っきで形成してもその上面に前記凹部５ａが表れず平坦
になる。したがって実装する相手側金属面との接続強度
が高（なる。
凸をそのま・受は継いで金属膜５は凹部５ａを持ってい
るが、突起電極１６は前記周辺の保護膜３ａに対向する
部分の金属膜５にのみ接合するので、突起電極１６をめ
っきで形成してもその上面に前記凹部５ａが表れず平坦
になる。したがって実装する相手側金属面との接続強度
が高（なる。
第１図はこの発明の実施例による突起電極を示す断面図
であり、第２図は第１図の上面図である。
であり、第２図は第１図の上面図である。
図面において、前述の従来の技術におけるものと同一符
号を付したものはおよそ同一機能を持つ。
号を付したものはおよそ同一機能を持つ。
すなわち半導体基板１に形成した金属パッド２の表面に
開口部４を設けて保護膜３を被着し、開口部４とその周
辺の保護膜３ａとに蒸着した金属膜５の表面に突起電極
１６を突出させて形成する。
開口部４を設けて保護膜３を被着し、開口部４とその周
辺の保護膜３ａとに蒸着した金属膜５の表面に突起電極
１６を突出させて形成する。
ところでこの発明の特徴的な構造として、前記突起電極
１６と前記金属膜５との接合面は前記開口部４に対向す
る部分にはなく、開口部４の周辺の保護膜３ａに対向す
る部分にのみ存在する。すなわちこの接合面は凹部５ａ
の外側の平坦な面に位置する。したがってこの平坦面に
金めつきで形成した突起電極１６の上面は従来のような
凹部が形成されないで平坦な面となる。上面が平坦な突
起電極１６は配線基板等の相手側金属面と接続した時に
、接続強度とその信頼性が高い。
１６と前記金属膜５との接合面は前記開口部４に対向す
る部分にはなく、開口部４の周辺の保護膜３ａに対向す
る部分にのみ存在する。すなわちこの接合面は凹部５ａ
の外側の平坦な面に位置する。したがってこの平坦面に
金めつきで形成した突起電極１６の上面は従来のような
凹部が形成されないで平坦な面となる。上面が平坦な突
起電極１６は配線基板等の相手側金属面と接続した時に
、接続強度とその信頼性が高い。
なお第２図で判るように、突起電極１６は金属膜５のご
く一部に位置することになる。そこで突起電極１６の対
向していない余白部分の金属膜５０面を縮小してもよい
し、プローブカードの針の接触のために残しておいても
よい。プローブカードとはウェハプロセスが完了した後
でチップ化前に行うテストの治具であって多数の針を半
導体素子の突起電極等に接触させて特性試験を行うもの
である。接触のために電極の面は例えば５０μｍφ以上
ある必要があり、前記突起電極がこれより小さく例えば
２０μｍであるときには前記余白部分を針の接触に使用
する。
く一部に位置することになる。そこで突起電極１６の対
向していない余白部分の金属膜５０面を縮小してもよい
し、プローブカードの針の接触のために残しておいても
よい。プローブカードとはウェハプロセスが完了した後
でチップ化前に行うテストの治具であって多数の針を半
導体素子の突起電極等に接触させて特性試験を行うもの
である。接触のために電極の面は例えば５０μｍφ以上
ある必要があり、前記突起電極がこれより小さく例えば
２０μｍであるときには前記余白部分を針の接触に使用
する。
この発明は半導体基板上に形成した金属バンドの表面に
開口部を設けて保護膜を被着し、前記開口部とその周辺
の前記保護膜とに蒸着した金属膜の表面に突起電極を突
出させて形成するものにおいて、前記突起電極と前記金
属膜との接合面を前記開口部に対向する部分を除く前記
周辺の保護膜に対向する部分に設けるようにしたので、
突起電極をメツキで形成する場合にも突起電極の上面が
平坦になり、接続強度とその信頼性が高いという効果が
ある。
開口部を設けて保護膜を被着し、前記開口部とその周辺
の前記保護膜とに蒸着した金属膜の表面に突起電極を突
出させて形成するものにおいて、前記突起電極と前記金
属膜との接合面を前記開口部に対向する部分を除く前記
周辺の保護膜に対向する部分に設けるようにしたので、
突起電極をメツキで形成する場合にも突起電極の上面が
平坦になり、接続強度とその信頼性が高いという効果が
ある。
第１図はこの発明の実施例による突起電極を示す断面図
であり、第２図は第１図の上面図であり、第３図は従来
の技術による突起電極を示す断面図であり、第４図は第
３図の上面図である。 ■・・・半導体基板、２・・・金属パッド、４・・・開
口部、６．１６・・・突起電極、６ａ・・・空間、７・
・・凹部。
であり、第２図は第１図の上面図であり、第３図は従来
の技術による突起電極を示す断面図であり、第４図は第
３図の上面図である。 ■・・・半導体基板、２・・・金属パッド、４・・・開
口部、６．１６・・・突起電極、６ａ・・・空間、７・
・・凹部。
Claims (1)
- １）半導体基板上に形成した金属パッドの表面に開口部
を設けて保護膜を被着し、前記開口部とその周辺の前記
保護膜とに蒸着した金属膜の表面に突起電極を突出させ
て形成するものにおいて、前記突起電極と前記金属膜と
の接合面を前記開口部に対向する部分を除く前記周辺の
保護膜に対向する部分に設けることを特徴とする半導体
素子の突起電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106183A JPH0834210B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 半導体素子の突起電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106183A JPH0834210B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 半導体素子の突起電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276748A true JPH01276748A (ja) | 1989-11-07 |
| JPH0834210B2 JPH0834210B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=14427105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63106183A Expired - Lifetime JPH0834210B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 半導体素子の突起電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834210B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61134062A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Nec Corp | シヨツトキバリアダイオ−ド |
| JPS6338328U (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-11 | ||
| JPS63106185A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-11 | Nissan Motor Co Ltd | 車体前部構造体の組立方法 |
| JPS63107145A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | フリツプチツプ |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63106183A patent/JPH0834210B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61134062A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Nec Corp | シヨツトキバリアダイオ−ド |
| JPS6338328U (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-11 | ||
| JPS63106185A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-11 | Nissan Motor Co Ltd | 車体前部構造体の組立方法 |
| JPS63107145A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | フリツプチツプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834210B2 (ja) | 1996-03-29 |
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