JPH01276749A - 半導体素子の突起電極 - Google Patents
半導体素子の突起電極Info
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- JPH01276749A JPH01276749A JP63106185A JP10618588A JPH01276749A JP H01276749 A JPH01276749 A JP H01276749A JP 63106185 A JP63106185 A JP 63106185A JP 10618588 A JP10618588 A JP 10618588A JP H01276749 A JPH01276749 A JP H01276749A
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- metal
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- protruding electrode
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体素子に設けるワイヤレスボンディング
用の突起電極（バンプ）に関し、特に金、銅等の金属を
使用してメツキによって形成するのに有利な突起電極に
係る。
用の突起電極（バンプ）に関し、特に金、銅等の金属を
使用してメツキによって形成するのに有利な突起電極に
係る。
第２図は従来の技術による突起電極を示す断面図であり
、第３図は第２図の上面図である。
、第３図は第２図の上面図である。
図面において、表面にシリコン酸化膜１ａを形成した半
導体基板１の上にはアルミニウム等の金属配線が形成さ
れる。この金属配線の一部は金属パッド２どなって半導
体素子の回路から外部へ電気的特性を引出す。金属パッ
ド２を含めた半導体素子の表面には例えばＳ ｒ ３
Ｎ ４等の保護膜３が形成されるが、金属パッド２の表
面にはリングラフィ技術によって開口部４が設けられる
。そしてこの開口部４とその周辺の保護膜３ａに金属膜
５を蒸着した後に電気めっきにより金（Ａｕ ）の突起
電極６を形成する。金をアルミニウムの金属パッド２に
直接めっきすると接合面に脆性のある合金層ができて機
械的強度が低下するので前記のように金属膜５を介して
金メツキをする。この金属膜５は例えばＴｉ 、Ｐｄ、
Ａｕを順次蒸着させた多層の金属膜である。金めつきを
するには金属膜５の表面に突起電極６が形成されるよう
にリングラフィ技術によりレジストのマスキングをし、
めっき後にレジストを剥離する。突起電極６の根本の空
間６ａはレジストを剥離した残りの形である。
導体基板１の上にはアルミニウム等の金属配線が形成さ
れる。この金属配線の一部は金属パッド２どなって半導
体素子の回路から外部へ電気的特性を引出す。金属パッ
ド２を含めた半導体素子の表面には例えばＳ ｒ ３
Ｎ ４等の保護膜３が形成されるが、金属パッド２の表
面にはリングラフィ技術によって開口部４が設けられる
。そしてこの開口部４とその周辺の保護膜３ａに金属膜
５を蒸着した後に電気めっきにより金（Ａｕ ）の突起
電極６を形成する。金をアルミニウムの金属パッド２に
直接めっきすると接合面に脆性のある合金層ができて機
械的強度が低下するので前記のように金属膜５を介して
金メツキをする。この金属膜５は例えばＴｉ 、Ｐｄ、
Ａｕを順次蒸着させた多層の金属膜である。金めつきを
するには金属膜５の表面に突起電極６が形成されるよう
にリングラフィ技術によりレジストのマスキングをし、
めっき後にレジストを剥離する。突起電極６の根本の空
間６ａはレジストを剥離した残りの形である。
また前記金属膜５は蒸着によるので、保護膜３の開口部
４と周辺の保護膜３ａとによる凹凸は金属膜５に凹部５
ａとして表れ、この凹部５ａはめっきによる突起電極６
の上面にも表れて凹部７が形成される。ウェハプロセス
の終了した半導体素子のウェハはチップに分割され、配
線基板等の金属面に前記突起電極６の上面を当接させて
接続し、実装する。
４と周辺の保護膜３ａとによる凹凸は金属膜５に凹部５
ａとして表れ、この凹部５ａはめっきによる突起電極６
の上面にも表れて凹部７が形成される。ウェハプロセス
の終了した半導体素子のウェハはチップに分割され、配
線基板等の金属面に前記突起電極６の上面を当接させて
接続し、実装する。
前記の従来の技術による半導体素子は突起電極６の上面
に凹部７があるので実装の相手側の導体との接続が弱く
なり接続の信頼性が低いという問題点がある。
に凹部７があるので実装の相手側の導体との接続が弱く
なり接続の信頼性が低いという問題点がある。
この発明は上面に凹部のない平坦な突起電極を半導体素
子に形成して、接続強度と接続信頼性の高い半導体素子
を得ることを目的とする。
子に形成して、接続強度と接続信頼性の高い半導体素子
を得ることを目的とする。
〔課題を達成するための手段〕
この発明は前記の目的を達成するために、半導体基板上
に形成した金属パッドの表面に開口部を設けて保護膜を
被着し、前記開口部とその周辺の前記保護膜とに蒸着し
た金属膜の表面に突起電極を突出させて形成するものに
おいて、前記突起電極と前記金属膜との接合面を前記周
辺の保護膜に対向する部分を除く前記開口部に対向する
部分に設けるように構成する。
に形成した金属パッドの表面に開口部を設けて保護膜を
被着し、前記開口部とその周辺の前記保護膜とに蒸着し
た金属膜の表面に突起電極を突出させて形成するものに
おいて、前記突起電極と前記金属膜との接合面を前記周
辺の保護膜に対向する部分を除く前記開口部に対向する
部分に設けるように構成する。
保護膜３の開口部４とその周辺の保護膜３ａとによる凹
凸をそのま・受は継いで金属膜５は凹部５ａを持ってい
るが、突起電極１６は前記開口部に対向する部分の金属
膜５にのみ接合するので、突起電極１６をめっきで形成
してもその上面に凹凸が表れず平坦になる。したがって
実装する相手側金属面との接続強度が高くなる。
凸をそのま・受は継いで金属膜５は凹部５ａを持ってい
るが、突起電極１６は前記開口部に対向する部分の金属
膜５にのみ接合するので、突起電極１６をめっきで形成
してもその上面に凹凸が表れず平坦になる。したがって
実装する相手側金属面との接続強度が高くなる。
第１図はこの発明の実施例による突起電極を示す断面図
である。
である。
図面において、前述の従来の技術におけるものと同一符
号を付したものはおよそ同一機能を持つ。
号を付したものはおよそ同一機能を持つ。
すなわち半導体基板１に形成した金属パッド２の表面に
開口部４を設けて保護膜３を被着し、開口部４とその周
辺の保護膜３ａとに蒸着した金属膜５の表面に突起電極
１６を突出させて形成する。
開口部４を設けて保護膜３を被着し、開口部４とその周
辺の保護膜３ａとに蒸着した金属膜５の表面に突起電極
１６を突出させて形成する。
ところでこの発明の特徴的な構造として、前記突起電極
１６と前記金属膜５との接合面は前記周辺の保護膜３ａ
に対向する部分にはなく、開口部４に対向する部分にの
み存在する。すなわちこの接合面は凹部５ａの平坦な面
に位置する。したがってこの平坦面に金めつきで形成し
た突起電極１６の上面は従来のような凹部が形成されな
いで平坦な面となる。上面が平坦な突起電極１６は配線
基板等の相手側金属面と接続した時に、接続強度とその
信頼性が高い。
１６と前記金属膜５との接合面は前記周辺の保護膜３ａ
に対向する部分にはなく、開口部４に対向する部分にの
み存在する。すなわちこの接合面は凹部５ａの平坦な面
に位置する。したがってこの平坦面に金めつきで形成し
た突起電極１６の上面は従来のような凹部が形成されな
いで平坦な面となる。上面が平坦な突起電極１６は配線
基板等の相手側金属面と接続した時に、接続強度とその
信頼性が高い。
なお突起電極１６と金属膜５との接合面積を大きくする
ために、開口部４の面積すなわち金属膜５の凹部５ａの
面積を従来のものより大きく広げる。
ために、開口部４の面積すなわち金属膜５の凹部５ａの
面積を従来のものより大きく広げる。
この発明は半導体基板上に形成した金属バッドの表面に
開口部を設けて保護膜を被着し、前記開口部とその周辺
の前記保護膜とに蒸着した金属膜の表面に突起電極を突
出させて形成するものにおいて、前記突起電極と前記金
属膜との接合面を前記周辺の保護膜に対向する部分を除
く前記開口部に対向する部分に設けるようにしたので、
突起電極をメツキで形成する場合にも突起電極の上面が
平坦になり、接続強度とその信頼性が高いという効果が
ある。
開口部を設けて保護膜を被着し、前記開口部とその周辺
の前記保護膜とに蒸着した金属膜の表面に突起電極を突
出させて形成するものにおいて、前記突起電極と前記金
属膜との接合面を前記周辺の保護膜に対向する部分を除
く前記開口部に対向する部分に設けるようにしたので、
突起電極をメツキで形成する場合にも突起電極の上面が
平坦になり、接続強度とその信頼性が高いという効果が
ある。
第１図はこの発明の実施例による突起電極を示す断面図
であり、第２図は従来の技術による突起電極を示す断面
図であり、第３図は第２図の上面図である。 ■・・・半導体基板、２・・・金属バッド、４・・・開
口部、６．１６・・・突起電極、６ａ・・・空間、７・
・・凹部。
であり、第２図は従来の技術による突起電極を示す断面
図であり、第３図は第２図の上面図である。 ■・・・半導体基板、２・・・金属バッド、４・・・開
口部、６．１６・・・突起電極、６ａ・・・空間、７・
・・凹部。
Claims (1)
- １）半導体基板上に形成した金属パッドの表面に開口部
を設けて保護膜を被着し、前記開口部とその周辺の前記
保護膜とに蒸着した金属膜の表面に突起電極を突出させ
て形成するものにおいて、前記突起電極と前記金属膜と
の接合面を前記周辺の保護膜に対向する部分を除く前記
開口部に対向する部分に設けることを特徴とする半導体
素子の突起電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106185A JPH01276749A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 半導体素子の突起電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106185A JPH01276749A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 半導体素子の突起電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276749A true JPH01276749A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14427152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63106185A Pending JPH01276749A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 半導体素子の突起電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01276749A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124847A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS63106183A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-11 | Hino Motors Ltd | 車両に使用されるパワ−・ステアリング |
| JPS63114145A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63106185A patent/JPH01276749A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124847A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS63106183A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-11 | Hino Motors Ltd | 車両に使用されるパワ−・ステアリング |
| JPS63114145A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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