JPS6153854B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6153854B2 JPS6153854B2 JP54006926A JP692679A JPS6153854B2 JP S6153854 B2 JPS6153854 B2 JP S6153854B2 JP 54006926 A JP54006926 A JP 54006926A JP 692679 A JP692679 A JP 692679A JP S6153854 B2 JPS6153854 B2 JP S6153854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- conductive
- conductive structure
- circuit chip
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に係り、特に半導体装置用
導通構体を用いた半導体装置に関するものであ
る。
導通構体を用いた半導体装置に関するものであ
る。
これまで、半導体装置特にギヤング・ボンド・
リード接続をした集積回路チツプでは、集積回路
チツプ電極部とギヤング・ボンド・リードとは直
接熱圧着、又はソルダーリフロー方式で接続され
ていた。しかし、集積回路チツプ自体や、ギヤン
グ・ボンド・リードに突起部を形成するには、そ
れぞれの生産上工程が複雑となり、又歩留りも悪
く、製造単価の上昇を起していた。
リード接続をした集積回路チツプでは、集積回路
チツプ電極部とギヤング・ボンド・リードとは直
接熱圧着、又はソルダーリフロー方式で接続され
ていた。しかし、集積回路チツプ自体や、ギヤン
グ・ボンド・リードに突起部を形成するには、そ
れぞれの生産上工程が複雑となり、又歩留りも悪
く、製造単価の上昇を起していた。
本発明の目的は、このような問題を解決した半
導体装置を提供することにある。
導体装置を提供することにある。
本発明の特徴は、半導体基板上の絶縁膜上を延
在しかついかなる突起電極も接続されていない配
線層と、いかなる突起部をもその先端部に具備し
ていないリードと、絶縁板に複数の貫通孔を有
し、それぞれの該貫通孔を通して該絶縁板の両面
に導通電極が設けられ、両面のそれぞれの導通電
極は該貫通孔近傍のみに位置している導通構体と
を具備し、前記導通構体の一方の側の導通電極と
前記リードとの接触面と他方の側の導通電極と前
記配線層との接触面とが平面形状で重畳させるよ
うにしてそれぞれ接続している半導体装置にあ
る。
在しかついかなる突起電極も接続されていない配
線層と、いかなる突起部をもその先端部に具備し
ていないリードと、絶縁板に複数の貫通孔を有
し、それぞれの該貫通孔を通して該絶縁板の両面
に導通電極が設けられ、両面のそれぞれの導通電
極は該貫通孔近傍のみに位置している導通構体と
を具備し、前記導通構体の一方の側の導通電極と
前記リードとの接触面と他方の側の導通電極と前
記配線層との接触面とが平面形状で重畳させるよ
うにしてそれぞれ接続している半導体装置にあ
る。
以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。
第１図乃至第５図は、それぞれ本発明に基づく
実施例を説明する断面図であり、半導体装置用導
通構体を示したものである。第１図では、導通構
体３０は、150μ厚のアルミナセラミツク基板１
と、集積回路チツプの電極パターンに相対応する
スルーホール部に設けられ、厚さ250μｍ表面積
100μｍ×100μｍを有する金属体層２とを備えて
いる。（この両側に集積回路チツプとリードとが
載置されることになる。） 第２図では、導通構体３１は130μ厚のポリイ
シドフイルム３と、集積回路チツプの電極パター
ンに相対応したスルーホール部に設けた銀導体層
４とを備えている。この銀導体層４の上面は、
150μｍ×150μｍの面積を有し、他面は80μｍ×
80μｍの面積を有する。
実施例を説明する断面図であり、半導体装置用導
通構体を示したものである。第１図では、導通構
体３０は、150μ厚のアルミナセラミツク基板１
と、集積回路チツプの電極パターンに相対応する
スルーホール部に設けられ、厚さ250μｍ表面積
100μｍ×100μｍを有する金属体層２とを備えて
いる。（この両側に集積回路チツプとリードとが
載置されることになる。） 第２図では、導通構体３１は130μ厚のポリイ
シドフイルム３と、集積回路チツプの電極パター
ンに相対応したスルーホール部に設けた銀導体層
４とを備えている。この銀導体層４の上面は、
150μｍ×150μｍの面積を有し、他面は80μｍ×
80μｍの面積を有する。
第３図では、導通構体３２は200μ厚のポリエ
ステルフイルム５と、集積回路チツプの電極部パ
ターンに相対応するスルーホール部７を有する金
メツキ銅層６と、ポリエステルフイルム中央に設
けられた開口部８とを備えている。
ステルフイルム５と、集積回路チツプの電極部パ
ターンに相対応するスルーホール部７を有する金
メツキ銅層６と、ポリエステルフイルム中央に設
けられた開口部８とを備えている。
第４図は、第１図の導通構体３０の一方の面の
導体部２に金ペースト層９が設けられている導通
構体３３を示している。
導体部２に金ペースト層９が設けられている導通
構体３３を示している。
第５図は、第４図の導通構体３３の他方の面の
導体部２に銀パラジウムペースト層１０が設けら
れた導通構体３４を示している。
導体部２に銀パラジウムペースト層１０が設けら
れた導通構体３４を示している。
第６図は、アルミ電極１２を有する集積回路チ
ツプ１１の平面図である。
ツプ１１の平面図である。
第７図は、第６図の集積回路チツプ１１のＡ−
A′矢視断面図である。シリコン基板１３と、絶
縁酸化膜１４と、表面絶縁酸化膜１５とを備えて
いる。
A′矢視断面図である。シリコン基板１３と、絶
縁酸化膜１４と、表面絶縁酸化膜１５とを備えて
いる。
第８図は、第４図の導電構体３３の導体部２を
第６図の集積回路チツプ１１の電極１２のパター
ンに合わせて重ねたところの平面図を示してい
る。
第６図の集積回路チツプ１１の電極１２のパター
ンに合わせて重ねたところの平面図を示してい
る。
第９図は、第３図の導電構体３２の平面図が示
してある。１６は第１０図に示した集積回路チツ
プ４０の銅突起電極である。第１０図の１７は下
地アルミ配線層を示している。この第２図の構造
は本発明の装置には用いない。
してある。１６は第１０図に示した集積回路チツ
プ４０の銅突起電極である。第１０図の１７は下
地アルミ配線層を示している。この第２図の構造
は本発明の装置には用いない。
第１１図は、第８図の状態の導電構体３３と集
積回路チツプ１１の組合せに、更に集積回路チツ
プ又は導電構体の導体部２に対応するリード部２
０と位置合わせ用の開孔部１９とを有するリード
枠体１８を、ギヤング・ボンドした状態を示した
平面図である。このリード枠体１８は、200μ厚
の銅材にニツケルメツキを１μｍと、さらに金メ
ツキを２μｍ施したもので、第１１図で示した組
合せをした後、約350℃で２Kgの負荷をリード先
端に加えて熱圧着する。
積回路チツプ１１の組合せに、更に集積回路チツ
プ又は導電構体の導体部２に対応するリード部２
０と位置合わせ用の開孔部１９とを有するリード
枠体１８を、ギヤング・ボンドした状態を示した
平面図である。このリード枠体１８は、200μ厚
の銅材にニツケルメツキを１μｍと、さらに金メ
ツキを２μｍ施したもので、第１１図で示した組
合せをした後、約350℃で２Kgの負荷をリード先
端に加えて熱圧着する。
第１２図は、このようなリード枠体１８に第２
図の導電構体３１と第７図の集積回路チツプ１１
を組合わせて熱圧着ボンドした状態を示す半導体
装置の断面図である。
図の導電構体３１と第７図の集積回路チツプ１１
を組合わせて熱圧着ボンドした状態を示す半導体
装置の断面図である。
同図において、アルミ配線１４のアルミ電極１
２に導電構体３１の銀導体部４が相対応して接続
され、更に該銀導体４の他の面で、この銀導体４
に相対応したリード２０が金銀熱圧着接続されて
いる。
２に導電構体３１の銀導体部４が相対応して接続
され、更に該銀導体４の他の面で、この銀導体４
に相対応したリード２０が金銀熱圧着接続されて
いる。
以上の例から明らかなように、本発明の半導体
装置は集積回路チツプの電極部が平坦であつて
も、凹形状の電極であつても容易にギヤング・ボ
ンド・リードと接続され得るものである。以上の
ように、本発明により、集積チツプの電極部の歩
留りを低下することがなく、安定した製造ができ
る。
装置は集積回路チツプの電極部が平坦であつて
も、凹形状の電極であつても容易にギヤング・ボ
ンド・リードと接続され得るものである。以上の
ように、本発明により、集積チツプの電極部の歩
留りを低下することがなく、安定した製造ができ
る。
第１図乃至第５図は、それぞれ本発明の実施例
に用いる半導体装置用導通構体の断面図である。
第６図は集積回路チツプの平面図であり、第７図
は第６図の集積回路チツプのＡ−A′矢視断面図
である。第８図は第４図の集積回路チツプと、第
６図の半導体装置用導通構体を重ね合わせた状態
を示す平面図であり、第９図は第３図の開口部付
き半導体装置用導通構体の平面図である。第１０
図は突起電極付集積回路チツプの断面図である。
第１１図は第８図の集積回路チツプと半導体装置
用導通構体とギヤングボンドリードとを接続した
状態を示す平面図であり、第１２図は第１１図の
ような平面構成を有する断面図である。 なお、図において、１……セラミツク基板、２
……金導体層、３……ポリイミドフイルム、４…
…銀導体層、５……ポリエステルフイルム、６…
…金メツキ銅層、８……開口部、９……金ペース
ト、１０……銀パラジウムペースト層、１１，４
０……集積回路チツプ、１３……シリコン基板、
１４……酸化膜、１５……表面酸化膜、１２……
電極、１６……突起電極、１７……アルミ配線
層、１８……リード枠体、１９……開孔部、２０
……リード部、３０，３１，３２，３３，３４…
…導通構体を各々示す。
に用いる半導体装置用導通構体の断面図である。
第６図は集積回路チツプの平面図であり、第７図
は第６図の集積回路チツプのＡ−A′矢視断面図
である。第８図は第４図の集積回路チツプと、第
６図の半導体装置用導通構体を重ね合わせた状態
を示す平面図であり、第９図は第３図の開口部付
き半導体装置用導通構体の平面図である。第１０
図は突起電極付集積回路チツプの断面図である。
第１１図は第８図の集積回路チツプと半導体装置
用導通構体とギヤングボンドリードとを接続した
状態を示す平面図であり、第１２図は第１１図の
ような平面構成を有する断面図である。 なお、図において、１……セラミツク基板、２
……金導体層、３……ポリイミドフイルム、４…
…銀導体層、５……ポリエステルフイルム、６…
…金メツキ銅層、８……開口部、９……金ペース
ト、１０……銀パラジウムペースト層、１１，４
０……集積回路チツプ、１３……シリコン基板、
１４……酸化膜、１５……表面酸化膜、１２……
電極、１６……突起電極、１７……アルミ配線
層、１８……リード枠体、１９……開孔部、２０
……リード部、３０，３１，３２，３３，３４…
…導通構体を各々示す。
Claims (1)
- １ 半導体基板上の絶縁膜の上を延在しかついか
なる突起電極も接続されていない配線層と、いか
なる突起部をもその先端部に具備していないリー
ドと、絶縁板に複数の貫通孔を有し、それぞれの
該貫通孔を通して該絶縁板の両面に導通電極が設
けられ、両面のそれぞれの導通電極は該貫通孔近
傍のみに位置している導通構体とを具備し、前記
導通構体の一方の側の導通電極と前記リードとの
接触面と他方の側の導通電極と前記配線層との接
触面とが平面形状で重畳させるようにしてそれぞ
れ接続したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP692679A JPS5598839A (en) | 1979-01-23 | 1979-01-23 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP692679A JPS5598839A (en) | 1979-01-23 | 1979-01-23 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5598839A JPS5598839A (en) | 1980-07-28 |
| JPS6153854B2 true JPS6153854B2 (ja) | 1986-11-19 |
Family
ID=11651844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP692679A Granted JPS5598839A (en) | 1979-01-23 | 1979-01-23 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5598839A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2664090B2 (ja) * | 1988-02-05 | 1997-10-15 | レイケム・リミテッド | 単一軸状電気伝導部品の製造方法 |
| KR100505394B1 (ko) * | 1998-10-17 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼수준 칩크기 반도체 패키지와 그 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133565A (en) * | 1974-09-13 | 1976-03-22 | Sharp Kk | Handotaisochi no bondeinguhoho |
| JPS51108781A (ja) * | 1975-03-20 | 1976-09-27 | Hitachi Ltd | Handotaipatsukeeji |
| JPS546928A (en) * | 1977-06-09 | 1979-01-19 | Towa Kogyo Kk | Filter box of pneumatic clearer apparatus in spinning machine |
-
1979
- 1979-01-23 JP JP692679A patent/JPS5598839A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133565A (en) * | 1974-09-13 | 1976-03-22 | Sharp Kk | Handotaisochi no bondeinguhoho |
| JPS51108781A (ja) * | 1975-03-20 | 1976-09-27 | Hitachi Ltd | Handotaipatsukeeji |
| JPS546928A (en) * | 1977-06-09 | 1979-01-19 | Towa Kogyo Kk | Filter box of pneumatic clearer apparatus in spinning machine |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5598839A (en) | 1980-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6016013A (en) | Semiconductor device mounting structure | |
| JP3633559B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2755252B2 (ja) | 半導体装置用パッケージ及び半導体装置 | |
| JP3502776B2 (ja) | バンプ付き金属箔及び回路基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH0831868A (ja) | Ｂｇａ型半導体装置 | |
| JPH09162230A (ja) | 電子回路装置及びその製造方法 | |
| JPH0750726B2 (ja) | 半導体チップの実装体 | |
| JP3549316B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPS6153854B2 (ja) | ||
| JPS63143A (ja) | リ−ドレス部品 | |
| JP2003243455A (ja) | テープ、その製造方法、半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3585806B2 (ja) | ピン付き配線基板 | |
| JP4213281B2 (ja) | チップオンチップ型半導体装置 | |
| JPH0547836A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPS6318335B2 (ja) | ||
| JPS63168028A (ja) | 微細接続構造 | |
| JP3230384B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2652222B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2918087B2 (ja) | 半導体チップ搭載用多層配線基板 | |
| JPH1022329A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6142159A (ja) | 電子回路パツケ−ジ | |
| JPH01145826A (ja) | 電気的接続接点 | |
| JP3280835B2 (ja) | マルチチップモジュールの製造方法 | |
| JPS6025910Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2553498B2 (ja) | チツプキヤリヤパツケ−ジ組立体 |