JPH01276490A

JPH01276490A - Ｐｒｏｍプログラマ

Info

Publication number: JPH01276490A
Application number: JP63107032A
Authority: JP
Inventors: Tsuneo Koike; 庸夫小池
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1988-04-27
Filing date: 1988-04-27
Publication date: 1989-11-07
Anticipated expiration: 2012-11-26
Also published as: JP2682000B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はデバイスの書込み手順用情報を保持するＰＲＯ
Ｍプログラマに関する。

〔従来の技術〕

一般のＰ’ＲＯＭデバイスの簡単な構成とその動作につ
いて、第３図のブロック区を用いて説明する。このＰＲ
ＯＭデバイス１７は、ＰＲＯＭセル２３と、シリコンシ
グネチャセル（以下ｓｓセルという）２２を含み、ｓｓ
セル２２は書込み不可能なＲＯＭ″ｒ構成され、ここへ
ＰＲＯＭセル２３のデータ書込み手順情報が書込まれて
おり、ＰＲＯＭセル２３はユーザがデータを書込む部分
である。また、１１はプログラム電源（以下Ｖｐｐとい
う）線、１２は書込み信号線（以下ライト信号線という
）を表わし、ＰＲＯＭセル２３へ情報を書込むためにＶ
ｐｐ線１１へ所定の電源電圧を印加し、ライト信号線１
２によってＰＲＯＭセル２３へ所定の情報を書込む事が
できる。読み出し信号線（以下リード信号線という）１
３はＰ　ｌ”（ＯＭデバイス１７の内部情報を読み出す
ための信号線であり、データバス１４はＰＲＯＭデバイ
ス１７のデータ入出力に使われる。アドレスバス７はＰ
ＲＯＭのメモリ番地を指定する信号が印加され、これら
アドレスバス７の内の一本をアドレス線（以下ＡＸ線と
いう）８としている。

高電圧検出部１８はＡＸ線８へ高電圧が印加されたかど
うかを検出して高電圧が印加されている場合、高電圧検
出信号線１つをアクティブとする。この高電圧検出信号
線１９はＳＳセル２２のアクセスイネーブル信号線でも
あり、ＡＸ線８に高電圧が印加されている場合、ＳＳセ
ル２２がアクティブとなり、ＰＲＯＭセル２３のアクセ
スイネーブル信号線２１はＡＸ線８に高電圧が印加され
ていない場合、ＰＲＯＭセル２３がアクティブとなる。

第４図は従来のＰＲＯＭプログラマの一例の構成図を示
し、第３図のＰＲＯＭデバイス１７へ接続される。図中
、１′は従来のＰＲＯＭプログラマ、２は情報処理装置
（以下ＣＰＵという）、３はワークＲＡＭ、４′はコン
トロールＲＯＭを表わし、これらによってＰＲＯＭプロ
グラマ全体の制御が行なわれている。５はＰＲＯＭプロ
グラマの内部バス、６はＰＲＯＭコントロール部を示し
、ＣＰＵ２からの指示に従って、書込もうとするＰＲＯ
Ｍデバイスの書込み手順に準じた信号を発生させている
。また、９は高電圧発生部、３１はその高電圧発生信号
線、１０はディジタルアナログ変換回路（以下ＤＡＣと
いう）、３２はそのディジタル入力信号線を示す。１５
′はユーザコントロール部で、ユーザからの指令を受は
取る部分であり、２つはシリコンシグネチャデータ（Ｓ
Ｓ）メモリで、第３図のＳＳセル２２のデータを検索す
るためのデータテーブルが書込まれている。

このようなＰＲＯＭプログラマとＰＲＯＭデバイスにお
いて、第５図のフローチャート、および第６図のタイミ
ングチャートにより、どのようにデータが書込まれてゆ
くかを説明する。ユーザコントロール部１５′をユーザ
が操作することによって、ＰＲＯＭプログラマ１１の動
作が、ステップ５１でタイミングｔ１から書込み開始さ
れる。まず、ステップ５２でシリコンシグネチャが読み
出される。実際の動作は、第６図のタイミングチャート
のタイミングｔ２の区間において、ＰＲＯＭコントロー
ル部６が高電圧発生信号線３１をアクティブとし、高電
圧発生部９からＡＸ線８へ高電圧が印加されると、ＰＲ
ＯＭ１７の高電圧検出部１８が高電圧を検出し、ＳＳセ
ルセレクト信号１９をアクティブとし、ＳＳセル２２が
データバス１４へ接続される。そこで、アドレスバス７
ヘアドレスを印加し、リード信号線１３をアクティブに
することにより、ＳＳセル２２の内容がデータバス１４
へ出力される。このデータをＰＲＯＭコントロール部６
が受は取り、ＣＰＵ２が処理を行なうことになる。次に
、ステップ５３のタイミングｔ３でＰＲＯＭプログラマ
１′の内部に格納されているＳＳデータメモリ２９を検
索して読み出されたＳＳセル２２と一致するシリコンシ
グネチャを探し出す。次のステップ５４で一致するシリ
コンシグネチャがない場合は、ステップ５８のエラー処
理へ制御が移る。ステップ５４で二数するシリコンシグ
ネチャがあった場合、ステップ５５で、そのシリコンシ
グネチャに対応するＰＲＯＭ書込み手順データをＳＳデ
ータメモリ２２から索引して設定し、ステップ５６でそ
の設定手順にしたがった書込みを行ない、ステップ５７
で書込みが終了する。

書込み情報としては、例えばＶｐｐ電源電圧やＰＲＯＭ
セルのアドレスサイズ等がある。これらのデバイスによ
って異なる情報は、ＳＳセル２２の中に書込んでおくこ
とによって、その電源ＶｐｐやアドレスサイズをＰＲＯ
Ｍプログラマが自動的に設定することが可能になる。通
常、ＳＳデータメモリ２９はＲＯＭで構成されており、
ユーザがここへデータを書込むことができないようにな
っている。

〔発明が解決しようとする課題〕

この従来のＰＲＯＭプログラマにおいて、ＰＲＯＭプロ
グラマ内部にあるＳＳデータメモリ２９はＲＯＭで構成
されているため、新しいデバイスが出てきた場合に、Ｐ
ＲＯＭプログラマメーカがそのデバイスのシリコンシグ
ネチャをサポートするＳＳデータＲＯＭを提供するまで
、シリコンシグネチャによるデバイスの自動設定ができ
ないことになる。また、最近ではＰＲＯＭ内蔵シングル
チップマイコンで、ＰＲＯＭセルを汎用的（すなわちＰ
ＲＯＭプログラマが既にサポートしている）ＰＲＯＭセ
ルと同じものを流用することによって、同じＰＲＯＭプ
ログラマで、書込みを行なえるようにしているものが多
くなってきている。しかし、通常シングルチップマイコ
ンに内蔵されているＰＲＯＭセルのアドレスサイズは書
込みが同じＰＲＯＭデバイスのＰＲＯＭセルのアドレス
サイズと異なるために、正常に動作しないといった不具
合が生じている。これは、基本的にはこのＳＳデータを
ＰＲＯＭプログラマメーカがサポートすれば良いわけで
あるが、実際には、ＰＲＯＭ内蔵シングルチップマイコ
ンを含めたすべてのＳＳデータをＰＲＯＭプログラマに
ＳＳデータメモリへ入力するにはＳＳデータメモリ容量
等の問題から、ＰＲＯＭ１０グラマメーカがサポートで
きる状態ではない。

本発明の目的は、従来ＰＲＯＭプログラマメーカがサポ
ートするのみだったＳＳデータを、ユーザー側で設定可
能にしたＰＲＯＭプログラマを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の構成は、ＰＲＯＭデバイス内部にセットされて
いるＰＲＯＭ書込み手順情報を読み出し、この書込み手
順情報および前記ＰＲＯＭプログラマ内部にあるプログ
ラマメーカの提供するＰＲＯＭ化されたＰＲＯＭ書込み
手順情報とを検索することによって、そのデバイスに適
応した書込み手順を自動的に選択するＰＲＯＭプログラ
マにおいて、ＥＥＰＲＯＭあるいはバッテリーバックア
ップ付ＲＡＭからなるシリコンシグネチャデータメモリ
部と、このメモリ部へユーザの指定した情報を書込むと
共に前記ＲＯＭ化されたＰＲＯＭ書込み手順情報の代わ
りに前記メモリ部を取り扱う制御部とを有することを特
徴と、する。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例のブロック図を示す。本実施
例のＰＲＯＭプログラマ１が従来のＰＲＯＭプログラマ
１′との相違は、ＳＳデータメモリ１６がＲＯＭではな
くＥＥＰＲＯＭで構成されていることである。また、ユ
ーザコントロール部１５のコントロールＲＯＭ４は、Ｅ
ＥＰＲ○Ｍ１６への書込みをサポートする機能を持って
いる。ユーザは新しいデバイスが出てきた場合、ユーザ
コントロール部１５から新しいシリコンシグネチャを入
力する動作モードを起動し、シリコンシグネチャのデー
タとその書込み手順情報をＥＥＰＲＯＭ１６に書込んで
ゆく。この場合、コントロールＲＯＭ　４とＣＰＵ２と
によってその制御が行われる。書込まれた情報は、ＥＥ
ＰＲＯＭ１６に設定されるので、ＰＲＯＭプログラマ１
の電源を切ってもその情報は保持されることになり、通
常の書込み手順においては、従来のＰＲＯＭプログラマ
の従来例におけるＳＳデータＲＯＭ２９と同じ動作が可
能となる。

第２図は本発明の第２の実施例におけるＰＲＯＭプログ
ラマのブロック図である。本実施例では、従来のＰＲＯ
Ｍプログラマにおける、ＳＳデータメモリ１６の代わり
にＲＡＭのＳＳメモリ２４を用いている。このＲＡＭ２
４は、第１の実施例と同じ様に新しいシリコンシグネチ
ャデータとその書込み手順についての情報を書込むこと
ができるようになっている。しかし、このＳＳデータメ
モリ２４がＲＡＭで構成されているために、ＰＲＯＭプ
ログラマ１の電源を切るとその情報が失われてしまうこ
とになる。それを回避するために、ダイオード２５と、
スーパーキャパシタく大容量コンデンサ）２６と、電源
検出回路２８とを備えている。これらによって、電源が
入っている場合、ダイオード２５を通し、スーパーキャ
パシタ２６が充電されており、ここで電源が切れると、
その充電された電源をＳＳデータメモリ２４が使用する
ことになる。また、この時電源検出回路２８から、ＳＳ
データメモリ２４ヘスタンバイ信号２７が供給され、Ｓ
Ｓデータメモリ２４の消費電流が減少する。この例では
スーパーキャパシタを利用したが、充電可能なバッテリ
ーを利用することもできる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、ユーザは自分が
使用するＰＲＯＭデバイスのシリコンシグネチャをＰＲ
ＯＭプログラマへ設定することが可能となり、ＰＲＯＭ
プログラマメーカのサポートを持つ必要がなくなるとい
う効果がある。また、ユーザが使用するデバイスのＳＳ
データだけをＳＳデータメモリへ入力することにできる
、あるいは廃品種になったデバイスのＳＳデータを消去
することが可能となり、ＳＳデータメモリの資源を有効
に利用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明におけるＰＲＯＭプログラマの一実施例
のブロック図、第２図は本発明の第２の実施例のブロッ
ク図、第３図は従来のシリコンシグネチャを内蔵したＰ
ＲＯＭデバイスの一例のブロック図、第４図は従来のＰ
ＲＯＭプログラマの構成を示したブロック図、第５図は
第４図のシリコンシグネチャを利用したＰＲＯＭプログ
ラマの書込み動作を表わしたフローチャート、第６図は
第５図のＰＲＯＭへの書込み動作のダイミングチャート
である。１．１′・・・ＰＲＯＭプログラマ、２・・・情報処理
装置（ＣＰＵ）、３・・・ワークＲＡＭ、４．４′・・
・コントロールＲＯＭ、５・・・内部バス、６・・・Ｐ
ＲＯＭコントロール部、７・・・アドレスバス、８・・
・アドレス線（Ａｘビン）、９・・・高電圧発生部、１
０・・・ディジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ，）、１
１・・・プログラム電源（Ｖｐｐ）線、１２・・・書込
み信号（ライト〉線、１３・・・読み出し信号くリード
）線、１４・・・データバス、１５・・・ユーザコント
ロール部、１６・・・ＥＥＰＲＯＭのＳＳメモリ、１７
・・・ＰＲＯＭデバイス、１８・・・高電圧検出部、１
つ・・・貰電圧検出信号線、２０・・・インバータ、２
１・・・ＰＲＯＭセルセレクト信号線、２２・・・ＳＳ
セル、２３・・・ＰＲＯＭセル、２５・・・ダイオード
、２６・・・スーパーキャパシタＣ１，２７・・・スタ
ンバイ信号線、２８・・・電源検出回路、２９・・・Ｒ
ＯＭのＳＳメモリ、３１・・・高電圧発生信号線、３２
・・・ディジタル入力信号線、５１〜５８・・・処理ス
テップ。代理人　弁理士　　内　原　　音７０ロア”：）’？Ｍ　１　図 ν　２　刀

Claims

【特許請求の範囲】

ＰＲＯＭデバイス内部にセットされているＰＲＯＭ書込
み手順情報を読み出し、この書込み手順情報および前記
ＰＲＯＭプログラマ内部にあるプログラマメーカの提供
するＰＲＯＭ化されたＰＲＯＭ書込み手順情報とを検索
することによって、そのデバイスに適応した書込み手順
を自動的に選択するＰＲＯＭプログラマにおいて、ＥＥ
ＰＲＯＭあるいはバッテリーバックアップ付ＲＡＭから
なるシリコンシグネチャデータメモリ部と、このメモリ
部へユーザの指定した情報を書込むと共に前記ＲＯＭ化
されたＰＲＯＭ書込み手順情報の代わりに前記メモリ部
を取り扱う制御部とを有することを特徴とするＰＲＯＭ
プログラマ。