JP2000250759A - フラッシュメモリのブートブロック書き込み方法 - Google Patents

フラッシュメモリのブートブロック書き込み方法

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JP2000250759A
JP2000250759A JP11049830A JP4983099A JP2000250759A JP 2000250759 A JP2000250759 A JP 2000250759A JP 11049830 A JP11049830 A JP 11049830A JP 4983099 A JP4983099 A JP 4983099A JP 2000250759 A JP2000250759 A JP 2000250759A
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JP
Japan
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boot
flash memory
block
program
writing
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JP11049830A
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English (en)
Inventor
Shuji Takeda
修治 竹田
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Yaskawa Electric Corp
Original Assignee
Yaskawa Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フラッシュメモリ6の書き替え手順が複雑に
なること、およびブート用プログラムをコピーする別エ
リアに十分な容量が無い場合には、前記手順を複数回繰
り返す必要があり、フラッシュメモリ6のブートブロッ
ク書き込みに要する時間が長くなってしまう。 【解決手段】 ブートブロックおよびメインブロックを
有するフラッシュメモリ6にデータを書き込むことがで
きるマイクロプロセッサからなる電子装置1において、
前記電子装置1の外部に装着されたブートデバイス搭載
外部装置8内のブート用プログラムから前記マイクロプ
ロセッサ2を起動し、前記ブートデバイスから起動され
たブート用プログラムから直接、前記フラッシュメモリ
6のブートブロックに、前記ブートデバイス搭載外部装
置8内のブートブロック格納用プログラムを書き込む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
と、このフラッシュメモリにデータを書き込むことがで
きるマイクロプロセッサ(以下CPUという。)からな
る装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図3に従来のフラッシュメモリと、この
フラッシュメモリにデータを書き込むことができるマイ
クロプロセッサからなる装置を示す。1は電子装置、2
はCPU、3は周辺コントロール回路、4はバス、5は
RAM、6はフラッシュメモリ、7はチップセレクト切
り替え回路、8はブートデバイス搭載外部装置である。
3a、3b、3cはそれぞれフラッシュメモリまたはブ
ートデバイス搭載外部装置用チップセレクト信号、チッ
プセレクトコントロール信号、RAM用チップセレクト
信号である。また、7a、7bはそれぞれフラッシュメ
モリ用チップセレクト信号、ブートデバイス搭載外部装
置用チップセレクト信号である。8aはブートデバイス
搭載外部装置の装着検出信号である。フラッシュメモリ
6のブートブロックを書き込む場合には、ブートデバイ
スを搭載した外部装置8を電子装置1の本体に取り付
け、ブートデバイスに格納されたブート用プログラムを
起動することによって、電子装置1内のフラッシュメモ
リ6のブートブロックを書き込むようになっている。ブ
ートデバイスを搭載した外部装置8が取り付けられた場
合には、ブートデバイス搭載外部装置の装着検出信号8
aが有効となり、チップセレクト切り替え回路7が電源
投入時のデフォルト(あらかじめ設定され、ユーザが特
に変更を加えていない値)でブートデバイス搭載外部装
置用チップセレクト信号7bを選択するように切り替わ
ることによってブートデバイスからCPU2が起動さ
れ、ブートデバイスを搭載した外部装置8が取り付けら
れていない場合には、ブートデバイス搭載外部装置の装
着検出信号8aが無効となり、チップセレクト切り替え
回路7が電源投入時のデフォルトでフラッシュメモリ用
チップセレクト信号7aを選択するように切り替わるこ
とによって電子装置1内のフラッシュメモリ6からCP
U2が起動するようになっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、CPU2に
おいては起動時に読み込まれるプログラムのアドレス
(リセットベクタアドレス)は固定であるため、ブート
デバイスとフラッシュメモリは同一のアドレスにマッピ
ングする必要がある。従って、ブートデバイスとフラッ
シュメモリ6とはどちらか一方のみを有効としなければ
ならず、ブートデバイスから起動されたブート用プログ
ラムでフラッシュメモリ6に書き込むことはできない。
よって、図4に示すように、ブートデバイスから起動し
た後ブート用プログラムを一旦別のエリア(例えばRA
Mエリア)にコピー(図4の)し、別エリアから起動
したブート用プログラムによってチップセレクトコント
ロール信号3bをコントロールする事によって有効なデ
バイスをブートデバイスからフラッシュメモリに切り替
えた後(図4の)、RAMエリアのブート用プログラ
ムを起動してフラッシュメモリ6に対して書き込みを行
う(図4の)必要がある。本方法によれば、フラッシュ
メモリ6の書き替え手順が複雑になること、およびブー
ト用プログラムをコピーする別エリアに十分な容量が無
い場合には、上記手順を複数回繰り返す必要があり、フ
ラッシュメモリ6のブートブロック書き込みに要する時
間が長くなってしまう。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明は、ブートブロックおよびメインブロックを
有するフラッシュメモリにデータを書き込むことができ
るマイクロプロセッサからなる電子装置において、前記
電子装置の外部に装着されたブートデバイス搭載外部装
置内のブート用プログラムから前記マイクロプロセッサ
を起動し、前記ブートデバイスから起動されたブート用
プログラムから直接、前記フラッシュメモリのブートブ
ロックに前記ブートデバイス搭載外部装置内のブートブ
ロック格納用プログラムを書き込むことを特徴とする。
【0005】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施例である電
子装置の構成ブロック図である。ただし、図では説明を
簡略化するために、フラッシュメモリのブートブロック
を書き込む際に関係する個所のみ示しており、フラッシ
ュメモリに書き込むシステム動作用プログラムや、アプ
リケーションプログラム、固定データなどのデータ入手
経路等については省略している。図1において、電子装
置1内には全体を制御するCPU2、周辺コントロール
回路3、データを一時格納するRAM5、システム動作
用プログラムを格納するフラッシュメモリ6、データロ
ード用プログラムやフラッシュメモリ6に格納するプロ
グラムを格納するブートデバイス搭載外部装置8、ブー
トデバイスとフラッシュメモリ6のマッピングを切り替
えるためのマッピング切り替え回路9が設けられてい
る。なお、図3と同じ記号はその説明を省略する。上記
構成を有する電子装置1を用いてフラッシュメモリ6の
ブートブロックを書き込む方法について説明する。マッ
ピング切り替え回路9は、周辺コントロール回路3から
出力されるブートデバイス、およびフラッシュメモリ6
のエリアに対するチップセレクト信号3aに対して、ブ
ートデバイス搭載外部装置8の装着検出信号8aが有効
状態か無効状態かによってブートデバイスに対するチッ
プセレクト信号7bとフラッシュメモリ6に対するチッ
プセレクト信号7aを切り替える回路となっている。即
ち、ブートデバイス搭載外部装置8の装着検出信号8a
が有効状態の場合であって、CPU2のリセットベクタ
を含むエリアに対するアクセスの場合は、ブートデバイ
スに対するチップセレクト信号7bを出力し、それ以外
のアクセスの場合はフラッシュメモリ6に対するチップ
セレクト信号7aを出力する。一方、ブートデバイス搭
載外部装置8の装着検出信号8aが無効状態の場合であ
って、CPU2のリセットベクタを含むエリアに対する
アクセスの場合は、フラッシュメモリ6に対するチップ
セレクト信号7aを出力し、それ以外のアクセスの場合
はブートデバイスに対するチップセレクト信号7bを出
力する。従って、図2に示すように、フラッシュメモリ
6に書き込む場合は、CPU2はブートデバイス内のブ
ート用プログラムから起動され、このブート用プログラ
ムをRAM5エリアにコピーすること無く直接フラッシ
ュメモリ6に対してアクセス可能となる(図2の)。
【0006】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、フ
ラッシュメモリのブートブロックを書き込む場合にブー
トデバイスから直接フラッシュメモリのブートブロック
にブートデバイス搭載外部装置内のブートブロック格納
用プログラムを書き込むことができ、複雑な手順が不要
となり、書き込み時間の短縮が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す電子装置のブロック図
【図2】本発明の実施例によるフラッシュメモリ書き込
み手順を示す図
【図3】従来のフラッシュメモリ書き込み機能を有する
装置のブロック図
【図4】従来のフラッシュメモリ書き込み手順を示す図
【符号の説明】
1 電子装置 2 CPU 3 周辺コントロール回路 3a フラッシュメモリまたはブートデバイス搭載外部
装置用チップセレクト信号 3b チップセレクトコントロール信号 3c RAM用チップセレクト信号 4 アドレスバスおよびデータバス信号 5 RAM 6 フラッシュメモリ 7 チップセレクト切り替え回路 7a フラッシュメモリ用チップセレクト信号 7b ブートデバイス搭載外部装置用チップセレクト信
号 8 ブートデバイス搭載外部装置 8a ブートデバイス搭載外部装置の装着検出信号 9 マッピング切り替え回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ブートブロックおよびメインブロックを
    有するフラッシュメモリにデータを書き込むことができ
    るマイクロプロセッサからなる電子装置において、前記
    電子装置の外部に装着されたブートデバイス搭載外部装
    置内のブート用プログラムから前記マイクロプロセッサ
    を起動し、前記ブートデバイスから起動されたブート用
    プログラムから直接、前記フラッシュメモリのブートブ
    ロックに前記ブートデバイス搭載外部装置内のブートブ
    ロック格納用プログラムを書き込むことを特徴とするフ
    ラッシュメモリのブートブロック書き込み方法。
JP11049830A 1999-02-26 1999-02-26 フラッシュメモリのブートブロック書き込み方法 Pending JP2000250759A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002140205A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Canon Inc データ処理装置およびデータ処理装置のブート処理方法
KR20030060342A (ko) * 2002-01-08 2003-07-16 엘지전자 주식회사 개인 휴대 정보 단말기의 부팅 방법

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