JPH0492295A - Ｅｐｒｏｍ書き込み方式設定方法 - Google Patents
Ｅｐｒｏｍ書き込み方式設定方法Info
- Publication number
- JPH0492295A JPH0492295A JP2208212A JP20821290A JPH0492295A JP H0492295 A JPH0492295 A JP H0492295A JP 2208212 A JP2208212 A JP 2208212A JP 20821290 A JP20821290 A JP 20821290A JP H0492295 A JPH0492295 A JP H0492295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- writing
- eprom
- address
- device information
- conditions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、書き込み装置を用いてＥＰＲＯＭへ情報の
書き込みを行うための書き込み方式の設定方法に関する
ものである。
書き込みを行うための書き込み方式の設定方法に関する
ものである。
［従来の技術］
近年、半導体記憶装置であるＥ Ｐ ｒ（ＯＭの高集積
化にともなう書き込み時間の増大を防ぐために、メーカ
ー毎に、書き込み条件の改善がなされており、これにと
もなってＥＰＲＯＭ書き込み装置に内蔵されている書き
込み方式も改善されてきている。このため、同じ集積度
および同じ端子構成のＥＰＲＯＭであっもメーカーによ
っては書き込み条件および書き込み方式が異なることが
ある。したがって、ユーザーがＥＰＲＯＭの書き込みを
実施するときには１．そのＥＰＲＯＭ専用の書き込み方
式がＥＰＲＯＭ書き込み装置において選択されて設定さ
れていた。
化にともなう書き込み時間の増大を防ぐために、メーカ
ー毎に、書き込み条件の改善がなされており、これにと
もなってＥＰＲＯＭ書き込み装置に内蔵されている書き
込み方式も改善されてきている。このため、同じ集積度
および同じ端子構成のＥＰＲＯＭであっもメーカーによ
っては書き込み条件および書き込み方式が異なることが
ある。したがって、ユーザーがＥＰＲＯＭの書き込みを
実施するときには１．そのＥＰＲＯＭ専用の書き込み方
式がＥＰＲＯＭ書き込み装置において選択されて設定さ
れていた。
第４図は、従来のＥＰＲＯＭ書き込み方式設定方法を説
明するための図である。この第４図におイテ、（ＩＡ）
４１ＥＦＲＯＭ、（２Ａ）は、対象とされたメーカーの
書き込み方式を内蔵しているＥＰＲＯＭ書き込み装置で
あって、その中からＥＰＲＯＭ （ＬＡ）の書き込み方
式を選択して設定する、（３）は、ＥＰＲＯＭ （ＩＡ
）をデバイス識別モードに設定するためのデバイス識別
モード設定信号、（６）は、ＥＰＲＯＭ書き込み装置（
２Ａ）が、デバイス識別モード状態にあるＥＰＲＯＭ（
ＩＡ）のアドレスを設定するためのアドレス設定信号、
（７）は、デバイス識別モード状態のＥＰＲＯＭ（１）
から出力される、上記設定アドレスに対応したデバイス
情報である。
明するための図である。この第４図におイテ、（ＩＡ）
４１ＥＦＲＯＭ、（２Ａ）は、対象とされたメーカーの
書き込み方式を内蔵しているＥＰＲＯＭ書き込み装置で
あって、その中からＥＰＲＯＭ （ＬＡ）の書き込み方
式を選択して設定する、（３）は、ＥＰＲＯＭ （ＩＡ
）をデバイス識別モードに設定するためのデバイス識別
モード設定信号、（６）は、ＥＰＲＯＭ書き込み装置（
２Ａ）が、デバイス識別モード状態にあるＥＰＲＯＭ（
ＩＡ）のアドレスを設定するためのアドレス設定信号、
（７）は、デバイス識別モード状態のＥＰＲＯＭ（１）
から出力される、上記設定アドレスに対応したデバイス
情報である。
次に、上記第４図に基づいて書き込み方式が設定される
動作を説明する。
動作を説明する。
書き込みを行う際は、まず、ＥＦＲＯＭ書き込み装置！
（２Ａ）のソケット（図示されない）にＥＰＲＯＭ（
ＩＡ）を挿入した後に、所定の操作によってデバイス逆
差し判定などの１リチエツクが行われる。さらに所定の
操作によって書き込み装！（２Ａ＞においてデバイス自
動選択を実施すると、書き込み装置（２Ａ）からＥＰＲ
ＯＭ （ＩＡ）へデバイス識別モード設定信号（３）が
出力される。このデバイス識別モード設定信号（３）は
、ＥＰＲＯＭ （ＩＡ）の所定の端子、例えば、現在多
く用いられているアドレス９ （Ａ、 ）端子（図示さ
れない）に高電圧（１２■程度）を印加するものである
。これによって、ＥＰＲＯＭ（ＩＡ）は、デバイス識別
モードにされ、通常のメモリ領域とは異なる領域、即ち
、書き込み条件であるデバイス情報が書き込まれている
メモリ領域からの読み出しが可能になる。
（２Ａ）のソケット（図示されない）にＥＰＲＯＭ（
ＩＡ）を挿入した後に、所定の操作によってデバイス逆
差し判定などの１リチエツクが行われる。さらに所定の
操作によって書き込み装！（２Ａ＞においてデバイス自
動選択を実施すると、書き込み装置（２Ａ）からＥＰＲ
ＯＭ （ＩＡ）へデバイス識別モード設定信号（３）が
出力される。このデバイス識別モード設定信号（３）は
、ＥＰＲＯＭ （ＩＡ）の所定の端子、例えば、現在多
く用いられているアドレス９ （Ａ、 ）端子（図示さ
れない）に高電圧（１２■程度）を印加するものである
。これによって、ＥＰＲＯＭ（ＩＡ）は、デバイス識別
モードにされ、通常のメモリ領域とは異なる領域、即ち
、書き込み条件であるデバイス情報が書き込まれている
メモリ領域からの読み出しが可能になる。
次に、ＥＰＲＯＭ書き込み装置（２Ａ）はＥＰＲＯＭ（
ＬＡ）のＡ、端子を除いたアドレス信号入力端子（図示
されない）にアドレス設定信号（６）を出力する。これ
によって、それらの端子が“Ｌ”レベル（以下Ｏ番地と
よぶ）にされれば、ＥＰＲＯＭ （ＩＡ）のメーカコー
ド情報が、出力端子（図示されない）から書き込み装置
（２Ａ）へ出力され、例えばアドレス信号入力端子Ａ。
ＬＡ）のＡ、端子を除いたアドレス信号入力端子（図示
されない）にアドレス設定信号（６）を出力する。これ
によって、それらの端子が“Ｌ”レベル（以下Ｏ番地と
よぶ）にされれば、ＥＰＲＯＭ （ＩＡ）のメーカコー
ド情報が、出力端子（図示されない）から書き込み装置
（２Ａ）へ出力され、例えばアドレス信号入力端子Ａ。
がＨ”レベルく以下１番地とよぶ）にされれば、ＥＰＲ
ＯＭ（ＬＡ、）の記憶容量を示すデバイスコード情報が
、出力端子からＥＰＲＯＭ書き込み装Ｗ （２Ａ）へ出
力される。
ＯＭ（ＬＡ、）の記憶容量を示すデバイスコード情報が
、出力端子からＥＰＲＯＭ書き込み装Ｗ （２Ａ）へ出
力される。
ＥＰＲＯＭ書き込み装置（２Ａ）では、これら２つのデ
バイス情報（７）、即ち、メーカコード情報およびデバ
イスコード情報に従って、内蔵されている複数の書き込
み方式の中からそのＥＰＲＯＭ（ＬＡ＞専用の書き込み
方式が選択されてこれが自動設定される。
バイス情報（７）、即ち、メーカコード情報およびデバ
イスコード情報に従って、内蔵されている複数の書き込
み方式の中からそのＥＰＲＯＭ（ＬＡ＞専用の書き込み
方式が選択されてこれが自動設定される。
また、第５図にアドレスとデバイス情報との対応表を示
しである。
しである。
［発明が解決しようとする課題］
従来のＥＦＲＯＭ書き込み装置は、書き込み装置メーカ
が対象とするＥＰＲＯＭの書き込み方式だけが装置内に
内蔵されており、対象外のＥＰＲＯＭについては、自動
書き込み方式設定機能を使用することができず、手動に
よっても書き込み方式を選択して設定することができな
い、こうした場合は、ユーザーサイドではそのＥＰＲＯ
Ｍには書き込みを実施することができないという問題点
があった。さらに、書き込み装置がプリチエツクとして
行うデバイス逆差し判定は、ＥＦＲＯＭの所定の端子に
所定の電圧を印加したときの電流値に基づいてなされる
ものであって、その電流値はＥＰＲＯＭによって差があ
るので、判定を誤ることがあり、また、デバイス識別モ
ード時における、ＥＰＲＯＭとＥＰＲＯＭ書き込み装置
との間のＶｃｃ，Ｖｐｐなとの電源入力条件および信号
入力条件もＥＰＲＯＭによって異なるので、これらの入
力シーケンスミスが生じて書き込み方式が設定不良にな
ることがあるという問題点もあった。
が対象とするＥＰＲＯＭの書き込み方式だけが装置内に
内蔵されており、対象外のＥＰＲＯＭについては、自動
書き込み方式設定機能を使用することができず、手動に
よっても書き込み方式を選択して設定することができな
い、こうした場合は、ユーザーサイドではそのＥＰＲＯ
Ｍには書き込みを実施することができないという問題点
があった。さらに、書き込み装置がプリチエツクとして
行うデバイス逆差し判定は、ＥＦＲＯＭの所定の端子に
所定の電圧を印加したときの電流値に基づいてなされる
ものであって、その電流値はＥＰＲＯＭによって差があ
るので、判定を誤ることがあり、また、デバイス識別モ
ード時における、ＥＰＲＯＭとＥＰＲＯＭ書き込み装置
との間のＶｃｃ，Ｖｐｐなとの電源入力条件および信号
入力条件もＥＰＲＯＭによって異なるので、これらの入
力シーケンスミスが生じて書き込み方式が設定不良にな
ることがあるという問題点もあった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たものであり、自動書き込み方式設定機能を効率良く利
用することができるＥＰＲＯＭ書き込み方式設定方法を
得ることを目的とする。
たものであり、自動書き込み方式設定機能を効率良く利
用することができるＥＰＲＯＭ書き込み方式設定方法を
得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段〕
この発明におけるＥＰＲＯＭは、書き込み条件、プリチ
ェック条件およびＶＣ（・Ｖ ｐｐ・入力信号入力条件
がデバイス情報として所定のアドレスにあらかじめ記憶
されている書き込み方式指定用記憶領域；を備え、ＥＰ
ＲＯＭ書き込み装置は、上記ＥＰＲＯＭへの情報の書き
込みを行う前に、上記ＥＰＲＯＭの各アドレスに対応す
る上記デバイス情報を個別に読み出し、これらのデバイ
ス情報に基づきプリチェックを行って書き込み方式を自
動設定する機能；を備えたものである。
ェック条件およびＶＣ（・Ｖ ｐｐ・入力信号入力条件
がデバイス情報として所定のアドレスにあらかじめ記憶
されている書き込み方式指定用記憶領域；を備え、ＥＰ
ＲＯＭ書き込み装置は、上記ＥＰＲＯＭへの情報の書き
込みを行う前に、上記ＥＰＲＯＭの各アドレスに対応す
る上記デバイス情報を個別に読み出し、これらのデバイ
ス情報に基づきプリチェックを行って書き込み方式を自
動設定する機能；を備えたものである。
［作用］
この発明においては、ＥＰＲＯＭへの書き込みが実施さ
れる際に、ＥＰＲＯＭから書き込み条件、プリチェック
条件およびＶ ｃｃ・Ｖ ｐｐ・入力信号入力条件がＥ
ＰＲＯＭ書き込み装置に読み出されて書き込み方式が自
動設定される。
れる際に、ＥＰＲＯＭから書き込み条件、プリチェック
条件およびＶ ｃｃ・Ｖ ｐｐ・入力信号入力条件がＥ
ＰＲＯＭ書き込み装置に読み出されて書き込み方式が自
動設定される。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、この発明のＥＰＲＯＭ書き込み方式設定方法
を説明するための図である。この第１図において、（３
）は第４図の従来例に示されているものと同等であるの
で、ここでは説明を省略する。（１）はＥＰＲＯＭ、（
２）はＥＰＲＯＭの書き込み方式を設定して書き込みを
行うＥＰＲＯＭ書き込み装置、（４）は、ＥＰＲＯＭ書
き込み装置（２）が、デバイス識別モード時に、ＥＰＲ
ＯＭのアドレスを設定するアドレス設定信号、（５）は
、デバイス識別モード時にＥ Ｆ ＲＯＭ（１）から書
き込み装置（２）へ出力されるデバイス情報であって、
書き込み装置（２）によって設定されたアドレスに対応
している。
を説明するための図である。この第１図において、（３
）は第４図の従来例に示されているものと同等であるの
で、ここでは説明を省略する。（１）はＥＰＲＯＭ、（
２）はＥＰＲＯＭの書き込み方式を設定して書き込みを
行うＥＰＲＯＭ書き込み装置、（４）は、ＥＰＲＯＭ書
き込み装置（２）が、デバイス識別モード時に、ＥＰＲ
ＯＭのアドレスを設定するアドレス設定信号、（５）は
、デバイス識別モード時にＥ Ｆ ＲＯＭ（１）から書
き込み装置（２）へ出力されるデバイス情報であって、
書き込み装置（２）によって設定されたアドレスに対応
している。
第２図は、各アドレスに対応したデバイス情報を示す図
である。
である。
まず、−船釣な書き込み動作を、第３図のフローチャー
ト図に基づいて説明する。
ト図に基づいて説明する。
ステップＳ１において書き込みを開始する先頭アドレス
が設定されると、ステップＳ２において書き込み時の電
源電圧Ｖｃｃおよび■ア、が設定される。ステップＳ３
においてレジスタ（図示されない）を初期状懸にしてか
ら、ステップＳ４において基本パルスを印加して１番地
毎に書き込みを実施する。ステップＳ５およびステップ
Ｓ６において、この基本パルスは書き込みが終了するま
で最大２５個印加され、その数はレジスタで数えられて
いる。１つの番地への書き込みが終了したら、ステップ
Ｓ７ａまたはＳ７ｂにおいてベリファイの後に、ステッ
プＳ８において、追加パルスが、例えば、基本パルスの
３倍の個数だけ印加されて、ステップＳ９およびステッ
プＳ１０において次の番地へ進む、以下、ステップ８２
〜ＳＩＯのループが繰り返されて、すべてのアドレス領
域への書き込みが完了する。次に、ステップＳｌｌにお
いて、読み出し時の電源電圧Ｖ ｃ ｃおよびＶ ｐ
ａが設定されて、全アドレス領域からの読み出しが行わ
れる（ステップ５１２）。このとき、正常に読み出され
ればそのＥＰＲＯＭは良品とされ、異常がが発生すれば
そのＥＰＲＯＭは不良品とされる。
が設定されると、ステップＳ２において書き込み時の電
源電圧Ｖｃｃおよび■ア、が設定される。ステップＳ３
においてレジスタ（図示されない）を初期状懸にしてか
ら、ステップＳ４において基本パルスを印加して１番地
毎に書き込みを実施する。ステップＳ５およびステップ
Ｓ６において、この基本パルスは書き込みが終了するま
で最大２５個印加され、その数はレジスタで数えられて
いる。１つの番地への書き込みが終了したら、ステップ
Ｓ７ａまたはＳ７ｂにおいてベリファイの後に、ステッ
プＳ８において、追加パルスが、例えば、基本パルスの
３倍の個数だけ印加されて、ステップＳ９およびステッ
プＳ１０において次の番地へ進む、以下、ステップ８２
〜ＳＩＯのループが繰り返されて、すべてのアドレス領
域への書き込みが完了する。次に、ステップＳｌｌにお
いて、読み出し時の電源電圧Ｖ ｃ ｃおよびＶ ｐ
ａが設定されて、全アドレス領域からの読み出しが行わ
れる（ステップ５１２）。このとき、正常に読み出され
ればそのＥＰＲＯＭは良品とされ、異常がが発生すれば
そのＥＰＲＯＭは不良品とされる。
このようなことから、書き込み方式は、ＥＰＲＯＭの記
憶容量、基本書き込みアルゴリズム、書き込み時の電源
電圧（ＶｃｃおよびＶ、、） 、基本書き込みパルス幅
、書き込みループ回数、追加パルス係数および最終の読
み出し時電源電圧（Ｖｃ・およびＶ、ｐ）によって規定
される。そこで、第１図の実施例では、デバイスメーカ
コードとともにこれらの情報と、さらには、デバイス逆
差し判定のための電流値を示すプリチェック条件、およ
び、Ｖ ｃｃ ’ Ｖ ｐｐ ’入力信号入力条件を、
ＥＰＲＯＭ（１）の通常のメモリ領域とは異なる書き込
み方式指定用記憶領域の所定のアドレスにそれぞれ記憶
させておく。
憶容量、基本書き込みアルゴリズム、書き込み時の電源
電圧（ＶｃｃおよびＶ、、） 、基本書き込みパルス幅
、書き込みループ回数、追加パルス係数および最終の読
み出し時電源電圧（Ｖｃ・およびＶ、ｐ）によって規定
される。そこで、第１図の実施例では、デバイスメーカ
コードとともにこれらの情報と、さらには、デバイス逆
差し判定のための電流値を示すプリチェック条件、およ
び、Ｖ ｃｃ ’ Ｖ ｐｐ ’入力信号入力条件を、
ＥＰＲＯＭ（１）の通常のメモリ領域とは異なる書き込
み方式指定用記憶領域の所定のアドレスにそれぞれ記憶
させておく。
次に、第１図および第２図に基づいて、書き込み条件の
設定について説明する。
設定について説明する。
ＥＰＲＯＭ（１）の通常の記憶領域以外の書き込み方式
指定用の記憶領域に、例えば第２図に示すように、アド
レスの０番地にはデバイスメーカコード、１番地には記
憶容量コード、２番地には書き込みアルゴリズムコード
、３番地には書き込み時電源電圧（Ｖ、Ｃ８よび■９．
）コード、４番地には書き込みパルス幅コード、５番地
には書き込みループ回数コード、６番地には書き込み時
追加パルス設定コード、７番地には読み出し時の電源電
圧（Ｖｅ、およびｖｌ）コード、８番地にはプリチェッ
ク条件コード、９番地にはＶｃｏ・Ｖｐｐ・入力信号入
力条件コードを、デバイス情報としてあらカルめ記憶さ
せておく。従来例と同様にして、ＥＰＲＯＭ（１）がデ
バイス識別モードにされて、書き込み方式指定記憶領域
からのデバイス情報の読み出しが可能になると、このデ
バイス識別モード下で、書き込み装置（２）はアドレス
設定信号（４）をＥＰＲＯＭ（１）へ出力して順次にア
ドレスを設定し、各アドレスに記憶されているデバイス
情報を個別に読み出す。書き込み装置（２）は、これら
のデバイス情報に基づきプリチェックを行ってそのＥＰ
ＲＯＭ（１）専用の書き込み方式を自動設定する。
指定用の記憶領域に、例えば第２図に示すように、アド
レスの０番地にはデバイスメーカコード、１番地には記
憶容量コード、２番地には書き込みアルゴリズムコード
、３番地には書き込み時電源電圧（Ｖ、Ｃ８よび■９．
）コード、４番地には書き込みパルス幅コード、５番地
には書き込みループ回数コード、６番地には書き込み時
追加パルス設定コード、７番地には読み出し時の電源電
圧（Ｖｅ、およびｖｌ）コード、８番地にはプリチェッ
ク条件コード、９番地にはＶｃｏ・Ｖｐｐ・入力信号入
力条件コードを、デバイス情報としてあらカルめ記憶さ
せておく。従来例と同様にして、ＥＰＲＯＭ（１）がデ
バイス識別モードにされて、書き込み方式指定記憶領域
からのデバイス情報の読み出しが可能になると、このデ
バイス識別モード下で、書き込み装置（２）はアドレス
設定信号（４）をＥＰＲＯＭ（１）へ出力して順次にア
ドレスを設定し、各アドレスに記憶されているデバイス
情報を個別に読み出す。書き込み装置（２）は、これら
のデバイス情報に基づきプリチェックを行ってそのＥＰ
ＲＯＭ（１）専用の書き込み方式を自動設定する。
［発明の効果］
以上詳しく説明したとおり、この発明では、ＥＰＲＯＭ
は、書き込み方式指定用記憶領域の所定のアドレスに、
書き込み条件、プリチエツク条件およびｖｏ。・Ｖｐｐ
・入力信号入力条件をデバイス情報としてあらかじめ記
憶していること； ＥＰＲＯＭ書き込み装置は、上記Ｅ
ＰＲＯＭへの情報の書き込みを行う前に、上記ＥＰＲＯ
Ｍの各アドレスに対応する上記デバイス情報を個別に読
み出し、これらのデバイス情報に基づいてプリチエツク
を行って書き込み方式を自動設定すること：から、書き
込み装置は、ＥＰＲＯＭデバイスの書き込み方式を内蔵
しておく必要がなく、また、正確にプリチェックを行う
ことができ、さらにデバイス識別モード時における、Ｅ
ＰＲＯＭとＥＰＲＯＭ書き込み装置との間の電源電圧入
力および入力信号のシーケンスミスを防ぐことができる
ので、ユーザが書き込みを実施する際に、書き込み不良
が生じることなくどんな書き込み方式のＥＰＲＯＭでも
書き込み方式が設定されることができるという効果を奏
する。
は、書き込み方式指定用記憶領域の所定のアドレスに、
書き込み条件、プリチエツク条件およびｖｏ。・Ｖｐｐ
・入力信号入力条件をデバイス情報としてあらかじめ記
憶していること； ＥＰＲＯＭ書き込み装置は、上記Ｅ
ＰＲＯＭへの情報の書き込みを行う前に、上記ＥＰＲＯ
Ｍの各アドレスに対応する上記デバイス情報を個別に読
み出し、これらのデバイス情報に基づいてプリチエツク
を行って書き込み方式を自動設定すること：から、書き
込み装置は、ＥＰＲＯＭデバイスの書き込み方式を内蔵
しておく必要がなく、また、正確にプリチェックを行う
ことができ、さらにデバイス識別モード時における、Ｅ
ＰＲＯＭとＥＰＲＯＭ書き込み装置との間の電源電圧入
力および入力信号のシーケンスミスを防ぐことができる
ので、ユーザが書き込みを実施する際に、書き込み不良
が生じることなくどんな書き込み方式のＥＰＲＯＭでも
書き込み方式が設定されることができるという効果を奏
する。
第１図はこの発明に係るＥＰＲＯＭ書き込み方式設定方
法の一実施例を説明するための図、第２図は上記実施例
におけるＥＰＲＯＭに記憶されたデバイス情報を示す図
、第３図は一般的な書き込み動作を説明するためのフロ
ーチャート図、第４図は従来のＥＰＲＯＭ書き込み方式
設定方法を説明するための図、第５図は従来例における
ＥＰＲＯＭに記憶されたデバイス情報を示す図である。 図中で、 （１）はＥＰＲＯＭ、 （２）はＥＰＲＯＭ書き込み装置、 （３）はデバイス識別モード設定信号、（４）はアドレ
ス設定信号 （５〉はデバイス情報、 である。 尚、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 昂２図
法の一実施例を説明するための図、第２図は上記実施例
におけるＥＰＲＯＭに記憶されたデバイス情報を示す図
、第３図は一般的な書き込み動作を説明するためのフロ
ーチャート図、第４図は従来のＥＰＲＯＭ書き込み方式
設定方法を説明するための図、第５図は従来例における
ＥＰＲＯＭに記憶されたデバイス情報を示す図である。 図中で、 （１）はＥＰＲＯＭ、 （２）はＥＰＲＯＭ書き込み装置、 （３）はデバイス識別モード設定信号、（４）はアドレ
ス設定信号 （５〉はデバイス情報、 である。 尚、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 昂２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＥＰＲＯＭ書き込み装置を用いてユーザーサイドでＥ
ＰＲＯＭに情報の書き込みを行う際に、上記ＥＰＲＯＭ
は、書き込み方式指定用記憶領域の所定のアドレスに、
書き込み条件、プリチェック条件およびＶｃｃ・Ｖｐｐ
・入力信号入力条件をデバイス情報としてあらかじめ記
憶していること；上記ＥＰＲＯＭ書き込み装置は、上記
ＥＰＲＯＭへの情報の書き込みを行う前に、上記ＥＰＲ
ＯＭのデバイス情報を個別に読み出し、これらのデバイ
ス情報に基づいて書き込み方式を自動設定すること； を特徴とするＥＰＲＯＭ書き込み方式設定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208212A JPH0492295A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Ｅｐｒｏｍ書き込み方式設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208212A JPH0492295A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Ｅｐｒｏｍ書き込み方式設定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492295A true JPH0492295A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16552533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2208212A Pending JPH0492295A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Ｅｐｒｏｍ書き込み方式設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0492295A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01276490A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Nec Corp | Ｐｒｏｍプログラマ |
| JPH0261897A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Seiko Epson Corp | Ｐｒｏｍライター |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP2208212A patent/JPH0492295A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01276490A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Nec Corp | Ｐｒｏｍプログラマ |
| JPH0261897A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Seiko Epson Corp | Ｐｒｏｍライター |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7251190B2 (en) | Non-volatile semiconductor memory device | |
| US5495593A (en) | Microcontroller device having remotely programmable EPROM and method for programming | |
| EP0620556A3 (en) | Semiconductor memory device having register for holding test resultant signal | |
| JPH04315898A (ja) | 半導体集積回路 | |
| EP0610886B1 (en) | Microcomputer for IC card | |
| US5710734A (en) | Semiconductor memory device and data writing method thereof | |
| US5781796A (en) | System for automatic configuration of I/O base address without configuration program using readout data on common bus by responding device | |
| EP0468535A2 (en) | Microcomputer having ROM data protection function | |
| US6407960B1 (en) | Arrangement for programming selected device registers during initialization from an external memory | |
| JPH0492295A (ja) | Ｅｐｒｏｍ書き込み方式設定方法 | |
| JPH048838B2 (ja) | ||
| US5673228A (en) | Integrated circuit having an EEPROM, semiconductor wafer provided with such integrated circuits, and method of testing such a semiconductor wafer | |
| KR910008570A (ko) | 자기 검사 기능을 구비한 메모리 시스템 | |
| JPH033200A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US7191323B2 (en) | Information processing unit selecting one of reset vector addresses | |
| JP2002150246A (ja) | 携帯可能電子装置 | |
| US6915470B2 (en) | Data log acquisition circuit and data log acquisition method | |
| US6226530B1 (en) | Method of detecting fraud concerning electronic memory cards used in telephony | |
| JPH0520474A (ja) | １チツプマイクロコンピユータ | |
| JPS6143387A (ja) | Ｉｃカ−ドの情報処理方法 | |
| JPS6126700B2 (ja) | ||
| JPH01118933A (ja) | シングルチップマイクロコンピュータ | |
| JPH03211619A (ja) | データ処理装置 | |
| JPH0830750A (ja) | メモリカードの容量判定方法及び装置 | |
| JPS62197995A (ja) | メモリの書込み消去装置 |