JPH01275407A - 高温超電導体 - Google Patents
高温超電導体Info
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- JPH01275407A JPH01275407A JP63103593A JP10359388A JPH01275407A JP H01275407 A JPH01275407 A JP H01275407A JP 63103593 A JP63103593 A JP 63103593A JP 10359388 A JP10359388 A JP 10359388A JP H01275407 A JPH01275407 A JP H01275407A
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 6
- -1 Oxygen ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は高温超電導体構造に関し、とりわけ半導体装置
における高温超電導体による電極配線構造に関する。
における高温超電導体による電極配線構造に関する。
従来、Ｙ ＋ Ｂ ａ ｚ Ｃｕ ｓ Ｏを等から成る
セラミック系高温超電導体表面にはＡｇ膜が形成されて
成るのが通例であった。
セラミック系高温超電導体表面にはＡｇ膜が形成されて
成るのが通例であった。
［発明が解決しようとする課題）
しかし、上記従来技術によると、高温超電導体の臨界温
度が不安定になると云う課題があった６本発明は、かか
る従来技術の課題を解決し、臨界温度の不安定さの無い
高温超電導体の構造を提供する事を目的とし、とりわけ
、半導体装置における高温超電導体配線の安定化を計る
新しい構造を提供する事を目的とする。
度が不安定になると云う課題があった６本発明は、かか
る従来技術の課題を解決し、臨界温度の不安定さの無い
高温超電導体の構造を提供する事を目的とし、とりわけ
、半導体装置における高温超電導体配線の安定化を計る
新しい構造を提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段１
上記課題を解決するために、本発明は、高温超電導体に
関し、 （１）ＹＩ Ｂａ２ＣｔｚＯ？等から成るセラミック系
高温超電導体表面にＴｉ Ｎ、ＮｂＮ、ＷＮ、ＭｏＮ、
ＺｒＮ等の電導性窒化膜が形成する手段を取る事、及び
、 （２）半導体装置に於けるＹ ＋ ３ ａ ２ Ｃｕ
ｓ Ｏ？等から成るセラミック系高温超電導体膜配線の
少くとも一生表面にＴ ｉ Ｎ、ＮｂＮ、ＷＮ、Ｍ。
関し、 （１）ＹＩ Ｂａ２ＣｔｚＯ？等から成るセラミック系
高温超電導体表面にＴｉ Ｎ、ＮｂＮ、ＷＮ、ＭｏＮ、
ＺｒＮ等の電導性窒化膜が形成する手段を取る事、及び
、 （２）半導体装置に於けるＹ ＋ ３ ａ ２ Ｃｕ
ｓ Ｏ？等から成るセラミック系高温超電導体膜配線の
少くとも一生表面にＴ ｉ Ｎ、ＮｂＮ、ＷＮ、Ｍ。
Ｎ、Ｚ二Ｎ等の電導性窒化膜を形成する手段を取る事、
等を基本とする。
等を基本とする。
［作 用Ｉ
Ｙ ＋ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ｓ Ｏを等から成るセラミ
ック系高温超電導体表面に、Ｔ ｉ Ｎ、ＮｂＮ、ＷＮ
、ＭｏＮ、ＺｒＮ等の電導性窒化膜を形成すると、Ｙ
ＩＢ ａ ２Ｃｕ ｚ Ｏ？等のセラミック系高温超電
導体からの酸素放出を防止することができ、酸素放出に
よる臨界温度の低下を防止することができるイ乍用があ
る。
ック系高温超電導体表面に、Ｔ ｉ Ｎ、ＮｂＮ、ＷＮ
、ＭｏＮ、ＺｒＮ等の電導性窒化膜を形成すると、Ｙ
ＩＢ ａ ２Ｃｕ ｚ Ｏ？等のセラミック系高温超電
導体からの酸素放出を防止することができ、酸素放出に
よる臨界温度の低下を防止することができるイ乍用があ
る。
［実 施 例］
以下、実施例により本発明を詳述する６第１図は本発明
の一実施例を示す高温超電導体による線材の断面図であ
る。すなわち、Ｙ。
の一実施例を示す高温超電導体による線材の断面図であ
る。すなわち、Ｙ。
Ｂ ａ ２Ｃｕ ｓ Ｏ７芯線１の表面にはＴｉＮ被覆
層３がスパック法等により形成され、該ＴｉＮ被覆層３
を通して高エネルギーイオン打込み装置による酸素イオ
ン打込み層２が形成された後、４００℃程度のアニール
処理が施されて成る。尚、ＴｉＮ被覆層３の下にＡｇ層
が形成されても良い事は云うまでもない。
層３がスパック法等により形成され、該ＴｉＮ被覆層３
を通して高エネルギーイオン打込み装置による酸素イオ
ン打込み層２が形成された後、４００℃程度のアニール
処理が施されて成る。尚、ＴｉＮ被覆層３の下にＡｇ層
が形成されても良い事は云うまでもない。
第２図は本発明の他の実施例を示す半導体装置における
高温超電導体配線構造を示す断面図である。すなわち、
Ｓｉ基板１１の表面には、通常の半導体装置の製造方法
により５１０２膜１２及び拡散層１３が形成され、該拡
散層１３の上のＳｉＯ□膜１２にはコンタクト穴が開け
られ、その上にＴｉＮ１ｉ１６、Ｙ＋Ｂａ１ＣｕｓＯ１
膜１５及び主表面へのＴｉＮ１ｉ１６がスパッタ法で形
成された後、ホト・エツチングにより電極配線となされ
た後、５ｉｉＮ４膜１７がプラズマＣＶＤ法により形成
され、その後、必要とあらばＹ、Ｂａ２Ｃｕ３０を膜１
５内に酸素イオン打込みがなされ、アニール処理された
後、Ｓｉ ３Ｎ４膜１７にパッド部コンタクト穴開けさ
れて、該パッド部にＡ℃電極１８が通常の半導体装置の
製造に従って形成される。
高温超電導体配線構造を示す断面図である。すなわち、
Ｓｉ基板１１の表面には、通常の半導体装置の製造方法
により５１０２膜１２及び拡散層１３が形成され、該拡
散層１３の上のＳｉＯ□膜１２にはコンタクト穴が開け
られ、その上にＴｉＮ１ｉ１６、Ｙ＋Ｂａ１ＣｕｓＯ１
膜１５及び主表面へのＴｉＮ１ｉ１６がスパッタ法で形
成された後、ホト・エツチングにより電極配線となされ
た後、５ｉｉＮ４膜１７がプラズマＣＶＤ法により形成
され、その後、必要とあらばＹ、Ｂａ２Ｃｕ３０を膜１
５内に酸素イオン打込みがなされ、アニール処理された
後、Ｓｉ ３Ｎ４膜１７にパッド部コンタクト穴開けさ
れて、該パッド部にＡ℃電極１８が通常の半導体装置の
製造に従って形成される。
［発明の効果１
本発明により、セラミック系高温超電導体の臨界温度の
不安定さを防止できる効果があり、とりわけ、セラミッ
ク系高温超電導体による電極配線を半導体装置に適用し
た場合及び該電極配線に酸素イオン打込みにより臨界温
度の上昇を計った場合には、酸素の自然放出を導電性窒
化膜で防止する事ができる効果を保ちながら、パッド部
に外部リード線との接続のためのＡＩ２電極を形成する
ことが出来る効果がある。
不安定さを防止できる効果があり、とりわけ、セラミッ
ク系高温超電導体による電極配線を半導体装置に適用し
た場合及び該電極配線に酸素イオン打込みにより臨界温
度の上昇を計った場合には、酸素の自然放出を導電性窒
化膜で防止する事ができる効果を保ちながら、パッド部
に外部リード線との接続のためのＡＩ２電極を形成する
ことが出来る効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す高温超電導体線材の断
面図であり、第２図は本発明の他の実施例を示す半導体
装置における高温超電導体配線構造を示す断面図である
。 １ ” −’ −・Ｙ＋ ＢａｚＣｕｓＯｔ芯線２・・
・・・・酸素イオン打込み暦 ３・・・・・・ＴｉＮ被覆層 １１・・・・・・３１基板 １２ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Ｓ ｉ Ｏ２膜１３・
・・・・・拡散層 １４．１６・・・ＴｉＮ膜 １５− ・−”Ｙ、ＢａｚＣｕａｏｙ膜１７・・・・・
・５ｉｉＮ４膜 １８・・・・・・Ａ℃電極 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
面図であり、第２図は本発明の他の実施例を示す半導体
装置における高温超電導体配線構造を示す断面図である
。 １ ” −’ −・Ｙ＋ ＢａｚＣｕｓＯｔ芯線２・・
・・・・酸素イオン打込み暦 ３・・・・・・ＴｉＮ被覆層 １１・・・・・・３１基板 １２ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Ｓ ｉ Ｏ２膜１３・
・・・・・拡散層 １４．１６・・・ＴｉＮ膜 １５− ・−”Ｙ、ＢａｚＣｕａｏｙ膜１７・・・・・
・５ｉｉＮ４膜 １８・・・・・・Ａ℃電極 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (2)
- （１）Ｙ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７等から成るセラミ
ック系高温超電導体表面にはＴｉＮ、ＮｂＮ、ＷＮ、Ｍ
ｏＮ、ＺｒＮ等の電導性窒化膜が形成されて成る事を特
徴とする高温超電導体。 - （２）半導体装置に於けるＹ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿
７等から成るセラミック系高温超電導体膜配線の少くと
も一主表面にはＴｉＮ、ＮｂＮ、ＷＮ、ＭｏＮ、ＺｒＮ
等の電導性窒化膜が形成されて成る事を特徴とする半導
体装置の配線における高温超電導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10359388A JP2712272B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 高温超電導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10359388A JP2712272B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 高温超電導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01275407A true JPH01275407A (ja) | 1989-11-06 |
| JP2712272B2 JP2712272B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=14358068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10359388A Expired - Lifetime JP2712272B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 高温超電導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712272B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5678477A (en) * | 1995-11-02 | 1997-10-21 | Satake Corporation | Husking apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132008A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導体およびその製造方法 |
| JPH01137685A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導薄膜の形成方法 |
| JPH01140683A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導薄膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP10359388A patent/JP2712272B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132008A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導体およびその製造方法 |
| JPH01137685A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導薄膜の形成方法 |
| JPH01140683A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導薄膜の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5678477A (en) * | 1995-11-02 | 1997-10-21 | Satake Corporation | Husking apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2712272B2 (ja) | 1998-02-10 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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