JPS60127741A - 半導体装置の製法 - Google Patents
半導体装置の製法Info
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- JPS60127741A JPS60127741A JP23678883A JP23678883A JPS60127741A JP S60127741 A JPS60127741 A JP S60127741A JP 23678883 A JP23678883 A JP 23678883A JP 23678883 A JP23678883 A JP 23678883A JP S60127741 A JPS60127741 A JP S60127741A
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- ions
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
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- Power Engineering (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製法、特にシリコン基体に幻する
選択的熱酸化工程を伴う例えば共通の半導体基体に形成
された複数の回ｖＰｒ素子間を電気的に分離する酸化物
絶縁層を選択的に形成する工程を伴う半導体集積回路装
置等を得る場合に適用する半導体装置の製法に係わる。
選択的熱酸化工程を伴う例えば共通の半導体基体に形成
された複数の回ｖＰｒ素子間を電気的に分離する酸化物
絶縁層を選択的に形成する工程を伴う半導体集積回路装
置等を得る場合に適用する半導体装置の製法に係わる。
バ景技術とその問題点
ｉＪＬ来、半導体集積回路において、共通のシリコン基
体に形成した複数の回ｖ８素子間を電気的に分離するに
、この素子間におい°ζ選択的にシリコン基体を熱酸化
して厚い酸化絶縁層を形成しＣその電気的分離を行う方
法（所謂選択酸化（ＬＯＧＯ５）法）がある。
体に形成した複数の回ｖ８素子間を電気的に分離するに
、この素子間におい°ζ選択的にシリコン基体を熱酸化
して厚い酸化絶縁層を形成しＣその電気的分離を行う方
法（所謂選択酸化（ＬＯＧＯ５）法）がある。
このようにシリコン基体に対して選択的熱酸化を行っ′
ζ酸化物絶縁層を形成する場合、半導体基体表面に酸化
のマスクとなるシリコン窒化物Ｓｉ３Ｎ４股をＣＶＤ法
で形成し、これに穿没した開口を通じて半導体基体に対
する選択的熱酸化を行うことが一般的になされる。この
場合、シリコン半導体基体上に直接的に酸化マスクとな
るＳ ｉ３Ｎ ４腺を形成すると、この５ｉａＮ４膜中
の具性応力によって５ｔ−Ｓｉ３Ｎ４界面に歪が生じ、
これが爾後の熱処理において結晶欠陥の発生原因となる
などの不安定性を招来する。
ζ酸化物絶縁層を形成する場合、半導体基体表面に酸化
のマスクとなるシリコン窒化物Ｓｉ３Ｎ４股をＣＶＤ法
で形成し、これに穿没した開口を通じて半導体基体に対
する選択的熱酸化を行うことが一般的になされる。この
場合、シリコン半導体基体上に直接的に酸化マスクとな
るＳ ｉ３Ｎ ４腺を形成すると、この５ｉａＮ４膜中
の具性応力によって５ｔ−Ｓｉ３Ｎ４界面に歪が生じ、
これが爾後の熱処理において結晶欠陥の発生原因となる
などの不安定性を招来する。
そこで通當ごのような５ｉａＮ４股による酸化マスクを
用いる場合、第１図に示すようにシリコン基体（１１の
表面に数百Ａ程度のηシい５ｉＱ７脱によるパッド層（
２）を形成し、これの上に酸化マスクとしてのＳ ｉ３
Ｎ ４映（３）を被着し、この股（３）のフォ１−コー
ソチンり等によっ”（ｐｊｌ、 ｌｌｉ化を施こさんと
する部分に開口（４）を形成する。その後、この開口（
４）を通じ一ζシリコン基体（１）の表面を熱酸化して
第２図にボずようにシリコン基体（１１に選択的に酸化
物層（５）を形成するようにし”ζいる。ところが、こ
のような選択酸化法では、５ｉＱ２のバッドＩＩ （２
１による実質的間隙によっ°ζ、得られた酸化物１＃
（５１の周辺にマスク層（３）の開口（／Ｉ）の縁部下
に入り込んで廷在する所謂バーズビーク部（６）が形成
され、これがために例えば集積回路における回路素子の
集積度の向上が図り難（、またシリコン基体（１）のフ
ィールド酸化層即ち酸化物層（５）の間に段差を生じ、
多層配線が困難である等の欠点があった。この段差を減
らずためには選択酸化前に予め酸化する部分のシリコン
基体表向をエツチングして置く方法があるが、これは通
常の選択酸化法に較べてさらに大きなバーズビークが生
ずる。
用いる場合、第１図に示すようにシリコン基体（１１の
表面に数百Ａ程度のηシい５ｉＱ７脱によるパッド層（
２）を形成し、これの上に酸化マスクとしてのＳ ｉ３
Ｎ ４映（３）を被着し、この股（３）のフォ１−コー
ソチンり等によっ”（ｐｊｌ、 ｌｌｉ化を施こさんと
する部分に開口（４）を形成する。その後、この開口（
４）を通じ一ζシリコン基体（１）の表面を熱酸化して
第２図にボずようにシリコン基体（１１に選択的に酸化
物層（５）を形成するようにし”ζいる。ところが、こ
のような選択酸化法では、５ｉＱ２のバッドＩＩ （２
１による実質的間隙によっ°ζ、得られた酸化物１＃
（５１の周辺にマスク層（３）の開口（／Ｉ）の縁部下
に入り込んで廷在する所謂バーズビーク部（６）が形成
され、これがために例えば集積回路における回路素子の
集積度の向上が図り難（、またシリコン基体（１）のフ
ィールド酸化層即ち酸化物層（５）の間に段差を生じ、
多層配線が困難である等の欠点があった。この段差を減
らずためには選択酸化前に予め酸化する部分のシリコン
基体表向をエツチングして置く方法があるが、これは通
常の選択酸化法に較べてさらに大きなバーズビークが生
ずる。
またバースビークのないの素子間分離法としでは、いく
つか提案されているが、浦富の選択酸化法や窒素イオン
注入法に鮫べていずれも工程が複ｊ′１ト化し且つ制御
法に欠けるなどの欠点があり、従来の選択酸化法に置き
換えられる技術には未だなっていない。
つか提案されているが、浦富の選択酸化法や窒素イオン
注入法に鮫べていずれも工程が複ｊ′１ト化し且つ制御
法に欠けるなどの欠点があり、従来の選択酸化法に置き
換えられる技術には未だなっていない。
一方、先に特願昭５８−６６２０４号でシリコン基体に
窒素イオンを注入することによっ“ζ形成した窒化シリ
コン層をマスクに選択酸化する方法を提案した。この方
法は窒化シリコン層とシリコン基体との間に酸化シリコ
ン膜が全（介在しないため、バーズビークが全く見られ
ないという特質をもっている。しかし反面、窒化シリコ
ン層を除去する際、シリコン基体表面に窒素或は窒素化
合物が残り、その後例えばゲート酸化した酸化シリコン
股に欠陥を生じ、半導体集積回路の歩留りを低下させる
憚れがある。また窒素イオン注入を用いる場合は、選択
酸化する前に予めシリコン基体をエツチングしておいて
もバースビークは殆ど生じないが、ストレスによる結晶
欠陥が生じるため窒素イオン注入とシリコン基体のエツ
チングと選択酸化を含む方法は素子間分離の平坦化に現
在のところ適さない。
窒素イオンを注入することによっ“ζ形成した窒化シリ
コン層をマスクに選択酸化する方法を提案した。この方
法は窒化シリコン層とシリコン基体との間に酸化シリコ
ン膜が全（介在しないため、バーズビークが全く見られ
ないという特質をもっている。しかし反面、窒化シリコ
ン層を除去する際、シリコン基体表面に窒素或は窒素化
合物が残り、その後例えばゲート酸化した酸化シリコン
股に欠陥を生じ、半導体集積回路の歩留りを低下させる
憚れがある。また窒素イオン注入を用いる場合は、選択
酸化する前に予めシリコン基体をエツチングしておいて
もバースビークは殆ど生じないが、ストレスによる結晶
欠陥が生じるため窒素イオン注入とシリコン基体のエツ
チングと選択酸化を含む方法は素子間分離の平坦化に現
在のところ適さない。
発明の目的
本発明は、上述した窒素イオン注入を用いた選択酸化法
を伴う半導体装置の製法におい°ζ、その残留窒化物を
完全に取り除くとともに、バーズビークの発生を回避し
、またフィールド酸化層（フィールド部）と半導体基体
の素子形成部（活性部）との段差を低減して半導体集積
回路の集積度の向−１−を図るものである。
を伴う半導体装置の製法におい°ζ、その残留窒化物を
完全に取り除くとともに、バーズビークの発生を回避し
、またフィールド酸化層（フィールド部）と半導体基体
の素子形成部（活性部）との段差を低減して半導体集積
回路の集積度の向−１−を図るものである。
発明の概要
本発明は、シリコン基体の一生面に窒素をイオン注入し
て窒化物層を形成し、この窒化物層をマスクとし゛ζ選
択酸化した後、これにより酸化された非晶質層と窒化物
層を除去する。次で窒化物層を除去したシリコン基体表
面層を残留窒素原子が基体に拡散しない条件で除去する
ようになす。この製法によればシリコン基体表面層の残
留窒化物が完全に取り除かれる。そして段差の少ない且
つバーズビークの発生がない素子間分離が得られ、半導
体集積回路の回路素子の１Ｉ−１１Ｖ！′？度化が図れ
る。
て窒化物層を形成し、この窒化物層をマスクとし゛ζ選
択酸化した後、これにより酸化された非晶質層と窒化物
層を除去する。次で窒化物層を除去したシリコン基体表
面層を残留窒素原子が基体に拡散しない条件で除去する
ようになす。この製法によればシリコン基体表面層の残
留窒化物が完全に取り除かれる。そして段差の少ない且
つバーズビークの発生がない素子間分離が得られ、半導
体集積回路の回路素子の１Ｉ−１１Ｖ！′？度化が図れ
る。
実施例
以上、本発明による半導体装置の一実施例を第３図以下
を参照し′ζ説明する。
を参照し′ζ説明する。
まず第３図に示すようにシリコン基体（１１）、例えば
（１００）結晶面方位に沿って切り出された比抵抗２〜
３Ω−印のＮ型シリコン基体（１１）の−主面（ｌｌａ
）にシリコンを金白する非晶質層（１２）例えばＳｉ
Ｑ、Ｊ）酸化法を約１００人の厚さに被着形成する。そ
して、この非晶質層（１２）Ｊ−に選択酸化を行わんと
する部分例えば半導体集積回路における回路素子間の絶
縁分離を行うべき部分にイオン注入のマスクＩｆｆ（１
３）例えばフォトレジスト層を選択的に形成する。この
選択的形成は周知の写真技術によって形成し得る。
（１００）結晶面方位に沿って切り出された比抵抗２〜
３Ω−印のＮ型シリコン基体（１１）の−主面（ｌｌａ
）にシリコンを金白する非晶質層（１２）例えばＳｉ
Ｑ、Ｊ）酸化法を約１００人の厚さに被着形成する。そ
して、この非晶質層（１２）Ｊ−に選択酸化を行わんと
する部分例えば半導体集積回路における回路素子間の絶
縁分離を行うべき部分にイオン注入のマスクＩｆｆ（１
３）例えばフォトレジスト層を選択的に形成する。この
選択的形成は周知の写真技術によって形成し得る。
次に、基体（１１）の面（ｌｌａ ）側よりフォトレジ
ストマスク層（１３）をイオンＬＬ人のマスクとしてＮ
２イオン（１４）を例えば２０ＫｅＶの打ち込めエネル
ギーで１ Ｘ １０” ｃｍ−２のドーズ量で注入し、
第４図に示すように基体（１１）の主面（ｌｌａ）のマ
スク層（１３）が被着されない部分に窒化物層（１５）
即ぢシリコンナイトライド層を形成する。
ストマスク層（１３）をイオンＬＬ人のマスクとしてＮ
２イオン（１４）を例えば２０ＫｅＶの打ち込めエネル
ギーで１ Ｘ １０” ｃｍ−２のドーズ量で注入し、
第４図に示すように基体（１１）の主面（ｌｌａ）のマ
スク層（１３）が被着されない部分に窒化物層（１５）
即ぢシリコンナイトライド層を形成する。
次にこのイメン注人後にフォトレジストマスク層（］３
）を除去しく第４図参照）、次でチャンネルストッパー
とし゛ＣＢＦ２イオン（１６）を例えば２０Ｋｅν、ｌ
Ｘ １０１４ｃｍ−２の条件で注入Ｊる（第５図参照
）。このときＮ２イオン注入によっ゛Ｃ形成された窒化
物ｊ偏（１５）力筒３Ｆ２イオンのストッパーとなり選
択酸化を行うべき部分のみにＢＦ２イオンが注入される
。
）を除去しく第４図参照）、次でチャンネルストッパー
とし゛ＣＢＦ２イオン（１６）を例えば２０Ｋｅν、ｌ
Ｘ １０１４ｃｍ−２の条件で注入Ｊる（第５図参照
）。このときＮ２イオン注入によっ゛Ｃ形成された窒化
物ｊ偏（１５）力筒３Ｆ２イオンのストッパーとなり選
択酸化を行うべき部分のみにＢＦ２イオンが注入される
。
そして、このＢＰ２イオン注入の後、窒素雰囲気中で例
えば９５０℃、３０分間のアニール処理を施したｉ＆
（第６図参照）、約５ ｋｇ ／ ｃｌの同圧−１−で
９００゛Ｃ１約６０分のフィールド酸化を行って、第７
図にン］’；−Ｊように約６０００人のフィールド酸化
物層（Ｓｉ０２）（１７）を選択的に形成する。選択酸
化のマスクとなったｆｉ１分は、この時点で約２００人
の非晶質周部ら５ｉｎ２１→（１２）と約３００人の窒
化物周部ぢシリコンナイトライド層（１５）からなる２
層構造となる。
えば９５０℃、３０分間のアニール処理を施したｉ＆
（第６図参照）、約５ ｋｇ ／ ｃｌの同圧−１−で
９００゛Ｃ１約６０分のフィールド酸化を行って、第７
図にン］’；−Ｊように約６０００人のフィールド酸化
物層（Ｓｉ０２）（１７）を選択的に形成する。選択酸
化のマスクとなったｆｉ１分は、この時点で約２００人
の非晶質周部ら５ｉｎ２１→（１２）と約３００人の窒
化物周部ぢシリコンナイトライド層（１５）からなる２
層構造となる。
次に第８図１に示すように約２００人のＳｉ口ｚｌｆ＃
（１２）及び約３００人のシリコンナイトライドＩ＃（
１５）を順次適当なエツチング液或はエツチングガスに
よりエツチング除去する。例えばＳｉＯ＞Ｉｎ （１２
）をフッ酸系エツチング液で除去し、シリコンナイトラ
イドＮ（１５）をリン酸系エツチング液で除去する。
（１２）及び約３００人のシリコンナイトライドＩ＃（
１５）を順次適当なエツチング液或はエツチングガスに
よりエツチング除去する。例えばＳｉＯ＞Ｉｎ （１２
）をフッ酸系エツチング液で除去し、シリコンナイトラ
イドＮ（１５）をリン酸系エツチング液で除去する。
或は反応性イオンエツチングによって５ｉ０２１ｔ’ｉ
ｆ （１２）及びシリコンナイトライド１ｍ（１５）の
双方を同時に除去する。
ｆ （１２）及びシリコンナイトライド１ｍ（１５）の
双方を同時に除去する。
次に第９図に示すようにシリコン基体（１１）の表面層
（ｌｌａ）を残留窒素原子がシリコン基体（１１）中に
拡散しない程度の低温（室温〜８００℃）で２０人〜２
００人１列えば５０人工ツチング１除去し、残留窒素原
子がＩＱ＋濃度に存在する表面層を除去する。
（ｌｌａ）を残留窒素原子がシリコン基体（１１）中に
拡散しない程度の低温（室温〜８００℃）で２０人〜２
００人１列えば５０人工ツチング１除去し、残留窒素原
子がＩＱ＋濃度に存在する表面層を除去する。
このときのエツチング処理は例えばアンモニア過水（Ｎ
Ｈ４０１１：Ｈ２Ｏ２：Ｎ２０ ＝Ｉ ： ６ ： ６
） 液ご行う。
Ｈ４０１１：Ｈ２Ｏ２：Ｎ２０ ＝Ｉ ： ６ ： ６
） 液ご行う。
この時点でシリコン基体（１１）の表面には窒素原子が
ドナー化し一ζ生ずるＮ型キャリアは１０′ｏ ｃｍ
−２以下であることが確められた。この確認は、このシ
リコン基体表面にＭＯＳキャパシタを形成し、そのしき
い値電圧ｖｔｈが窒素イオンの注入を行わなかったもの
と同等であることから確められた。
ドナー化し一ζ生ずるＮ型キャリアは１０′ｏ ｃｍ
−２以下であることが確められた。この確認は、このシ
リコン基体表面にＭＯＳキャパシタを形成し、そのしき
い値電圧ｖｔｈが窒素イオンの注入を行わなかったもの
と同等であることから確められた。
しかし局在的には窒素或は窒素化合物が残留している１
ｊはケ−１・酸化シリコン基体表面のゲ−）Ｍ化した５
ｉ０２１模の欠陥の存在確立が高い串から予想される。
ｊはケ−１・酸化シリコン基体表面のゲ−）Ｍ化した５
ｉ０２１模の欠陥の存在確立が高い串から予想される。
従って次に、第１０図にボずようにさらに１（１１い温
度例えば７００℃〜１０００℃の温度で犠牲酸化を行い
、１０００人〜３０００人１列えば２０００人の熱酸化
膜（１９）を形成する。ごの犠牲酸化によって残留窒素
及び窒素化合物が全゛ζ！：ハ酸化股（１９）中に取り
込まれる。
度例えば７００℃〜１０００℃の温度で犠牲酸化を行い
、１０００人〜３０００人１列えば２０００人の熱酸化
膜（１９）を形成する。ごの犠牲酸化によって残留窒素
及び窒素化合物が全゛ζ！：ハ酸化股（１９）中に取り
込まれる。
また蟻牲酸化前のフィールド酸化層（１７）での段差ｄ
ｓ （第９図の状態）は約３７００人であるのに対し、
犠牲酸化後では段差ｄ２が約３００ｏ人になる。
ｓ （第９図の状態）は約３７００人であるのに対し、
犠牲酸化後では段差ｄ２が約３００ｏ人になる。
しかる後、第１１図に不ずように異方性エツチング例え
ば反応性イオンエツチングにより２０００人の熱酸化膜
を除去する。このとき異方性エツチングであるためにフ
ィールド酸化物層（１９）のエッヂ部をそのままｌｆ４
ト持した状態で犠牲酸化膜である熱酸化）漠（１９）を
除去することができる。
ば反応性イオンエツチングにより２０００人の熱酸化膜
を除去する。このとき異方性エツチングであるためにフ
ィールド酸化物層（１９）のエッヂ部をそのままｌｆ４
ト持した状態で犠牲酸化膜である熱酸化）漠（１９）を
除去することができる。
尚、さらに段差を減らずには、第１０図の犠牲酸化後、
第１２し１に示すように全面にフォトレジスト＋＝ （
２０）を被着形成して後、反応性イオンエッチノブを行
って第１３図にボずように表面が（よぼ平１１Ａとなる
ように素子間分離することもできる。
第１２し１に示すように全面にフォトレジスト＋＝ （
２０）を被着形成して後、反応性イオンエッチノブを行
って第１３図にボずように表面が（よぼ平１１Ａとなる
ように素子間分離することもできる。
窒素１京子のイオン注入に当っ゛ζ熱酸化Ｉ模による非
晶質層を通さないでイオン？１人し、アニール処理を９
００℃〜１２００℃で約３０分間行って窒化物１−（１
５）を形成する場合には約５ ×１０１Ｙ ｃＩｎ−３
の濃度のＮ型キャリアが０．２μｍの深さまで存在する
。
晶質層を通さないでイオン？１人し、アニール処理を９
００℃〜１２００℃で約３０分間行って窒化物１−（１
５）を形成する場合には約５ ×１０１Ｙ ｃＩｎ−３
の濃度のＮ型キャリアが０．２μｍの深さまで存在する
。
また窒素イオンの注入器ずなわら窒化物層（１５）の形
成前に形成する非晶質層（１２）としての熱酸化膜は、
基体（１１）が単結晶であることから生じるイオン注入
初期のチャンネリングリフ果を防＜’ ｌ」的をもっ゛
ζ被着されるものであり、この層（Ｉ２）は、上述した
２０ＫｅＶの一＋Ｊ２イオン注入を行う場合は、３０〜
２００人の範囲の厚さに選ぶことができる。
成前に形成する非晶質層（１２）としての熱酸化膜は、
基体（１１）が単結晶であることから生じるイオン注入
初期のチャンネリングリフ果を防＜’ ｌ」的をもっ゛
ζ被着されるものであり、この層（Ｉ２）は、上述した
２０ＫｅＶの一＋Ｊ２イオン注入を行う場合は、３０〜
２００人の範囲の厚さに選ぶことができる。
また、この非晶質層（１２）としては、ｆ４５酸化Ｓｉ
Ｔ。
Ｔ。
欣に限らず例えば多結晶シリコン層或いはシリコン基体
Ｉ・ライド映等によって形成することもできる。この非
晶質層（１２）の厚さはＮ２イオンの射影飛程距離より
小さく選ばれるものであり、Ｎ２イオンがシリコン基体
（１１）中に充分深く注入され−ＣシリニＪンナイトラ
イドずなわら窒化物層（１５）を形成するごとかできる
ようにその材料及び厚さが選定される。
Ｉ・ライド映等によって形成することもできる。この非
晶質層（１２）の厚さはＮ２イオンの射影飛程距離より
小さく選ばれるものであり、Ｎ２イオンがシリコン基体
（１１）中に充分深く注入され−ＣシリニＪンナイトラ
イドずなわら窒化物層（１５）を形成するごとかできる
ようにその材料及び厚さが選定される。
斯る製法によれば、選択酸化を行うための耐酸化マスク
層としての窒化物層（１５）の形成を、特にシリコン基
体への窒素原子のイオン注入によって行うようにしたの
で窒化物層（１４）と窒素を全く含まない基本領域との
間は窒素濃度が所要の分布をもって減少する態様をとる
ためにバンド層の介在をとらすとも歪の発生は小さい。
層としての窒化物層（１５）の形成を、特にシリコン基
体への窒素原子のイオン注入によって行うようにしたの
で窒化物層（１４）と窒素を全く含まない基本領域との
間は窒素濃度が所要の分布をもって減少する態様をとる
ためにバンド層の介在をとらすとも歪の発生は小さい。
またこのようにイオン注入法をとるが故に、例えば化学
的気相成長法、或いは熱窒化法等によっ°ζ窒化物層を
形成する場合のように、この窒化物層とシリコン基体表
面との間にシリコンの酸化物層が形成されるを回）貯で
きる。そし′（、このようなｓ＋ｏ２１１Ａの介在が回
避されたことによっ゛Ｃ本製法におい′Ｃは胃四に述べ
たバーズビークの発生が回避される。
的気相成長法、或いは熱窒化法等によっ°ζ窒化物層を
形成する場合のように、この窒化物層とシリコン基体表
面との間にシリコンの酸化物層が形成されるを回）貯で
きる。そし′（、このようなｓ＋ｏ２１１Ａの介在が回
避されたことによっ゛Ｃ本製法におい′Ｃは胃四に述べ
たバーズビークの発生が回避される。
また、選択酸化後に窒化物ｋＷ （１５） 、非晶質層
（１２）をエツチング除去し、次でシリコン基体（１１
）の表面層を窒素の基体中への拡散がないような低温（
室温〜８０θ℃）で２０〜２００八程度エツチング除去
したことにより、窒素がＩｌ］Ｊａ度に残留しているシ
リコン基体表面層が除去される。更に高い温度（７００
〜１０００℃）で１０００〜３０００へのチ：ハ酸化（
即ち犠牲酸化）することによって、なお残留している窒
素或は窒素化合物がその熱酸化１１Ｑ（１９）中に取り
込まれ、この熱酸化膜（工９）下のシリコン基体表面に
は残留窒素及び残留窒素化合物が全く存在しない様にな
る。従っ“ζゲート酸化膜不良などを生じさせないもの
である。そして、１ｏｏｏ−・３０００人の犠牲酸化膜
を反応性イオンエツチングにより異方性エツチングする
ごとにより、フィールド酸化物層（１７）のエッヂ部を
そのままＴ４（持した状態で犠牲酸化１Ｒ（１９）を除
去することができ、しかもフィールド部と素子形成部の
犠牲酸化時の酸化レートの違いによりフィールド酸化物
層（１７）のエッヂ部での段差を減少させることができ
る。
（１２）をエツチング除去し、次でシリコン基体（１１
）の表面層を窒素の基体中への拡散がないような低温（
室温〜８０θ℃）で２０〜２００八程度エツチング除去
したことにより、窒素がＩｌ］Ｊａ度に残留しているシ
リコン基体表面層が除去される。更に高い温度（７００
〜１０００℃）で１０００〜３０００へのチ：ハ酸化（
即ち犠牲酸化）することによって、なお残留している窒
素或は窒素化合物がその熱酸化１１Ｑ（１９）中に取り
込まれ、この熱酸化膜（工９）下のシリコン基体表面に
は残留窒素及び残留窒素化合物が全く存在しない様にな
る。従っ“ζゲート酸化膜不良などを生じさせないもの
である。そして、１ｏｏｏ−・３０００人の犠牲酸化膜
を反応性イオンエツチングにより異方性エツチングする
ごとにより、フィールド酸化物層（１７）のエッヂ部を
そのままＴ４（持した状態で犠牲酸化１Ｒ（１９）を除
去することができ、しかもフィールド部と素子形成部の
犠牲酸化時の酸化レートの違いによりフィールド酸化物
層（１７）のエッヂ部での段差を減少させることができ
る。
発明の効果
上述したように、本発明によれば、シリ二ｌン基体への
窒素イオン注入による窒化物Ｊ―をマスクとして選択酸
化するためにバーズビークのない選択酸化が１１える。
窒素イオン注入による窒化物Ｊ―をマスクとして選択酸
化するためにバーズビークのない選択酸化が１１える。
そして、非晶＊層及び窒化物層を除去して後、窒化物層
を除去したシリコン基体表面層を残留窒素原子が基体に
拡散しない条件で除去することにより、窒素原子が１１
１１濃度に残留しＣいる表面層が除去される。
を除去したシリコン基体表面層を残留窒素原子が基体に
拡散しない条件で除去することにより、窒素原子が１１
１１濃度に残留しＣいる表面層が除去される。
（ｊ（ｌっ′Ｃ１例えば半導体集積回路の集積度の向上
を図ることができる。また最終的に基体の表面より窒素
原子による１・−ナーを確実に排除することができ、こ
れによってシリコン基体表面の電気的特性を安定化さ−
Ｕることができ、これに形成するＭＯ３＋・ランジスタ
等の回路素子の特性の安定化がはかられる。
を図ることができる。また最終的に基体の表面より窒素
原子による１・−ナーを確実に排除することができ、こ
れによってシリコン基体表面の電気的特性を安定化さ−
Ｕることができ、これに形成するＭＯ３＋・ランジスタ
等の回路素子の特性の安定化がはかられる。
第１図及び第２図は従来の半導体装ｉ＋％ｌの製法の説
明に供する各工程の路線的Ｗ「面図、第３図ないし第１
１図は本発明による半導体装置の製法の一実施例の６工
４￥におムノる路線的断面図、第１２図及び第１３図は
本発明の他の実施例の各工程におりる路線的１１）ｉ
ｉｆ＋ｉ １９１である。 （１１）はシリコン基体、（１２）は非晶質層、（１５
）は窒化物層、（１７） （１，９）は酸化物層である
。 間 松 隈 秀 盛、１．し、パ Ｉ′１−２ 第１図 第２図 Ｉｉ ６ 第３図 第５図 ２ 第６図 ２
明に供する各工程の路線的Ｗ「面図、第３図ないし第１
１図は本発明による半導体装置の製法の一実施例の６工
４￥におムノる路線的断面図、第１２図及び第１３図は
本発明の他の実施例の各工程におりる路線的１１）ｉ
ｉｆ＋ｉ １９１である。 （１１）はシリコン基体、（１２）は非晶質層、（１５
）は窒化物層、（１７） （１，９）は酸化物層である
。 間 松 隈 秀 盛、１．し、パ Ｉ′１−２ 第１図 第２図 Ｉｉ ６ 第３図 第５図 ２ 第６図 ２
Claims (1)
- シリコン基体の一生面に窒素をイオン注入する工程と、
シリコン基体の上記主面を熱酸化する工程と、これによ
り酸化された非晶質層と窒化物層を除去Ｊる工程と、窒
化物層を除去した基体表面層を残留窒素原子が基体に拡
散しない条件で除去する］工程とを存する半導体装置の
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23678883A JPS60127741A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 半導体装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23678883A JPS60127741A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 半導体装置の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127741A true JPS60127741A (ja) | 1985-07-08 |
Family
ID=17005800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23678883A Pending JPS60127741A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127741A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0368154A (ja) * | 1989-08-07 | 1991-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5580815A (en) * | 1993-08-12 | 1996-12-03 | Motorola Inc. | Process for forming field isolation and a structure over a semiconductor substrate |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP23678883A patent/JPS60127741A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0368154A (ja) * | 1989-08-07 | 1991-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5580815A (en) * | 1993-08-12 | 1996-12-03 | Motorola Inc. | Process for forming field isolation and a structure over a semiconductor substrate |
| US5707889A (en) * | 1993-08-12 | 1998-01-13 | Motorola Inc. | Process for forming field isolation |
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