JPH05175190A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05175190A JPH05175190A JP33924791A JP33924791A JPH05175190A JP H05175190 A JPH05175190 A JP H05175190A JP 33924791 A JP33924791 A JP 33924791A JP 33924791 A JP33924791 A JP 33924791A JP H05175190 A JPH05175190 A JP H05175190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- oxide film
- film
- field oxide
- nitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 シリコン基板１上に、シリコン酸化膜２及び
シリコン窒化膜３を堆積後、パターニングし、素子分離
領域上のシリコン窒化膜３を除去する。その後、フィー
ルド反転防止のためのボロンのイオン注入及び酸素又は
シリコンのイオン注入を行う。その後、ロコス酸化を行
い、フィールド酸化膜５を形成し、シリコン窒化膜３を
除去する。 【効果】 バーズビークによる素子分離領域のシフトや
バーズビーク段差等を抑制し、フィールド酸化膜の微細
化、平坦化を可能にする。
シリコン窒化膜３を堆積後、パターニングし、素子分離
領域上のシリコン窒化膜３を除去する。その後、フィー
ルド反転防止のためのボロンのイオン注入及び酸素又は
シリコンのイオン注入を行う。その後、ロコス酸化を行
い、フィールド酸化膜５を形成し、シリコン窒化膜３を
除去する。 【効果】 バーズビークによる素子分離領域のシフトや
バーズビーク段差等を抑制し、フィールド酸化膜の微細
化、平坦化を可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、素子分離技術に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来の素子分離領域形成工程図を
示す。１はシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３はシ
リコン窒化膜、４はフィールド反転防止のためのイオン
注入層、５はフィールド酸化膜を示す。
示す。１はシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３はシ
リコン窒化膜、４はフィールド反転防止のためのイオン
注入層、５はフィールド酸化膜を示す。
【０００３】次に、製造工程について説明する。
【０００４】まず、シリコン基板１上にシリコン酸化膜
２及びシリコン窒化膜３を堆積後、パターニング、エッ
チング工程により、素子分離領域となる部分のシリコン
窒化膜３を除去する（図２（ａ））。
２及びシリコン窒化膜３を堆積後、パターニング、エッ
チング工程により、素子分離領域となる部分のシリコン
窒化膜３を除去する（図２（ａ））。
【０００５】次に、フィールド反転防止のためのボロン
のイオン注入を行い（図２（ｂ））、ウェット雰囲気中
で１０５０〜１１００℃でロコス酸化することにより、
膜厚５０００Å程度のフィールド酸化膜５を形成し（図
２（ｃ））、その後、シリコン窒化膜３を除去する（図
２（ｄ））。
のイオン注入を行い（図２（ｂ））、ウェット雰囲気中
で１０５０〜１１００℃でロコス酸化することにより、
膜厚５０００Å程度のフィールド酸化膜５を形成し（図
２（ｃ））、その後、シリコン窒化膜３を除去する（図
２（ｄ））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記工程を用いる場
合、ロコス酸化を行う際、程度の高い熱処理が必要であ
る。このため、バーズビークが発生し、これにより、所
望の形状と異なる素子分離領域が形成され、また、フィ
ールド反転防止のためのイオン注入領域４の濃度分布に
バラツキ及びバーズビーク段差が生じるため、素子分離
領域の微細化及び平坦化を制限していた。
合、ロコス酸化を行う際、程度の高い熱処理が必要であ
る。このため、バーズビークが発生し、これにより、所
望の形状と異なる素子分離領域が形成され、また、フィ
ールド反転防止のためのイオン注入領域４の濃度分布に
バラツキ及びバーズビーク段差が生じるため、素子分離
領域の微細化及び平坦化を制限していた。
【０００７】本発明は、程度の低い熱処理を行うことに
より、従来よりも素子分離領域を微細化及び平坦化する
ことを可能にする手段を提供することを目的とする。
より、従来よりも素子分離領域を微細化及び平坦化する
ことを可能にする手段を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上にシリコン酸化膜及びシリコン
窒化膜を形成した後、パターニングし、素子分離領域の
上記シリコン窒化膜を除去する工程と、フィールド反転
防止のためのイオン注入と酸素又はシリコンのイオン注
入とを行う工程と、該工程後、フィールド酸化膜を形成
する工程とを有することを特徴とするものである。
造方法は、半導体基板上にシリコン酸化膜及びシリコン
窒化膜を形成した後、パターニングし、素子分離領域の
上記シリコン窒化膜を除去する工程と、フィールド反転
防止のためのイオン注入と酸素又はシリコンのイオン注
入とを行う工程と、該工程後、フィールド酸化膜を形成
する工程とを有することを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】上記構成の工程を用い、酸素又はシリコンのイ
オン注入を行うことにより、結晶シリコンをアモルファ
ス化することにより、従来の結晶シリコンを酸化するよ
り程度の低い熱処理で、フィールド酸化膜５を形成する
ことができ、また、シリコン基板１表面より上部のフィ
ールド酸化膜５の膜厚より、下部フィールド酸化膜５の
膜厚の方が厚くなる。
オン注入を行うことにより、結晶シリコンをアモルファ
ス化することにより、従来の結晶シリコンを酸化するよ
り程度の低い熱処理で、フィールド酸化膜５を形成する
ことができ、また、シリコン基板１表面より上部のフィ
ールド酸化膜５の膜厚より、下部フィールド酸化膜５の
膜厚の方が厚くなる。
【００１０】また、酸素をイオン注入する場合の方が、
酸素イオンが酸化促進剤として働くため、シリコンイオ
ンを注入する場合に比べて、より低い程度の熱処理でフ
ィールド酸化膜５を形成することができる。
酸素イオンが酸化促進剤として働くため、シリコンイオ
ンを注入する場合に比べて、より低い程度の熱処理でフ
ィールド酸化膜５を形成することができる。
【００１１】
【実施例】以下、一実施例に基づいて、本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施例の製造工程図であ
る。１はシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３はシリ
コン窒化膜、４はイオン注入層、５はフィールド酸化膜
を示す。
る。１はシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３はシリ
コン窒化膜、４はイオン注入層、５はフィールド酸化膜
を示す。
【００１３】次に、製造工程について説明する。まず、
従来の技術を用いて、シリコン基板１上にシリコン酸化
膜２及びシリコン窒化膜３を堆積後、パターニング、エ
ッチング工程により素子分離領域となる部分のシリコン
窒化膜３を除去する（図１（ａ））。
従来の技術を用いて、シリコン基板１上にシリコン酸化
膜２及びシリコン窒化膜３を堆積後、パターニング、エ
ッチング工程により素子分離領域となる部分のシリコン
窒化膜３を除去する（図１（ａ））。
【００１４】次に、フィールド反転防止のためのボロン
のイオン注入を行いその後、１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2オ
ーダーのドーズ量で、加速エネルギー１００〜２００Ｋ
ｅＶで酸素又はシリコンのイオン注入を行い、ウェット
雰囲気中で、９００〜９５０℃でロコス酸化することに
より、膜厚５０００Å程度のフィールド酸化膜５を形成
し（図１（ｃ））、その後、シリコン窒化膜３を除去す
る（図１（ｄ））。
のイオン注入を行いその後、１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2オ
ーダーのドーズ量で、加速エネルギー１００〜２００Ｋ
ｅＶで酸素又はシリコンのイオン注入を行い、ウェット
雰囲気中で、９００〜９５０℃でロコス酸化することに
より、膜厚５０００Å程度のフィールド酸化膜５を形成
し（図１（ｃ））、その後、シリコン窒化膜３を除去す
る（図１（ｄ））。
【００１５】本発明は、ロコス酸化工程の前に、酸素又
はシリコンのイオン注入を行うことを特徴とし、フィー
ルド反転防止のためのボロンのイオン注入工程の前に酸
素又はシリコンのイオン注入を行っても同様の効果を奏
し、また上記実施例に限定されるものではない。
はシリコンのイオン注入を行うことを特徴とし、フィー
ルド反転防止のためのボロンのイオン注入工程の前に酸
素又はシリコンのイオン注入を行っても同様の効果を奏
し、また上記実施例に限定されるものではない。
【００１６】
【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、本発明を用
いることにより、従来より程度の低い熱処理でフィール
ド酸化膜が形成されるため、フィールド反転防止層の濃
度分布が一様となり、バーズビークによるシフト等が抑
制でき、フィールド酸化膜の微細加工が可能となりまた
シリコン基板表面より上部のフィールド酸化膜の膜厚よ
り、下部のフィールド酸化膜の膜厚の方が厚くなるた
め、フィールド酸化膜の平坦化が可能となる。
いることにより、従来より程度の低い熱処理でフィール
ド酸化膜が形成されるため、フィールド反転防止層の濃
度分布が一様となり、バーズビークによるシフト等が抑
制でき、フィールド酸化膜の微細加工が可能となりまた
シリコン基板表面より上部のフィールド酸化膜の膜厚よ
り、下部のフィールド酸化膜の膜厚の方が厚くなるた
め、フィールド酸化膜の平坦化が可能となる。
【図１】本発明の一実施例の製造工程図である。
【図２】従来のフィールド酸化膜の製造工程図である。
１ シリコン基板 ２ シリコン酸化膜 ３ シリコン窒化膜 ４ イオン注入領域 ５ フィールド酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上にシリコン酸化膜及びシリ
コン窒化膜を形成した後、パターニングし、素子分離領
域上の上記シリコン窒化膜を除去する工程と、 フィールド反転防止のためのイオン注入と酸素又はシリ
コンのイオン注入とを行う工程と、 該工程後、フィールド酸化膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33924791A JPH05175190A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33924791A JPH05175190A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175190A true JPH05175190A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18325653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33924791A Pending JPH05175190A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175190A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5488004A (en) * | 1994-09-23 | 1996-01-30 | United Microelectronics Corporation | SOI by large angle oxygen implant |
| US5895252A (en) * | 1994-05-06 | 1999-04-20 | United Microelectronics Corporation | Field oxidation by implanted oxygen (FIMOX) |
| US5946588A (en) * | 1994-12-07 | 1999-08-31 | Micron Technology, Inc. | Low temperature sub-atmospheric ozone oxidation process for making thin gate oxides |
| KR100329607B1 (ko) * | 1995-06-02 | 2002-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의소자분리절연막형성방법 |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP33924791A patent/JPH05175190A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5895252A (en) * | 1994-05-06 | 1999-04-20 | United Microelectronics Corporation | Field oxidation by implanted oxygen (FIMOX) |
| US5488004A (en) * | 1994-09-23 | 1996-01-30 | United Microelectronics Corporation | SOI by large angle oxygen implant |
| US5946588A (en) * | 1994-12-07 | 1999-08-31 | Micron Technology, Inc. | Low temperature sub-atmospheric ozone oxidation process for making thin gate oxides |
| KR100329607B1 (ko) * | 1995-06-02 | 2002-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의소자분리절연막형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6359251B2 (ja) | ||
| JPH098023A (ja) | 半導体素子の分離方法 | |
| JPS63244776A (ja) | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH0312785B2 (ja) | ||
| JPH05175190A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04264724A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH0763072B2 (ja) | 半導体デバイスの分離方法 | |
| JPS6252950B2 (ja) | ||
| JPH079930B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0628281B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08264634A (ja) | 半導体装置における分離形成方法 | |
| JPH08195489A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6081863A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0582514A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0590254A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05326680A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61124127A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2685401B2 (ja) | 酸化ケイ素単離領域の形成方法 | |
| JPS60127741A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS6085561A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04348519A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62165951A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03108755A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04309226A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62165950A (ja) | 半導体装置の製造方法 |