JP2685401B2 - 酸化ケイ素単離領域の形成方法 - Google Patents
酸化ケイ素単離領域の形成方法Info
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- JP2685401B2 JP2685401B2 JP5145076A JP14507693A JP2685401B2 JP 2685401 B2 JP2685401 B2 JP 2685401B2 JP 5145076 A JP5145076 A JP 5145076A JP 14507693 A JP14507693 A JP 14507693A JP 2685401 B2 JP2685401 B2 JP 2685401B2
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Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明は高密度集積回路の製造に関
し、特に詳しくは集積回路内の酸化ケイ素単離領域の形
成に関する。
し、特に詳しくは集積回路内の酸化ケイ素単離領域の形
成に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度集積回路の製造では、個々のデバ
イス構造は典型的に、酸化されることが望ましくない領
域を保護するために酸化マスクを用いながら、ケイ素ウ
ェファーを酸化性雰囲気に暴露させることによって典型
的に形成されるフィールド酸化物単離領域によって、分
離され、電気的に単離される。この酸化マスクとして例
えば酸化物パッド、非ドープト多結晶シリコン、窒化ケ
イ素等のような、種々な遮蔽層が用いられており、これ
らは熱酸化中のバッファーとして役立つために活性領域
の上部に典型的に付着される。その後に、この保護層は
適当なエッチング方法によって除去される。
イス構造は典型的に、酸化されることが望ましくない領
域を保護するために酸化マスクを用いながら、ケイ素ウ
ェファーを酸化性雰囲気に暴露させることによって典型
的に形成されるフィールド酸化物単離領域によって、分
離され、電気的に単離される。この酸化マスクとして例
えば酸化物パッド、非ドープト多結晶シリコン、窒化ケ
イ素等のような、種々な遮蔽層が用いられており、これ
らは熱酸化中のバッファーとして役立つために活性領域
の上部に典型的に付着される。その後に、この保護層は
適当なエッチング方法によって除去される。
【０００３】しかし、伝統的なポリシリコン バッファ
ー ＬＯＣＯＳ（局部的酸化）方法では、ポリシリコン
のエッチング中に、酸化物パッドのエッジの周囲にピッ
トが形成され、これがシリコン基板の損傷を招くことが
できる。
ー ＬＯＣＯＳ（局部的酸化）方法では、ポリシリコン
のエッチング中に、酸化物パッドのエッジの周囲にピッ
トが形成され、これがシリコン基板の損傷を招くことが
できる。
【０００４】図１は先行技術を示す。非ドープトポリシ
リコン層と窒化ケイ素層プロセスを用いてフィールド酸
化物（ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ）層７を形成した後の酸
化物パッド層５が示される。フィールド酸化物７の形成
中に、形成されるフィールド酸化物の付近のポリシリコ
ンは応力のために弱化される傾向がある。その後の、こ
れらの保護層のエッチングによる除去中に、酸化物パッ
ド中に“ピット”８が形成され、図１に示すようにケイ
素基板に損傷を与える。
リコン層と窒化ケイ素層プロセスを用いてフィールド酸
化物（ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ）層７を形成した後の酸
化物パッド層５が示される。フィールド酸化物７の形成
中に、形成されるフィールド酸化物の付近のポリシリコ
ンは応力のために弱化される傾向がある。その後の、こ
れらの保護層のエッチングによる除去中に、酸化物パッ
ド中に“ピット”８が形成され、図１に示すようにケイ
素基板に損傷を与える。
【０００５】当該分野の研究者はこのピット形成問題に
熟知している。“ピット”問題の解決法はＬ．Ｂ．Ｆｒ
ｉｔｚｉｎｇｅｒ等によって米国特許第５，００２，８
９８号において特許請求されている。この新規な解決法
はポリシリコンバッファー層と窒化ケイ素層との間に保
護酸化物層を加えることを含むものであった。湿式エッ
チングによる窒化ケイ素の除去は保護酸化物によって与
えられる保護のためにポリシリコン層に影響を与えなか
った。この保護層とポリシリコン層とは次に、基板に損
傷を与えることなく除去されることができた。
熟知している。“ピット”問題の解決法はＬ．Ｂ．Ｆｒ
ｉｔｚｉｎｇｅｒ等によって米国特許第５，００２，８
９８号において特許請求されている。この新規な解決法
はポリシリコンバッファー層と窒化ケイ素層との間に保
護酸化物層を加えることを含むものであった。湿式エッ
チングによる窒化ケイ素の除去は保護酸化物によって与
えられる保護のためにポリシリコン層に影響を与えなか
った。この保護層とポリシリコン層とは次に、基板に損
傷を与えることなく除去されることができた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】酸化物パッド中のピッ
トの形成とその後のシリコン基板への損傷とを防止する
フィールド酸化物の形成方法を提供することが、本発明
の第１目的である。
トの形成とその後のシリコン基板への損傷とを防止する
フィールド酸化物の形成方法を提供することが、本発明
の第１目的である。
【０００７】１連続工程において活性領域を覆う保護層
を除去する方法を提供して、集積回路の形成の完成に要
する処理を減じ、先行技術プロセスのピット形成問題を
克服することが、本発明の他の目的である。
を除去する方法を提供して、集積回路の形成の完成に要
する処理を減じ、先行技術プロセスのピット形成問題を
克服することが、本発明の他の目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】これらの目的は、ウェフ
ァー上の酸化ケイ素薄層と、不純物ドープトポリシリコ
ン層と、窒化ケイ素層とから成る酸化ケイ素単離領域を
ケイ素ウェファー上に形成することによって達成され
る。酸化マスクは窒化ケイ素層とドープトポリシリコン
層の少なくとも一部とをパターン化することによって形
成される。酸化ケイ素フィールド単離領域はこの構造体
を熱酸化環境にさらすことによって形成される。酸化マ
スクは、窒化ケイ素層とドープトポリシリコン層とを実
質的に同じ速度でエッチングするリン酸を用いて、単離
領域の形成を完成させる１連続エッチング工程によって
除去される。
ァー上の酸化ケイ素薄層と、不純物ドープトポリシリコ
ン層と、窒化ケイ素層とから成る酸化ケイ素単離領域を
ケイ素ウェファー上に形成することによって達成され
る。酸化マスクは窒化ケイ素層とドープトポリシリコン
層の少なくとも一部とをパターン化することによって形
成される。酸化ケイ素フィールド単離領域はこの構造体
を熱酸化環境にさらすことによって形成される。酸化マ
スクは、窒化ケイ素層とドープトポリシリコン層とを実
質的に同じ速度でエッチングするリン酸を用いて、単離
領域の形成を完成させる１連続エッチング工程によって
除去される。
【０００９】図２を特に詳しく説明すると、図２には本
発明のフィールド酸化物の製造方法の１実施態様を示
す。工程の第１系列はシリコン基板１０上の酸化物パッ
ド層１１の形成を含む。裸のシリコン基板１０の表面を
８００〜９００℃の温度において乾燥酸素又は湿潤酸素
に、５０〜３００Åの所望の厚さを形成するために充分
な時間、暴露させることによって熱酸化させて、所望の
酸化物パッド層１１を形成する。或いは、この層を化学
的蒸着方法によって付着させることもできる。
発明のフィールド酸化物の製造方法の１実施態様を示
す。工程の第１系列はシリコン基板１０上の酸化物パッ
ド層１１の形成を含む。裸のシリコン基板１０の表面を
８００〜９００℃の温度において乾燥酸素又は湿潤酸素
に、５０〜３００Åの所望の厚さを形成するために充分
な時間、暴露させることによって熱酸化させて、所望の
酸化物パッド層１１を形成する。或いは、この層を化学
的蒸着方法によって付着させることもできる。
【００１０】ポリシリコン層１２はＬＰＣＶＤ（減圧化
学蒸着）方法によってブランケット付着される。決定的
（ｃｒｉｔｉｃａｌｌｙ）ドープトポリシリコン層１２
を製造するこの方法は、６２０〜７００℃の範囲内の温
度においてドープト層を現場形成することによって、又
は非ドープトポリシリコン層を形成し、次にこの層を熱
拡散もしくはイオン注入によってドープすることによっ
て実施されることができる。この方法の決定的な要素
は、ポリシリコンに例えばリン又はヒ素のようなドーパ
ントの１ｘ１０ 19 原子／ｃｍ3を越える高用量の均一な
ドーピングを保証することである。ポリシリコン層１２
の好ましい厚さは１２００〜４０００Åである。非ドー
プトポリシリコン層１２にリン、ヒ素又はホウ素イオン
を５ｘ１０ 14 〜５ｘ１０ 16 原子／ｃｍ3の用量の条件下
で３０〜８０Ｋｅｖ．のエネルギーによってイオン注入
した後に、不活性雰囲気中で８５０℃より高温において
２５分間を越える時間アニールする、又は８５０℃より
高温においてオキシ塩化リンを熱ドープする。
学蒸着）方法によってブランケット付着される。決定的
（ｃｒｉｔｉｃａｌｌｙ）ドープトポリシリコン層１２
を製造するこの方法は、６２０〜７００℃の範囲内の温
度においてドープト層を現場形成することによって、又
は非ドープトポリシリコン層を形成し、次にこの層を熱
拡散もしくはイオン注入によってドープすることによっ
て実施されることができる。この方法の決定的な要素
は、ポリシリコンに例えばリン又はヒ素のようなドーパ
ントの１ｘ１０ 19 原子／ｃｍ3を越える高用量の均一な
ドーピングを保証することである。ポリシリコン層１２
の好ましい厚さは１２００〜４０００Åである。非ドー
プトポリシリコン層１２にリン、ヒ素又はホウ素イオン
を５ｘ１０ 14 〜５ｘ１０ 16 原子／ｃｍ3の用量の条件下
で３０〜８０Ｋｅｖ．のエネルギーによってイオン注入
した後に、不活性雰囲気中で８５０℃より高温において
２５分間を越える時間アニールする、又は８５０℃より
高温においてオキシ塩化リンを熱ドープする。
【００１１】標準的なケイ素と窒素供給源と、１５００
〜３５００Åの好ましい範囲内の厚さを生ずるような条
件とを用いて、窒化ケイ素層１３をＬＰＣＶＤによって
ブランケット付着させる。
〜３５００Åの好ましい範囲内の厚さを生ずるような条
件とを用いて、窒化ケイ素層１３をＬＰＣＶＤによって
ブランケット付着させる。
【００１２】図３は、レジストマスク層と適当なエッチ
ングとを用いてパターン化して、フィールド酸化物形成
中に酸化マスクによって保護すべき領域を画定した後の
窒化ケイ素層１３を示す。リトグラフィーとエッチング
は通常の方法である。好ましいエッチング方法は技術上
公知のクロロフルオロカーボン物質を含む適当なプラズ
マ中での異方性エッチングである。窒化ケイ素層１３の
エッチング工程が、受容される、好ましいドープトポリ
シリコン層１２の一部をもエッチングすることが図３に
示される。
ングとを用いてパターン化して、フィールド酸化物形成
中に酸化マスクによって保護すべき領域を画定した後の
窒化ケイ素層１３を示す。リトグラフィーとエッチング
は通常の方法である。好ましいエッチング方法は技術上
公知のクロロフルオロカーボン物質を含む適当なプラズ
マ中での異方性エッチングである。窒化ケイ素層１３の
エッチング工程が、受容される、好ましいドープトポリ
シリコン層１２の一部をもエッチングすることが図３に
示される。
【００１３】図４は結果として生ずる露出非遮蔽面を示
す。これは次にスチーム雰囲気中で９００℃を越える温
度において通常の好ましい酸化ケイ素フィールド層２０
を形成するために充分な時間熱酸化されて、酸化ケイ素
フィールド２０を成長させる。
す。これは次にスチーム雰囲気中で９００℃を越える温
度において通常の好ましい酸化ケイ素フィールド層２０
を形成するために充分な時間熱酸化されて、酸化ケイ素
フィールド２０を成長させる。
【００１４】図５は、層１２と１３を活性領域から剥離
して、酸化ケイ素パッド層１１を残す重要で決定的な工
程後の図４の構造を示す。好ましい実施態様では、リン
酸（Ｈ3ＰＯ4）を用いて１５０〜１８０℃、好ましくは
１５５〜１６５℃の操作温度範囲において層１２と１３
を同時にエッチングする。水中リン酸の操作濃度は９８
±０．５％Ｈ3ＰＯ4と２±０．５％Ｈ2Ｏである。亜リ
ン酸溶液は酸化ケイ素を侵食しないので、このエッチン
グプロセスは酸化ケイ素層１１界面で終わる。
して、酸化ケイ素パッド層１１を残す重要で決定的な工
程後の図４の構造を示す。好ましい実施態様では、リン
酸（Ｈ3ＰＯ4）を用いて１５０〜１８０℃、好ましくは
１５５〜１６５℃の操作温度範囲において層１２と１３
を同時にエッチングする。水中リン酸の操作濃度は９８
±０．５％Ｈ3ＰＯ4と２±０．５％Ｈ2Ｏである。亜リ
ン酸溶液は酸化ケイ素を侵食しないので、このエッチン
グプロセスは酸化ケイ素層１１界面で終わる。
【００１５】
【実施例】下記実施例は本発明の理解を助けることのみ
を意図するものであり、本発明を限定するものではな
い。
を意図するものであり、本発明を限定するものではな
い。
【００１６】実施例１ シリコンウェファーを覆う酸化ケイ素層上に６２０℃に
おいて上述したＣＶＤ方法によって非ドープトポリシリ
コン層を３５００Åの厚さに付着させた。この層に拡散
炉（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｆｕｒｎａｃｅ）中でＰＯＣ
ｌ3を用いて、９５０℃の温度において８分間ドープし
た。サンプルを室温に冷却した。次に、ウェファーサン
プルを１６０℃の温度のＨ3ＰＯ4浴中に９０分間浸漬さ
せた。表１に報告するエッチング結果はウェファー上の
異なる５位置において採取したサンプルからの平均結果
である。
おいて上述したＣＶＤ方法によって非ドープトポリシリ
コン層を３５００Åの厚さに付着させた。この層に拡散
炉（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｆｕｒｎａｃｅ）中でＰＯＣ
ｌ3を用いて、９５０℃の温度において８分間ドープし
た。サンプルを室温に冷却した。次に、ウェファーサン
プルを１６０℃の温度のＨ3ＰＯ4浴中に９０分間浸漬さ
せた。表１に報告するエッチング結果はウェファー上の
異なる５位置において採取したサンプルからの平均結果
である。
【００１７】実施例２ ポリシリコン層を付着中にリンによって現場ドープし、
シリコンウェファーを覆う酸化ケイ素層上に６７５℃に
おいて１５００Åの厚さに付着させた。サンプルを室温
に冷却した。次に、ウェファーサンプルを１６０℃の温
度のＨ3ＰＯ4浴中に１００分間浸漬させた。表１に報告
するエッチング結果はウェファー上の異なる５位置にお
いて採取したサンプルからの平均結果である。
シリコンウェファーを覆う酸化ケイ素層上に６７５℃に
おいて１５００Åの厚さに付着させた。サンプルを室温
に冷却した。次に、ウェファーサンプルを１６０℃の温
度のＨ3ＰＯ4浴中に１００分間浸漬させた。表１に報告
するエッチング結果はウェファー上の異なる５位置にお
いて採取したサンプルからの平均結果である。
【００１８】実施例３ シリコンウェファーを覆う酸化ケイ素層上に６２０℃に
おいて、非ドープトポリシリコン層を３５００Åの厚さ
に付着させた。サンプルを室温に冷却した。次に、ウェ
ファーサンプルを１６０℃の温度のＨ3ＰＯ4浴中に１０
０分間浸漬させた。表１に報告するエッチング結果はウ
ェファー上の異なる５位置において採取したサンプルか
らの平均結果である。
おいて、非ドープトポリシリコン層を３５００Åの厚さ
に付着させた。サンプルを室温に冷却した。次に、ウェ
ファーサンプルを１６０℃の温度のＨ3ＰＯ4浴中に１０
０分間浸漬させた。表１に報告するエッチング結果はウ
ェファー上の異なる５位置において採取したサンプルか
らの平均結果である。
【００１９】実施例４ シリコンウェファーを覆う酸化ケイ素層上に６２０℃に
おいて、非ドープトポリシリコン層を４５００Åの厚さ
に付着させた。サンプルを室温に冷却した。次に、ウェ
ファーサンプルを１６０℃の温度のＨ3ＰＯ4浴中に１０
０分間浸漬させた。表１に報告するエッチング結果はウ
ェファー上の異なる５位置において採取したサンプルか
らの平均結果である。
おいて、非ドープトポリシリコン層を４５００Åの厚さ
に付着させた。サンプルを室温に冷却した。次に、ウェ
ファーサンプルを１６０℃の温度のＨ3ＰＯ4浴中に１０
０分間浸漬させた。表１に報告するエッチング結果はウ
ェファー上の異なる５位置において採取したサンプルか
らの平均結果である。
【００２０】 表１実施例 厚さ（Å） エッチング速度（Å／時） １ エッチング前 ３２５８ エッチング後 ２１００ エッチング損失 １１５８ エッチング速度 ７７２ ２ エッチング前 １５７４ エッチング後 ５２４ エッチング損失 １０５０ エッチング速度 ６３０ ３ エッチング前 ４５４７ エッチング後 ４５２９ エッチング損失 １８ エッチング速度 １１ ４ エッチング前 ３６５８ エッチング後 ３４０６ エッチング損失 １０５０ エッチング速度 １５１ 実施例１〜４の結果は、リン酸がオキシ塩化リンドープ
トポリシリコンとリン現場ドープトポリシリコンとを非
常に効果的にエッチングすることを示す。しかし、非ド
ープトポリシリコンはリン酸によって充分にエッチング
されない。窒化ケイ素はリン酸によって充分にエッチン
グ可能であることが技術上公知である。約１６０℃のリ
ン酸が重度にリンドープされたポリシリコンをエッチン
グすることができるということが、我々の結論である。
エッチング速度は約６００〜８００Å／分である。
トポリシリコンとリン現場ドープトポリシリコンとを非
常に効果的にエッチングすることを示す。しかし、非ド
ープトポリシリコンはリン酸によって充分にエッチング
されない。窒化ケイ素はリン酸によって充分にエッチン
グ可能であることが技術上公知である。約１６０℃のリ
ン酸が重度にリンドープされたポリシリコンをエッチン
グすることができるということが、我々の結論である。
エッチング速度は約６００〜８００Å／分である。
【００２１】実施例５〜１２ それぞれ二フッ化ヒ素と二フッ化ホウ素とのイオン注入
供給源による均一の高用量ドーピングのために、同様な
実験を実施した。１６０℃の亜リン酸溶液を用いる１ｘ
１０ 19 原子／ｃｍ2より大きいドーピングレベルによる
結果は、上記リンドーピングポリシリコン実施例と同じ
エッチング速度を生じた。これらの実施例５〜１２の条
件と結果を下記表：インプランテッドポリシリコンのリ
ン酸エッチング速度に示す。
供給源による均一の高用量ドーピングのために、同様な
実験を実施した。１６０℃の亜リン酸溶液を用いる１ｘ
１０ 19 原子／ｃｍ2より大きいドーピングレベルによる
結果は、上記リンドーピングポリシリコン実施例と同じ
エッチング速度を生じた。これらの実施例５〜１２の条
件と結果を下記表：インプランテッドポリシリコンのリ
ン酸エッチング速度に示す。
【００２２】１エッチング工程によって窒化ケイ素と均
一に重度にドープされたポリシリコン層との両方を除去
するための高温のリン酸の使用が、酸化ケイ素フィール
ド領域２０に隣接した、ピットの無い単結晶シリコン面
を生ずることを実証した。
一に重度にドープされたポリシリコン層との両方を除去
するための高温のリン酸の使用が、酸化ケイ素フィール
ド領域２０に隣接した、ピットの無い単結晶シリコン面
を生ずることを実証した。
【００２３】
【表１】 注入されたポリシリコンのリン酸エッチング速度実施例 厚さ エッチング速度 プロセス条件 （Å） （Å／時） ５ エッチング前 １９２５ Ａｓ注入 ８０Ｋｅｖ， エッチング後 １３１１ ５ｘ１０ 15 ／ｃｍ3 ７５分間の ９００℃アニール， エッチング損失 ６１４ ４９１ ３０分間 ６ エッチング前 １９２５ Ａｓ注入 ８０Ｋｅｖ， エッチング後 ２８０ ５ｘ１０ 15 ／ｃｍ3 ７５分間の アニールせず， エッチング損失１６４５ １３１６ ７ エッチング前 １９２５ Ａｓ注入 ８０Ｋｅｖ， エッチング後 １０９８ １ｘ１０ 16 ／ｃｍ3 ７５分間の ９００℃アニール， エッチング損失 ８２７ ６６２ ３０分間 ８ エッチング前 １９２５ Ａｓ注入 ８０Ｋｅｖ， エッチング後 ２７４ １ｘ１０ 16 ／ｃｍ3 ７５分間の アニールせず， エッチング損失 １６５１ １３２１ ９ エッチング前 １９２５ ＢＦ２注入 ６０Ｋｅｖ エッチング後 １５０７ ５ｘ１０ 15 ／ｃｍ3 ７５分間の ９００℃アニール， エッチング損失 ４１８ ３３４ ３０分間 １０エッチング前 １９２５ ＢＦ２注入 ６０Ｋｅｖ エッチング後 ７３３ ５ｘ１０ 15 ／ｃｍ3 ７５分間の アニールせず， エッチング損失１１９２ ９５４ １１エッチング前 １９２５ ＢＦ２注入 ６０Ｋｅｖ エッチング後 １５５０ １ｘ１０ 16 ／ｃｍ3 ７５分間の ９００℃アニール， エッチング損失 ３７５ ３００ ３０分間 １２エッチング前 １９２５ ＢＦ２注入 ６０Ｋｅｖ エッチング後 ９１６ １ｘ１０ 16 ／ｃｍ3 ７５分間の アニールせず， エッチング損失１００９ ８０７
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、酸化物パッド中のピッ
トの形成とその後のシリコン基板への損傷とを防止する
フィールド酸化物の形成を可能とする。
トの形成とその後のシリコン基板への損傷とを防止する
フィールド酸化物の形成を可能とする。
【図１】ピット問題を含む先行技術集積回路のフィール
ド酸化物領域の形成方法の結果の概略横断面図。
ド酸化物領域の形成方法の結果の概略横断面図。
【図２】フィールド酸化物領域の形成と保護酸化マスク
層の除去とのための新規方法の概略横断面図。
層の除去とのための新規方法の概略横断面図。
【図３】フィールド酸化物領域の形成と保護酸化マスク
層の除去とのための新規方法の概略横断面図。
層の除去とのための新規方法の概略横断面図。
【図４】フィールド酸化物領域の形成と保護酸化マスク
層の除去とのための新規方法の概略横断面図。
層の除去とのための新規方法の概略横断面図。
【図５】フィールド酸化物領域の形成と保護酸化マスク
層の除去とのための新規方法の概略横断面図。
層の除去とのための新規方法の概略横断面図。
１０． シリコン基板 １１． 酸化物パッド層 １２． ポリシリコン層 １３． 窒化ケイ素層 ２０． 酸化ケイ素フィールド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シャオ−チン・ツァン 台湾シンチュウ，ウ−リン・イースト・ ロード ナンバー 80 (72)発明者 フ・ハーバート・チャオ 台湾シンチュウ，サイエンス−ベース ド・インダストリアル・パーク，プロス ペリティ・ロード １，ナンバー１，１ エフ (56)参考文献 欧州特許出願公開526212（ＥＰ，Ａ) 欧州特許出願公開539107（ＥＰ，Ａ)
Claims (15)
- 【請求項１】 シリコンウェファー表面上の酸化ケイ素
単離領域の形成方法において、次の工程： 前記ウェファー上に酸化ケイ素の薄層を形成する工程
と； 前記酸化ケイ素層上に不純物ドープトポリシリコン層を
形成する工程と； 前記ポリシリコン層上に窒化ケイ素層を形成する工程
と； 前記窒化ケイ素層をパターン化する工程と； 熱酸化によって前記酸化ケイ素単離領域を形成する工程
と；活性エッチング成分としてリン酸を用いる １連続エッチ
ング工程で前記窒化ケイ素層とポリシリコン層とを除去
して、前記ウェファーの表面上の前記単離領域の形成を
完成させる工程とを含む方法。 - 【請求項２】 前記エッチング工程を１５０℃を越える
温度において実施する請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記リン酸が水とリン酸との溶液から成
る請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 窒化ケイ素とドープトポリシリコンとを
同時にエッチングする方法において、次の工程： 前記窒化ケイ素体と前記ドープトポリシリコン体とを形
成する工程；及び 前記窒化ケイ素体と前記ドープトポリシリコン体とをリ
ン酸溶液によって同時にエッチングして、前記各体の所
望の部分を除去する工程を含む方法。 - 【請求項５】 前記ポリシリコンを１ｘ１０ 19 イオン／
ｃｃより大きい不純物でドープする請求項４記載の方
法。 - 【請求項６】 前記ドープトポリシリコンがリン不純物
をドープされたものである請求項４記載の方法。 - 【請求項７】 前記ドープトポリシリコンがヒ素不純物
をドープされたものであり、このヒ素不純物が非ドープ
トポリシリコン中にイオンインプラントされた後に、高
温に加熱されてポリシリコン層中に均一に分配されてい
る請求項４記載の方法。 - 【請求項８】 前記ドープトポリシリコンがホウ素不純
物をドープされたものであり、このホウ素不純物が非ド
ープトポリシリコン中にイオンインプラントされた後
に、高温に加熱されてポリシリコン層中に均一に分配さ
れている請求項４記載の方法。 - 【請求項９】 前記ポリシリコンがリンを現場ドープさ
れる請求項４記載の方法。 - 【請求項１０】 非常に大規模な集積回路装置の製造方
法において、次の工程： 酸化ケイ素層上に、前記酸化ケイ素を覆うドープトポリ
シリコン層と前記ポリシリコン層を覆う窒化ケイ素層と
から成り、他の表面領域から単離される予定である表面
領域を被覆する酸化マスク構造を形成する工程と； シリコン平板表面の一部の酸化によって前記単離領域を
形成する工程と； 窒化ケイ素とドープトポリシリコンとを実質的に同じ速
度で選択的にエッチングするリン酸によって前記酸化マ
スク構造を除去する工程とを含むシリコン平板表面の一
部に単離領域を形成する方法。 - 【請求項１１】 前記エッチング工程が１５０℃を越え
る温度において実施される請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 前記リン酸が水とリン酸との溶液から
成る請求項１０記載の方法。 - 【請求項１３】 前記ポリシリコンが１ｘ１０ 19 イオン
／ｃｃより大きいリン不純物をドープされたものであ
り、このリン不純物が非ドープトポリシリコン中にイオ
ン注入された後に、高温に加熱されてポリシリコン層中
に均一に分配されている請求項１０記載の方法。 - 【請求項１４】 前記ポリシリコンが１ｘ１０ 19 イオン
／ｃｃより大きいヒ素不純物をドープされたものであ
り、このヒ素不純物が非ドープトポリシリコン中にイオ
ン注入された後に、高温に加熱されてポリシリコン層中
に均一に分配されている請求項１０記載の方法。 - 【請求項１５】 前記ポリシリコンが１ｘ１０ 19 イオン
／ｃｃより大きいホウ素不純物をドープされたものであ
り、このホウ素不純物が非ドープトポリシリコン中にイ
オン注入された後に、高温に加熱されてポリシリコン層
中に均一に分散されている請求項１０記載の方法。
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|---|---|---|---|
| JP5145076A JP2685401B2 (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 酸化ケイ素単離領域の形成方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145076A JP2685401B2 (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 酸化ケイ素単離領域の形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722407A JPH0722407A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2685401B2 true JP2685401B2 (ja) | 1997-12-03 |
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ID=15376831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5145076A Expired - Fee Related JP2685401B2 (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 酸化ケイ素単離領域の形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685401B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5215930A (en) * | 1991-10-23 | 1993-06-01 | At&T Bell Laboratories | Integrated circuit etching of silicon nitride and polysilicon using phosphoric acid |
-
1993
- 1993-06-16 JP JP5145076A patent/JP2685401B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722407A (ja) | 1995-01-24 |
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