JPH0126108Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0126108Y2 JPH0126108Y2 JP1982009293U JP929382U JPH0126108Y2 JP H0126108 Y2 JPH0126108 Y2 JP H0126108Y2 JP 1982009293 U JP1982009293 U JP 1982009293U JP 929382 U JP929382 U JP 929382U JP H0126108 Y2 JPH0126108 Y2 JP H0126108Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die bond
- integrated circuit
- bond land
- chip
- circuit component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は集積回路部品に関し、詳しくはセラミ
ツク材等の基板上にダイボンドランドを設け、こ
のダイボンドランドにモノリシツクICチツプを
装着してなる集積回路部品の改良に関するもので
ある。
ツク材等の基板上にダイボンドランドを設け、こ
のダイボンドランドにモノリシツクICチツプを
装着してなる集積回路部品の改良に関するもので
ある。
従来のこの種の集積回路部品としては第１図に
示す如きものが知られている。
示す如きものが知られている。
すなわち、セラミツク材等の基板１上に厚膜印
刷法もしくはメタライズ法によりダイボンドラン
ド（ICチツプ装着電極）２を設け、このダイボ
ンドランド２にモノリシツクICチツプ３を装着
して集積回路部品Ａを構成したものである。ここ
で、モノリシツクICとは１個のペレツトで作ら
れるICのことであることは周知の通りである。
刷法もしくはメタライズ法によりダイボンドラン
ド（ICチツプ装着電極）２を設け、このダイボ
ンドランド２にモノリシツクICチツプ３を装着
して集積回路部品Ａを構成したものである。ここ
で、モノリシツクICとは１個のペレツトで作ら
れるICのことであることは周知の通りである。
前記集積回路部品Ａのダイボンドランド２は１
方向に引き出してアース電極端子４を形成し、前
記ICチツプ３のアース電極をワイヤボンデイン
グ（wire bonding、線をボンデイングしてつな
ぐこと）により前記電極端子４に結線して使用さ
れるのである。
方向に引き出してアース電極端子４を形成し、前
記ICチツプ３のアース電極をワイヤボンデイン
グ（wire bonding、線をボンデイングしてつな
ぐこと）により前記電極端子４に結線して使用さ
れるのである。
斯る集積回路部品Ａを実装してその電気的安定
度を向上させる手段としては、第２図に示す如
く、前記集積回路部品Ａを装着した銅箔印刷基板
（マザーボード）５の銅箔６をアース回路とし、
該銅箔６を前記集積回路部品Ａの装着下面に配置
している。
度を向上させる手段としては、第２図に示す如
く、前記集積回路部品Ａを装着した銅箔印刷基板
（マザーボード）５の銅箔６をアース回路とし、
該銅箔６を前記集積回路部品Ａの装着下面に配置
している。
しかしながら斯る従来構造の集積回路部品Ａに
おいては次の如き欠点があつた。
おいては次の如き欠点があつた。
つまり、アース回路以外の回路相互間を前記ア
ース回路を交差して結線する必要がある場合に
は、第２図に示す如く銅箔印刷基板５上にジヤン
パ線７，７を用いて結線を施す必要があり、実装
に工数がかかる欠点があつた。
ース回路を交差して結線する必要がある場合に
は、第２図に示す如く銅箔印刷基板５上にジヤン
パ線７，７を用いて結線を施す必要があり、実装
に工数がかかる欠点があつた。
本考案は斯る事情に鑑みてなされたものであ
り、ダイボンドランドを特殊な形状になすことに
よつて、実装に工数がかからずコストダウンを図
ることができる集積回路部品を提供することをそ
の目的とするものである。
り、ダイボンドランドを特殊な形状になすことに
よつて、実装に工数がかからずコストダウンを図
ることができる集積回路部品を提供することをそ
の目的とするものである。
本考案の構成はセラミツク材等の基板上にダイ
ボンドランドを設け、このダイボンドランドにモ
ノリシツクICチツプを装着してなる集積回路部
品において、前記ダイボンドランドより異方向に
延出した複数の引き出し端のそれぞれにアース電
極端子を設け、モノリシツクICチツプのアース
電極を複数の引き出し端の１つにワイヤボンデイ
ングで接続することにより、アース電極端子を同
一アース電位とし、集積回路部品下面に銅箔印刷
基板上の銅箔が位置するのを廃すと共に、ジヤン
パ線を用いずしてアース回路とアース回路以外の
回路とを結線すべく成したものである。
ボンドランドを設け、このダイボンドランドにモ
ノリシツクICチツプを装着してなる集積回路部
品において、前記ダイボンドランドより異方向に
延出した複数の引き出し端のそれぞれにアース電
極端子を設け、モノリシツクICチツプのアース
電極を複数の引き出し端の１つにワイヤボンデイ
ングで接続することにより、アース電極端子を同
一アース電位とし、集積回路部品下面に銅箔印刷
基板上の銅箔が位置するのを廃すと共に、ジヤン
パ線を用いずしてアース回路とアース回路以外の
回路とを結線すべく成したものである。
以下、本考案の一実施例を図面に基づいて詳述
する。
する。
第３図は本考案に係る集積回路部品の平面図
で、同図中、１はセラミツク等の基板、２は該基
板１にダイボンデイング（die bonding）したダ
イボンドランドで、このダイボンドランド２は３
方向に引き出してその引き出し端にアース電極端
子４，８，９を設けている。
で、同図中、１はセラミツク等の基板、２は該基
板１にダイボンデイング（die bonding）したダ
イボンドランドで、このダイボンドランド２は３
方向に引き出してその引き出し端にアース電極端
子４，８，９を設けている。
３は前記ダイボンドランド２に装着したモノリ
シツクICチツプで、このICチツプ３のアース電
極をワイヤボンデイングによつて前記アース電極
端子４に結線している。
シツクICチツプで、このICチツプ３のアース電
極をワイヤボンデイングによつて前記アース電極
端子４に結線している。
このアース電極端子４は前記ダイボンドランド
２を介して他のアース電極端子８，９に連通して
いることは図面から明らかであろう。
２を介して他のアース電極端子８，９に連通して
いることは図面から明らかであろう。
このように前記ダイボンドランド２をアース回
路として用いると、第４図に実装例をかかげて示
す如く集積回路部品Ｂの装着下面に、銅箔印刷基
板５の銅箔６を位置させる必要がなくなり、同部
品Ｂの装着下面にアース回路以外の銅箔１０，１
１を設けることができるので、従来のジヤンパ線
７，７を用いずして回路相互間を結線することが
できる。
路として用いると、第４図に実装例をかかげて示
す如く集積回路部品Ｂの装着下面に、銅箔印刷基
板５の銅箔６を位置させる必要がなくなり、同部
品Ｂの装着下面にアース回路以外の銅箔１０，１
１を設けることができるので、従来のジヤンパ線
７，７を用いずして回路相互間を結線することが
できる。
この結果、実装に用する工数の低減およびコス
トダウンを図ることができる。
トダウンを図ることができる。
また、前記ダイボンドランド２をアース回路と
して動作させることにより、回路のアース電位を
１点アース化となすことができるので、特に高周
波増幅器における電気的安定度の向上を図ること
ができるのである。
して動作させることにより、回路のアース電位を
１点アース化となすことができるので、特に高周
波増幅器における電気的安定度の向上を図ること
ができるのである。
このように本考案は、セラミツク材等の基板１
上にダイボンドランド２を設け、このダイボンド
ランド２にモノリシツクICチツプ３を装着して
なる集積回路部品において、前記ダイボンドラン
ドより異方向に延出した複数の引き出し端のそれ
ぞれにアース電極端子を設け、モノリシツクIC
チツプのアース電極を複数の引き出し端の１つに
ワイヤボンデイングで接続することにより、アー
ス電極端子を同一アース電位としたものであり、
前記ダイボンドランド２をアース回路として用い
るものであるから、従来のジヤンパ線による結線
工数をはぶくことができ、この結果、実装上の工
数の低減およびコストダウンを図ることができる
効果がある。
上にダイボンドランド２を設け、このダイボンド
ランド２にモノリシツクICチツプ３を装着して
なる集積回路部品において、前記ダイボンドラン
ドより異方向に延出した複数の引き出し端のそれ
ぞれにアース電極端子を設け、モノリシツクIC
チツプのアース電極を複数の引き出し端の１つに
ワイヤボンデイングで接続することにより、アー
ス電極端子を同一アース電位としたものであり、
前記ダイボンドランド２をアース回路として用い
るものであるから、従来のジヤンパ線による結線
工数をはぶくことができ、この結果、実装上の工
数の低減およびコストダウンを図ることができる
効果がある。
第１図は従来の集積回路部品の平面図、第２図
は第１図の実装例を示す平面図、第３図は本考案
の集積回路部品の実施例を示す平面図、第４図は
第３図の実装例を示す平面図である。 １は基板、２はダイボンドランド、３はモノリ
シツクICチツプ、４，８，９はアース電極端子。
は第１図の実装例を示す平面図、第３図は本考案
の集積回路部品の実施例を示す平面図、第４図は
第３図の実装例を示す平面図である。 １は基板、２はダイボンドランド、３はモノリ
シツクICチツプ、４，８，９はアース電極端子。
Claims (1)
- セラミツク材等の基板上にダイボンドランドを
設け、このダイボンドランドにモノリシツクIC
チツプを装着してなる集積回路部品において、前
記ダイボンドランドより異方向に延出した複数の
引き出し端のそれぞれにアース電極端子を設け、
この複数の引き出し端の１つにモノリシツクIC
チツプのアース電極をワイヤボンデイングで接続
することにより、アース電極端子を同一アース電
位とすることを特徴とする集積回路部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP929382U JPS58111966U (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 集積回路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP929382U JPS58111966U (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 集積回路部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111966U JPS58111966U (ja) | 1983-07-30 |
| JPH0126108Y2 true JPH0126108Y2 (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=30021946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP929382U Granted JPS58111966U (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 集積回路部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111966U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5210678A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-27 | Kyocera Corp | Ic package |
| JPS55162252A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP929382U patent/JPS58111966U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5210678A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-27 | Kyocera Corp | Ic package |
| JPS55162252A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Nec Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58111966U (ja) | 1983-07-30 |
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