JPH05326833A - 半導体実装基板 - Google Patents
半導体実装基板Info
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- JPH05326833A JPH05326833A JP4133443A JP13344392A JPH05326833A JP H05326833 A JPH05326833 A JP H05326833A JP 4133443 A JP4133443 A JP 4133443A JP 13344392 A JP13344392 A JP 13344392A JP H05326833 A JPH05326833 A JP H05326833A
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- semiconductor
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- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/481—Disposition
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- Wire Bonding (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品を高密度に実装し得る半導体実装基
板の構造を提供する。 【構成】 第1半導体チップ2の裏面2bと第2半導体
チップ3の裏面3bとが接着剤8を介して互いに接合さ
れた状態で前記基板7に実装されている。このとき、前
記第1半導体チップ2は、その回路形成面2aを基板7
の回路パターン敷設面7aに対向させた状態で実装され
ており、前記第2半導体チップ3は、その回路形成面3
aが基板7の回路パターン敷設面7aに非対向な状態で
該基板7に実装されており、多数の金線5により回路パ
ターン6に電気的接続されている。
板の構造を提供する。 【構成】 第1半導体チップ2の裏面2bと第2半導体
チップ3の裏面3bとが接着剤8を介して互いに接合さ
れた状態で前記基板7に実装されている。このとき、前
記第1半導体チップ2は、その回路形成面2aを基板7
の回路パターン敷設面7aに対向させた状態で実装され
ており、前記第2半導体チップ3は、その回路形成面3
aが基板7の回路パターン敷設面7aに非対向な状態で
該基板7に実装されており、多数の金線5により回路パ
ターン6に電気的接続されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、回路パターンが敷設さ
れて成る基板と、片面に半導体回路を形成した第1半導
体チップであって、該半導体回路を形成した回路形成面
を、前記基板の回路パターン敷設面に対向させて該基板
に実装した第1半導体チップと、片面に半導体回路を形
成した第2半導体チップであって、該半導体回路を形成
した回路形成面を前記基板の回路パターン敷設面に非対
向な状態で実装した第2半導体チップとを有して成る半
導体実装基板に関するものである。尚、本明細書におけ
る「半導体実装基板」とは、少なくとも半導体チップを
実装して成る回路基板をいう。
れて成る基板と、片面に半導体回路を形成した第1半導
体チップであって、該半導体回路を形成した回路形成面
を、前記基板の回路パターン敷設面に対向させて該基板
に実装した第1半導体チップと、片面に半導体回路を形
成した第2半導体チップであって、該半導体回路を形成
した回路形成面を前記基板の回路パターン敷設面に非対
向な状態で実装した第2半導体チップとを有して成る半
導体実装基板に関するものである。尚、本明細書におけ
る「半導体実装基板」とは、少なくとも半導体チップを
実装して成る回路基板をいう。
【0002】
【従来の技術】図2及び図3は従来例の半導体実装基板
を示す図である。
を示す図である。
【0003】図2において、2は第1半導体チップであ
る。該第1半導体チップ2は、半導体回路(図示せず)
を形成した回路形成面2aを、回路パターン6を多数敷
設した基板7における該回路パターン6を多数敷設した
側の面(以下、「回路パターン敷設面7a」という)に
対向させるように該基板7に実装されるものであって、
主にフリップチップ等に代表される。該第1半導体チッ
プ2は、前記回路形成面2aに電極4が多数設けられて
おり、該電極4を前記回路パターン6に超音波や半田に
より固着させることにより前記基板7に実装されてい
る。尚、前記回路形成面2aに対する裏面2bには、前
記半導体回路は形成されていない。
る。該第1半導体チップ2は、半導体回路(図示せず)
を形成した回路形成面2aを、回路パターン6を多数敷
設した基板7における該回路パターン6を多数敷設した
側の面(以下、「回路パターン敷設面7a」という)に
対向させるように該基板7に実装されるものであって、
主にフリップチップ等に代表される。該第1半導体チッ
プ2は、前記回路形成面2aに電極4が多数設けられて
おり、該電極4を前記回路パターン6に超音波や半田に
より固着させることにより前記基板7に実装されてい
る。尚、前記回路形成面2aに対する裏面2bには、前
記半導体回路は形成されていない。
【0004】図3において、3は第2半導体チップであ
る。該第2半導体チップ3は前記第1半導体チップ2と
は異なり、半導体回路(図示せず)を形成した回路形成
面3aを、前記基板7における回路パターン敷設面7a
に非対向な状態で該基板7に実装されるものである。該
第2半導体チップ3は、前記回路パターン敷設面7aに
接着剤等により固定され、多数の金線5によって、前記
回路パターン6に電気的接続される。尚、前記回路形成
面3aに対する裏面3bには、前記半導体回路は形成さ
れていない。
る。該第2半導体チップ3は前記第1半導体チップ2と
は異なり、半導体回路(図示せず)を形成した回路形成
面3aを、前記基板7における回路パターン敷設面7a
に非対向な状態で該基板7に実装されるものである。該
第2半導体チップ3は、前記回路パターン敷設面7aに
接着剤等により固定され、多数の金線5によって、前記
回路パターン6に電気的接続される。尚、前記回路形成
面3aに対する裏面3bには、前記半導体回路は形成さ
れていない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】然しながら従来の構成
において前記第1半導体チップ2と前記第2半導体チッ
プ3とを同一基板7に実装する場合、前記基板7に半導
体チップ2個分の実装面積を必要となるので、1枚の基
板に高密度に電子部品を実装するのに或る程度の限界が
あった。
において前記第1半導体チップ2と前記第2半導体チッ
プ3とを同一基板7に実装する場合、前記基板7に半導
体チップ2個分の実装面積を必要となるので、1枚の基
板に高密度に電子部品を実装するのに或る程度の限界が
あった。
【0006】本発明は上記の問題点を改善するために成
されたもので、その目的とするところは、従来に比して
電子部品を高密度に実装し得る半導体実装基板を提供す
ることにある。
されたもので、その目的とするところは、従来に比して
電子部品を高密度に実装し得る半導体実装基板を提供す
ることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ため本発明は、回路パターンが敷設されて成る基板と、
片面に半導体回路を形成した第1半導体チップであっ
て、該半導体回路を形成した回路形成面を、前記基板の
回路パターン敷設面に対向させて該基板に実装した第1
半導体チップと、片面に半導体回路を形成した第2半導
体チップであって、該半導体回路を形成した回路形成面
を前記基板の回路パターン敷設面に非対向な状態で実装
した第2半導体チップとを有して成る半導体実装基板に
おいて、前記第1半導体チップの回路形成面に対する裏
面と、前記第2半導体チップの回路形成面に対する裏面
とが互いに接合されて成ることを特徴とするものであ
る。
ため本発明は、回路パターンが敷設されて成る基板と、
片面に半導体回路を形成した第1半導体チップであっ
て、該半導体回路を形成した回路形成面を、前記基板の
回路パターン敷設面に対向させて該基板に実装した第1
半導体チップと、片面に半導体回路を形成した第2半導
体チップであって、該半導体回路を形成した回路形成面
を前記基板の回路パターン敷設面に非対向な状態で実装
した第2半導体チップとを有して成る半導体実装基板に
おいて、前記第1半導体チップの回路形成面に対する裏
面と、前記第2半導体チップの回路形成面に対する裏面
とが互いに接合されて成ることを特徴とするものであ
る。
【0008】
【作用】第1半導体チップと第2半導体チップとを、そ
の裏面同士を接合した状態で実装しているため、従来に
比して、該第1半導体チップと第2半導体チップとのぺ
ア1組につき半導体チップ1個分の実装面積が基板7に
余分に確保出来る。該実装面積部分に更に電子部品を実
装することが出来る。
の裏面同士を接合した状態で実装しているため、従来に
比して、該第1半導体チップと第2半導体チップとのぺ
ア1組につき半導体チップ1個分の実装面積が基板7に
余分に確保出来る。該実装面積部分に更に電子部品を実
装することが出来る。
【0009】
【実施例】以下、本発明実施例を図に基づいて説明す
る。
る。
【0010】図1は、本発明実施例を示す図である。図
1において、1は半導体実装基板である。該半導体実装
基板1は、従来例と同様に、フリップチップに代表され
る前記第1半導体チップ2と、前記第2半導体チップ3
と、前記基板7とで構成されているが、該第1半導体チ
ップ2の回路形成面に対する裏面2bと該第2半導体チ
ップ3の回路形成面に対する裏面3bとが接着剤8を介
して互いに接合された状態で前記基板7に実装されてい
る。このとき、前記第1半導体チップ2は、その回路形
成面2aを基板7の回路パターン敷設面7aに対向させ
た状態で且つその電極4が回路パターン6に固着した状
態で前記基板7に実装されている。又、前記第2半導体
チップ3は、その回路形成面3aが基板7の回路パター
ン敷設面7aに非対向な状態で該基板7に実装されてお
り、多数の金線5により回路パターン6に電気的接続さ
れている。
1において、1は半導体実装基板である。該半導体実装
基板1は、従来例と同様に、フリップチップに代表され
る前記第1半導体チップ2と、前記第2半導体チップ3
と、前記基板7とで構成されているが、該第1半導体チ
ップ2の回路形成面に対する裏面2bと該第2半導体チ
ップ3の回路形成面に対する裏面3bとが接着剤8を介
して互いに接合された状態で前記基板7に実装されてい
る。このとき、前記第1半導体チップ2は、その回路形
成面2aを基板7の回路パターン敷設面7aに対向させ
た状態で且つその電極4が回路パターン6に固着した状
態で前記基板7に実装されている。又、前記第2半導体
チップ3は、その回路形成面3aが基板7の回路パター
ン敷設面7aに非対向な状態で該基板7に実装されてお
り、多数の金線5により回路パターン6に電気的接続さ
れている。
【0011】
【発明の効果】前述のように本発明は、回路パターンが
敷設されて成る基板と、片面に半導体回路を形成した第
1半導体チップであって、該半導体回路を形成した回路
形成面を、前記基板の回路パターン敷設面に対向させて
該基板に実装した第1半導体チップと、片面に半導体回
路を形成した第2半導体チップであって、該半導体回路
を形成した回路形成面を前記基板の回路パターン敷設面
に非対向な状態で実装した第2半導体チップとを有して
成る半導体実装基板において、前記第1半導体チップの
回路形成面に対する裏面と、前記第2半導体チップの回
路形成面に対する裏面とが互いに接合されて成ることを
特徴とするものであり、該第1半導体チップと第2半導
体チップとのぺア1組につき半導体チップ1個分の実装
面積が基板7に余分に確保出来るので、従来より更に該
基板に多数の電子部品を実装することが可能となり、従
来に比して電子部品を高密度に実装した半導体実装基板
を構成することが出来る。
敷設されて成る基板と、片面に半導体回路を形成した第
1半導体チップであって、該半導体回路を形成した回路
形成面を、前記基板の回路パターン敷設面に対向させて
該基板に実装した第1半導体チップと、片面に半導体回
路を形成した第2半導体チップであって、該半導体回路
を形成した回路形成面を前記基板の回路パターン敷設面
に非対向な状態で実装した第2半導体チップとを有して
成る半導体実装基板において、前記第1半導体チップの
回路形成面に対する裏面と、前記第2半導体チップの回
路形成面に対する裏面とが互いに接合されて成ることを
特徴とするものであり、該第1半導体チップと第2半導
体チップとのぺア1組につき半導体チップ1個分の実装
面積が基板7に余分に確保出来るので、従来より更に該
基板に多数の電子部品を実装することが可能となり、従
来に比して電子部品を高密度に実装した半導体実装基板
を構成することが出来る。
【図1】本発明実施例を示す図。
【図2】従来例を示す図(第1半導体チップ)。
【図3】従来例を示す図(第2半導体チップ)。
1 半導体実装基板 2 第1半導体チップ 2a 回路形成面 2b 裏面 3 第2半導体チップ 3a 回路形成面 3b 裏面 6 回路パターン 7 基板 7a 回路パターン敷設面
Claims (1)
- 【請求項1】 回路パターンが敷設されて成る基板と、
片面に半導体回路を形成した第1半導体チップであっ
て、該半導体回路を形成した回路形成面を、前記基板の
回路パターン敷設面に対向させて該基板に実装した第1
半導体チップと、片面に半導体回路を形成した第2半導
体チップであって、該半導体回路を形成した回路形成面
を前記基板の回路パターン敷設面に非対向な状態で実装
した第2半導体チップとを有して成る半導体実装基板に
おいて、 前記第1半導体チップの回路形成面に対する裏面と、前
記第2半導体チップの回路形成面に対する裏面とが互い
に接合されて成ることを特徴とする半導体実装基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4133443A JPH05326833A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半導体実装基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4133443A JPH05326833A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半導体実装基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05326833A true JPH05326833A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15104898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4133443A Pending JPH05326833A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半導体実装基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05326833A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996017505A1 (en) * | 1994-12-01 | 1996-06-06 | Motorola Inc. | Method, flip-chip module, and communicator for providing three-dimensional package |
KR100340862B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2002-09-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스택패키지및그의제조방법 |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP4133443A patent/JPH05326833A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996017505A1 (en) * | 1994-12-01 | 1996-06-06 | Motorola Inc. | Method, flip-chip module, and communicator for providing three-dimensional package |
KR100340862B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2002-09-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스택패키지및그의제조방법 |
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