JPH08279572A - 半導体パッケージ及びその実装構造 - Google Patents

半導体パッケージ及びその実装構造

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 実装状態での放熱性に優れた半導体パッケー
ジを提供する。 【構成】 一方の面をマザー基板に対する実装面11a
としてなるパッケージ基板11と、パッケージ基板11
の実装面11aに素子形成面12aを対向した状態で搭
載され且つ素子形成面12aと反対側の面12bをマザ
ー基板への接合面としてなる半導体チップ12と、パッ
ケージ基板の実装面11a側に突出して設けられた外部
接続用端子としてのはんだボール14とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを搭載し
てなる半導体パッケージとその実装構造に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体パッケージの端子数の増加
や信号処理の高速化に対応すべく、外部接続用端子とな
るリードピンをパッケージ基板の一方の面に配列したピ
ングリッドアレイ(以下、PGAと称す)や上記リード
ピンをはんだボールに置き換えボールグリッドアレイ
(以下、BGAと称す)が盛んに採用されている。
【0003】図4は従来におけるBGAの構造例を示す
側断面図である。図4に示すBGAタイプの半導体パッ
ケージ50では、ベースとなるパッケージ基板51上に
半導体チップ52が搭載されている。この半導体チップ
52は極細金線等のワイヤ53を介して基板側電極に接
続され且つ封止樹脂54にて封止されている。一方、パ
ッケージ基板51の下面、つまり半導体チップ52が搭
載されたチップ搭載面と反対側の面には、外部接続用端
子としてのはんだボール55が格子状に配列されてい
る。個々のはんだボール55は、パッケージ基板51に
穿設されたスルーホール51aを介してチップ搭載面上
の配線パターンに電気的に接続されている。またパッケ
ージ基板51には、半導体チップ52で発生した熱を外
部接続用の端子側に伝えるための放熱用スルーホール
(サーマルバイアホール)51bが形成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例においては、半導体パッケージ50を図示せぬマザー
基板に実装した場合、パッケージ動作時に半導体チップ
52で発生した熱が主としてチップ裏面(図中下面)側
から放熱用スルーホール51bを介してパッケージ基板
51の下面側に伝導され、さらに同面に形成された配線
パターンや外部接続用のはんだボール55(PGAでは
リードピン)を介してマザー基板側に伝導される。この
ため、半導体チップ52からマザー基板に至るまでの放
熱経路が冗長になるうえ、放熱経路の一部を構成する放
熱用スルーホール51bやはんだボール55の形成箇所
で局部的に断面積が狭くなり、半導体パッケージ50の
熱を効率良くマザー基板側に逃がすことが出来なかっ
た。
【0005】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的は、従来よりも放熱性に優れた半
導体パッケージとその実装構造を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体パ
ッケージは、一方の面をマザー基板に対する実装面とし
てなるパッケージ基板と、このパッケージ基板の実装面
にその素子形成面を対向した状態で搭載され且つ素子形
成面と反対側の面をマザー基板への接合面としてなる半
導体チップと、パッケージ基板の実装面側に突出して設
けられた外部接続用端子とを備えた構成となっている。
【0007】
【作用】本発明においては、半導体パッケージをマザー
基板に実装するにあたって、パッケージ基板の実装面に
搭載された半導体チップの接合面、すなわち素子形成面
と反対側のチップ裏面が、外部接続用端子とともにマザ
ー基板に接合されるようになるため、パッケージ動作時
に発生した熱をチップ裏面から直にマザー基板側に伝え
ることが可能となる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明に係わる半導体パ
ッケージの第1実施例を説明する図であり、図中(a)
はその側断面図、(b)は下面図を示す。図1に示す半
導体パッケージ10においては、ベースとなるパッケー
ジ基板11がその下面11aをマザー基板に対する実装
面(実装時の対向面)としている。パッケージ基板11
の実装面11aには、その素子形成面12aを対向した
状態で半導体チップ12が搭載されている。この半導体
チップ12は、素子形成面12aと反対側の面(チップ
裏面)12bをマザー基板への接合面としており、上記
素子形成面12aと同一面上に形成された金バンプやは
んだバンプ等の突起電極13を介してパッケージ基板1
1に電気的且つ機械的に接続され、その接続エリアは樹
脂にて封止されている。また、パッケージ基板11の実
装面11aには外部接続用端子としてのはんだボール1
4が格子状に配列されており、これらのはんだボール1
4が基板の配線パターン15を介して半導体チップ12
の突起電極13に電気的に接続されている。
【0009】図2は上記半導体パッケージ10をマザー
基板に実装した状態を示す側断面図である。図2に示す
パッケージ実装構造においては、実装先となるマザー基
板16に対して、そのパッケージ基板11の実装面11
aを対向した状態で半導体パッケージ10が実装されて
いる。パッケージ基板11の実装面11aに設けられた
はんだボール14はリフロー加熱によりマザー基板16
側の電極部(不図示)に接合されている。またパッケー
ジ基板11に搭載された半導体チップ12の裏面、すな
わちマザー基板16への接合面12bは、例えば放熱用
グリス等の熱伝導性接着剤17を介してマザー基板16
に接合されている。さらにマザー基板16のチップ接合
エリアには放熱用のスルーホール16aが設けられてい
る。
【0010】上記構成からなる半導体パッケージの実装
構造では、パッケージ動作時に半導体チップ12で発生
した熱が、主としてその接合面(チップ裏面)12bか
ら熱伝導性接着剤17を介して直にマザー基板16側に
伝えられる他、突起電極13から配線パターン15やは
んだボール14を介してマザー基板16側に伝えられる
ようになるため、半導体パッケージ10で発生した熱を
極めて効率良くマザー基板16に逃がすことができる。
また、マザー基板16に設けたスルーホール16aを介
して基板(マザー基板)全体の熱伝導性を向上させるこ
とにより、より効果的に半導体パッケージ10で発生し
た熱を外部に放散させることができる。さらに、半導体
パッケージ10の構造上、パッケージ基板11の片面
(実装面12a)に半導体チップ12とともに外部接続
用のはんだボール14が設けられた構成となっているた
め、パッケージ基板11に安価な片面プリント配線板を
採用することができ、半導体パッケージ10としてのコ
ストダウンも図られる。
【0011】図3は本発明に係わる半導体パッケージの
第2実施例を説明する図であり、図中(a)はその側断
面図、(b)は下面図を示す。本第2実施例の半導体パ
ッケージ20においては、上記第1実施例と比較した場
合、特にパッケージ基板21の実装面21aに素子形成
面22aを対向した状態で搭載される半導体チップ22
の接合形態に違いがある。すなわち本第2実施例では、
パッケージ基板21の実装面22aにリード23を介し
て半導体チップ22が搭載されている。リード23の一
端は半導体チップ22の素子形成面22aに設けられた
チップ電極部に接合され、同他端はパッケージ基板21
の電極部に熱圧着等により接合されている。また、パッ
ケージ基板21の実装面21aには、上記リード23と
の接合電極部を起点として配線パターン24が形成され
ており、そのパターン終端部に外部接続用端子としての
はんだボール25が設けられている。
【0012】この半導体パッケージ20をマザー基板に
実装する場合は、上記第1実施例と同様に、パッケージ
基板21の実装面21aに設けられたはんだボール25
が図示せぬマザー基板側の電極部に接合されるととも
に、半導体チップ22の裏面、つまりマザー基板への接
合面22bが図示せぬ熱伝導性接着剤を介してマザー基
板に接合される。これによりパッケージ動作時に半導体
チップ22で発生した熱は、主としてその接合面(チッ
プ裏面)22bから熱伝導性接着剤を介して直にマザー
基板側に伝えられる他、リード23から配線パターン2
4やはんだボール25を介してマザー基板側に伝えられ
るようになるため、上記第1実施例と同様に半導体パッ
ケージ20で発生した熱を極めて効率良くマザー基板に
逃がすことができる。
【0013】なお、上記実施例においては、半導体パッ
ケージの形態としていずれもBGAを例に挙げて説明し
たが、本発明はこれに限定されることなく、上記従来例
で述べたPGAや、パッケージ基板の周縁部に外部接続
用端子としてクリップ式のリードを取り付けたものな
ど、種々のパッケージ形態に適用することができる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体パッケージをマザー基板に実装するにあたり、パッ
ケージ基板の実装面に搭載された半導体チップの接合面
がマザー基板に接合されるようになるため、パッケージ
動作時に発生した熱を上記半導体チップの接合面(チッ
プ裏面)から直にマザー基板側に逃がすことができる。
これにより、実装状態における半導体パッケージの放熱
性を格段に向上させることができ、より消費電力の高い
半導体チップをパッケージ内に組み込むことが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を説明する図である。
【図2】第1実施例におけるパッケージ実装構造を説明
する図である。
【図3】本発明の第2実施例を説明する図である。
【図4】従来におけるパッケージ構造の一例を示す側断
面図である。
【符号の説明】
10、20 半導体パッケージ 11、21 パッケージ基板 11a、21a 実装面 12、22 半導体チップ 12a、22a 素子形成面 12b、22b 接合面 14、25 はんだボール(外部接続用端子) 16 マザー基板 17 熱伝導性接着剤

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方の面をマザー基板に対する実装面と
    してなるパッケージ基板と、 前記パッケージ基板の実装面にその素子形成面を対向し
    た状態で搭載され且つ前記素子形成面と反対側の面を前
    記マザー基板への接合面としてなる半導体チップと、 前記パッケージ基板の実装面側に突出して設けられた外
    部接続用端子とを備えたことを特徴とする半導体パッケ
    ージ。
  2. 【請求項2】 一方の面をマザー基板に対する実装面と
    してなるパッケージ基板と、このパッケージ基板の実装
    面にその素子形成面を対向した状態で搭載され且つ前記
    素子形成面と反対側の面を前記マザー基板への接合面と
    してなる半導体チップと、前記パッケージ基板の実装面
    側に突出して設けられた外部接続端子とを備えた半導体
    パッケージをマザー基板に実装してなる半導体パッケー
    ジの実装構造であって、 前記半導体チップの接合面は熱伝導性接着剤を介して前
    記マザー基板に接合されていることを特徴とする半導体
    パッケージの実装構造。
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US6265772B1 (en) 1998-06-17 2001-07-24 Nec Corporation Stacked semiconductor device
US7393718B2 (en) 2001-02-01 2008-07-01 Fairchild Semiconductor Corporation Unmolded package for a semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265772B1 (en) 1998-06-17 2001-07-24 Nec Corporation Stacked semiconductor device
US7393718B2 (en) 2001-02-01 2008-07-01 Fairchild Semiconductor Corporation Unmolded package for a semiconductor device
JP2009124176A (ja) * 2001-02-01 2009-06-04 Fairchild Semiconductor Corp 半導体デバイス用非モールドパッケージ

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