JPH0121797B2 - - Google Patents
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- JPH0121797B2 JPH0121797B2 JP57134397A JP13439782A JPH0121797B2 JP H0121797 B2 JPH0121797 B2 JP H0121797B2 JP 57134397 A JP57134397 A JP 57134397A JP 13439782 A JP13439782 A JP 13439782A JP H0121797 B2 JPH0121797 B2 JP H0121797B2
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
技術分野
本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光
記録媒体の製造方法に関する。 先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出し
ヘツドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化
しないという特徴をもち、このため種々の光記録
媒体の開発研究が行われている。 このような光記録媒体のうち、暗室による画像
処理が不要である等の点で、ヒートモード光記録
媒体の開発が活発になつている。 このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱
として利用する光記録媒体であり、その１例とし
て、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除
去等して、ピツトと称される小穴を形成して書き
込みを行い、このピツトにより情報を記録し、こ
のピツトを読み出し光で検出して読み出しを行う
ものがある。 そして、このようなピツト形成型の媒体の１例
として、基体上に、光吸収色素を塗設ないし蒸着
して記録層を形成し、色素を昇温、融解させてピ
ツトを形成するものが知られている。 このようなヒートモードの光記録媒体に書き込
みを行うための記録光および読み出し光として
は、書き込みおよび読み出し装置を小型なものと
するために、750〜830nmの発振波長の半導体レ
ーザーや発光ダイオード等の長波長記録光を用い
ることが好ましい。 ところで、長波長光に吸収をもつ色素の一つと
して、トリないしテトラカルボシアニン色素やジ
チオール錯体などがある。 しかし、トリカルボシアニンないしテトラカル
ボシアニン色素のうち、代表的に用いられるチア
ゾール環、ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾー
ル環、ベンゾセレナゾール環、ベンゾオキサゾー
ル環などをビニレン鎖の両端に有するものでは、
塗布溶媒に対する溶解度が低く、塗膜性が悪く、
反射率が低く、読み出しのＳ／Ｎ比が小さい。 一方、PtないしNiジチオール錯体では、吸光
係数と反射率とが低く、書き込み感度と読み出し
の、反射率が低く、読み出しのＳ／Ｎ比とが小さ
い。 このため、これら通常のトリカルボシアニンな
いしテトラカルボシアニン色素やジチオール錯体
を用いるときには、半導体レーザー用として実用
に耐える媒体を実現しない。 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたもの
であつて、その主たる目的は、半導体レーザー等
の長波長の記録光、読み出し光を用いる場合、読
み込み感度が高く、反射率が高いため読み出しの
Ｓ／Ｎ比が高く、しかも生保存性が良好であるな
ど、すぐれた特性をもち生産性にすぐれた記録層
塗膜を有する光記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。 本発明者らは、このような目的につき鋭意研究
を行つた結果、このような目的を達成する色素群
を見い出し、本発明をなすに至つた。 すなわち、本発明は、基体上に、下記式［］
で示される光吸収色素を含有し、樹脂成分を含有
しない記録層を塗布することを特徴とする光記録
媒体の製造方法である。 式［］ φ+−Ｌ＝ψ（X-）n ｛上式［］において、 φ+およびψは、それぞれインドレニン環残基
またはベンゾインドレニン環残基を表わす。 ただし、φ+およびψがともに４，５−ベンゾ
インドレニン環残基となることはない。 Ｌは、シアニン色素を形成するための連結基を
表わす。X-は陰イオンを表わす。 ｍは０または１の整数である。｝ なお、この出願の先願である特開昭58−194595
号広報には、本発明と同じインドレニン系のシア
ニン色素を記録層に用いる旨が提案されている。 しかし、同公報には、インドレニン系のシアニ
ン色素を単独で塗布設層することについては開示
がなく、記録層は蒸着膜か、あるいは樹脂成分を
バインダとする塗布膜から形成されている。この
場合、蒸着膜では量産性に劣り、またバインダを
用いるときには感度等が低下するという不都合が
ある。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。 本発明によつて製造される光記録媒体の記録層
中には、上記式［］で示される光吸収色素が含
まれる。 上記式［］において、インドレニン環または
ベンゾインドレニン環の残基であるφがインドレ
ニン核のＮ原子に＋電荷を有し、ψが中性Ｎ電子
を有するものである。そして、それぞれは同一で
も、異なつていてもよく、種々の置換基、例えば
ハロゲン、アルキル基等が結合することができ
る。 これらのうち、φおよびψは同一であることが
好ましく、特に、下記式［］〜［］あるいは
その置換体であることが好ましい。ただし、φお
よびψがともに式［］の４，５−インドレニン
環残基となることはない。 この場合、２位に付した電荷記号（・）は、
φ+では、
記録媒体の製造方法に関する。 先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出し
ヘツドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化
しないという特徴をもち、このため種々の光記録
媒体の開発研究が行われている。 このような光記録媒体のうち、暗室による画像
処理が不要である等の点で、ヒートモード光記録
媒体の開発が活発になつている。 このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱
として利用する光記録媒体であり、その１例とし
て、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除
去等して、ピツトと称される小穴を形成して書き
込みを行い、このピツトにより情報を記録し、こ
のピツトを読み出し光で検出して読み出しを行う
ものがある。 そして、このようなピツト形成型の媒体の１例
として、基体上に、光吸収色素を塗設ないし蒸着
して記録層を形成し、色素を昇温、融解させてピ
ツトを形成するものが知られている。 このようなヒートモードの光記録媒体に書き込
みを行うための記録光および読み出し光として
は、書き込みおよび読み出し装置を小型なものと
するために、750〜830nmの発振波長の半導体レ
ーザーや発光ダイオード等の長波長記録光を用い
ることが好ましい。 ところで、長波長光に吸収をもつ色素の一つと
して、トリないしテトラカルボシアニン色素やジ
チオール錯体などがある。 しかし、トリカルボシアニンないしテトラカル
ボシアニン色素のうち、代表的に用いられるチア
ゾール環、ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾー
ル環、ベンゾセレナゾール環、ベンゾオキサゾー
ル環などをビニレン鎖の両端に有するものでは、
塗布溶媒に対する溶解度が低く、塗膜性が悪く、
反射率が低く、読み出しのＳ／Ｎ比が小さい。 一方、PtないしNiジチオール錯体では、吸光
係数と反射率とが低く、書き込み感度と読み出し
の、反射率が低く、読み出しのＳ／Ｎ比とが小さ
い。 このため、これら通常のトリカルボシアニンな
いしテトラカルボシアニン色素やジチオール錯体
を用いるときには、半導体レーザー用として実用
に耐える媒体を実現しない。 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたもの
であつて、その主たる目的は、半導体レーザー等
の長波長の記録光、読み出し光を用いる場合、読
み込み感度が高く、反射率が高いため読み出しの
Ｓ／Ｎ比が高く、しかも生保存性が良好であるな
ど、すぐれた特性をもち生産性にすぐれた記録層
塗膜を有する光記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。 本発明者らは、このような目的につき鋭意研究
を行つた結果、このような目的を達成する色素群
を見い出し、本発明をなすに至つた。 すなわち、本発明は、基体上に、下記式［］
で示される光吸収色素を含有し、樹脂成分を含有
しない記録層を塗布することを特徴とする光記録
媒体の製造方法である。 式［］ φ+−Ｌ＝ψ（X-）n ｛上式［］において、 φ+およびψは、それぞれインドレニン環残基
またはベンゾインドレニン環残基を表わす。 ただし、φ+およびψがともに４，５−ベンゾ
インドレニン環残基となることはない。 Ｌは、シアニン色素を形成するための連結基を
表わす。X-は陰イオンを表わす。 ｍは０または１の整数である。｝ なお、この出願の先願である特開昭58−194595
号広報には、本発明と同じインドレニン系のシア
ニン色素を記録層に用いる旨が提案されている。 しかし、同公報には、インドレニン系のシアニ
ン色素を単独で塗布設層することについては開示
がなく、記録層は蒸着膜か、あるいは樹脂成分を
バインダとする塗布膜から形成されている。この
場合、蒸着膜では量産性に劣り、またバインダを
用いるときには感度等が低下するという不都合が
ある。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。 本発明によつて製造される光記録媒体の記録層
中には、上記式［］で示される光吸収色素が含
まれる。 上記式［］において、インドレニン環または
ベンゾインドレニン環の残基であるφがインドレ
ニン核のＮ原子に＋電荷を有し、ψが中性Ｎ電子
を有するものである。そして、それぞれは同一で
も、異なつていてもよく、種々の置換基、例えば
ハロゲン、アルキル基等が結合することができ
る。 これらのうち、φおよびψは同一であることが
好ましく、特に、下記式［］〜［］あるいは
その置換体であることが好ましい。ただし、φお
よびψがともに式［］の４，５−インドレニン
環残基となることはない。 この場合、２位に付した電荷記号（・）は、
φ+では、
【式】（インドレニウム１価
残基）、ψでは、
【式】（インドリン２価残
基）となることを表わす。
式［］
式［］
式［］
上記式［］〜［］において、R1は、置換
または非置換のアルキル基を表わす。アルキル基
の炭素原子数は１〜５であることが好ましく、ま
た好ましい置換基としては、スルホン酸基、アル
キルカルボキシオキシ基等を挙げることができ
る。 なお、後述のｍが０であるときには、φ+のR1
は一電荷をもつ。 また、R2およびR3は、それぞれ、アルキル基
またはフエニル基等のアリール基、好ましくはア
ルキル基を表わす。この場合アルキル基は非置換
のものであり、特に炭素原子数１または２、特に
１であることが好ましい。 他方、Ｌはシアニン色素、特にトリカルボシア
ニンまたはテトラカルボシアニンを形成するため
の連結基を表わすが、特に下記式［］〜［］
のいずれかであることが好ましい。 式［］ 式［］ 式［］ 式［］ 式［］ ここに、Ｙは、水素原子または１価の基を表わ
す。この場合、１価の基としては、メチル基等の
低級アルキル基、メトキシ基等の低級アルコキシ
基、ジメチルアミノ基、ジフエニルアミノ基、メ
チルフエニルアミノ基、モルホリノ基、イミダゾ
リジン基、エトキシカルボニルピペラジン基など
のジ置換アミノ基、アセトキシ基等のアルキルカ
ルボニルオキシ基等であることが好ましい。 なお、上記式［］〜［］の中では、式
［］および［］が好ましい。 さらに、X-は陰イオンであり、その好ましい
例としては、I-，Br-，ClO4 -，BF4 -，
または非置換のアルキル基を表わす。アルキル基
の炭素原子数は１〜５であることが好ましく、ま
た好ましい置換基としては、スルホン酸基、アル
キルカルボキシオキシ基等を挙げることができ
る。 なお、後述のｍが０であるときには、φ+のR1
は一電荷をもつ。 また、R2およびR3は、それぞれ、アルキル基
またはフエニル基等のアリール基、好ましくはア
ルキル基を表わす。この場合アルキル基は非置換
のものであり、特に炭素原子数１または２、特に
１であることが好ましい。 他方、Ｌはシアニン色素、特にトリカルボシア
ニンまたはテトラカルボシアニンを形成するため
の連結基を表わすが、特に下記式［］〜［］
のいずれかであることが好ましい。 式［］ 式［］ 式［］ 式［］ 式［］ ここに、Ｙは、水素原子または１価の基を表わ
す。この場合、１価の基としては、メチル基等の
低級アルキル基、メトキシ基等の低級アルコキシ
基、ジメチルアミノ基、ジフエニルアミノ基、メ
チルフエニルアミノ基、モルホリノ基、イミダゾ
リジン基、エトキシカルボニルピペラジン基など
のジ置換アミノ基、アセトキシ基等のアルキルカ
ルボニルオキシ基等であることが好ましい。 なお、上記式［］〜［］の中では、式
［］および［］が好ましい。 さらに、X-は陰イオンであり、その好ましい
例としては、I-，Br-，ClO4 -，BF4 -，
【式】等を挙げることができ
る。
なお、ｍは０または１であり、ｍが０であると
きには、通常、φ+のR1が一電荷をもち分子内塩
となる。 次に本発明の光吸収色素の具体例を挙げるが、
本発明はこれにより限定されるものではない。
きには、通常、φ+のR1が一電荷をもち分子内塩
となる。 次に本発明の光吸収色素の具体例を挙げるが、
本発明はこれにより限定されるものではない。
【表】
このような色素は、レーザー研究８（(4)色素レ
ーザー用有機化合物総覧、大有機化学（朝倉書
店）含窒素複素環化合物IP438等に記載されてお
り、公知の方法によつて合成することができる。
特にヘプタメチン系の場合には、ピリジン誘導体
の開裂を利用したいわゆるZINCK
（DICKMANN）反応により、容易に合成するこ
とができる。 本発明において、記録層は、このような色素の
塗膜を塗設する。このため量産性にすぐれる。 記録層を塗設するには、例えば、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カ
ルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセ
テート等のエステル系、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ等のエーテル系ジクロロエタン等の
ハロゲン化アルキルなどの溶媒を用いて、常法に
従い塗設する。 なお、記録層を塗設する際に、可塑剤、界面活
性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散
剤等を含有させてもよい。 ただし、樹脂成分をバインダ成分として含有す
るものではない。樹脂成分を含有すると、感度、
反射率、Ｓ／Ｎ比等の点で不利である。 このような記録層を塗設する基体の材質には特
に制限はなく、各種樹脂、ガラス、セラミツク
ス、金属等いずれであつてもよいが、記録光およ
び再生光に対して透明なものが好ましい。 また、その形状は使用用途に応じ、テープ、デ
イスク、ドラム、ベルト等いずれであつてもよ
い。 なお、基体は必要に応じ、下地層や蓄熱層など
を有するものであつてもよい。 また、記録層上には、必要に応じ、透明基体を
用いるときに書き込みおよび読み出しの裏面とし
て機能する反射層や、各種最上層保護層、ハーフ
ミラー層などを設けることもできる。 ただ、本発明における色素は、それ自体基体を
とおして反射率がきわめて高いので、このような
下地ないし上層反射層は、通常、用いる必要がな
い。 本発明における媒体は、このような基体の一面
上に上記の記録層を有するものであつてもよく、
その両面に記録層を有するものであつてもよい。
また、基体の一面上に記録層を塗設したものを２
つ用い、それらを記録層が向かいあうようにし
て、所定の間隔をもつて対向させ、それを密閉し
たりして、ホコリやキズがつかないようにするこ
ともできる。 発明の具体的作用 本発明によつて製造される媒体は、走行ないし
回転下において、基体裏面側から記録光をパルス
上に照射する。このとき、記録層中の色素が発熱
融解し、ピツトが形成される。 この場合、750〜850nmの波長の記録用半導体
レーザー、ダイオードなどを用いたとき、きわめ
て良好な書き込みを行うことができる。 このように形成されたピツトは、やはり媒体の
走行ないし回転下、上記の波長の読み出し光の反
射光ないし透過光、特に基体をとおしての反射光
を検出することにより読み出される。 また、記録および読み出し光としては、He−
Neレーザー等を用いることもできる。 発明の具体的効果 本発明によつて製造される媒体は、750，780，
830nm等の波長の半導体レーザー、発光ダイオー
ドを用いて、きわめて感度の高い書き込みを行う
ことができる。 これは、本発明における色素が750〜850nmに
おいて、105cm-1以上にもおよぶ吸光係数をもつ
ことによる。 また、きわめて良好な形状のピツトを形成する
ことができ、しかも、塗膜性が良好であり、基体
をとおしての反射率が他のトリまたはテトラカル
ボシアニンやNi，Ptジチオール錯体と比較して
きわめて高いので、読み出しのＳ／Ｎ比もきわめ
て高い。 さらに、熱などに対する安全性が高く、生保存
性が良く、書き込み特性の劣化が少ない。 そして、記録層を塗布膜として形成するので生
産性にすぐれる。しかも、記録層塗膜中にバイン
ダーとしての樹脂成分を必要としないので、感
度、反射率、Ｓ／Ｎ比等が高いものとなる。 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 １ 上記色素No.11重量部を、シクロヘキサノン−ジ
クロロエタン（１：１）200重量部に溶解したの
ち、直径15cmのアクリル樹脂デイスク基板上に、
0.04μmの厚さに塗布設層して、本発明の媒体を
得た。 また、色系No.D1にかえ、色系No.D2，D5を用
い、上記と同様にして本発明の媒体を得た。 これとは別に比較のため、下記色素Ａ〜Ｄを用
い、上記と同様にして、比較用の媒体を得た。 さらに、比較のために、特開昭58−194595号公
報の記載に準じ、色素No.D1とニトロセルロース
の１：１（重量比）の記録層塗膜を設層した。 このようにして作成した媒体につき、これを
1800rpmで回転させながら、下記表１に示される
波長のAlGaAs−GaAs半導体レーザー記録光を
1μmφに集光し（集光部出力10mV）、所定周波数
で、基板をとおしてパルス列状に照射した。 各媒体につき、基板側から書き込み光のパルス
幅を変更して照射し、消光比2.5が得られるパル
ス幅を測定し、その逆数をとつて、書き込み感度
とした。結果を表１に示す。 この場合、消光比は、後述の読み出し光の反射
率のピツト部における減衰度である。 結果を表１に示す。 なお、表１には、基板をとおしての反射率が併
記される。 表１に示される結果から、本発明の媒体は、反
射率書き込み感度および読み出しのＳ／Ｎ比がき
わめて高いことがわかる。
ーザー用有機化合物総覧、大有機化学（朝倉書
店）含窒素複素環化合物IP438等に記載されてお
り、公知の方法によつて合成することができる。
特にヘプタメチン系の場合には、ピリジン誘導体
の開裂を利用したいわゆるZINCK
（DICKMANN）反応により、容易に合成するこ
とができる。 本発明において、記録層は、このような色素の
塗膜を塗設する。このため量産性にすぐれる。 記録層を塗設するには、例えば、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カ
ルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセ
テート等のエステル系、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ等のエーテル系ジクロロエタン等の
ハロゲン化アルキルなどの溶媒を用いて、常法に
従い塗設する。 なお、記録層を塗設する際に、可塑剤、界面活
性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散
剤等を含有させてもよい。 ただし、樹脂成分をバインダ成分として含有す
るものではない。樹脂成分を含有すると、感度、
反射率、Ｓ／Ｎ比等の点で不利である。 このような記録層を塗設する基体の材質には特
に制限はなく、各種樹脂、ガラス、セラミツク
ス、金属等いずれであつてもよいが、記録光およ
び再生光に対して透明なものが好ましい。 また、その形状は使用用途に応じ、テープ、デ
イスク、ドラム、ベルト等いずれであつてもよ
い。 なお、基体は必要に応じ、下地層や蓄熱層など
を有するものであつてもよい。 また、記録層上には、必要に応じ、透明基体を
用いるときに書き込みおよび読み出しの裏面とし
て機能する反射層や、各種最上層保護層、ハーフ
ミラー層などを設けることもできる。 ただ、本発明における色素は、それ自体基体を
とおして反射率がきわめて高いので、このような
下地ないし上層反射層は、通常、用いる必要がな
い。 本発明における媒体は、このような基体の一面
上に上記の記録層を有するものであつてもよく、
その両面に記録層を有するものであつてもよい。
また、基体の一面上に記録層を塗設したものを２
つ用い、それらを記録層が向かいあうようにし
て、所定の間隔をもつて対向させ、それを密閉し
たりして、ホコリやキズがつかないようにするこ
ともできる。 発明の具体的作用 本発明によつて製造される媒体は、走行ないし
回転下において、基体裏面側から記録光をパルス
上に照射する。このとき、記録層中の色素が発熱
融解し、ピツトが形成される。 この場合、750〜850nmの波長の記録用半導体
レーザー、ダイオードなどを用いたとき、きわめ
て良好な書き込みを行うことができる。 このように形成されたピツトは、やはり媒体の
走行ないし回転下、上記の波長の読み出し光の反
射光ないし透過光、特に基体をとおしての反射光
を検出することにより読み出される。 また、記録および読み出し光としては、He−
Neレーザー等を用いることもできる。 発明の具体的効果 本発明によつて製造される媒体は、750，780，
830nm等の波長の半導体レーザー、発光ダイオー
ドを用いて、きわめて感度の高い書き込みを行う
ことができる。 これは、本発明における色素が750〜850nmに
おいて、105cm-1以上にもおよぶ吸光係数をもつ
ことによる。 また、きわめて良好な形状のピツトを形成する
ことができ、しかも、塗膜性が良好であり、基体
をとおしての反射率が他のトリまたはテトラカル
ボシアニンやNi，Ptジチオール錯体と比較して
きわめて高いので、読み出しのＳ／Ｎ比もきわめ
て高い。 さらに、熱などに対する安全性が高く、生保存
性が良く、書き込み特性の劣化が少ない。 そして、記録層を塗布膜として形成するので生
産性にすぐれる。しかも、記録層塗膜中にバイン
ダーとしての樹脂成分を必要としないので、感
度、反射率、Ｓ／Ｎ比等が高いものとなる。 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 １ 上記色素No.11重量部を、シクロヘキサノン−ジ
クロロエタン（１：１）200重量部に溶解したの
ち、直径15cmのアクリル樹脂デイスク基板上に、
0.04μmの厚さに塗布設層して、本発明の媒体を
得た。 また、色系No.D1にかえ、色系No.D2，D5を用
い、上記と同様にして本発明の媒体を得た。 これとは別に比較のため、下記色素Ａ〜Ｄを用
い、上記と同様にして、比較用の媒体を得た。 さらに、比較のために、特開昭58−194595号公
報の記載に準じ、色素No.D1とニトロセルロース
の１：１（重量比）の記録層塗膜を設層した。 このようにして作成した媒体につき、これを
1800rpmで回転させながら、下記表１に示される
波長のAlGaAs−GaAs半導体レーザー記録光を
1μmφに集光し（集光部出力10mV）、所定周波数
で、基板をとおしてパルス列状に照射した。 各媒体につき、基板側から書き込み光のパルス
幅を変更して照射し、消光比2.5が得られるパル
ス幅を測定し、その逆数をとつて、書き込み感度
とした。結果を表１に示す。 この場合、消光比は、後述の読み出し光の反射
率のピツト部における減衰度である。 結果を表１に示す。 なお、表１には、基板をとおしての反射率が併
記される。 表１に示される結果から、本発明の媒体は、反
射率書き込み感度および読み出しのＳ／Ｎ比がき
わめて高いことがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体上に、下記式［］で示される光吸収色
素を含有し、樹脂成分を含有しない記録層を塗布
することを特徴とする光記録媒体の製造方法。 式［］ φ+−Ｌ＝ψ（X-）n ｛上式［］において、 φ+およびψは、それぞれインドレニン環残基
またはベンゾインドレニン環残基を表わす。ただ
し、φ+およびψがともに４，５−ベンゾインド
レニン環残基となることはない。 Ｌは、シアニン色素を形成するための連結基を
表わす。X-は陰イオンを表わす。 ｍは０または１の整数である。｝ ２ 前記光記録媒体が、基本裏面側から書き込み
および読み出しを行うものである特許請求の範囲
第１項に記載の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57134397A JPS5924692A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 光記録媒体の製造方法 |
| US07/990,979 US5741623A (en) | 1982-07-30 | 1992-12-09 | Optical recording medium |
| US07/990,977 US5670295A (en) | 1982-07-30 | 1992-12-09 | Optical recording medium |
| US08/482,165 US5512416A (en) | 1982-07-30 | 1995-06-06 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57134397A JPS5924692A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 光記録媒体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63191268A Division JPH01133791A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5924692A JPS5924692A (ja) | 1984-02-08 |
| JPH0121797B2 true JPH0121797B2 (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=15127438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57134397A Granted JPS5924692A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5924692A (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613238B2 (ja) * | 1982-11-08 | 1994-02-23 | 株式会社リコー | 光学的情報記録媒体 |
| US5219707A (en) * | 1983-01-12 | 1993-06-15 | Tdk Corporation | Photostable cyanine dye and optical recording medium |
| JPS59150795A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS59202892A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-16 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| US4656121A (en) * | 1984-02-06 | 1987-04-07 | Ricoh Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JPH0632996B2 (ja) * | 1984-04-24 | 1994-05-02 | 三井東圧化学株式会社 | 光記録方法 |
| JPS60230891A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS60239947A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記憶媒体 |
| JPH0643147B2 (ja) * | 1984-08-13 | 1994-06-08 | 株式会社リコー | 光情報記録媒体 |
| JPS61102292A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-20 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| US4908294A (en) * | 1986-02-13 | 1990-03-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| DE3706266A1 (de) * | 1986-02-28 | 1987-09-03 | Olympus Optical Co | Aufzeichnungstraeger fuer optische informationen |
| US4885228A (en) * | 1986-07-29 | 1989-12-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JPH0796333B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1995-10-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 情報記録媒体の製造法 |
| JPH01126911U (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-30 | ||
| JPH01126910U (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-30 | ||
| JPH0628411Y2 (ja) * | 1988-12-13 | 1994-08-03 | 狭山化工株式会社 | 高速カードラベラ |
| JP2635840B2 (ja) * | 1990-06-19 | 1997-07-30 | 三井東圧化学株式会社 | 光カード |
| DE69713471T2 (de) * | 1996-03-21 | 2002-11-07 | Sumitomo Seika Chemicals | Substituierte benzoldithiol-metallkomplexe |
| US6063467A (en) * | 1997-02-24 | 2000-05-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US6103331A (en) * | 1997-09-26 | 2000-08-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium comprising organic dye thin film |
| JP3097628B2 (ja) * | 1997-11-11 | 2000-10-10 | 富士電機株式会社 | 光記録媒体 |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP57134397A patent/JPS5924692A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5924692A (ja) | 1984-02-08 |
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