JPH0373387A - 光記録媒体および光記録方法 - Google Patents

光記録媒体および光記録方法

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JPH0373387A
JPH0373387A JP2195664A JP19566490A JPH0373387A JP H0373387 A JPH0373387 A JP H0373387A JP 2195664 A JP2195664 A JP 2195664A JP 19566490 A JP19566490 A JP 19566490A JP H0373387 A JPH0373387 A JP H0373387A
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憲良 南波
Shigeru Asami
浅見 茂
Akihiko Kuroiwa
黒岩 顕彦
Shiro Nakagawa
士郎 中川
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 I 発明の背景 技  術  分  野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
と光記録方法とに関する。
先  行  技  術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため種々の光記録媒体の開発研究が行わ
れている。
このような光記録媒体のうち、暗室による画像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。
このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その1例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ビットと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このビットによ
り情報を記録し、このビットを読み出し光で検出して読
み出しを行うものがある。
そして、このようなビット形成型の媒体の1例として、
基体上に、光吸収色素を塗設ないし蒸着して記録層を形
成し、色素を昇温、融解させてビットを形成するものが
知られている。
このようなヒートモードの光記録媒体に書き込みを行う
ための記録光および読み出し光としては、書き込みおよ
び読み出し装置を小型なものとするために、750〜8
3−On mの発振波長の半導体レーザーや発光ダイオ
ード等の長波長記録光を用いることが好ましい。
ところで、長波長光に吸収をもつ色素の一つとして、シ
アニン色素やジチオール錯体などがある。
しかし、シアニン色素のうち、代表的に用いられるチア
ゾール環、ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾール環、
ベンゾセレナゾール環、ベンゾオキサゾール環などをビ
ニレン鎖の両端に有するものでは、塗布溶媒に対する溶
解度が低く、塗膜性が悪く、反射率が低く、読み出しの
S/NやC/Nが低い。 また、熱的安定性に欠け、保
存性に劣る。
一方、ptないしNiジチオール錯体では、吸光係数と
反射率とが低く、書き込み感度と読み出しのS/’Nや
C/Nとが小さい。
このため、これら通常のシアニン色素やジチオール錯体
を用いるときには、半導体レーザー用として実用に耐え
る媒体は実現しない。
■ 発明の目的 本発明の主たる目的は、半導体レーザー等の長波長の記
録光、読み出し光を用いる場合、書き込み感度が高く、
反射率が高いため読み出しのS/NやC/Nが高く、し
かも生保存性が良好であるなど、すぐれた特性をもつ光
記録媒体と光記録方法とを提供することにある。
このような目的は、下記の第1および第2の発明によっ
て達成される。
すなわち、第1の発明は、基体上に、下記式[1]で示
される光吸収色素を含む記録層を有することを特徴とす
る光記録媒体である。
式[I] φ+−L=ψ(X−)。
(上式[]において、 φ1およびψは、それぞれ4.5−ベンゾインドレニン
環残基を表わす。
Lは、シアニン色素を形成するための連結基を表わす。
ただし、4.5−ベンゾインドレニン環のl−位および
3−位に計3個のメチル基が結合するときには、Lが+
CH=CH−)、CH=どなることはない。
X−は陰イオンを表わす。
mは0または1の整数である。) また、第2の発明は透明非着色基体上に、光吸収色素を
含む記録層を有する光記録媒体において、前記光吸収色
素として下記式[II]で示されるシアニン色素を用い
、読み出しのC/Nを向上させたことを特徴とする光記
録方法である。
式EH3 φ+ −L=ψ (X−)、、l (上式[IIにおいて、 φ+およびψは、それぞれ4.5−ベンゾインドレニン
環残基を表わす。
Lは、シアニン色素を形成するための連結基を表わす。
X−は陰イオンを表わす。
mはOまたはlの整数である。) なお、この出願の先願である特開昭58−218055
号公報には、可視光域に着色した基板上に1.3.3−
トリメチル4,5−ベンゾインドレニン環を有するヘプ
タメチンのトリカルボシアニンを塗設した光記録媒体が
記載されているが、この公報では、実際に光書き込みお
よび光読み出しを行なっておらず、4,5−ベンゾイン
ドレニン環を有するシアニン色素が高い読み出しのS/
N比をもつことには着眼されていない。
また、特開昭58−194595号公報には、インドレ
ニン環を有するシアニン色素を用いた光記録媒体が記載
されているが、この公報には4.5−ベンゾインドレニ
ン環を有するシアニン色素については開示も示唆もされ
ていない。
■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的+Rfflを詳細に説明する。
本発明の光記録媒体の記録層中には、上記式N]、[I
I]で示される光吸収色素が含まれる。
上記式[II   [nlにおいて、それぞれ4.5−
ベンゾインドレニン環の残基であるφ1およびψのうち
、φ+がインドール核のN原子に十電荷を有し、ψが中
性N電子を有するものである。 そして、それぞれの4
.5−ベンゾインドレニン環には種々の置換基が結合す
ることができ、同一でも、異なっていてもよい。
これらのうち、φおよびψは同一の置換基をもつもので
あることが好ましい。 4,5ベンゾインドレニンは下
記式[I11]で示される。
この場合、2位に付した電荷記号(・)は、(4,5−
ベンゾインドレニウム1価残基)(4,5−ベンゾイン
ドリン2価残基)となることを表わす。
式[ml 3 上記式[II[]において、R1は、置換または非置換
のアルキル基を表わす。
アルキル基の炭素原子数は1〜5であることが好ましく
、また、好ましい置換基としては、スルホン酸基、アル
キルカルボキシオキシ基等をあげることができる。 こ
の他、置換基としては、アルキルアミド基、アルキルオ
キシ基、カルボン酸基、水酸基等も可能である。
なお、R1は、置換または非置換のアリール基であって
もよい。
このような場合、後述のmがOであるときには、ΦのR
1は一電荷をもつ。
またR2およびR3は、それぞれ、アルキル基またはフ
ェニル基等のアリール基、好ましくはアルキル基を表わ
す。 この場合アルキル基は非置換のものであり、特に
炭素原子数1または2、特に1であることが好ましい。
さらに、R4は置換基を表わすが、アルキル基、アリー
ル基、複素環残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アル
キルチオ基、アルキルヒドロキシカルボニル基、カルボ
ン酸基等が可能である。
そして、pは、通常、O〜4の整数であり、pが2以上
のとき複数のR4は互いに異なって6よい。
他方、Lはカルボシアニン、ジカルボシアニン、トリカ
ルボシアニンまたはテトラカルボシアニン等のシアニン
色素を形成するための連結基を表わすが、特に下記式C
■]〜[XII]のいずれかであることが好ましい。
式[V1]  CH=CH−CH=C−CH=CH−C
H式[X] CH=CH−CH=CH−C=CH−CH
=CH−CH式[XI ] CH= CH−C= CI
−CH式[XII] CH=C−CH ここに、Yは、水素原子または1価の基を表わす。 こ
の場合、1価の基としては、メチル基等の低級アルキル
基、メトキシ基等の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、モ
ルホリノ基、イミダゾリジン基、エトキシ力ルポニルビ
ベラジン基なとのジ置換アミノ基、アセトキシ基等のア
ルキルカルボニルオキシ基、メチルチオ基等のアルキル
チオ基、Br、C℃等のハロゲン原子、シアノ基、ニト
ロ基などであることが好ましい。
ただし、式[I]の場合は、φ′″およびψのR’  
 R”、R3がともにメチル基である場合、Lが+CH
=CH+、CH=となることはない。
さらに、X−は陰イオンであり、その好ましい例として
は、r−Br−、Cβ01 BF4−1CH2G503−等を挙げることができる。
なお、mはOまたは1であるが、mがOであるときには
、通常、ΦのR1が一電荷をもち、分子内塩となる。
次に、本発明の光吸収色素の具体例の1例を挙げるが、
本発明はこれのみに限定されるものではない。
なお、式[I]の場合には、D5、D6は除かれる。
このような色素は、レーザー研究旦(4)色素レーザー
用有機化合物総覧、大有機化学(朝倉書店)含窒素複素
環化合物IP438等に記載されており、公知の方法に
よって合成することができる。 特にヘプタメチン系の
場合には、ピリジン誘導体の開裂を利用したいわゆるZ
INCK (DICKMANN)反応ニヨリ、容易ニ合
成スルことができる。
本発明において、記録層は、このような色素から形成さ
れる。
記録層を塗設するには、好ましくは、例えば、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピトー
ルアセテート、ブチルカルピトールアセテート等のエス
テル系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のエー
テル系、ジクロロエタン等のハロゲン化アルキルなどの
溶媒を用いて、常法に従い塗設する。 塗布によるとき
には量産性にすぐれる。
あるいは、真空蒸着により設層してもよい。
なお、記録層を塗設する場合、バインダー樹脂、可塑剤
、界面活性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分
散剤等が含有させていてもよい。
このような記録層を設層する基体の材質には特に制限は
なく、各種樹脂、ガラス、セラミックス、金属等いずれ
であってもよいが、記録光および再生光に対して透明な
ものである。
そして、第2の発明では、着色していないものである。
また、その形状は使用用途に応じ、テープ、ディスク、
ドラム、ベルト等いずれであってもよい。
なお、基体は必要に応じ、反射層等の下地層や蓄熱層な
どを有するものであってもよい。
また、記録層上には、必要に応じ、透明基体を用いると
きに記録および再生の裏面として機能する反射層や、各
種最上層保護層、ハーフミラ−層などを設けることもで
きる。
ただ、本発明の色素は、それ自体基体をとおしての反射
率がきわめて高いので、このような下地ないし上層反射
層は、通常、用いる必要がない。
本発明の媒体は、このような基体の7面上に上記の記録
層を有するものであってもよく、その両面に記録層を有
するものであってもよい。
また、基体の一面上に記録層を塗設したものを2つ用い
、それらを記録層が向がいあうようにして、所定の間隔
をもって対向させ、それを密閉したりして、ホコリやキ
ズがつがないようにすることもできる。
■ 発明の具体的作用 この場合、750〜850 nmの波長の記録用半導体
レーザー ダイオードなどを用いたとき、きわめて良好
な書き込みを行うことができる。
このように形成されたビットは、やはり媒体の走行ない
し回転下、上記の波長の読み出し光の反射光ないし透過
光、特に基体をとおしての反射光を検出することにより
読み出される。
なお、記録層に熱可塑性樹脂を用いるときには、−旦記
録層に形成したビットを光ないし熱で消去し、再書き込
みを行うこともできる。
また、記録および読み出し光としては、He−Neレー
ザー等を用いることもできる。
本発明の媒体は、走行ないし回転下において、記録光を
好ましくは基体裏面側からパルス状に照射する。 この
とき、記録層中の色素が発熱融解し、ビットが形成され
る。
■ 発明の具体的効果 ■ 発明の具体的実施例 本発明によれば、750.780.830nm等の波長
の半導体レーザー、発光ダイオードを用いて、きわめて
感度の高い書き込みを行うことができる。
また、きわめて良好な形状のビットを形成することがで
き、しかも、塗膜性が良好であり、基体をとおしての反
射率が他のシアニンやNi、Ptジチオール錯体と比較
してきわめて高いので、読み出しのS/NやC/Nもき
わめて高い。
さらに、熱などに対する安全性が高く、生保存性が良く
、書き込み特性の劣化が少ない。
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
実施例1 上記色素No、  1の1重量部を、シクロヘキサノン
−ジクロロエタン(1: 1)200重量部に溶解した
のち、直径15cmのアクリル樹脂ディスク基板上に、
0.047aの厚さに塗布設層して、本発明の媒体を得
た。
これとは別に比較のため、下記色素Aを用い 上記と同
様にして、比較用の媒体を得た。
CβO4− このようにして作成した2つの媒体につき、これを18
00 rpmで回転させながら、AAGaAs−GaA
s半導体レーザー記録光(830nm)を1pφに集光
しく集光部10mW)、所定周波数で、基板をとおして
パルス列状に照射した。
両媒体につき、基板側から書き込み光のパルス幅を変更
して照射し、消光比2.5が得られるパルス幅を測定し
、その逆数をとって、書き込み感度とした。 結果を表
1に示す。
この場合、消光比は、後述の読み出し光の反射率のビッ
ト部における減衰度である。
結果を表1に示す。
なお、表1には、830r+mにおける反射率が併記さ
れる。
表    ■ 色素       Di       A感度(n 5
ee−’)   IX 10−”以上 LX 10−”
以上C/N(dB)     52     40基板
側からの   31     9 表面反射率(%) 表1に示される結果から、本発明の媒体が、書き込み感
度および読み出しのC/Nがきわめて高いことがわかる
実施例2 実施例1の色素を下記表2に示されるものにかえ、実施
例1と同様に、感度およびC/Nを測定した。
結果を表2に示す。
なお、表2には、使用した書き込みおよび読み出し用の
半導体レーザーの波長が表2に示される。
また、表2中、Coatは塗布、Evapは蒸着によっ
て記録層を形成したことを示し、記録層厚はともに0.
07−とした。
さらに比較用の色素B−Dの構造は下記のとおりである
表2に示される結果から、本発明の効果があきらかであ
る。
なお、各媒体につき、書き込み後に暗中にて、60℃、
相対湿度90%の条件下で、500時間保存したC/N
比を測定したところ、本発明の媒体は、比較用の媒体と
比較して、格段と高い保存性を示した。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基体上に、下記式[ I ]で示される光吸収色素
    を含む記録層を有することを特徴とする光記録媒体。 式[ I ] φ^+−L=ψ(X^−)_m {上式[ I ]において、 φ^+およびψは、それぞれ4、5−ベンゾインドレニ
    ン環残基を表わす。 Lは、シアニン色素を形成するための連結基を表わす。 ただし、4、5−ベンゾインドレニン環の 1−位および3−位に計3個のメチル基が結合するとき
    には、Lが▲数式、化学式、表等があります▼と なることはない。 X^−は陰イオンを表わす。 mは0または1の整数である。}
  2. (2)透明非着色基体上に、光吸収色素を含む記録層を
    有する光記録媒体において、前記光吸収色素として下記
    式[II]で示されるシアニン色素を用い、読み出しのC
    /Nを向上させたことを特徴とする光記録方法。 式[II] φ^+−L=ψ(X^−)_m {上式[ I ]において、 φ^+およびψは、それぞれ4、5−ベンゾインドレニ
    ン環残基を表わす。 Lは、シアニン色素を形成するための連結基を表わす。 X^−は陰イオンを表わす。 mは0または1の整数である。}
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