JPH0118906B2 - - Google Patents
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- JPH0118906B2 JPH0118906B2 JP56089068A JP8906881A JPH0118906B2 JP H0118906 B2 JPH0118906 B2 JP H0118906B2 JP 56089068 A JP56089068 A JP 56089068A JP 8906881 A JP8906881 A JP 8906881A JP H0118906 B2 JPH0118906 B2 JP H0118906B2
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明はピペラジンフエニルエステル誘導体お
よびこれを用いた液晶組成物に関するものであ
る。 ネマチツク又はネマチツク―コレステリツク液
晶物質は電場の影響下で光散乱、複屈折、反射能
又は色などの光学的性質が著しく変化する特性を
示すことで、電気光学的表示素子として広く利用
されている。この様な表示機能は、例えばねじれ
セル(twisted cell)中のシヤツト―ヘルフリツ
ヒ効果、整列相の歪、動的散乱現象またはコレス
テリツク―ネマチツク相転移などに基づいてい
る。 これらの効果を電気光学的表示素子として工業
的に利用する為には、種々の要求に応じ得る液晶
組成物が必要となる。ここで特に重要とされるの
は湿気や空気及び物理的影響(例えば熱、赤外、
可視又は紫外部領域の光の輻射、及び直流又は交
流電場)に対する化学的安定性である。更に工業
的に使用し得る液晶組成物としては、少なくとも
0℃乃至50℃の温度範囲、好ましくは−30℃乃至
85℃以上の温度範囲に於て液晶メゾフエイズとし
て存在し、周囲温度での粘度が低いものが要求さ
れる。しかし公知の化合物中には要求される温度
範囲で液晶ネマチツクメゾフエイズを示す単一化
合物は今のところ見当らない。従つて一般には液
晶誘導体として使用し得る物質を得る為に2種又
はそれ以上の化合物を混合することが行なわれて
いる。この目的には通常1種は低融点、低清澄点
の成分、他の1種はそれよりも明らかに高い融
点、高い清澄点を有する成分からなる少なくとも
2種以上の成分を混合する。 本発明の目的は、要求される温度範囲でネマチ
ツク相を示し、かつネマチツク温度範囲を一層拡
げるに有用な液晶組成物を具体化することにあ
る。 本発明者らは一般式(1) 〔式中XはCoH2o+1でありnが3〜7の整数値
から選ばれたアルキル基を表わす〕で示される新
規なピペラジンフエニルエステル誘導体が液晶組
成物製造用の基礎材料として極めて有用であるこ
とを見出した。 一般式(1)で示される本発明のピペラジンフエニ
ルエステル誘導体の合成は通常の方法で製造し得
る。すなわち、4―ブロムアニリンとN―アルキ
ル―ビス(β―クロロエチルアミン)とからN―
(4―ブロムフエニル)―N′―2―アルキルピペ
ラジンを得、それをシアン化第1銅によりN―
(4―シアノフエニル)―N′―n―アルキルピペ
ラジンとした後、加水分解により4―(N―
(N′―n―アルキルピペラジン))安息香酸を経
て、4―シアノフエノールと反応させて製造され
る。 以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明
するが、これらは本発明を限定するものではな
い。 4―ブロムアニリン1.5当量とN―ブチル―ビ
ス―(βクロロエチルアニリン)1当量とをメタ
ノール溶媒中で16時間還流した後、溶媒を留去
し、次いで水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和
し、ベンゼンで抽出する。更にカラムクロマトグ
ラフイー(充填剤;アルミナ、展開液:石油エー
テル)で精製後、メタノールから再結晶をくり返
してN―(4―ブロムフエニル)―N′―n―ブ
チルピペラジンを得る。これを5当量のシアン化
第1銅によりシアノ化して、N―(4―シアノフ
エニル)―N′―n―ブチルピペラジンとする。
これにエタノール及び水酸化カリウム水溶液を加
えて、12時間還流した後、冷却し、塩酸を加え、
析出した結晶をロ別して4―(N―(N′―n―
ブチルピペラジン))安息香酸―塩酸塩を得る。
これに当量の五塩化リンにより酸クロリドとした
後、少量の冷炭酸カリウム水溶液を加え中和し、
ベンゼンにより抽出し、無水炭酸カリウムにて乾
燥後ロ別し、ロ液に少量のピリジンと当量の4―
シアノフエノールを加えて4時間還流する。冷却
後、反応液を炭素水素ナトリウム水溶液、飽和塩
化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、エタノールか
らの再結晶を繰返して精製を行ない、4―n―ブ
チルピペラジン安息香酸―4′―シアノフエニルエ
ステルを得た。この化合物の液晶メゾフエイズ転
移温度は、固体―ネマチツク転移が110.3℃、ネ
マチツク―等方性液体転移が202.4℃であつた。 同様にして、以下のピペラジンフエニルエステ
ル誘導体を製造することが出来る。 4―n―プロピルピペラジン安息香酸―4′―シ
アノフエニルエステル、4―n―ペンチルピペラ
ジン安息香酸―4′―シアノフエニルエステル、4
―n―ヘキシルピペラジン安息香酸―4′―シアノ
フエニルエステル、4―n―ヘプチルピペラジン
安息香酸―4′―シアノフエニルエステル。 これら製造した化合物は赤外吸収スペクトルの
測定により同定を行いC≡N結合を2230cm-1、C
=0結合を1730cm-1、それに芳香環C―N結合を
1250cm-1に各々帰属する事が出来た。また元素分
析結果もC:72.35%(理論値:72.70%)、H:
6.87%(理論値:6.93%)N:11.50%(理論値:
11.56%)でほゞ一致した。 第1表に、本発明により製造したピペラジンフ
エニルエステル誘導体の液晶メゾフエイズの転移
温度と、相転移時の熱量の一例を示した。但し表
中、Cは固相、Nはネマチツク相、Iは等方性液
体相であることを示し、併せて( )内に相転移
の熱量をkcal/mol単位で示した。
よびこれを用いた液晶組成物に関するものであ
る。 ネマチツク又はネマチツク―コレステリツク液
晶物質は電場の影響下で光散乱、複屈折、反射能
又は色などの光学的性質が著しく変化する特性を
示すことで、電気光学的表示素子として広く利用
されている。この様な表示機能は、例えばねじれ
セル(twisted cell)中のシヤツト―ヘルフリツ
ヒ効果、整列相の歪、動的散乱現象またはコレス
テリツク―ネマチツク相転移などに基づいてい
る。 これらの効果を電気光学的表示素子として工業
的に利用する為には、種々の要求に応じ得る液晶
組成物が必要となる。ここで特に重要とされるの
は湿気や空気及び物理的影響(例えば熱、赤外、
可視又は紫外部領域の光の輻射、及び直流又は交
流電場)に対する化学的安定性である。更に工業
的に使用し得る液晶組成物としては、少なくとも
0℃乃至50℃の温度範囲、好ましくは−30℃乃至
85℃以上の温度範囲に於て液晶メゾフエイズとし
て存在し、周囲温度での粘度が低いものが要求さ
れる。しかし公知の化合物中には要求される温度
範囲で液晶ネマチツクメゾフエイズを示す単一化
合物は今のところ見当らない。従つて一般には液
晶誘導体として使用し得る物質を得る為に2種又
はそれ以上の化合物を混合することが行なわれて
いる。この目的には通常1種は低融点、低清澄点
の成分、他の1種はそれよりも明らかに高い融
点、高い清澄点を有する成分からなる少なくとも
2種以上の成分を混合する。 本発明の目的は、要求される温度範囲でネマチ
ツク相を示し、かつネマチツク温度範囲を一層拡
げるに有用な液晶組成物を具体化することにあ
る。 本発明者らは一般式(1) 〔式中XはCoH2o+1でありnが3〜7の整数値
から選ばれたアルキル基を表わす〕で示される新
規なピペラジンフエニルエステル誘導体が液晶組
成物製造用の基礎材料として極めて有用であるこ
とを見出した。 一般式(1)で示される本発明のピペラジンフエニ
ルエステル誘導体の合成は通常の方法で製造し得
る。すなわち、4―ブロムアニリンとN―アルキ
ル―ビス(β―クロロエチルアミン)とからN―
(4―ブロムフエニル)―N′―2―アルキルピペ
ラジンを得、それをシアン化第1銅によりN―
(4―シアノフエニル)―N′―n―アルキルピペ
ラジンとした後、加水分解により4―(N―
(N′―n―アルキルピペラジン))安息香酸を経
て、4―シアノフエノールと反応させて製造され
る。 以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明
するが、これらは本発明を限定するものではな
い。 4―ブロムアニリン1.5当量とN―ブチル―ビ
ス―(βクロロエチルアニリン)1当量とをメタ
ノール溶媒中で16時間還流した後、溶媒を留去
し、次いで水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和
し、ベンゼンで抽出する。更にカラムクロマトグ
ラフイー(充填剤;アルミナ、展開液:石油エー
テル)で精製後、メタノールから再結晶をくり返
してN―(4―ブロムフエニル)―N′―n―ブ
チルピペラジンを得る。これを5当量のシアン化
第1銅によりシアノ化して、N―(4―シアノフ
エニル)―N′―n―ブチルピペラジンとする。
これにエタノール及び水酸化カリウム水溶液を加
えて、12時間還流した後、冷却し、塩酸を加え、
析出した結晶をロ別して4―(N―(N′―n―
ブチルピペラジン))安息香酸―塩酸塩を得る。
これに当量の五塩化リンにより酸クロリドとした
後、少量の冷炭酸カリウム水溶液を加え中和し、
ベンゼンにより抽出し、無水炭酸カリウムにて乾
燥後ロ別し、ロ液に少量のピリジンと当量の4―
シアノフエノールを加えて4時間還流する。冷却
後、反応液を炭素水素ナトリウム水溶液、飽和塩
化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、エタノールか
らの再結晶を繰返して精製を行ない、4―n―ブ
チルピペラジン安息香酸―4′―シアノフエニルエ
ステルを得た。この化合物の液晶メゾフエイズ転
移温度は、固体―ネマチツク転移が110.3℃、ネ
マチツク―等方性液体転移が202.4℃であつた。 同様にして、以下のピペラジンフエニルエステ
ル誘導体を製造することが出来る。 4―n―プロピルピペラジン安息香酸―4′―シ
アノフエニルエステル、4―n―ペンチルピペラ
ジン安息香酸―4′―シアノフエニルエステル、4
―n―ヘキシルピペラジン安息香酸―4′―シアノ
フエニルエステル、4―n―ヘプチルピペラジン
安息香酸―4′―シアノフエニルエステル。 これら製造した化合物は赤外吸収スペクトルの
測定により同定を行いC≡N結合を2230cm-1、C
=0結合を1730cm-1、それに芳香環C―N結合を
1250cm-1に各々帰属する事が出来た。また元素分
析結果もC:72.35%(理論値:72.70%)、H:
6.87%(理論値:6.93%)N:11.50%(理論値:
11.56%)でほゞ一致した。 第1表に、本発明により製造したピペラジンフ
エニルエステル誘導体の液晶メゾフエイズの転移
温度と、相転移時の熱量の一例を示した。但し表
中、Cは固相、Nはネマチツク相、Iは等方性液
体相であることを示し、併せて( )内に相転移
の熱量をkcal/mol単位で示した。
【表】
次に、このようにして製造した本発明のピペラ
ジンフエニルエステル誘導体が液晶組成物製造用
の基礎材料として極めて有用であり、特に低融
点、低清澄点を示す液晶誘電体と混合して用いる
ことにより、液晶ネマチツクメゾフエイズを示す
温度範囲を拡げ、かつあまり粘度を高くしないと
いう点できわめて有用である事を見出した。本発
明に係るピペラジンフエニルエステル誘導体の有
用性を一層具体化する様に、その一例を第2表に
示す。尚低融点、低清澄点を示す液晶誘電体とし
て の混合物(液晶誘電体Aと記す)を用いた。
ジンフエニルエステル誘導体が液晶組成物製造用
の基礎材料として極めて有用であり、特に低融
点、低清澄点を示す液晶誘電体と混合して用いる
ことにより、液晶ネマチツクメゾフエイズを示す
温度範囲を拡げ、かつあまり粘度を高くしないと
いう点できわめて有用である事を見出した。本発
明に係るピペラジンフエニルエステル誘導体の有
用性を一層具体化する様に、その一例を第2表に
示す。尚低融点、低清澄点を示す液晶誘電体とし
て の混合物(液晶誘電体Aと記す)を用いた。
【表】
【表】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
新規なピペラジンフエニルエステル誘導体は、液
晶組成物製造用の基礎材料として極めて有用であ
り、得られた液晶組成物も液晶ネマチツクメゾフ
エイズを示す温度範囲が広く、工業的価値の大な
るものである。
新規なピペラジンフエニルエステル誘導体は、液
晶組成物製造用の基礎材料として極めて有用であ
り、得られた液晶組成物も液晶ネマチツクメゾフ
エイズを示す温度範囲が広く、工業的価値の大な
るものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中XはCoH2o+1であり、nが3〜7の整数
値から選ばれたアルキル基を表わす〕で示される
ピペラジンフエニルエステル誘導体。 2 少くとも低融点、低清澄点の第1の液晶誘電
体とこの第1の液晶誘電体より高融点、高清澄点
の第2の液晶誘電体を含み、前記第2の液晶誘電
体として一般式 〔式中XはCoH2o+1であり、nが3〜7の整数
値から選ばれたアルキル基を表わす〕で示される
ピペラジンフエニルエステル誘導体を用いた液晶
組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56089068A JPS57206672A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Piperazine phenyl ester derivative and liquid crystal composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56089068A JPS57206672A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Piperazine phenyl ester derivative and liquid crystal composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57206672A JPS57206672A (en) | 1982-12-18 |
JPH0118906B2 true JPH0118906B2 (ja) | 1989-04-07 |
Family
ID=13960531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56089068A Granted JPS57206672A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Piperazine phenyl ester derivative and liquid crystal composition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57206672A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7622056B2 (en) * | 2006-12-06 | 2009-11-24 | Industrial Technology Research Institute | High dielectric anisotropy liquid crystal compound and composition containing the same |
-
1981
- 1981-06-10 JP JP56089068A patent/JPS57206672A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57206672A (en) | 1982-12-18 |
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