JPH01183177A - 超伝導セラミック素子 - Google Patents
超伝導セラミック素子Info
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- JPH01183177A JPH01183177A JP63008057A JP805788A JPH01183177A JP H01183177 A JPH01183177 A JP H01183177A JP 63008057 A JP63008057 A JP 63008057A JP 805788 A JP805788 A JP 805788A JP H01183177 A JPH01183177 A JP H01183177A
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超伝導セラミックスと超伝導セラミックス
とをレーザビームで接合した超伝導セラミック素子に関
するものである。
とをレーザビームで接合した超伝導セラミック素子に関
するものである。
従来、セラミックスとセラミックスとを接合し、レーザ
ビームで溶接する技術はセラミックス自体の接合であり
、セラミックスの有する耐薬品侵蝕性や耐高温度性を持
たせるためのものであった。
ビームで溶接する技術はセラミックス自体の接合であり
、セラミックスの有する耐薬品侵蝕性や耐高温度性を持
たせるためのものであった。
このため超伝導セラミックスと超伝導セラミックスとを
接合して超伝導セラミック素子を得ることは不可能であ
るという問題点があった。
接合して超伝導セラミック素子を得ることは不可能であ
るという問題点があった。
したがって、超伝導セラミックスと超伝導セラミックス
とを接合した接合部の常伝導体、半導体、絶縁体、超伝
導体等の電気的特性を利用してジョセフソンジャンクシ
ョンやスクイドを構成したものは皆無であった。
とを接合した接合部の常伝導体、半導体、絶縁体、超伝
導体等の電気的特性を利用してジョセフソンジャンクシ
ョンやスクイドを構成したものは皆無であった。
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、超伝導セラミックスと超伝導セラミックスとを当
接してレーザビームで溶着することにより超伝導セラミ
ック素子を得ることを目的とする。
ので、超伝導セラミックスと超伝導セラミックスとを当
接してレーザビームで溶着することにより超伝導セラミ
ック素子を得ることを目的とする。
この発明にかかる超伝導セラミック素子は、超伝導セラ
ミックスと超伝導セラミックスとを当接し、この当接部
分の少なくとも一部をレーザビームで照射することによ
り溶着して電気的特性を有する接合部を形成したもので
ある。
ミックスと超伝導セラミックスとを当接し、この当接部
分の少なくとも一部をレーザビームで照射することによ
り溶着して電気的特性を有する接合部を形成したもので
ある。
この発明においては、超伝導セラミックスと超伝導セラ
ミックスとを接合し、その少なくとも一部を溶着するこ
とにより超伝導セラミック素子としての電気的特性が発
生する。
ミックスとを接合し、その少なくとも一部を溶着するこ
とにより超伝導セラミック素子としての電気的特性が発
生する。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略斜視図で、１は
レーザビーム、２は集光レンズ、３Ａ。
レーザビーム、２は集光レンズ、３Ａ。
３Ｂは超伝導セラミックス、４は前記各超伝導セラミッ
クス３Ａ、３Ｂを当接したことによって形成された接合
部、５は前記接合部４にレーザビーム１を照射すること
により形成された溶着部、６は前記超伝導セラミックス
３Ａ、３Ｂを接合し、溶着して形成された超伝導セラミ
ック素子である。
クス３Ａ、３Ｂを当接したことによって形成された接合
部、５は前記接合部４にレーザビーム１を照射すること
により形成された溶着部、６は前記超伝導セラミックス
３Ａ、３Ｂを接合し、溶着して形成された超伝導セラミ
ック素子である。
なお、超伝導セラミックス３Ａ、３Ｂはバリウム、イツ
トリウム、銅系の材料からなるものであるが、各超伝導
セラミックス３Ａ、３Ｂは同種の材料に限定されず、異
種の超伝導セラミックスであってもよい。
トリウム、銅系の材料からなるものであるが、各超伝導
セラミックス３Ａ、３Ｂは同種の材料に限定されず、異
種の超伝導セラミックスであってもよい。
次に、製造方法について説明する。
各超伝導セラミックス３Ａ、３Ｂを互いに当接して接合
部４を形成し、この接合部４の一部を集光レンズ２で集
光されたレーザビーム１で照射して溶融することにより
溶着部５を形成し、これにより超伝導セラミック素子６
が構成される。
部４を形成し、この接合部４の一部を集光レンズ２で集
光されたレーザビーム１で照射して溶融することにより
溶着部５を形成し、これにより超伝導セラミック素子６
が構成される。
また、接合部４にレーザビーム１を照射して、超伝導体
、常伝導体、半導体、絶縁体等の電気的特性を備えるこ
とによりジョセフソンジャンクションやスクイド等の超
伝導セラミック素子が構成される。
、常伝導体、半導体、絶縁体等の電気的特性を備えるこ
とによりジョセフソンジャンクションやスクイド等の超
伝導セラミック素子が構成される。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は超伝導セラミック素子６の溶着
部５の態様を示す斜視図で、第１図と同一符号は同一部
分を示し、第２図（ａ）は超伝導セラミックス３Ａ、３
Ｂの表、裏（図面では上。
部５の態様を示す斜視図で、第１図と同一符号は同一部
分を示し、第２図（ａ）は超伝導セラミックス３Ａ、３
Ｂの表、裏（図面では上。
下）面の接合部４に溶着部５を形成したもの、第２図（
ｂ）は表面の接合部４のみに溶着部５を形成したもの、
第２図（Ｃ）は表面の接合部４の一部に溶着部５を形成
したものである。
ｂ）は表面の接合部４のみに溶着部５を形成したもの、
第２図（Ｃ）は表面の接合部４の一部に溶着部５を形成
したものである。
第３図は超伝導セラミックス３Ａ、３Ｂを接合して構成
されたスクイドを示す平面図で、第１図と同一符号は同
一部分を示し、７はスクイドの全体を示す。
されたスクイドを示す平面図で、第１図と同一符号は同
一部分を示し、７はスクイドの全体を示す。
また、溶接時のガス雰囲気は活性、不活性、減圧、加圧
等が適用でき、レーザビーム１の出力は接合する超伝導
セラミックス３Ａ、３Ｂの材料の大きさ、厚さ等の条件
により出力、照射時間、照射速度のパラメータを選択す
る。そして、必要に応じて、各超伝導セラミックス３の
接合部４に絶縁体、超伝導体、常伝導体等の原料あるい
は微粒子、薄膜等を挿入して接合する。これらの条件の
組み合わせにより接合部４に所要の超伝導セラミック素
子６としての機能をもたせる。
等が適用でき、レーザビーム１の出力は接合する超伝導
セラミックス３Ａ、３Ｂの材料の大きさ、厚さ等の条件
により出力、照射時間、照射速度のパラメータを選択す
る。そして、必要に応じて、各超伝導セラミックス３の
接合部４に絶縁体、超伝導体、常伝導体等の原料あるい
は微粒子、薄膜等を挿入して接合する。これらの条件の
組み合わせにより接合部４に所要の超伝導セラミック素
子６としての機能をもたせる。
具体的な方法として、２個のバリウム、イツトリウム、
銅系の超伝導セラミックス３Ａ、３Ｂを当接してから直
径０．２ｍｍ、出力２０Ｗのレーザビーム１を１００ｍ
ｍ／ｓｅＣ〜１０ｍ／ＳｅＣの速度で照射することによ
り超伝導セラミック素子６が形成される。
銅系の超伝導セラミックス３Ａ、３Ｂを当接してから直
径０．２ｍｍ、出力２０Ｗのレーザビーム１を１００ｍ
ｍ／ｓｅＣ〜１０ｍ／ＳｅＣの速度で照射することによ
り超伝導セラミック素子６が形成される。
以上説明したようにこの発明は、超伝導セラミックスと
超伝導セラミックスとを当接し、この当接部分の少なく
とも一部をレーザビームで照射することにより溶着して
電気的特性を有する接合部を形成したので、安価で高品
質の超伝導セラミック素子が得られる利点を有する。
超伝導セラミックスとを当接し、この当接部分の少なく
とも一部をレーザビームで照射することにより溶着して
電気的特性を有する接合部を形成したので、安価で高品
質の超伝導セラミック素子が得られる利点を有する。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略斜視図、第２図
（ａ）〜（Ｃ）はいずれも超伝導セラミック素子の溶着
部の態様を示す斜視図、第３図はスクイドを示す平面図
である。 図中、１はレーザビーム、２は集光レンズ、３Ａ、３Ｂ
は超伝導セラミックス、４は接合部、５３Ａ
、ｊＢ １図 第３図
（ａ）〜（Ｃ）はいずれも超伝導セラミック素子の溶着
部の態様を示す斜視図、第３図はスクイドを示す平面図
である。 図中、１はレーザビーム、２は集光レンズ、３Ａ、３Ｂ
は超伝導セラミックス、４は接合部、５３Ａ
、ｊＢ １図 第３図
Claims (1)
- 超伝導セラミックスと超伝導セラミックスとを当接し
、この当接部分の少なくとも一部をレーザビームで照射
することにより溶着して電気的特性を有する接合部を形
成したことを特徴とする超伝導セラミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008057A JPH01183177A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 超伝導セラミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008057A JPH01183177A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 超伝導セラミック素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183177A true JPH01183177A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11682702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63008057A Pending JPH01183177A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 超伝導セラミック素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183177A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239157A (en) * | 1990-10-31 | 1993-08-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Superconducting accelerating tube and a method for manufacturing the same |
| US5239156A (en) * | 1991-09-27 | 1993-08-24 | General Electric Company | Apparatus and method for laser joining of superconducting tapes |
| US6269531B1 (en) * | 1998-08-10 | 2001-08-07 | Electro Componentes Mexicana S.A. De C.V. | Method of making high-current coils |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720486A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Superconductive integrated circuit and preparation thereof |
| JPS60173888A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導体薄膜及びその形成法 |
| JPS6110286A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Fujitsu Ltd | バンプ形成方法 |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP63008057A patent/JPH01183177A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720486A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Superconductive integrated circuit and preparation thereof |
| JPS60173888A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導体薄膜及びその形成法 |
| JPS6110286A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Fujitsu Ltd | バンプ形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239157A (en) * | 1990-10-31 | 1993-08-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Superconducting accelerating tube and a method for manufacturing the same |
| US5239156A (en) * | 1991-09-27 | 1993-08-24 | General Electric Company | Apparatus and method for laser joining of superconducting tapes |
| US6269531B1 (en) * | 1998-08-10 | 2001-08-07 | Electro Componentes Mexicana S.A. De C.V. | Method of making high-current coils |
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