JPS6110286A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPS6110286A JPS6110286A JP59131706A JP13170684A JPS6110286A JP S6110286 A JPS6110286 A JP S6110286A JP 59131706 A JP59131706 A JP 59131706A JP 13170684 A JP13170684 A JP 13170684A JP S6110286 A JPS6110286 A JP S6110286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- constriction
- narrow part
- metallic thin
- microbridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はジョセフソン素子等に用いられるサブミクロン
級の（びれ部を有するマイクロブリッジにバンプ（導電
層の隆起部）を形成する方法に関する。
級の（びれ部を有するマイクロブリッジにバンプ（導電
層の隆起部）を形成する方法に関する。
第３図は従来例によるマイクロブリッジの斜視図である
。
。
図において、基板ｌ上にサブミクロン程度の厚さの超伝
導金属薄膜２を蒸着し、中央部にサブミクロン程度の長
さ１、と幅Ｗのくびれを有する図示の形状のマイクロブ
リッジを電子線露光を用いたバター２−ングにより形成
する。
導金属薄膜２を蒸着し、中央部にサブミクロン程度の長
さ１、と幅Ｗのくびれを有する図示の形状のマイクロブ
リッジを電子線露光を用いたバター２−ングにより形成
する。
くびれの両側にインジウムを圧着して電流端子３．４と
、電圧端子５，６を形成する。
、電圧端子５，６を形成する。
上記構造のマイクロブリッジ型のジョセフソン素子を臨
界温度以下に下げ、くびれ部にマイクロ波を照射すると
ジョセフソン効果があられれ、第４図のようにジョセフ
ソン素子の電流Ｉ−電電圧時特性ジョセフソン・ステッ
プまたは５ｈａｐｐｉｒ。
界温度以下に下げ、くびれ部にマイクロ波を照射すると
ジョセフソン効果があられれ、第４図のようにジョセフ
ソン素子の電流Ｉ−電電圧時特性ジョセフソン・ステッ
プまたは５ｈａｐｐｉｒ。
５ｔｅｐと呼ばれる階段状の特性を示す。この場合者ス
テップの電圧Ｖは次式に示されるように、照射したマイ
クロ波の周波数ｆにより一義的に決まるので、電圧標準
として用いられる。
テップの電圧Ｖは次式に示されるように、照射したマイ
クロ波の周波数ｆにより一義的に決まるので、電圧標準
として用いられる。
ｖ−ｈｆ／２ｅ。
ここに、ｈはＰｌａｎｃｋ常数、ｅは素″１ｌｉｔ向を
あられす。
あられす。
このようなマイクロブリッジ構造においては、くびれ部
で超伝導が保持できなくなって常伝導になりジョセフソ
ン効果をあられす。ジョセフソン効果は常伝導領域が長
くなると起きなくなり、またくびれの形状によってあら
れれるジョセフソン・ステップの数が異なる。
で超伝導が保持できなくなって常伝導になりジョセフソ
ン効果をあられす。ジョセフソン効果は常伝導領域が長
くなると起きなくなり、またくびれの形状によってあら
れれるジョセフソン・ステップの数が異なる。
例えば超伝導材料として鉛（Ｐｂ）を用いると、臨界温
度７．２に以下で、照射したマイクロ波の周波数が１０
ＧＨｚで２０μν毎のステップが得られる。ステップ数
が１００であれば、１００倍の２ｍＶの電圧標準が得ら
れる。
度７．２に以下で、照射したマイクロ波の周波数が１０
ＧＨｚで２０μν毎のステップが得られる。ステップ数
が１００であれば、１００倍の２ｍＶの電圧標準が得ら
れる。
あるいは逆にステップの電圧Ｖを測定して照射したマイ
クロ波の周波数ｆを正確に知ることができる。
クロ波の周波数ｆを正確に知ることができる。
さらにＳ Ｑ Ｉ Ｑ （Ｓｕｐｅｒ （ｌｕａｎｔｕ
ｍ ＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅＤｅｖｉｃｅ）として生
体等よりでる微少磁場の測定に利用できる。
ｍ ＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅＤｅｖｉｃｅ）として生
体等よりでる微少磁場の測定に利用できる。
以上のようにマイクロブリッジ型のジョセフソン素子は
種々の用途に用いられるが、ジョセフソン・ステップの
数が多くなるような構造が望まれる。そのためにはくび
れ部の両側を厚くし、従来の１次元的なくびれを２次元
的なくびれにすればよいことが確かめられている。
種々の用途に用いられるが、ジョセフソン・ステップの
数が多くなるような構造が望まれる。そのためにはくび
れ部の両側を厚くし、従来の１次元的なくびれを２次元
的なくびれにすればよいことが確かめられている。
マイクロブリッジ構造において、くびれ部の微少寸法を
保持しζ、その両側を厚くする製造技術的に効果のある
簡易な方法はなかった。
保持しζ、その両側を厚くする製造技術的に効果のある
簡易な方法はなかった。
上記問題点の解決は、基板上に金属薄膜を被着し、該金
属薄膜をバターニングして中央部にくびれを有する金属
パターンを形成し、真空中で該金属パターンに電流を流
して該くびれ部分を溶断して該金属薄膜のバンプを形成
する本発明によるバンプ形成力法により達成される。
属薄膜をバターニングして中央部にくびれを有する金属
パターンを形成し、真空中で該金属パターンに電流を流
して該くびれ部分を溶断して該金属薄膜のバンプを形成
する本発明によるバンプ形成力法により達成される。
金属薄膜よりなるマイクロブリッジのくびれ部を、真空
中で電流を流してジュール熱により溶断すると、溶融し
た金属は表面張力により、くびれの両側に２個のバンプ
を形成する。
中で電流を流してジュール熱により溶断すると、溶融し
た金属は表面張力により、くびれの両側に２個のバンプ
を形成する。
形成された２個のバンプを覆って金属薄膜を被着してバ
ターニングすれば３次元のくびれは簡単に形成できる。
ターニングすれば３次元のくびれは簡単に形成できる。
また本発明により形成されたマイクロブリッジのバンプ
はジョセフソン素子の他に基板上のコネクタとして利用
できる。
はジョセフソン素子の他に基板上のコネクタとして利用
できる。
第１図は本発明によるマイクロブリフジの斜視図である
。
。
図において、基板１上に金属薄膜２としてサブミクロン
程度の厚さの超伝導薄膜を蒸着し、中央部にサブミクロ
ン程度の長さと幅を有するくびれの両側にバンプ７．８
が形成されている。
程度の厚さの超伝導薄膜を蒸着し、中央部にサブミクロ
ン程度の長さと幅を有するくびれの両側にバンプ７．８
が形成されている。
第２図は本発明によるマイクロブリッジの製造方法を工
程順に示す断面図である。図は第１図のＡ−Ａ断面を示
す。
程順に示す断面図である。図は第１図のＡ−Ａ断面を示
す。
第２図（８）において、基板１の上に、レジスト９を被
着し、電子線露光を用いてくびれ部の長さと幅がそれぞ
れ５０００人のマイクロブリッジの形状にバターニング
する。
着し、電子線露光を用いてくびれ部の長さと幅がそれぞ
れ５０００人のマイクロブリッジの形状にバターニング
する。
第２図（ｂｌにおいて、金属薄膜２として厚さ１０００
人の超伝導ｐｂ薄膜を蒸着し、５Ｘ１０−ｈの真空中で
くびれ部に０．５へのステップ状電流を流してくびれ部
を溶断してバンプ７．８を形成する。
人の超伝導ｐｂ薄膜を蒸着し、５Ｘ１０−ｈの真空中で
くびれ部に０．５へのステップ状電流を流してくびれ部
を溶断してバンプ７．８を形成する。
第２図ｔｅｌにおいて、マイクロブリッジ部を覆って金
属薄膜１０として厚さ１０００人の超伝導ｐｂｌ膜を蒸
着し、レジスト９上の金属薄膜１０をリフトオフすると
第１図に示されるマイクロブリッジを得ることができる
。
属薄膜１０として厚さ１０００人の超伝導ｐｂｌ膜を蒸
着し、レジスト９上の金属薄膜１０をリフトオフすると
第１図に示されるマイクロブリッジを得ることができる
。
以上詳細に説明したように本発明によれば、マイクロブ
リッジ構造において、くびれ部の微少寸法を保持して、
その両側を厚くする簡易で確実な方法が得られる。
リッジ構造において、くびれ部の微少寸法を保持して、
その両側を厚くする簡易で確実な方法が得られる。
第１図は本発明により製造されたマイクロブリッジの斜
視図、 第２図は本発明によるマイクロブリッジの製造方法を工
程順に示す断面図、 第３図は従来例によるマイクロブリッジの斜視図、 第４図はジョセフソン素子の電流−電圧特性を示す図で
ある。 図において、 ■は苓扱、 ２，１ｏは金属薄膜、３．４は
電流端子、 ５，６は電圧端子、７．８はバンプ、
９はレジスト を小ず。 ％１図 茅３開 夷２図
視図、 第２図は本発明によるマイクロブリッジの製造方法を工
程順に示す断面図、 第３図は従来例によるマイクロブリッジの斜視図、 第４図はジョセフソン素子の電流−電圧特性を示す図で
ある。 図において、 ■は苓扱、 ２，１ｏは金属薄膜、３．４は
電流端子、 ５，６は電圧端子、７．８はバンプ、
９はレジスト を小ず。 ％１図 茅３開 夷２図
Claims (1)
- 基板上に金属薄膜を被着し、該金属薄膜をパターニング
して中央部にくびれを有する金属パターンを形成し、真
空中で該金属パターンに電流を流して該くびれ部分を溶
断して該金属薄膜のバンプを形成することを特徴とする
バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131706A JPS6110286A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131706A JPS6110286A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110286A true JPS6110286A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0216029B2 JPH0216029B2 (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=15064296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59131706A Granted JPS6110286A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110286A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183177A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 超伝導セラミック素子 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106459441B (zh) * | 2014-05-21 | 2019-10-18 | 东洋纺株式会社 | 双轴拉伸聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜及其制造方法、以及阻气性层叠薄膜 |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP59131706A patent/JPS6110286A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183177A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 超伝導セラミック素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0216029B2 (ja) | 1990-04-13 |
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