JPH01175254A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01175254A
JPH01175254A JP62332504A JP33250487A JPH01175254A JP H01175254 A JPH01175254 A JP H01175254A JP 62332504 A JP62332504 A JP 62332504A JP 33250487 A JP33250487 A JP 33250487A JP H01175254 A JPH01175254 A JP H01175254A
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河原 行人
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聡 町田
Hiroshi Konakano
浩志 向中野
Masato Azuma
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ファクシミリ装置、ワープロ装置の如き、文
字、図形等の入出力機能を備えた装置に好適な半導体装
置に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、文字、図形等の画像の読取りを行なうための
複数のフォトセンサ素子と、所望の画像を印刷するため
の複数の印字素子をそれぞれ駆動するための複数の駆動
素子と、これらのフォトセンサ素子及び駆動素子を制御
するための制御回路を単一の基板上にICとして形成し
た半導体装置である。
〔従来の技術〕
近年、ファクシミリ装w、(以下、単にFAX装置とい
う)、ワープロ装置の如く、文字、図形の如き情報を画
像データとして読み込み、印刷する機能を備えた情報処
理装置が普及しつつある。従来のこれらの装置において
は、画像情報を電気信号に変換するためのフォトセンサ
、該フォトセンサからの出力信号を処理、制御するため
の論理回路、与えられた印刷データを所定の記録媒体に
印刷するための印字素子、該印字素子をし印刷データに
従って駆動するための駆動回路を備えているが、これら
の各ハードウェアはそれぞれ別体に作られ、ケース内に
組付けられていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、これらの装置の普及につれて、より小型で、よ
り低価格の装置が求められているため、各構成要素の一
体化、複合化が考慮されなければならない。
本発明の目的は、したがって、FAX装置、ワープロ装
置等のより一層の小型化及びコストの低減を実現しうる
半導体装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、本発明は、画像情報の読
み込みを行なうための複数のフォトセンサ素子と、印刷
素子を駆動するための駆動回路と、印刷データに応答し
上記駆動回路を制御すると共に上記フォトセンサ素子か
ら出力信号の処理を行なうための回路手段とが同一の基
板上に集積回路として構成したものである。
〔作用〕
1つの基板上に構成された半導体装置によって、画像情
報をフォトセンサにより電気的データに変換し、変換さ
れたデータがここで処理され、外部に出力することがで
きる。一方、印刷のためのデータを受取り、これに応答
して、例えばサーマルヘッドの如き印刷装置の駆動が駆
動回路を通して行われる。
〔実施例〕
以下、図示の実施例により本発明の詳細な説明する。
第1図には、本発明による半導体装置を、FAX装置用
の信号処理集積回路装置としてイメージセンサ部に組み
込んだ場合の一実施例が示されている。
イメージセンサ部lは、nビット分のラインイメージセ
ンサ2が単一の半導体基板3上に以下に述べる集積回路
半導体装置の一部として形成されたものであり、イメー
ジセンサ2を構成する各フォトセンサ素子2 +、 2
 g、”−・・−27は、半導体基板3上に整列配置さ
れた範囲ブロック31,3□、・・・・−・3.1内に
それぞれ配置され、ラインイメージセンサとして構成さ
れている。
単位ブロック35,3□l”−’−” 311は同一の
構成を有しており、単位ブロック3.が第2図に詳細に
示されている。第2図において、IL はD型フリップ
フロップ(以下、D−F/Fと称する)、12゜はナン
トゲート、13+、14+はインバータ、15.は公知
のスイッチ回路、16.はドライバー・トランジスタ、
21はフォトセンサ素子であるフォトトランジスタであ
る。
D−F/Fill のD入力は、外部から印刷データが
直列データとして印加されるデータ入力端子4に接続さ
れ、そのクロック端子CKは、外部から端子5を介して
入力される所定の周期のクロックパルスを受取っている
。ナントゲート121はDF/Fillの出力端子Qか
らの信号とクロックパルスとに応答し、クロックパルス
のレベルがr HJとなった時に出力端子Qのレベル状
態に応じた信号を取り出す、ナントゲート12.0出力
は、インバータ141を介して、ドライバー・トランジ
スタ161 のゲートに印加されている。ドライバー・
トランジスタ16+ のソースはアースされ、そのドレ
インは外部端子6.を介して、図示しない例えばサーマ
ルへラドの対応する発熱素子に接続されており、ドライ
バー・トランジスタ161のゲートに「I(」レベルの
信号が印加されることによってドライバー・トランジス
タ161がオン状態となったときに、その発熱素子に印
刷のための駆動電流を流しうるように構成されている。
一方、ナントゲート121の出力と、インバータ13、
によって得られたその反転出力とはスイッチ回路15.
に印加されており、ナンド回路12.の出力がrLJレ
ベルの場合にスイッチ回路151 が閉じられ、フォト
トランジスタ21のエミツタが出力共通線171 と導
通状態になる。出力共通線17゜は外部端子7と接続さ
れており、後述の如くして得られる各フォトセンサ素子
21+ 21.−−−−1.2 、の出力がビットシリ
アルな信号として、出力共通線171を通じて外部端子
7から出力される。
以上、1つの単位ブロック31の構成について述べたが
、だの単位ブロック3□〜3oも同一の構成であり、第
2図中点線で示されるところから示すように、これらの
単位ブロックはタンデムに接続されている。
すでに説明したように、各フォトセンサ素子21゜2□
、・−・・27はラインイメージセンサ2を構成してい
る。そして、各ドライバー・トランジスタ16゜〜16
.は図示しないサーマルヘッドの駆動を制御するための
駆動回路を構成し、その他の回路素子11、〜11. 
、12.〜12. 、13.〜13..14+〜141
1゜15、〜157は制御回路を構成している。
次に、イメージセンサ部1の動作について説明する。先
ず、ラインイメージセンサ2によって得られるnビット
の並列イメージデータを端子7がらビットシリアルなデ
ータとして取り出すための制御動作について説明すると
、端子4に(100・−・0)のnビットのシリアルデ
ータを与えて、これを端子5に印加するクロックパルス
の印加タイミングで順次読み込むことにより、スイッチ
回路15. 、15g+−・−4511が順次オンとな
り、フォトトランジスタ2 、 、2 、、−−−−−
−、2 、により得られた画素情報が出力端子7から出
力される。
なお、この場合、ドライバー・トランジスタ16h16
□、・−・・−16,lも順次オン状態となるが、例え
ば、サーマルヘッドの電源を予めオフとしておくことに
より、印刷動作を行なうのを防止することができる。
次に、端子4からビットシリアルな印刷データを入力し
、このデータに基づいてサーマルヘッドの駆動を行なう
場合の制御について説明すると、端子4に与えられた所
望の直列データを端子5に印されるクロックパルスによ
って読み込み、D−F/F11+〜11.によって構成
されるシストレジスタ内にnビットの所要の印刷データ
をストアする。これにより、各ドライバー・トランジス
タ161゜〜!611は対応するD−F/F内にストア
されたビット情報に応じてオン又はオフ状態とされ、サ
ーマルヘッドの各印刷素子を印刷データに応じて加熱し
、所望の印刷を行なうことができる。
なお、ドライバー・トランジスタ16+、〜167は、
上記シフトレジスタにおける情報の移動時においても作
動してしまうが、その移動時内は極めて短時間であるか
ら、通常は全く問題を生じないと考えられている。勿論
、シフトレジスタ内のデータの移動中に制御されないよ
うに、適宜公知の手段によって更なる印刷を行なう構成
としてもよい。
上述の構成によれば、イメージセンサ2のほか、印刷素
子の駆動を行なう駆動回路、及びこれらを制御するため
の回路を同一基板上に構成したので小型化を図ることが
でき、また、その素子は全て半導体素子を単結晶基板上
に集積回路として作るので、製造工程の簡素化によるコ
ストの低減を図ることができるものであり、小型、低価
格の装置を提供することが可能となる。
第3図には、第1図に示したイメージセンサ部1を、印
刷のための発熱素子アレイ20が形成されているセラミ
ック基板21上にN個直列に設け、各イメージセンサ部
1のドライバー出力端子61〜6、、を配線22によっ
て発熱素子アレイ20の各発熱素子に接続するようにし
た装置の例が示されている。
この装置の場合、発熱素子アレイ20の発熱による熱が
イメージセンサ部1に加えられることになるが、フォト
センサ素子としてフォトトランジスタを使用しているた
め、温度上昇による暗電流の上昇は極めて小さく、殆ん
ど問題を生じることがないものである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、同一の半導体集積回路プロセスによっ
て製造可能な回路部分をイメージセンサ部を同一の基板
上に形成したので、装置の小型化を図ることができるの
は勿論のこと、同一の製造プロセスで済むので、従来側
々に作っていたのに比べその製造コストを著しく低下さ
せることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるイメージセンサ部の一実施例の概
略図、第2図は第1図に示す単位ブロック内の構成を示
す回路図、第3図は第1図に示すイメージセンサ部をサ
ーマルヘッド部に搭載した場合の例を示す斜視図である
。 ■・・・・・イメージセンサ部 2・・・・・ラインイメージセンサ 21〜2、・・フォトセンサ素子 3・・・・・半導体基板 3.〜3,1・・単位ブロック 11+  ・・・・D型フリップフロップ(D−F/F
)12、・・・・ナントゲート 13+、I41  ・・インバータ 15、・・・・スイッチ回路 16+  ・・・・ドライバー・トランジスタ以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 Nイ尉 単発日月をサーマルへ・ソドと共1ご用いた斜視図第 
  3  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)画像情報の読み込みを行うための複数のフォトセ
    ンサ素子と、印刷素子を駆動するための駆動回路と、印
    刷データに応答し前記駆動回路を制御すると共に前記フ
    ォトセンサ素子からの出力信号の処理を行うための回路
    手段とが同一の基板上に集積回路として形成されて成る
    半導体装置。
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