JPH01165275A - イメージセンサーの暗電流除去回路 - Google Patents
イメージセンサーの暗電流除去回路Info
- Publication number
- JPH01165275A JPH01165275A JP62324722A JP32472287A JPH01165275A JP H01165275 A JPH01165275 A JP H01165275A JP 62324722 A JP62324722 A JP 62324722A JP 32472287 A JP32472287 A JP 32472287A JP H01165275 A JPH01165275 A JP H01165275A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phototransistor
- dark current
- current
- output
- image sensor
- Prior art date
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- Pending
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ファクシミリ装置等に用いるイメージセンサ
−の暗電流除去回路に関する。
−の暗電流除去回路に関する。
本発明は、イメージセンサ−の暗電流除去回路において
、暗電流検出用フォトトランジスタの出力を、カレント
ミラー回路によりイメージセンサ−用フォトトランジス
タの暗電流を除去するようにしたものである。
、暗電流検出用フォトトランジスタの出力を、カレント
ミラー回路によりイメージセンサ−用フォトトランジス
タの暗電流を除去するようにしたものである。
従来、暗電流除去回路はオペアンプの同相電圧除去比性
能を用いて行っていた。
能を用いて行っていた。
しかし、従来の暗電流除去回路は、構成回路が複雑であ
り、かつ、LSI化する時、大きな面積を必要とし、1
つのLSIに複数のイメージセンサ−が搭載された場合
、各イメージセンサ−に対応した正確な暗電流除去回路
がLSI化できないといった欠点があった。
り、かつ、LSI化する時、大きな面積を必要とし、1
つのLSIに複数のイメージセンサ−が搭載された場合
、各イメージセンサ−に対応した正確な暗電流除去回路
がLSI化できないといった欠点があった。
そこでこの発明は、従来の欠点を解決するため、簡単な
暗電流除去回路を得ることを目的としている。
暗電流除去回路を得ることを目的としている。
上記問題を解決するために、本発明は、暗電流検出用フ
ォトトランジスタの出力をカレントミラー回路に入力し
、イメージセンサ−用フォトトランジスタにカレントミ
ラー回路の出力を接続し、イメージセンサ−用フォトト
ランジスタの暗電流を除去するようにした。
ォトトランジスタの出力をカレントミラー回路に入力し
、イメージセンサ−用フォトトランジスタにカレントミ
ラー回路の出力を接続し、イメージセンサ−用フォトト
ランジスタの暗電流を除去するようにした。
以下に、本発明を図面に基づいて説明する。
第1図が本発明の実施例である。第1図において説明す
る。Trl とTr、はコレクターが正電源VDDに接
続されたフォトトランジスタである。
る。Trl とTr、はコレクターが正電源VDDに接
続されたフォトトランジスタである。
フォトトランジスタTrlはイメージセンサ−用フォト
トランジスタであり、入射光に対応した出力電流と暗電
流の和がI、として出力されている。
トランジスタであり、入射光に対応した出力電流と暗電
流の和がI、として出力されている。
フォトトランジスタTrよは暗電流検出用フォトトラン
ジスタであり、遮光されており、暗電流のみ■2として
出力されている。フォトトランジスタTr、のエミッタ
ーは、カレントミラー回路1を構成しているN−chM
OSトランジスタTr3のドレインに接続されている。
ジスタであり、遮光されており、暗電流のみ■2として
出力されている。フォトトランジスタTr、のエミッタ
ーは、カレントミラー回路1を構成しているN−chM
OSトランジスタTr3のドレインに接続されている。
フォトトランジスタTr、のエミッターはカレントミラ
ー回路1を構成している。もう片方のN−chMO3)
ランジスタTraのドレインとゲートに接続される。
ー回路1を構成している。もう片方のN−chMO3)
ランジスタTraのドレインとゲートに接続される。
N−chMO3)ランジスタTrsとTr、のゲートは
互いに接続されている。
互いに接続されている。
次に動作を説明する。説明を簡単にするため、フォトト
ランジスタTrl とフォトトランジスタTryのサイ
ズは同一とし、又、N−chMOsトランジスタTr3
とTr、のサイズも同一とする。光が入射されていない
時、フォトトランジスタTr、と7rlの出力電流は暗
電流のみになる。
ランジスタTrl とフォトトランジスタTryのサイ
ズは同一とし、又、N−chMOsトランジスタTr3
とTr、のサイズも同一とする。光が入射されていない
時、フォトトランジスタTr、と7rlの出力電流は暗
電流のみになる。
すなわち、ll−1,となる、又、N−chM。
STr、のドレイン電流I、はカレントミラー回路構成
になっているため、L”Itとなる。従って、出力電流
I0は、10 =l、−■、であるから、Ia=Ig
Iz=Oとなり、暗電流は出力されない、又、フォ
トトランジスタTrlに光が入射された場合は、1.:
1.となり、出力電流I0は1o=I+ rzとな
る。従って、出力電流I0には暗電流を含んでいない。
になっているため、L”Itとなる。従って、出力電流
I0は、10 =l、−■、であるから、Ia=Ig
Iz=Oとなり、暗電流は出力されない、又、フォ
トトランジスタTrlに光が入射された場合は、1.:
1.となり、出力電流I0は1o=I+ rzとな
る。従って、出力電流I0には暗電流を含んでいない。
以上のように、暗電流検出用フォトトランジスタとカレ
ントミラー回路との簡単な構成で暗電流を除去できる。
ントミラー回路との簡単な構成で暗電流を除去できる。
又、本実施例において、フォトトランジスタTr1とT
r x、 N −c h M OS トランジスタT
r3とTr、は同一サイズとしたが、暗電流を除去でき
るものであれば同一サイズである必要はなく、製造上最
適なサイズにすればよい。
r x、 N −c h M OS トランジスタT
r3とTr、は同一サイズとしたが、暗電流を除去でき
るものであれば同一サイズである必要はなく、製造上最
適なサイズにすればよい。
本発明は、以上説明したように、暗電流検出用フォトト
ランジスタとカレントミラー回路の簡単な回路構成によ
り、イメージセンサ−の暗電流を除去する効果がある。
ランジスタとカレントミラー回路の簡単な回路構成によ
り、イメージセンサ−の暗電流を除去する効果がある。
第1図は本発明の実施例を示す回路図である。
1・・・・・カレントミラー回路
Trl ・・・イメージセンサ−用
フォトトランジスタ
Tr2 ・・・暗電流検出用フォトトランジスタTr3
・・・N−ChMOSトランジスタTr4 ・・・N
−ChMOSトランジスタ以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 本イむ日月の[n路び4 第1図
・・・N−ChMOSトランジスタTr4 ・・・N
−ChMOSトランジスタ以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 本イむ日月の[n路び4 第1図
Claims (1)
- フォトトランジスタを用いたイメージセンサーにおい
て、暗電流検出用フォトトランジスタと、前記暗電流検
出用フォトトランジスタの出力により駆動され、イメー
ジセンサー用フォトトランジスタ出力に接続されたカレ
ントミラー回路とで構成されたことを特徴とするイメー
ジセンサーの暗電流除去回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62324722A JPH01165275A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | イメージセンサーの暗電流除去回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62324722A JPH01165275A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | イメージセンサーの暗電流除去回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01165275A true JPH01165275A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18168979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62324722A Pending JPH01165275A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | イメージセンサーの暗電流除去回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01165275A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100436074B1 (ko) * | 1999-03-26 | 2004-06-12 | 샤프 가부시키가이샤 | 안정한 저전압동작이 가능한 증폭형 고체촬상장치용출력회로 |
CN101806619A (zh) * | 2010-03-24 | 2010-08-18 | 黄浚豪 | 可消除暗电流的光感测装置 |
JP2011238856A (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2020115570A (ja) * | 2015-03-24 | 2020-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP62324722A patent/JPH01165275A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100436074B1 (ko) * | 1999-03-26 | 2004-06-12 | 샤프 가부시키가이샤 | 안정한 저전압동작이 가능한 증폭형 고체촬상장치용출력회로 |
CN101806619A (zh) * | 2010-03-24 | 2010-08-18 | 黄浚豪 | 可消除暗电流的光感测装置 |
JP2011238856A (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Canon Inc | 光電変換装置 |
US8835828B2 (en) | 2010-05-12 | 2014-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
JP2020115570A (ja) * | 2015-03-24 | 2020-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
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