JPH01161618A - 超電導体線材の製造方法 - Google Patents
超電導体線材の製造方法Info
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- JPH01161618A JPH01161618A JP62320401A JP32040187A JPH01161618A JP H01161618 A JPH01161618 A JP H01161618A JP 62320401 A JP62320401 A JP 62320401A JP 32040187 A JP32040187 A JP 32040187A JP H01161618 A JPH01161618 A JP H01161618A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は芯線に酸化物超電導体を被覆した超電導体線材
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、Ｂａ −Ｌａ −Ｃｕ −０系の層状ペロブスカ
イト型の酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあるこ
とが発表されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行
なわれている。その中でもＹ−ＢＢ −Ｃｕ −０系で
代表される酸素欠陥を有する欠陥ペロブスカイト型（Ｌ
ｎ Ｂａ ２ Ｃｕ ３Ｏ７−ａ型）（δは酸素欠陥を
表わし通常１以下の数、ＡはＹ、Ｌａｓ Ｓｃｓ Ｎｄ
、Ｓｓ、Ｅｕｓ Ｇｄ５Ｄ ｙ 、 Ｈｏ ｓ Ｅ ｒ
ｓ Ｔｓ ｓ ＹｂおよびＬｕから選ばれた少なくと
も１種の元素、Ｂａの一部はＳｒなどで置換可能）の酸
化物超電導体は、臨界温度が９０に以上と液体窒素の沸
点以上の高い温度を示すため非常に有望な材料として注
目されている。
イト型の酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあるこ
とが発表されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行
なわれている。その中でもＹ−ＢＢ −Ｃｕ −０系で
代表される酸素欠陥を有する欠陥ペロブスカイト型（Ｌ
ｎ Ｂａ ２ Ｃｕ ３Ｏ７−ａ型）（δは酸素欠陥を
表わし通常１以下の数、ＡはＹ、Ｌａｓ Ｓｃｓ Ｎｄ
、Ｓｓ、Ｅｕｓ Ｇｄ５Ｄ ｙ 、 Ｈｏ ｓ Ｅ ｒ
ｓ Ｔｓ ｓ ＹｂおよびＬｕから選ばれた少なくと
も１種の元素、Ｂａの一部はＳｒなどで置換可能）の酸
化物超電導体は、臨界温度が９０に以上と液体窒素の沸
点以上の高い温度を示すため非常に有望な材料として注
目されている。
このような酸化物超電導体を実用化するためには、線材
を製造する技術を確立することが重要である。現在、酸
化物超電導体の線材を製造する方法として、金属パイプ
の内部に酸化物超電導体の粉末を詰めて線引きを行ない
、その後に熱処理することが考えられている。
を製造する技術を確立することが重要である。現在、酸
化物超電導体の線材を製造する方法として、金属パイプ
の内部に酸化物超電導体の粉末を詰めて線引きを行ない
、その後に熱処理することが考えられている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような線引きによる酸化超電導体か
らなる線材の製造方法は、工数が大きく、しかも熱処理
時に金属パイプの金属の拡散により粉末の組成比が崩れ
、品質が不均一になり特性が不安定であるという問題が
ある。
らなる線材の製造方法は、工数が大きく、しかも熱処理
時に金属パイプの金属の拡散により粉末の組成比が崩れ
、品質が不均一になり特性が不安定であるという問題が
ある。
本発明は前記事情に基づいてなされたもので、すること
を目的とするするものである。
を目的とするするものである。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段と作用）前記目的を達成
するために本発明の超電導体線材の製造方法は、超電導
体用原料ガスと水素ガスおよび酸素ガス、炭酸ガスのい
ずれかの混合雰囲気の中に芯線を置き、前記混合雰囲気
ガスを前記芯線の表面で反応させて前記芯線の表面に酸
化物超電導体を形成することを特徴とするものである。
するために本発明の超電導体線材の製造方法は、超電導
体用原料ガスと水素ガスおよび酸素ガス、炭酸ガスのい
ずれかの混合雰囲気の中に芯線を置き、前記混合雰囲気
ガスを前記芯線の表面で反応させて前記芯線の表面に酸
化物超電導体を形成することを特徴とするものである。
また、本発明の超電導体線材の製造方法は、超電導体用
原料ガスと水素ガスの混合雰囲気の中に芯線を置き、前
、記混合雰囲気ガスを前記芯線の表面で反応させて前記
芯線の表面に超電導体を形成し、その後この超電導体被
膜を酸化処理して酸化物超電導体とすることを特徴とす
るものである。
原料ガスと水素ガスの混合雰囲気の中に芯線を置き、前
、記混合雰囲気ガスを前記芯線の表面で反応させて前記
芯線の表面に超電導体を形成し、その後この超電導体被
膜を酸化処理して酸化物超電導体とすることを特徴とす
るものである。
すなわち、本発明の製造方法では、芯線の表面に化学蒸
着法（ＣＶＤ）により酸化物超電導体の被膜を直接形成
することができる。また、芯線の表面に化学蒸着により
未酸化の超電導体の被膜を形成し、その後で超電導体を
酸化させて芯線の表面に酸化物超電導体の被膜を得るこ
とができる。
着法（ＣＶＤ）により酸化物超電導体の被膜を直接形成
することができる。また、芯線の表面に化学蒸着により
未酸化の超電導体の被膜を形成し、その後で超電導体を
酸化させて芯線の表面に酸化物超電導体の被膜を得るこ
とができる。
本発明の製造方法では次の酸化物超電導体を対象とする
。酸化物超電導体としては、臨界温度の高い、希土類元
素を含有するペロブスカイト型の酸化物超電導体を用い
ることが実用上好ましい。
。酸化物超電導体としては、臨界温度の高い、希土類元
素を含有するペロブスカイト型の酸化物超電導体を用い
ることが実用上好ましい。
ここでいう希土類元素を含有し、ペロブスカイト型構造
を有する酸化物超電導体は、超電導状態を実現出来るも
のであれば良く、ＬｎＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−６型（δは酸
素欠陥を表わし通常１以下の数、ＡはＹ、Ｌａ５Ｓｃ、
Ｎｄｓ Ｓｓ、Ｅｕ、Ｇｄ。
を有する酸化物超電導体は、超電導状態を実現出来るも
のであれば良く、ＬｎＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−６型（δは酸
素欠陥を表わし通常１以下の数、ＡはＹ、Ｌａ５Ｓｃ、
Ｎｄｓ Ｓｓ、Ｅｕ、Ｇｄ。
Ｄ ｙ ｓ Ｈｏ ｓ Ｅ ｒ 、Ｔ ｌｌ１ｓ Ｙ
ｂおよびＬｕから選ばれた少なくとも１種の元素、Ｂａ
の一部はＳｒなどで置換可能）などの酸素欠陥を有する
欠陥ペロブスカイト型、Ｓｒ −Ｌｎ −Ｃｕ −０系
などの層状ペロブスカイト型などの広義にペロブスカイ
ト型を有する酸化物が例示される。また、希土類元素も
、広義の定義とし、Ｓｃ、ＹおよびＬａ系を含むものと
する。代表的な系としてはＹ −Ｂ ａ−Ｃｕ系の他に
ＹをＥｕｓ Ｄｙｓ Ｈｏ、Ｅｒ５ＴＩＩＩＳＹｂＳＬ
ｕなどの希土類で置換した系、Ｓｃ −Ｂａ −Ｃｕ−
０系、さらにＳｒをＢａ。
ｂおよびＬｕから選ばれた少なくとも１種の元素、Ｂａ
の一部はＳｒなどで置換可能）などの酸素欠陥を有する
欠陥ペロブスカイト型、Ｓｒ −Ｌｎ −Ｃｕ −０系
などの層状ペロブスカイト型などの広義にペロブスカイ
ト型を有する酸化物が例示される。また、希土類元素も
、広義の定義とし、Ｓｃ、ＹおよびＬａ系を含むものと
する。代表的な系としてはＹ −Ｂ ａ−Ｃｕ系の他に
ＹをＥｕｓ Ｄｙｓ Ｈｏ、Ｅｒ５ＴＩＩＩＳＹｂＳＬ
ｕなどの希土類で置換した系、Ｓｃ −Ｂａ −Ｃｕ−
０系、さらにＳｒをＢａ。
Ｃａで置換した系などが挙げられる。
本発明の製造方法により芯線に形成した酸化物超電導体
の被膜は、酸素欠陥 を有する酸素欠陥欠陥ペロブスカ
イト型（Ｌｎ Ｂａ ２ Ｃｕ ３Ｏ□−ａ型）（δは
通常１以下の数）となる。なお、Ｂａを５ｃＳＣａの少
なくともＩＦＩｉと置換することもでき、さらにＣｕの
一部をＴｉ５Ｖ％Ｃｒ、Ｍｎ。
の被膜は、酸素欠陥 を有する酸素欠陥欠陥ペロブスカ
イト型（Ｌｎ Ｂａ ２ Ｃｕ ３Ｏ□−ａ型）（δは
通常１以下の数）となる。なお、Ｂａを５ｃＳＣａの少
なくともＩＦＩｉと置換することもでき、さらにＣｕの
一部をＴｉ５Ｖ％Ｃｒ、Ｍｎ。
Ｆ ｅ ｓ Ｃｏ ＳＮ Ｉ ＳＺ ｎなどで置換する
こともできる。これらＣｕ元索、Ｂａ元素の置換元素は
それぞれサイトに置換した形で入る。この置換量は、超
電導特性を低下させない程度の範囲で適宜設定可能であ
るが、あまり多量の置換は超電導特性を低下してしまう
ので８０ ａ＋ｏｌ以下、さらに実用上は２０ｍｏ１％
以下程度までとする。
こともできる。これらＣｕ元索、Ｂａ元素の置換元素は
それぞれサイトに置換した形で入る。この置換量は、超
電導特性を低下させない程度の範囲で適宜設定可能であ
るが、あまり多量の置換は超電導特性を低下してしまう
ので８０ ａ＋ｏｌ以下、さらに実用上は２０ｍｏ１％
以下程度までとする。
（実施例）
本発明において、超電導体形成用原料ガスと水素ガスお
よび酸素ガス、炭酸ガスのいずれかの混合ガスを使用し
た化学蒸着により芯線に酸化物超電導体の被膜を形成す
る方法の実施例について説明する。ここでは、芯線にｙ
ｌ ｅＢａｚ ・Ｃｕ３の酸化物超電導体被膜を形成す
る例について説明する。
よび酸素ガス、炭酸ガスのいずれかの混合ガスを使用し
た化学蒸着により芯線に酸化物超電導体の被膜を形成す
る方法の実施例について説明する。ここでは、芯線にｙ
ｌ ｅＢａｚ ・Ｃｕ３の酸化物超電導体被膜を形成す
る例について説明する。
モル比でｙｃノ２、ＢａＣノ２、ＣｕＣノ、からなる超
電導体用原料ガスと、Ｈ２ガスと、０□ガスとを反応槽
の内部に供給して混合雰囲気とする。そして、タングス
テン（Ｗ）線やカーボン線（Ｃ）線などからなる芯線を
前記反応槽の内部に置き、反応槽の内部に存在する前記
混合雰囲気ガスを加熱して芯線の表面で反応させて、こ
の反応で生成された生成物すなわち酸化物超電導体Ｙ２
Ｏ３・ＢａＯ−ＣｕＯを芯線の表面に形成する。すなわ
ち、原料ガスのＹ ＣＩ！２ Ｎ Ｂ ａ Ｃノ２、Ｃ
ｕ Ｃｌ！２がＨ２ガスにより還元され、さらに０２ガ
スにより酸化されて酸化物超電導体Ｙ２Ｏ３譬ＢａＯ−
ＣｕＯが芯線に生成される。
電導体用原料ガスと、Ｈ２ガスと、０□ガスとを反応槽
の内部に供給して混合雰囲気とする。そして、タングス
テン（Ｗ）線やカーボン線（Ｃ）線などからなる芯線を
前記反応槽の内部に置き、反応槽の内部に存在する前記
混合雰囲気ガスを加熱して芯線の表面で反応させて、こ
の反応で生成された生成物すなわち酸化物超電導体Ｙ２
Ｏ３・ＢａＯ−ＣｕＯを芯線の表面に形成する。すなわ
ち、原料ガスのＹ ＣＩ！２ Ｎ Ｂ ａ Ｃノ２、Ｃ
ｕ Ｃｌ！２がＨ２ガスにより還元され、さらに０２ガ
スにより酸化されて酸化物超電導体Ｙ２Ｏ３譬ＢａＯ−
ＣｕＯが芯線に生成される。
被膜の厚さは約２０ｕｘｒである。
なお、０２の代わりにＣＯ２ガスを使用することもでき
る。
る。
反応槽の内部に供給したガスを加熱する方法としては、
芯線を電極（陰極）として反応槽内部で高周波プラズマ
を発生させ、このプラズマ発生に伴う熱によりガスを加
熱する方法がある（プラズマＣＶＤ）。また、芯線に電
流を流して、芯線をそれ自身の抵抗で温度１０００℃程
度に発熱させることにより、その熱で反応槽内部のガス
を加熱する方法もある。いずれの場合もガスの温度は約
２０℃、芯線の温度は５００〜１０００℃である。
芯線を電極（陰極）として反応槽内部で高周波プラズマ
を発生させ、このプラズマ発生に伴う熱によりガスを加
熱する方法がある（プラズマＣＶＤ）。また、芯線に電
流を流して、芯線をそれ自身の抵抗で温度１０００℃程
度に発熱させることにより、その熱で反応槽内部のガス
を加熱する方法もある。いずれの場合もガスの温度は約
２０℃、芯線の温度は５００〜１０００℃である。
このようにすると酸化物超電導体用原料ガスを用いた化
学蒸着により芯線に均質で特性が安定した酸化物超電導
体被膜を強固に形成できる。そして、この化学蒸着を行
なう時に、芯線を連続して移動して反応槽の内部を通過
することにより、芯線の表面に酸化物超電導体を連続し
て形成することができる。また、この方法では一度の工
程で芯線の表面に酸化物超電導体の被膜を形成すること
ができる。従って、この方法により芯線に良質な酸化物
超電導体の被膜を容易に形成できる。
学蒸着により芯線に均質で特性が安定した酸化物超電導
体被膜を強固に形成できる。そして、この化学蒸着を行
なう時に、芯線を連続して移動して反応槽の内部を通過
することにより、芯線の表面に酸化物超電導体を連続し
て形成することができる。また、この方法では一度の工
程で芯線の表面に酸化物超電導体の被膜を形成すること
ができる。従って、この方法により芯線に良質な酸化物
超電導体の被膜を容易に形成できる。
次に本発明において、超電導体用原料ガスと水素ガスと
の混合ガスを使用した化学蒸着により芯線に未酸化の超
電導体の被膜を形成し、その後この被膜を酸化させて酸
化物超電導体とする方法の実施例について説明する。こ
こでは前記実施例と同様に、芯線にＹｌ ・Ｂａ２・Ｃ
ｕ３の酸化物超電導体被膜を形成する例について説明す
る。
の混合ガスを使用した化学蒸着により芯線に未酸化の超
電導体の被膜を形成し、その後この被膜を酸化させて酸
化物超電導体とする方法の実施例について説明する。こ
こでは前記実施例と同様に、芯線にＹｌ ・Ｂａ２・Ｃ
ｕ３の酸化物超電導体被膜を形成する例について説明す
る。
モル比でＹＣｌ３ 、Ｂａ Ｃノ２、ＣｕＣノ２からな
る超電導体用原料ガスと、Ｈ２ガスとを反応槽の内部に
供給して混合雰囲気とする。そして、タングステン（Ｗ
）線やカーボン線（Ｃ）線などからなる芯線を前記反応
槽の内部に置き、反応槽の内部に存在する前記混合雰囲
気ガスを加熱して芯線の表面で反応させて、芯線の表面
に未酸化の超電導体Ｙ＊ＢａｅＣｕの被膜を芯線の表面
に形成する。すなわち、原料ガスのＹＣＣ２０ＢａＣノ
２、ＣｕＣノ２がＨ２ガスにより還元されて超電導体Ｙ
−Ｂａ−Ｃｕが生成される。このため、化学蒸着により
芯線に超電導体被膜を強固に形成できる。そして、芯線
を連続的に移動させて反応槽を通過させることにより、
芯線の表面に連続して超電等体の被膜を形成できる。そ
の後で、芯線を反応槽から取出して熱処理炉にて熱処理
を施し、芯線の表面に形成されているの被膜の超電導体
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕを酸化させて酸化物超電導体Ｙ２Ｏ３’
ＢａＯ・ＣｕＯに形成する。被膜の厚さは約２０ｕｘで
ある。このため、均質で特性の安定した酸化物超電導体
被膜を得ることができる。
る超電導体用原料ガスと、Ｈ２ガスとを反応槽の内部に
供給して混合雰囲気とする。そして、タングステン（Ｗ
）線やカーボン線（Ｃ）線などからなる芯線を前記反応
槽の内部に置き、反応槽の内部に存在する前記混合雰囲
気ガスを加熱して芯線の表面で反応させて、芯線の表面
に未酸化の超電導体Ｙ＊ＢａｅＣｕの被膜を芯線の表面
に形成する。すなわち、原料ガスのＹＣＣ２０ＢａＣノ
２、ＣｕＣノ２がＨ２ガスにより還元されて超電導体Ｙ
−Ｂａ−Ｃｕが生成される。このため、化学蒸着により
芯線に超電導体被膜を強固に形成できる。そして、芯線
を連続的に移動させて反応槽を通過させることにより、
芯線の表面に連続して超電等体の被膜を形成できる。そ
の後で、芯線を反応槽から取出して熱処理炉にて熱処理
を施し、芯線の表面に形成されているの被膜の超電導体
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕを酸化させて酸化物超電導体Ｙ２Ｏ３’
ＢａＯ・ＣｕＯに形成する。被膜の厚さは約２０ｕｘで
ある。このため、均質で特性の安定した酸化物超電導体
被膜を得ることができる。
そして、この場合も芯線を連続的に移動させて熱処理炉
を通過させることにより、連続して芯線に表面の被膜を
酸化させることができる。
を通過させることにより、連続して芯線に表面の被膜を
酸化させることができる。
反応槽の内部に供給したガスを加熱する方法としては、
芯線を電極（陰極）として反応槽内部で高周波プラズマ
を発生させ、このプラズマ発生に伴う熱によりガスを加
熱する方法がある（プラズマＣＶＤ）。また、芯線に電
流を流して、芯線をそれ自身の抵抗で温度１０００℃程
度に発熱させることにより、その熱で反応槽内部のガス
を加熱する方法もある。いずれの場合もガスの温度は約
２０℃、芯線の温度は５００〜１０００℃である。
芯線を電極（陰極）として反応槽内部で高周波プラズマ
を発生させ、このプラズマ発生に伴う熱によりガスを加
熱する方法がある（プラズマＣＶＤ）。また、芯線に電
流を流して、芯線をそれ自身の抵抗で温度１０００℃程
度に発熱させることにより、その熱で反応槽内部のガス
を加熱する方法もある。いずれの場合もガスの温度は約
２０℃、芯線の温度は５００〜１０００℃である。
従って、この方法によっても芯線に良質な酸化物超電導
体の被膜を容易に形成することができる。
体の被膜を容易に形成することができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の超電導体の製造方法によれ
ば、均質な特性の安定した酸化物超電導体の被膜を芯線
の表面に連続して形成でき、良質な超電導体線材を生産
性良く製造することができる。
ば、均質な特性の安定した酸化物超電導体の被膜を芯線
の表面に連続して形成でき、良質な超電導体線材を生産
性良く製造することができる。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、超電導体用原料ガスと水素ガスおよび酸素ガス、炭
酸ガスのいずれかの混合雰囲気の中に芯線を置き、前記
混合雰囲気ガスを前記芯線の表面で反応させて前記芯線
の表面に酸化物超電導体を形成することを特徴とする超
電導体線材の製造方法。 ２、酸化物超電導体は、希土類元素を含有するペロブス
カイト型の超電導体である特許請求の範囲第１項記載の
超電導体線材の製造方法。 ３、酸化物超電導体は、Ｌｎ元素（Ｌｎは、Ｙ、Ｌａ、
Ｓｃ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれた少なくとも１種の元素
）、ＢａおよびＣｕを原子比で実質的に１：２：３の割
合で含有する特許請求の範囲第１項または第２項に記載
の超電導体線材の製造方法。 ４、酸化物超電導体は、ＬｎＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿
−＿δ（δは酸素欠陥を表わす）で表わされる酸素欠陥
型ペロブスカイト構造を有する特許請求の範囲第３項記
載の超電導体線材の製造方法。 ５、超電導体用原料ガスと水素ガスの混合雰囲気の中に
芯線を置き、前記混合雰囲気ガスを前記芯線の表面で反
応させて前記芯線の表面に超電導体を形成し、その後こ
の超電導体被膜を酸化処理して酸化物超電導体とするこ
とを特徴とする超電導体線材の製造方法。 ６、酸化物超電導体は、希土類元素を含有するペロブス
カイト型の超電導体である特許請求の範囲第５項記載の
超電導体線材の製造方法。 ７、酸化物超電導体は、Ｌｎ元素（Ｌｎは、Ｙ、Ｌａ、
Ｓｃ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれた少なくとも１種の元素
）、ＢａおよびＣｕを原子比で実質的に１：２：３の割
合で含有する特許請求の範囲第５項または第６項に記載
の超電導体線材の製造方法。 ８、酸化物超電導体は、ＬｎＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿
−＿δ（δは酸素欠陥を表わす）で表わされる酸素欠陥
型ペロブスカイト構造を有する特許請求の範囲第７項記
載の超電導体線材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62320401A JPH01161618A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 超電導体線材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62320401A JPH01161618A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 超電導体線材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161618A true JPH01161618A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18121055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62320401A Pending JPH01161618A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 超電導体線材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01161618A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200518A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Fujikura Ltd | 酸化物系超電導線材の製造方法 |
| JPH0254811A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Mitsubishi Metal Corp | 超伝導体薄膜の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62320401A patent/JPH01161618A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200518A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Fujikura Ltd | 酸化物系超電導線材の製造方法 |
| JPH0254811A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Mitsubishi Metal Corp | 超伝導体薄膜の製造方法 |
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