JPH01155648A - 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム - Google Patents

樹脂封止型半導体装置用リードフレーム

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Publication number
JPH01155648A
JPH01155648A JP31444987A JP31444987A JPH01155648A JP H01155648 A JPH01155648 A JP H01155648A JP 31444987 A JP31444987 A JP 31444987A JP 31444987 A JP31444987 A JP 31444987A JP H01155648 A JPH01155648 A JP H01155648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
sealed semiconductor
lead frame
frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP31444987A
Other languages
English (en)
Inventor
Nanboku Moriga
森賀 南木
Yoshitaka Takemoto
好孝 竹本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH01155648A publication Critical patent/JPH01155648A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、g1脂封止型半導体装置用リードフレーム
に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
を示す図であり、図において、1は[1封止される範囲
、2は樹脂封止範囲1の外部にある外部リード、3は樹
脂封止範囲1内部にある内部リード、4は半導体素子を
搭載するアイランド、5はこのアイランド4を固定する
吊リード、6は外部リード2を固定するタイバー、7は
吊リード5とタイバー6を保持するわく、8はこのわく
7上にある樹脂注入部分、9は内部リード3と吊リード
5の一部分とアイランド4に施した内装メツキ範囲であ
る。
第3図は、従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ムに半導体素子を搭載した図を示しており、10はアイ
ランド4に搭載した半導体素子、11は半導体素子10
と内装メツキした内部リード3とを電気的に接合する細
線、12は樹脂封止範囲1内にあるすべてのものを封止
している@脂、 13はわく7上の樹脂注入部分8に樹
脂注入で形成された樹脂である。
次に動作について説明する。アイランド4に半導体素子
10を搭載し、この半導体素子ioと内装メツキ9した
内部リード3とを細$111で電気的に接合し、リード
フレームのわく7上の樹脂注入部分8を介して17M脂
封止範囲に樹脂を注入して樹M112を形成することに
よす*脂封止型半導体装置の外形を得る。そしてこれと
同時に樹脂注入部分8にも樹脂13が形成されるが、こ
の樹脂13は@@12の形成後は不要であり、除去しな
ければならない。
しかし、樹脂封止型半導体装置の信頼性向上のな−めに
、*脂とフレームとの接着性が良いことは必要であり、
両者を強固に接着させるため、エポキシ系樹脂を使用し
、リードフレームには従来鉄系合金、あるいは銅系合金
が使用されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレームは以上の
ように構成されているので、樹脂注入部分8に形成され
た17M脂13を除去するために、樹脂13とわく7と
の接着を外力によって破壊しなければならない。このと
き内部リード3や吊リード5と樹脂12との接着界面の
破壊を起こさないことが必要であるが、半導体装置外形
を損なわないように除去することやわく7上に残らずに
除去することが困難であるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、樹脂注入部分におけるわくと樹脂との接着性
を低下できるとともに、この部分の樹脂を容易にかつ樹
脂封止型半導体装置外形を損なわずに除去できる*脂封
止型半導体装置用リードフレームを得ることを目的とす
る。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
は、わく上の少なくとも樹I!1注入部分に、封止樹脂
と非接着性或いは低接着性の被膜を形成したものである
〔作用〕
この発明では、樹脂注入部分におけるリードフレームと
樹脂との強固な接着を阻止する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、14はわく7上の樹脂注入部分8と同一の
場所に設けた銀被膜である。なおその他の構成は上記従
来例に示したものと同様につき説明を省略する。
次にその作用について説明する。41N脂注入部分8よ
り注入した樹脂は上記従来例と同様にして樹脂封止型半
導体装置外形と!置注入部8に*脂12及び13を形成
する。ここで樹脂12と接する内部リード3、吊リード
5、アイランド4では樹脂とフレームとの接着は強固で
あるが、41Ws13と接するgIf脂注入部8は銀被
膜が形成されているため、樹脂と銀さらに樹脂とわく7
とは非接着あるいは低接着であり、主に衡ll113は
樹脂12との境界部分のみで結合していることとなり、
従って樹脂封止型半導体装置外形を損なったり、内部リ
ード3や吊りリード5と樹脂12との接着界面を破壊す
ることなく、容易かつ完全にIfM脂13を除去するこ
とができるものとなる。
なお上記実施例では、被膜14をわく7上の樹脂注入部
分に設けたものを示したが、樹脂注入部分を含むわくの
一部分を局部的に被膜してもよく、あるいは、樹脂封止
部分を除くリードフレームすべてを被膜してもよい。
また上記実施例では、被膜14に銀を使用したものを説
明したが、封止樹脂に非接着性あるいは低接着性を有す
る有機物や金属と有機物からなる複合体を使用しても上
記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、封止樹脂に非接着性、
或いは低接着性被膜を樹脂注入部分を含むわく上に設け
たので、4!1脂注入部分に形成された樹脂の除去が容
易になり、また、外形の良い樹脂封止型半導体装置が得
られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による4f1脂封止型半導
体装置用リードフレームを示す図、第2図は従来の樹脂
封止型半導体装置用リードフレームを示す図、第3図は
従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレームに半導体
素子を搭載した斜視図である。 図中、1は樹脂封止範囲、2は外部リード、3は内部リ
ード、4はアイランド、5は吊リード、6はタイバー、
7はわく、8はIl!脂注入部分、9は内装メツキ範囲
、1Gは半導体素子、11は細線、12.13は樹脂、
14は被膜である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)樹脂封止範囲以外で樹脂注入部分を含むリードフ
    レーム上に、封止樹脂と非接着性あるいは低接着性を有
    する被膜を形成したことを特徴とする樹脂封止型半導体
    装置用リードフレーム。
  2. (2)被膜は金属被膜や有機被膜、あるいはこれらの複
    合体からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム。
  3. (3)被膜に銀を使用したことを特徴とする特許請求の
    範囲第2項記載の樹脂封止型半導体装置用リードフレー
    ム。
JP31444987A 1987-12-11 1987-12-11 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム Pending JPH01155648A (ja)

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