JPH0479356A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH0479356A JPH0479356A JP2194536A JP19453690A JPH0479356A JP H0479356 A JPH0479356 A JP H0479356A JP 2194536 A JP2194536 A JP 2194536A JP 19453690 A JP19453690 A JP 19453690A JP H0479356 A JPH0479356 A JP H0479356A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレームに係り、特に樹脂
封止型半導体装置のリードフレームに関する。
封止型半導体装置のリードフレームに関する。
従来のこの種の半導体装置は、第３図（ａ）乃至第３図
（’Ｃ）に示すように、リードフレーム１に半導体素子
２を搭載し、この素子２の電極とリードフレーム１とを
ワイヤーで接続（同図（ａ））Ｌ、この後樹脂４にて封
止を行う（第３図（ｂ））のが一般的である。この時、
樹脂４は同図（ｂ）に示す封止金型６の樹脂注入部（以
上ゲート部５と称す）を通って注入される為、このゲー
ト部５では樹脂４とリードフレーム１とは接触すること
になる（第３図（Ｃ））。
（’Ｃ）に示すように、リードフレーム１に半導体素子
２を搭載し、この素子２の電極とリードフレーム１とを
ワイヤーで接続（同図（ａ））Ｌ、この後樹脂４にて封
止を行う（第３図（ｂ））のが一般的である。この時、
樹脂４は同図（ｂ）に示す封止金型６の樹脂注入部（以
上ゲート部５と称す）を通って注入される為、このゲー
ト部５では樹脂４とリードフレーム１とは接触すること
になる（第３図（Ｃ））。
前述したように、樹脂の注入工程で、ゲート部５に於い
てリードフレーム１は樹脂４と密着部５′で密着するよ
うになっている。ところが、このゲート部５に位置する
リードフレーム１の一部分及びこの一部分の樹脂４は最
終製品には不要であり、除去しなければならない、この
除去の順番は、先にゲート部５内の樹脂４を除去し、こ
の数工程後にリードフレーム１の不要部分を除去するこ
とになる。この時、従来技術のリードフレーム１は、耐
湿性という品質を向上させる為にリードフレーム１と樹
脂４との密着が極めて良い。この為、ゲート部樹脂４を
除去する時にリードフレーム１も引っばられ、フレーム
の一部が変形し、この為に歩留りを下げるという欠点が
ある。又、リードフレーム１が引っばられる為、製品に
なる樹脂本体も応力を受け、本体が破損するという欠点
がある。
てリードフレーム１は樹脂４と密着部５′で密着するよ
うになっている。ところが、このゲート部５に位置する
リードフレーム１の一部分及びこの一部分の樹脂４は最
終製品には不要であり、除去しなければならない、この
除去の順番は、先にゲート部５内の樹脂４を除去し、こ
の数工程後にリードフレーム１の不要部分を除去するこ
とになる。この時、従来技術のリードフレーム１は、耐
湿性という品質を向上させる為にリードフレーム１と樹
脂４との密着が極めて良い。この為、ゲート部樹脂４を
除去する時にリードフレーム１も引っばられ、フレーム
の一部が変形し、この為に歩留りを下げるという欠点が
ある。又、リードフレーム１が引っばられる為、製品に
なる樹脂本体も応力を受け、本体が破損するという欠点
がある。
本発明の目的は、前記欠点を解決し、ゲート部内の樹脂
を除去する際に、リードフレームを変形させたり破損さ
せたりしないようにした半導体装置用リードフレームを
提供することにある。
を除去する際に、リードフレームを変形させたり破損さ
せたりしないようにした半導体装置用リードフレームを
提供することにある。
本発明の構成は、半導体素子がリードフレームに固定さ
れ、樹脂が注入されてなる半導体装置用リードフレーム
において、少なくとも前言己樹脂が注入される部分の前
記リードフレームの表面は、前記樹脂との密着度の低い
層が形成されていることを特徴とする。
れ、樹脂が注入されてなる半導体装置用リードフレーム
において、少なくとも前言己樹脂が注入される部分の前
記リードフレームの表面は、前記樹脂との密着度の低い
層が形成されていることを特徴とする。
次に本発明を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体装置用リードフ
レームを示す平面図である。第１図において１本実施例
のリードフレームｌは、樹脂封止する時の少なくともゲ
ート部に位置する部分に、樹脂との密着性の悪い銀めっ
き層７を設けたものである。この銀めっき層７はワイヤ
ー接続用の内部銀めっきと同時に作成出来る為、容易に
製作８来るものである。銀めっき層７の厚さは、同様に
５〜３０μｍである。
レームを示す平面図である。第１図において１本実施例
のリードフレームｌは、樹脂封止する時の少なくともゲ
ート部に位置する部分に、樹脂との密着性の悪い銀めっ
き層７を設けたものである。この銀めっき層７はワイヤ
ー接続用の内部銀めっきと同時に作成出来る為、容易に
製作８来るものである。銀めっき層７の厚さは、同様に
５〜３０μｍである。
本実施例は、樹脂封止型半導体装置に使用するリードフ
レームに於いて、樹脂を封止する時に樹脂と密着し、か
つ半導体装置のｉ終形君に関与しない部分に樹脂密着性
の悪い層を設けたことを特徴とする。
レームに於いて、樹脂を封止する時に樹脂と密着し、か
つ半導体装置のｉ終形君に関与しない部分に樹脂密着性
の悪い層を設けたことを特徴とする。
第２図は本発明の第２の実施例の半導体装置用リードフ
レームを示す平面図である。第２図において、本実施例
は、第１の実施例と同じ部分に封止樹脂と密着性の悪い
樹脂チー１８を貼付したものである。この樹脂テープ８
は、リードフし−ム１の内部リードを固定する為にテー
プを貼る工程と同時に出来る為、非常に容易に製作でき
る。樹脂テープ８の厚さは、同様に５０〜１５０μｍの
ものが使用される。
レームを示す平面図である。第２図において、本実施例
は、第１の実施例と同じ部分に封止樹脂と密着性の悪い
樹脂チー１８を貼付したものである。この樹脂テープ８
は、リードフし−ム１の内部リードを固定する為にテー
プを貼る工程と同時に出来る為、非常に容易に製作でき
る。樹脂テープ８の厚さは、同様に５０〜１５０μｍの
ものが使用される。
以上説明したように１本発明は、ゲート部に封止樹脂と
密着性の悪い層を設けることにより、ゲート部樹脂が容
易にリードフレームから離脱出来、もってリードフレー
ムの変形を防ぐことが出来、歩留りを向上させる効果が
ある。
密着性の悪い層を設けることにより、ゲート部樹脂が容
易にリードフレームから離脱出来、もってリードフレー
ムの変形を防ぐことが出来、歩留りを向上させる効果が
ある。
又、本発明は、リードフレームに変形を防ぐことにより
、半導体本体の破損も防ぐことが出来、この面でも歩留
りの向上が計れる。さらに、ゲート部樹脂が容易に除去
８来るということは、除去する為の工数も削減出来、こ
の面でコストダウンができる効果がある。尚、この中で
、ゲート部以外のリードフレームの部分は従来と変更が
なくて済む為、品質上重要である製品の耐湿性は決して
劣るものではない。
、半導体本体の破損も防ぐことが出来、この面でも歩留
りの向上が計れる。さらに、ゲート部樹脂が容易に除去
８来るということは、除去する為の工数も削減出来、こ
の面でコストダウンができる効果がある。尚、この中で
、ゲート部以外のリードフレームの部分は従来と変更が
なくて済む為、品質上重要である製品の耐湿性は決して
劣るものではない。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体装置用リードフ
レームを示す平面図、第２図は本発明の第２の実施例を
示す平面図、第３図（ａ）は従来のリードフレームと半
導体装置との関係を示す平面図、第３図（ｂ）は第３図
（ａ）のリードフレームの樹脂封止状態を示す平面図、
第３図（ｃ）は第３図（ｂ）のＡ−Ａ’線で切断した部
分で封止する工程での断面図である。
レームを示す平面図、第２図は本発明の第２の実施例を
示す平面図、第３図（ａ）は従来のリードフレームと半
導体装置との関係を示す平面図、第３図（ｂ）は第３図
（ａ）のリードフレームの樹脂封止状態を示す平面図、
第３図（ｃ）は第３図（ｂ）のＡ−Ａ’線で切断した部
分で封止する工程での断面図である。
１・・・リードフレーム、２・・・半導体素子、３・・
・ボンディングワイヤ、４・・・樹脂、５・・・ゲート
部５５′・・・樹脂密着部、６・・・封止金型、７・・
・銀めっき層、８・・・樹脂テープ。
・ボンディングワイヤ、４・・・樹脂、５・・・ゲート
部５５′・・・樹脂密着部、６・・・封止金型、７・・
・銀めっき層、８・・・樹脂テープ。
Claims (1)
- 半導体素子がリードフレームに固定され、樹脂が注入
されてなる半導体装置用リードフレームにおいて、少な
くとも前記樹脂が注入される部分の前記リードフレーム
の表面は、前記樹脂との密着度の低い層が形成されてい
ることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2194536A JPH0479356A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2194536A JPH0479356A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479356A true JPH0479356A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16326167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2194536A Pending JPH0479356A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479356A (ja) |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP2194536A patent/JPH0479356A/ja active Pending
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