JPS61269347A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS61269347A
JPS61269347A JP11043985A JP11043985A JPS61269347A JP S61269347 A JPS61269347 A JP S61269347A JP 11043985 A JP11043985 A JP 11043985A JP 11043985 A JP11043985 A JP 11043985A JP S61269347 A JPS61269347 A JP S61269347A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
internal
leads
tab
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11043985A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Suzuki
明 鈴木
Shinya Funayama
舩山 伸也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11043985A priority Critical patent/JPS61269347A/ja
Publication of JPS61269347A publication Critical patent/JPS61269347A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、リードフレームおよびこれを用いた半導体装
置に関し、半導体装置製造工程における作業性向上に適
用して有効な技術に関するものである。
〔背景技術〕
半導体装置の外部端子の数が、搭載するペレットの高集
積化に伴って増加する傾向にある。
したがって、半導体装置の製造に用いられるリードフレ
ームにおいても、通常パッケージ内部に埋設されるリー
ド部である内部リードの巾が細くかつ長くなる傾向にあ
る。
一方、リードフレームを用いて半導体装置を製造する場
合、ペレット取付等の組立工程前に予めリードフレーム
に前処理を行うことがある。その前処理の一つとしてワ
イヤボンディング性向上を目的とするボンディングエリ
アであるリード内端部へ、金または銀等をめっきするこ
とがある。
このめワきを、前記の如き内部リードが細くかつ長い形
状の通常用いられているリードフレームに施す場合は、
該内部リードが曲がる等の変形をし易く、またそれ故に
半導体装置の製造に適したリードフレームの歩留りが低
下することになるため、めワき工程の作業性低下、半導
体装置のコスト上昇等の問題を生じさせることになる。
そこで、本発明者は、予めリードフレームの内部リード
の変形を防止するため内部リードどうしをその一部で連
結せしめて、該内部リードを補強しておく稲々の方法を
検討した。
その一つに、ポリイミド等の樹脂テープで粘着剤を介し
て内部リードどうしを連結する方法があるが、めっき工
程において粘着剤が劣化して前記テープが剥がれ易いと
いう問題がある。
他の一つに、リードフレームを製造する際、内部リード
をその先端部等の内部リードの一部で互いに連続された
状態で形成し、めっき工程等が終了した後に各内部リー
ドを切り離すことがあるが、前記の如くリードの数が増
えて(ると内部リードどうしの間隔が狭くなってくるた
め、前記切り離しが物理的に困難になるという問題もあ
る。
なお、リードフレームについては、工業調査会1980
年1月15日発行rrc化実装技術」日本マイクロエレ
クトロニクス協会績、P139〜P140に記載がある
−〔発明の目的〕 本発明の目的は、リードフレームに関し半導体装置製造
工程における作業性向上に適用して有効な技術を提供す
ることにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ペレット取付部であるタブと内部リード先端
とが連続して形成されてなるリードフレームを形成する
ことにより、内部リードが細くかつ長い形状であっても
該内部リードを補強することが可能であることより、本
リードフレームを用いて半導体装置を製造する場合はパ
フケージ形成前の工程における内部リードの変形を有効
に防止でき、前記目的が達成されるものである。
〔実施例〕
第1図は、本発明による一実施例であるリードフレーム
を、その部分平面図で示すものである。
本実施例のリードフレームは、第1図に示すものとほぼ
同形状のものが左右対称に形成され゛てなるものを一単
位としている。そして、この一単位を、たとえば、図中
上下方向に多連形成されてなるものである。
前記リードフレームの一単位ば次からなる。外枠1およ
び仕切枠2で四角形状に周囲が形成され、そのほぼ中央
部にはペレット取付部であるタブ3がタブ吊りリード4
を介して外枠lに連結されている。仕切枠2には該仕切
枠2に垂直に複数の外部リード5が連結される。これら
外部リードは途中でタイバー6により互いに連結され、
該タイバー6を越えた内側の外部リードの延長線上には
それぞれ内部リード7が形成、される、また該タイバー
6はその両端で外枠lに連結されてなる。さらに内部リ
ードの最長リード7aは補助リード8で外枠1に連結さ
れることによって補強されてなる。
なお、10はリードとレジンとの接着性向上のためのホ
ールである。
本実施例のリードフレームの特徴は、全ての内部リード
7および2本のタブ吊り補強リード9が、その先端でタ
ブ3の周囲と連続して形成されてなるものである。
すなわち、タブ吊りリード4によって外枠1に固定した
タブ3をさらに補強リード9で強化した上で、該タブ3
に内部リード7の先端を連結している。これにより、細
くかつ長い形状の内部リードであっても、その内部リー
ドのぶらつきを防止でき、またそれ故に作業時における
。リード変形をも有効に防止できるものである。なお、
補強り−ド9は、第り図に示すように、タイバー6と連
結する以外に仕切枠2まで延設され、これと連結するも
のである。
前記リードフレームを用いて半導体装置を製造する場合
、アセンブリ(組立)工程において、作業仕向上を図る
ことができる。その結果半導体装置製造に適するリード
フレームの歩留りを向上させることができ、ひいては半
導体装置の歩留り向上をも可能とするものである。
本実施例のリードフレームは、42アロイ、コバールま
たは銅等の一般に用いられる材料で、またプレスまたは
エツチング等の通常の方法で、容具に形成することがで
きる。
また、本実施例のリードフレームを用いて半導体装置を
製造する場合は、ワイヤボンディング性向上のために金
等を所定のリード内端部に部分めっきを行う等の前処理
を行った後、内部リード7とタブ3とをプレス等で切断
し、補助リード8および補強リード9を切除した後に、
ベレット取付、ワイヤボンディング、樹脂モールドおよ
びリード成形等の通常の工程を経て完成される。なお、
リードフレーム成形工程において、内部リードどうしを
テープで連結して補強することにより、その後のリード
変形を防止できる。
前記方法以外にも、内部リードの金めつき、ベレット取
付工程等が終了した後に内部リード7とタブ3との切断
、補助リード8および補強リード9の切除を行うことに
より、リード変形を起こし易い前記工程を変形しにくい
状態で通過させることができるため、半導体装置の歩留
りをさらに向上させることができる。
このように、内部リードの先端、補強リード9および補
助リード8の切断は封止工程前のいずれかの工程で切断
除去される。この結果、リードフレームは第2図に示さ
れるような形状とされ、この状態で封止(たとえばレジ
ンモールド)される。
前記切断除去はリードフレーム形成直後、半導体装置の
組立工程直前または直後であってもよい。
なお、言うまでもなく内部リード7とタブ3との切断は
、リード間の電気的導通を断ったことにあり、補助リー
ド8の切除は、パッケージのモールド形成時に使用され
る金型の樹脂注入ゲートの延長上にこれが存在すること
によって、バフケージ内にボイドが発生することを未然
に防止することにあり、補強リード9の切除は完成後の
パフケージ内に水分が浸透し易い箇所を減らすことにあ
る。
また、内部リード7の切断、補助リード8等の切除は、
リード成形工程ではプレスまたはエツチング、ワイヤボ
ンディング前であればレーザー照射等の手段を用いて達
成できる。
〔効果〕
(1)、内部リード先端とタブとを連続して形成するこ
とにより、内部リードのぶらつきを防止できるので、リ
ードフレーム製造工程または半導体装置製造工程等にお
ける内部リードの変形を防止することができる。
(2)、前記(11により、リードフレームを製造する
際の歩留り向上を達成できる。
(3)、前記(11により、リード内端部の金めつき等
の前処理における作業性を向上できる。
(4)、前記(3)により、半導体装置の製造に適した
リードフレームを容易に形成できるので、半導体装置の
歩留り向上を達成できる。
(5)、内部リードとタブとの切断をベレット取付終了
後に行うことにより、一段とリード変形を防止できるの
で、半導体装置製造の歩留りを向上できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、リードフレームの形状は実施例に示したもの
に限るものでないことは言うまでもない。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者Cよってなされた発明
をその背景となった利用分野である、いわゆるDIP型
半導体装置の製造に用いられるリードフレームに適用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
な(、たとえば、フラットパッケージ型等の種々の半導
体装置の製造に用いられるリードフレームに適用して有
効な技術である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による一実施例であるリードフレーム
を示す部分平面図、 第2図は、第1図のリードフレームを封止に用いる状態
に加工した平面図である。 l・・・外枠、2・・・仕切枠、3・・・タブ、4・・
・タブ吊りリード、5・・・外部リード、6・・・タイ
バー、7・・・内部リード、7a・・・最長内部リード
、8・・・補助リード、9・・ ・補強リード。 \□ 第  1  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、内部リードが、その先端でタブと連続して形成され
    てなるリードフレーム。 2、リードの一部が、タブ吊り補強リードであることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のリードフレーム
    。 3、最長内部リードが補助リードと連結されていること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のリードフレー
    ム。
JP11043985A 1985-05-24 1985-05-24 リ−ドフレ−ム Pending JPS61269347A (ja)

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JP11043985A JPS61269347A (ja) 1985-05-24 1985-05-24 リ−ドフレ−ム

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JPS61269347A true JPS61269347A (ja) 1986-11-28

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ID=14535750

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JP11043985A Pending JPS61269347A (ja) 1985-05-24 1985-05-24 リ−ドフレ−ム

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04171972A (ja) * 1990-11-06 1992-06-19 Yamaha Corp リードフレーム
WO2000051179A1 (en) * 1999-02-23 2000-08-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a leadframe assembly

Cited By (3)

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WO2000051179A1 (en) * 1999-02-23 2000-08-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a leadframe assembly
US6340634B1 (en) 1999-02-23 2002-01-22 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing an assembly of conductors and a semiconductor device manufactured by means of such an assembly

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