JPH01146354A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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JPH01146354A
JPH01146354A JP62306135A JP30613587A JPH01146354A JP H01146354 A JPH01146354 A JP H01146354A JP 62306135 A JP62306135 A JP 62306135A JP 30613587 A JP30613587 A JP 30613587A JP H01146354 A JPH01146354 A JP H01146354A
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JP
Japan
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mosfet
substrate
insulating film
semiconductor substrate
region
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Pending
Application number
JP62306135A
Other languages
English (en)
Inventor
Kimizo Watanabe
渡辺　仁三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH01146354A publication Critical patent/JPH01146354A/ja
Priority to US07/507,079 priority patent/US4978635A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/01—Manufacture or treatment
    • H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
    • H10B12/038—Making the capacitor or connections thereto the capacitor being in a trench in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
    • H01L21/743—Making of internal connections, substrate contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/37—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 ／ 本発明は高集積度化、大容量化を可能とした半導体記憶
装置に関する。
〔従来の技術〕
近年、半導体集積回路（以下、ＩＣと称す）の高密度化
、高性能化が進み、とりわけＭＯＳＦＥＴを構成要素と
する半導体記憶装置においてその傾向が顕著となってい
る。
半導体記憶装置のうちダイナミックメモリ（以下、ＤＲ
ＡＭと称す）を例にとシ、第２図を用いて　　　　゛説
明する。
１はＳｉ基板、２はＳｉ基板１の所定箇所に形成された
ゲート酸化膜、３はＳｉ基板１の表面側に選択拡散され
たドレイン領域、４は８１基板１の表面側に選択拡散さ
れたソース領域、５はＳｉ基板１内に埋込まれた多結晶
シリコン領域、６はＳｉ基板１内部に形成された蓄積容
量素子であるメモリセル部拡散領域、７はゲート酸化膜
２上の所定箇所に形成され、多結晶シリコン領域５と接
触するセルプレート電極、８はセルプレート電極７上に
形成された層間絶縁膜、９はゲート酸化膜２、層間絶縁
膜８上の各々の所定箇所に形成されたワード線電極、１
０はワード線電極９を全面被覆するように形成された層
間絶縁膜、１１はドレイン領域３の表面露出部および層
間絶縁膜１０上に全面形成されたビット線電極である。
このような構成のＤＲＡＭにおいて、最近は微細化の進
歩によシ集積度が１６Ｍピット又はそれ以上のものが研
究されており、このため各素子は長さ０．５μｍ以下の
微小寸法に形成する必要があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の装置は以上のように、ＩＣ各部の寸法の微細化の
ために、蓄積容量素子であるメモリセル部拡散領域も微
細化しなければならず、蓄積電荷量を充分にとることが
難しいという問題点があった。
本発明は上述のような問題点を解消するためＫなされた
もので、メモリセル部拡散領域の蓄積電荷量を大きくと
り且つ高密度化を可能くした半導体記憶装置を得ること
を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は蓄積容量素子の一方の電極をＭＯＳＦＥＴを設
けた面と反対側である半導体基板の底面側に形成したも
のである。
〔作用〕
本発明は蓄積容量素子の一方の電極を半導体基板の底面
側く形成したので、広い面積を専有でき、このため蓄積
電荷量を大きくとることができる。
〔実施例〕
次に本発明の実施例について図を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図であり、図にお
いて第２図と同−又は相当する部分には同符号を付しそ
の説明は省略する。
１２はＳｉ基板１の底面側および多結晶シリコン領域５
の外側に形成された絶縁膜、１３はＳｉ基板１内に形成
され、ソース領域４に接触し、絶縁膜１２を被覆するメ
モリセル部拡散領域、１４は絶縁膜１２の底面側（ＭＯ
ＳＦＥＴを設けた面と反対側）Ｋ形成され、多結晶シリ
コン領域５と接触するセルプレート電極である。
このようにメモリセル部拡散領域１３の一方の電極であ
るセルプレート電極１４を半導体基板上、高密度集積化
に影響がない面（この場合、底面側）に設けることＫよ
り、より広い面積を専有でき、従ってメモリセル部拡散
領域１３は電荷蓄積量を大きくとることができる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、蓄積容量素子の一方の電
極を基板の底面側に設けることにより、ＭＯＳＦＥＴの
微細化を実現すると同時に蓄積電荷量を大きくすること
が可能となり、高集積化も行えるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る半導体記憶装置の一実施例を示す
断面図、第２図は従来例の断面図である。 １・・・・・・Ｓｉ基板、　２・・・・・・ゲート酸化
膜、　３・・・・・・ドレイン領域、　　４・・・・・
・ソース領域、　　５・・・・・・多結晶シリコン領域
、　　６，１３・・・・・・メモリセル部拡散領域、　
７，１４・・・・−・セルプレート電極、８．１０・・
・・・・層間絶縁膜、　　９・・・・・・ワード線電極
、１１・・・・・・ビット線電極、　　１２・・・・・
・絶縁膜。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板上にＭＯＳＦＥＴおよび蓄積容量素子
    を有する半導体記憶装置において、 前記蓄積容量素子の一方の電極はＭＯＳＦＥＴを設けた
    面と反対側の半導体基板の底面側に形成されたことを特
    徴とする半導体記憶装置。
  2. （２）前記蓄積容量素子は、半導体基板の底面側から内
    部にかけて溝型形状をなすことを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の半導体記憶装置。
JP62306135A 1987-12-02 1987-12-02 半導体記憶装置 Pending JPH01146354A (ja)

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JP62306135A JPH01146354A (ja) 1987-12-02 1987-12-02 半導体記憶装置
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DE3840559A DE3840559A1 (de) 1987-12-02 1988-12-01 Halbleiterspeichervorrichtung und herstellungsverfahren
US07/507,079 US4978635A (en) 1987-12-02 1990-04-09 Method of making a semiconductor memory device

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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03218666A (ja) * 1989-08-31 1991-09-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
US5270242A (en) * 1989-08-31 1993-12-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for fabricatins dynamic random access memory device having a capacitor for storing impact ionization charges
DE3931381A1 (de) * 1989-09-20 1991-03-28 Siemens Ag Halbleiterschichtaufbau mit vergrabener verdrahtungsebene, verfahren fuer dessen herstellung und anwendung der vergrabenen verdrahtungsebene als vergrabene zellplatte fuer drams
US5212399A (en) * 1991-08-15 1993-05-18 Micron Technology, Inc. Low cost polysilicon active p-channel load
US5231043A (en) * 1991-08-21 1993-07-27 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Contact alignment for integrated circuits
DE4438640C1 (de) * 1994-10-28 1996-02-01 Siemens Ag Halbleiteranordnung, die auf einem Substrat zu beiden Seiten aktive Schichten aufweist
US5855583A (en) * 1996-02-20 1999-01-05 Computer Motion, Inc. Method and apparatus for performing minimally invasive cardiac procedures
DE19640215C1 (de) * 1996-09-30 1998-02-19 Siemens Ag Integrierte Halbleiterspeicheranordnung mit "Buried-Plate-Elektrode"
DE19914496A1 (de) * 1999-03-30 2000-10-05 Siemens Ag Speicherzellenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE10065669A1 (de) * 2000-12-29 2002-07-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterspeicheranordnung
DE10065664B4 (de) 2000-12-29 2005-07-28 Infineon Technologies Ag Integrierte Halbleiterspeicheranordnung
US8846470B2 (en) 2011-06-06 2014-09-30 International Business Machines Corporation Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture
CN112071841A (zh) * 2020-09-17 2020-12-11 芯盟科技有限公司 半导体结构及其形成方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3560750A (en) * 1966-10-31 1971-02-02 Hitachi Ltd Optoelectronic amplifier
DE1816023A1 (de) * 1968-12-20 1970-06-25 Philips Patentverwaltung Baustein mit elektronischer Schaltung
DE2037261A1 (de) * 1969-08-08 1971-02-18 Molekularelektronik Integrierte Festkörper Schaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US3882531A (en) * 1973-05-29 1975-05-06 Gen Electric Apparatus for sensing radiation and providing electrical read out
JPS5323224A (en) * 1976-08-16 1978-03-03 Hitachi Ltd Solid pickup unit
FR2365858A1 (fr) * 1976-09-24 1978-04-21 Thomson Csf Memoire non volatile de longue duree pour signaux rapides
JPS60152058A (ja) * 1984-01-20 1985-08-10 Toshiba Corp 半導体記憶装置
DE3689004T2 (de) * 1985-02-13 1994-01-20 Toshiba Kawasaki Kk Halbleiterspeicherzelle.
KR900001394B1 (en) * 1985-04-05 1990-03-09 Fujitsu Ltd Super high frequency intergrated circuit device
JPS61289657A (ja) * 1985-06-18 1986-12-19 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPS6272171A (ja) * 1985-09-26 1987-04-02 Toshiba Corp 半導体メモリ

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US4959709A (en) 1990-09-25
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US4978635A (en) 1990-12-18

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