JP7844561B2 - 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム - Google Patents
半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステムInfo
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Description
本願は、米国仮特許出願第62/593665号明細書(2017年12月1日出願、発明の名称("VAPOR PHASE DECOMPOSITION SYSTEM WITH CHAMBER FOR INTEGRATED DECOMPOSITION AND SCANNING"))および、米国仮特許出願62/676234号明細書(2018年5月24日出願、発明の名称("SEMICONDUCTOR WAFER DECOMPOSITION AND SCANNING SYSTEM"))に関する米国特許法第119条(e)(35U.S.C.§119(e))の利益を主張するものである。米国仮特許出願第62/593665号明細書および第62/676234号明細書は、参照によりその全体がここに組み込まれる。
内部領域およびチャンバの上部にある第1開口部を画定するチャンバ本体であって、チャンバ本体の内部領域の中に半導体ウエハを受容するチャンバ本体と、
チャンバ本体の上部とチャンバ本体の底部との間にあるチャンバ本体の中間部において内部領域内に突出しているレッジであって、中間部の内部領域内に第2開口部を画定するレッジ(ledge: 胴蛇腹)と、
半導体ウエハの少なくとも一部を保持するように構成されたウエハ支持体であって、少なくとも第1開口部に隣接する第1位置と、チャンバ本体の内部領域内の第2開口部に隣接する第2位置との間で位置決め可能であるウエハ支持体と、
ウエハ支持体に動作可能に連結されたモータシステムであって、チャンバ本体に対してウエハ支持体の垂直位置を制御し、少なくとも、走査ノズルによる半導体ウエハへのアクセスのための第1位置、および半導体ウエハの表面の分解のための第2位置に制御するように構成されたモータシステムと、
第1開口部と第2開口部との間に位置決めされたネブライザ(nebulizer: 噴霧器)であって、ウエハ支持体がモータシステムによって第2位置に位置決めされた場合、半導体ウエハの表面に分解液を噴霧するように構成されたネブライザと、を含む。
ノズルおよびノズルハウジングを備え、
ノズルは、
第1ノズルポートと流体連通している入口ポートを画定し、そして出口ポートと流体連通している第2ノズルポートを画定するノズル本体であって、入口ポートを介して流体を受け取り、第1ノズルポートを介して流体を送って、半導体ウエハの表面に流体を導入するように構成され、そして第2ノズルポートを介して半導体ウエハの表面から流体を除去し、かつ第2ノズルポートから出口ポートを介して流体を送るように構成されたノズル本体と、
第1ノズルポートおよび第2ノズルポートに隣接してノズル本体から延びており、かつ第1ノズルポートと第2ノズルポートとの間に配置されたチャネルを画定するノズルフードであって、半導体ウエハの表面に沿って第1ノズルポートから第2ノズルポートへ流体を送るように構成されたノズルフードとを含み、
ノズルハウジングは、内側部分、ならびに延長位置と後退位置との間で移行する場合にノズルの少なくとも一部が通過できる開口部を画定するハウジング本体を含む。
ネブライザを用いて半導体ウエハの表面に分解液を噴霧するステップと、
ネブライザを用いて半導体ウエハの表面に分解液を噴霧した後に、半導体ウエハの表面の上方にノズルを位置決めするステップと、
ノズルの入口ポートに走査液を導入して、第1ノズルポートを介して走査液の流れを半導体ウエハの表面へ送るステップと、
ノズルの細長チャネルを経由して、半導体ウエハの表面に沿って、ノズルの第2ノズルポートに向けて走査液の流れを送るステップと、
ノズルの出口ポートと流体連通している第2ノズルポートを介して、半導体ウエハの表面から走査液の流れを除去するステップと、を含む。
サンプル中の微量元素濃度または微量元素量を求めることにより、サンプルの純度、あるいは試薬、または反応成分などとしてその試薬を使用する際の許容性に関する指標が得られる。一例として、特定の生産または製造工程(たとえば、採掘、冶金、半導体製造、製剤過程など)では、不純物に対する許容値を、たとえば、およそ10億分の1の割合で設定するなど、非常に厳密にする可能性がある。半導体ウエハを処理するために、ウエハに対して、金属不純物など、キャリア寿命の低下、およびウエハ部品の絶縁破壊などに起因してウエハの性能を低下させるか、またはウエハを動作不能にする恐れがある不純物の検査が行われている。
図1Aから図10は、本開示の種々の実施形態による、半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム(「システム100」)の態様を示す。システム100は概して、チャンバ102と、走査アームアセンブリ104と、ウエハへの分解液の導入を通じて、かつウエハ108の表面への走査液の導入、および前記表面からの走査液の除去を通じて、少なくとも半導体ウエハ108(本明細書では「ウエハ」と呼ぶ場合もある)の分解工程および走査工程を円滑に進めるための、流体ハンドリングシステム106(図9Aから図10に少なくとも一部示している)とを含む。チャンバ102は、単一のチャンバスペースでウエハ分解およびウエハ走査をそれぞれ行うための環境を提供しており、またウエハ108を保持するためのウエハ支持体110と、分解工程および走査工程、またはシステム100の他の工程においてウエハ108を位置決めするにあたり、チャンバ102に対するウエハ支持体110の垂直位置を制御するための(たとえば、チャンバ102内、あるいはチャンバ102上など)モータシステム112とを含む。モータシステム112はさらに、システム100の種々の工程においてウエハ108を回転させるにあたり、ウエハ支持体110を回転制御しており、また走査工程中にウエハ108上の位置へと走査アームアセンブリ104のノズルを移動させ、かつノズルリンス洗浄のためにリンス洗浄部114の位置へとこれを移動させるにあたり、走査アームアセンブリ104の回転制御および垂直制御を行っている。いくつかの実装形態では、ウエハ支持体110は、ウエハ支持体110の移動中などに、ウエハ108をウエハ支持体110に固定して保持するための真空テーブルを含む。
Claims (20)
- 半導体ウエハの表面を分解して走査するためのチャンバであって、
内部領域およびチャンバの上部にある第1開口部を画定するチャンバ本体であって、チャンバ本体の内部領域の中に半導体ウエハを受容するチャンバ本体と、
チャンバ本体の上部とチャンバ本体の底部との間にあるチャンバ本体の中間部において内部領域内に突出しているレッジであって、中間部の内部領域内に第2開口部を画定するレッジと、
半導体ウエハの少なくとも一部を保持するように構成されたウエハ支持体であって、少なくとも第1開口部に隣接する第1位置と、チャンバ本体の内部領域内の第2開口部に隣接する第2位置との間で位置決め可能であるウエハ支持体と、
チャンバ本体の側壁に第1開口部と第2開口部との間に形成されたスプレー開口部であって、該スプレー開口部は、分解液の噴霧中に、側壁の内周縁を超えずに延びるスプレー装置から分解液の噴霧を受けるように構成され、該分解液は、ウエハ支持体がモータシステムによって第2位置に位置決めされた場合、チャンバ本体の内部領域に導入される、スプレー開口部と、を備えるチャンバ。 - 第1開口部および第2開口部は、同軸に配置される請求項1に記載のチャンバ。
- ウエハ支持体に動作可能に連結されたモータシステムであって、チャンバ本体に対してウエハ支持体の垂直位置を制御し、少なくとも、走査ノズルによる半導体ウエハへのアクセスのための第1位置、および半導体ウエハの表面の分解のための第2位置に制御するように構成されたモータシステムをさらに備える請求項1に記載のチャンバ。
- モータシステムは、チャンバ本体に対してウエハ支持体の垂直位置を、第2開口部とチャンバの底部との間にある第3位置に制御するようにさらに構成される請求項3に記載のチャンバ。
- モータシステムは、半導体ウエハのリンス洗浄工程または半導体ウエハの乾燥工程のうちの少なくとも一方において、第3位置においてウエハ支持体を回転させるようにさらに構成される請求項4に記載のチャンバ。
- モータシステムは、第1位置および第2位置の少なくとも一方において、ウエハ支持体を回転させるようにさらに構成される請求項3に記載のチャンバ。
- チャンバ本体は、チャンバ本体の内面とレッジとの間に1つ以上のチャネルを画定し、該1つ以上のチャネルは、第1開口部と第2開口部との間にある流体へのアクセスを提供する請求項1に記載のチャンバ。
- 1つ以上のチャネルと流体連結された1つ以上のドレインであって、該1つ以上のドレインは、チャンバ本体の内部領域からの流体用出口を提供する請求項7に記載のチャンバ。
- チャンバ本体の内部領域内で第2開口部の下方にあるガス吐出ポートと、
ガス源に連結されたコントローラであって、ウエハ支持体が第2位置に位置決めされた場合、チャンバ本体の内部領域内への分解液の導入時の際に、ガス源からガス吐出ポートにガスを導入するように構成されたコントローラと、をさらに備える請求項1に記載のチャンバ。 - 半導体ウエハの表面を分解して走査するためのシステムであって、
半導体ウエハを受容するように構成されたチャンバを備え、
該チャンバは、チャンバの上部にある第1開口部を画定し、チャンバの内部領域の中に半導体ウエハを受容するものであり、該チャンバは、
・チャンバの上部とチャンバの底部との間にあるチャンバの中間部にあるレッジであって、中間部において第2開口部を画定するレッジと、
・半導体ウエハの少なくとも一部を保持するように構成されたウエハ支持体であって、少なくとも第1開口部に隣接する第1位置と、第2開口部に隣接する第2位置との間で位置決め可能であるウエハ支持体と、
・ウエハ支持体に動作可能に連結されたモータシステムであって、チャンバに対してウエハ支持体の垂直位置を、少なくとも第1位置および第2位置に制御するように構成されたモータシステムと、
・チャンバの側壁に第1開口部と第2開口部との間に形成されたスプレー開口部であって、該スプレー開口部は、分解液の噴霧中に、側壁の内周縁を超えずに延びるスプレー装置から分解液の噴霧を受けるように構成され、該分解液は、ウエハ支持体がモータシステムによって第2位置に位置決めされた場合、チャンバの内部領域に導入される、スプレー開口部と、を含み、
前記システムはさらに、
開放位置と閉鎖位置との間で位置決め可能な蓋であって、閉鎖位置にある場合、第1開口部を覆うようなサイズおよび形状を有する蓋と、
ノズルと連結された走査アームであって、ウエハ支持体がモータシステムによって第1位置に位置決めされた場合、ノズルを半導体ウエハに隣接して位置決めし、そして、ウエハ支持体がモータシステムによって第2位置に位置決めされた場合、ノズルを蓋の経路の外側に、開放位置から閉鎖位置へ位置決めするように回転可能である走査アームと、を備えるシステム。 - ウエハ支持体が第2位置にある場合、蓋は、閉鎖位置にあり、第1開口部を経由した流体通過を防止する請求項10に記載のシステム。
- ウエハ支持体が第1位置にある場合、蓋は、開放位置にあり、ノズルによる半導体ウエハへのアクセスを提供する請求項10に記載のシステム。
- ノズルを受容するための細長チャネルを有するリンストラフをさらに備え、
該細長チャネルは、リンス液源と連結され、リンス液を細長チャネルに導入して、ノズルをリンス洗浄するように構成される請求項10に記載のシステム。 - リンストラフは、ノズルを受容するための第2細長チャネルをさらに備え、
該細長チャネルは、乾燥ガス源と連結され、乾燥ガスを細長チャネルに導入して、ノズルを乾燥させるように構成される請求項13に記載のシステム。 - チャンバの内部領域内で第2開口部の下方にあるガス吐出ポートと、
ガス源に連結されたコントローラであって、ウエハ支持体が第2位置に位置決めされた場合、チャンバ本体の内部領域内への分解液の導入時の際に、ガス源からガス吐出ポートにガスを導入するように構成されたコントローラと、をさらに備える請求項10に記載のシステム。 - モータシステムは、チャンバに対してウエハ支持体の垂直位置を、第2開口部とチャンバの底部との間にある第3位置に制御するようにさらに構成される請求項10に記載のシステム。
- モータシステムは、半導体ウエハのリンス洗浄工程または半導体ウエハの乾燥工程のうちの少なくとも一方において、第3位置においてウエハ支持体を回転させるようにさらに構成される請求項16に記載のシステム。
- モータシステムは、第1位置および第2位置の少なくとも一方において、ウエハ支持体を回転させるようにさらに構成される請求項10に記載のシステム。
- チャンバは、チャンバの内面とレッジとの間に1つ以上のチャネルを画定し、該1つ以上のチャネルは、第1開口部と第2開口部との間にある流体へのアクセスを提供する請求項10に記載のチャンバ。
- 1つ以上のチャネルと流体連結された1つ以上のドレインであって、該1つ以上のドレインは、チャンバ本体の内部領域からの流体用出口を提供する請求項19に記載のチャンバ。
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