JP7638366B2 - 炭化ケイ素エピタキシャル成長装置および炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、炭化ケイ素エピタキシャル成長装置および炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法に関する。

炭化ケイ素エピタキシャル基板は、単結晶炭化ケイ素、単結晶シリコン等を用いた半導体基板に炭化ケイ素エピタキシャル成長層が形成されたものであり、電力変換装置のスイッチング素子または整流素子に用いられている。従来、これらスイッチング素子または整流素子の性能、製造歩留まり等を向上させるため、炭化ケイ素エピタキシャル成長技術の向上が図られている。

特許文献１には、エピタキシャル成長装置のサセプタに半導体基板を載置して生じる、半導体基板のオリエンテーションフラット（以下、オリフラと呼ぶ）部とサセプタの基板載置部側壁との隙間を小さくすることで、半導体基板の裏面にエピタキシャル成長用の原料ガスが流れ込むことを抑制し、半導体基板の裏面に膜が形成されることを防止する技術が開示されている。

特開２０１８－０８２１００（図３）

しかしながら、特許文献１に示されたサセプタでは、半導体基板のオリフラ部とサセプタの基板載置部側壁との隙間が十分に小さくなく、半導体基板の裏面にエピタキシャル成長用の原料ガスが流れ込んで半導体基板の裏面に膜が形成される場合があった。また、半導体基板の裏面に形成された膜によって平坦性が低下し、製造歩留まりを低下させる場合があった。

本開示は、上述の課題を解決するためになされたものであり、半導体基板の表面に炭化ケイ素エピタキシャル層を成長させる際、半導体基板の裏面に膜が形成されることを防止できる炭化ケイ素エピタキシャル成長装置、および製造歩留まりを向上させることができる炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法を提供することを目的とする。

本開示の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置は、円形外周部を有する半導体基板を載置する基板載置部材と、基板載置部材に搭載されるプラグとを備える炭化ケイ素エピタキシャル成長装置であって、基板載置部材は、半導体基板の裏面の外縁領域を支持する第１の基板支持面を有した載置部材基板支持部と、半導体基板の裏面の外縁領域の内側の領域である基板内側領域と離隔して対向する載置部材基板対向面を有した載置部材基板対向部とを有し、プラグは、第１の基板支持面と同じ高さの面であり、半導体基板の外縁領域のうち第１の基板支持面で支持されない領域を支持し、その両端で第１の基板支持面と連続してつながる第２の基板支持面を有するプラグ基板支持部を有し、プラグの第２の基板支持面は、半導体基板の円形でない特定形状の外周部分である基板特定外周部の内側の外縁領域を支持する。

また、本開示の炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法は、第２の基板支持面を有するプラグを、第２の基板支持面の高さと同じ高さであり、第２の基板支持面の両端で第２の基板支持面と連続してつながる第１の基板支持面を有する基板載置部材の上に着脱可能に搭載するプラグ搭載工程と、円形外周部を有する半導体基板の裏面の外縁領域を第１の基板支持面と第２の基板支持面とで支持し、半導体基板の裏面の外縁領域の内側の領域である基板内側領域を基板載置部材の内側の載置部材基板対向部と離隔するように、半導体基板を基板載置部材とプラグとに載置する基板載置工程と、半導体基板の表面に炭化ケイ素をエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程とを備え、基板載置工程において、半導体基板の円形でない特定形状の外周部分である基板特定外周部の内側の外縁領域が、プラグの第２の基板支持面に支持される。

本開示によれば、半導体基板の表面に炭化ケイ素エピタキシャル層を成長させる際、半導体基板の裏面に膜が形成されることを防止でき、製造歩留まりを向上させることができる炭化ケイ素エピタキシャル成長装置および炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法を得ることができる。

実施の形態１における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとを示す平面模式図である。 実施の形態１における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材を示す平面模式図である。 実施の形態１における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとに半導体基板が載置された状態を示す平面模式図である。 実施の形態１における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとに半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。 実施の形態１における半導体基板の外周および裏面の説明図である。 実施の形態１における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとに半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。 実施の形態１における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとに半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。 実施の形態２における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとを示す平面模式図である。 実施の形態２における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材を示す平面模式図である。 実施の形態２における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとに半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。 実施の形態２における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材に搭載するプラグを示す平面模式図である。 実施の形態３における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとを示す平面模式図である。 実施の形態３における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材を示す平面模式図である。 実施の形態３における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとに半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。 実施の形態４における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとカバーリングとを示す平面模式図である。 実施の形態４における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとカバーリングとを示し、半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。 実施の形態４における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとカバーリングとを示し、半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。 実施の形態４における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとカバーリングとを示し、半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。 実施の形態４における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとカバーリングとを示し、半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。 実施の形態４における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとカバーリングとを示し、半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。 実施の形態４における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材とプラグとカバーリングとを示し、半導体基板が載置された状態を示す断面模式図である。

以下に、本開示の実施の形態に係る炭化ケイ素エピタキシャル成長装置、および炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法について、図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、主として炭化ケイ素エピタキシャル成長装置に備えられる基板載置部材に関して説明し、エピタキシャル成長用原料ガス供給部、成膜室等の図示を省略している。

実施の形態１．
図１は、本実施の形態における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材１０とプラグ２０とを示す平面模式図である。図２は、プラグ２０が搭載されていない基板載置部材１０を示す平面模式図である。図３は、図１の基板載置部材１０とプラグ２０とに半導体基板５０が載置された状態を示す平面模式図である。図４は、図３の破線Ａ１－Ａ２における断面を示す模式図である。

図１から図４に示すように、半導体基板５０が載置される部材である基板載置部材１０は、載置部材外周部１１、載置部材基板支持部１２、載置部材基板対向部１３および載置部材プラグ設置部１４を有する。載置部材プラグ設置部１４に着脱可能に搭載されるプラグ２０は、プラグ外周部２１、プラグ基板支持部２２およびプラグ底部２３を有する。

載置部材外周部１１は、基板載置部材１０の外周部分に位置し、半導体基板５０の端面に対向する載置部材外周部内壁１１ａと、載置部材外周部１１の上段である載置部材外周部上段１１ｂとを有する。ここで、載置部材外周部１１は、後述する載置部材基板支持部１２の外周側に設けられる。

載置部材基板支持部１２は、載置部材外周部１１よりも内側に設けられ、後述する半導体基板５０の裏面の基板外縁領域５１における第１の領域５１ａを支持する第１の基板支持面１２ａを有する。

載置部材基板対向部１３は、載置部材基板支持部１２よりも内側に設けられ、後述する半導体基板５０の裏面の基板内側領域５２と離隔して対向する載置部材基板対向面１３ａを有する。載置部材基板対向面１３ａは、平坦面であっても曲面であってもよい。

載置部材プラグ設置部１４は、図２に示すように、載置部材基板対向面１３ａと同一平面上の、載置部材基板支持部１２が円周方向で分断された領域に設けられ、プラグ２０を搭載する部分である。図２では、載置部材外周部１１の一部も円周方向で分断されているが、載置部材外周部１１は円周方向で分断されていなくてもよい。

プラグ外周部２１は、プラグ２０の外周部分に位置し、半導体基板５０の端面に対向するプラグ外周部内壁２１ａ、プラグ２０の上段であるプラグ外周部上段２１ｂおよびプラグ外周部内壁２１ａの背面側の面であるプラグ外周部外壁２１ｃを有する。

プラグ基板支持部２２は、プラグ外周部２１の内側の部分であり、後述する半導体基板５０の裏面の基板外縁領域５１における第２の領域５１ｂを支持する第２の基板支持面２２ａを有する。載置部材基板対向面１３ａから第２の基板支持面２２ａまでの高さは、載置部材基板対向面１３ａから第１の基板支持面１２ａまでの高さと同じである。そして、第２の基板支持面２２ａは、基板外縁領域５１のうち第１の基板支持面１２ａで支持されない領域を支持する。また、図１に示すように、第２の基板支持面２２ａは、その両端で第１の基板支持面１２ａと連続してつながっている。

ここで、連続してつながるとは、第１の基板支持面１２ａと第２の基板支持面２２ａとの間に完全に間隙を生じないことのみを示すのではなく、わずかな間隙を生じることをも示す。この間隙は、プラグ２０を基板載置部材１０に着脱可能に搭載でき、この間隙から半導体基板５０の裏面側にエピタキシャル成長用原料ガスが流れ込み難く、半導体基板５０の裏面に膜が形成されることを防止できる程度の大きさであればよい。この間隙は０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下であればよく、好ましくは０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下、更に好ましくは０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。

プラグ底部２３は、載置部材プラグ設置部１４に面するプラグ２０の底部である。図４には、載置部材プラグ設置部１４とプラグ底部２３とが互いに接している例を示しているが、互いに接していなくてもよく、凹凸等の位置決め構造を設けて固定してもよい。プラグ２０を固定すると、半導体基板５０の載置または回収において、プラグ２０の位置ずれが抑制され、プラグ２０と基板載置部材１０との摩擦によって生じる材料、被膜に由来するパーティクルの発生を抑制することができる。また、プラグ２０の位置ずれが抑制されることで、基板載置部材１０、プラグ２０および半導体基板５０の間の隙間を小さくでき、半導体基板５０の裏面へエピタキシャル成長用原料ガスが流れ込むことを抑制できる。

このような基板載置部材１０およびプラグ２０を用いると、図１に示すように、プラグ２０の両端は載置部材外周部１１と載置部材基板支持部１２とに接して囲まれ、プラグ２０の後部であるプラグ外周部外壁２１ｃは載置部材外周部１１の分断されて窪んだ部分に接して沿うため、基板載置部材１０とプラグ２０との間に生じる間隙を小さくできる。そして、図３、図４に示すように、連続してつながる、第１の基板支持面１２ａと第２の基板支持面２２ａとで半導体基板５０の裏面を支持することで、載置部材基板対向面１３ａと半導体基板５０の裏面との間の空間を、基板載置部材１０の外側に配置される図示しないエピタキシャル成長用原料ガス供給部から隔離して、エピタキシャル成長用原料ガスが半導体基板５０の裏面へ流れ込むことを防止できる。

ここで、隔離とは、図４に示すように、第１の基板支持面１２ａと第２の基板支持面２２ａとで半導体基板５０の裏面を支持することにより、半導体基板５０の裏面、載置部材基板対向部１３、載置部材外周部１１およびプラグ２０で囲まれた、閉じた空間を形成することを示す。このようにすると、プラグ２０を用いない場合に比べて、エピタキシャル成長用原料ガスが半導体基板５０の裏面へ流れ込む量を減少させることができる。

また、プラグ２０は着脱可能であるため、図３に示したような半導体基板５０が載置された状態において半導体基板５０を回収する際、プラグ２０に半導体基板５０が載置されたままプラグ２０を持ち上げて、半導体基板５０の裏面および外周部を保持することができるようになり、作業性を良好に保つことができる。そのため、ピンセット等の治工具、基板載置部材１０、半導体基板５０の間の摩擦によるパーティクルの発生、またはエピタキシャル成長装置内のパーティクルの滞留を抑制でき、エピタキシャル成長層に生じるダウンフォール、三角欠陥等の欠陥を抑制することができる。

図５は、半導体基板５０の外周および裏面の説明図である。半導体基板５０の裏面の基板外縁領域５１は、第１の領域５１ａと第２の領域５１ｂとで構成される。第１の領域５１ａは、基板載置部材１０の第１の基板支持面１２ａで直接支持する領域である。第２の領域５１ｂは、プラグ２０の第２の基板支持面２２ａで直接支持する領域である。また、半導体基板５０の裏面の基板内側領域５２は、半導体基板５０の裏面のうち、基板外縁領域５１の内側の領域であって、基板載置部材１０の載置部材基板対向面１３ａと対向する。

基板外周５３は、半導体基板５０の全外周を示し、基板円形外周部５３ａと基板特定外周部５３ｂとで構成される。基板円形外周部５３ａは、半導体基板５０の円形外周部分である。基板特定外周部５３ｂは、半導体基板５０のオリフラ部またはノッチ部といった円形でない特定形状の外周部分である。ここで、半導体基板５０は基板特定外周部５３ｂを含まない円形状であってもよい。

図５には、基板特定外周部５３ｂの内側を第２の領域５１ｂとした例を示しているが、基板円形外周部５３ａの内側を第２の領域５１ｂとすることもでき、この場合には、基板特定外周部５３ｂの内側の一部または全部を第１の領域５１ａとする。このようにすると、半導体基板５０の基板特定外周部５３ｂの内側は第１の基板支持面１２ａまたは第２の基板支持面２２ａのどちらでも支持することができ、半導体基板５０を基板載置部材１０に載置する際の作業性が向上する。そのため、ピンセット等の治工具、基板載置部材１０、半導体基板５０の間の摩擦によるパーティクルの発生、またはエピタキシャル成長装置内のパーティクルの滞留を抑制でき、エピタキシャル成長層に生じるダウンフォール、三角欠陥等の欠陥を抑制することができる。

このように、基板外縁領域５１を基板載置部材１０およびプラグ２０で支持すると、基板円形外周部５３ａの内側は支持するが基板特定外周部５３ｂの内側は支持しない、といった基板外縁領域５１の一部を支持しない場合に比べて、基板載置部材１０から半導体基板５０への熱伝導が均一化され、半導体基板５０が均一に加熱される。そして、エピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等の均一性を向上させることができる。

また、エピタキシャル成長装置内には誘導加熱、抵抗加熱等の方式の図示しない加熱装置が配置されているが、半導体基板５０の加熱方法は、基板載置部材１０と半導体基板５０との接触面積を減らして熱の伝導を抑制するとともに、輻射または対流を主に利用することが好ましい。そこで、基板載置部材１０に半導体基板５０と接触しない載置部材基板対向部１３を設け、半導体基板５０の基板外縁領域５１を基板載置部材１０およびプラグ２０で支持して、熱伝導を抑制しながら輻射または対流を主に利用して半導体基板５０を加熱することができる。

ここで、載置部材基板対向面１３ａと半導体基板５０の裏面との間の距離は、半導体基板５０の直径、エピタキシャル成長用原料ガスの流量、エピタキシャル成長装置の断熱材構造、エピタキシャル成長条件等によって最適値が異なるが、０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下程度とすることが好ましい。この範囲で調節することにより、半導体基板５０の加熱における熱輻射および熱反射の制御が容易となり、エピタキシャル成長の際に半導体基板５０が均一に加熱され、基板外縁領域５１と基板内側領域５２とのエピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等を同等とすることができる。

次に、本実施の形態における実施例について説明する。半導体基板５０の基板特定外周部５３ｂとしてオリフラを有し、直径が１５０ｍｍ、基板の中心からオリフラ部へ向かう垂線の長さが７１．１ｍｍである炭化ケイ素単結晶基板を用いる場合には、炭化ケイ素単結晶基板を第１の基板支持面１２ａに載置して生じる炭化ケイ素単結晶基板の基板円形外周部５３ａと載置部材外周部内壁１１ａとの間のクリアランスを０．６ｍｍ、円状の載置部材基板対向部１３の内径を７０．５ｍｍとし、次の式１から第１の基板支持面１２ａの幅Ｗを５．１ｍｍと決定した。
Ｗ＝（１５０＋１．２）／２－７０．５ （ｍｍ） ・・・（式１）

ここでは、炭化ケイ素単結晶基板の直径の公差、基板載置部材１０の加工精度、炭化ケイ素単結晶基板の載置または回収における作業性、炭化ケイ素単結晶基板への熱伝導等を考慮している。炭化ケイ素単結晶基板の端部と載置部材外周部内壁１１ａとの間のクリアランスを０．６ｍｍとしたが、エピタキシャル成長の際に炭化ケイ素単結晶基板の端部と載置部材外周部内壁１１ａとが衝突しない程度であればよく、室温において炭化ケイ素単結晶基板の半径の１／１５０倍以上１／１００倍以下程度であればよい。また、第１の基板支持面１２ａの幅は、５．１ｍｍとしたが、エピタキシャル成長の際に炭化ケイ素単結晶基板が反っても第１の基板支持面１２ａが炭化ケイ素単結晶基板を支持できる程度であればよく、エピタキシャル成長の際に炭化ケイ素単結晶基板の基板外縁領域５１の接触面積を小さくして基板外周５３付近の高温化を緩和するために、第１の基板支持面１２ａの幅を小さくすることが好ましい。基板外周５３付近の高温化が緩和されると、基板外周５３付近とそれよりも内側の領域とのエピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等を同等とすることができる。

このようにして、プラグ２０は、基板載置部材１０とともに半導体基板５０の裏面の基板外縁領域５１を支持し、半導体基板５０の基板内側領域５２と載置部材基板対向部１３との間の空間を、基板載置部材１０の外側に配置される図示しないエピタキシャル成長用原料ガス供給部から隔離し、エピタキシャル成長用原料ガスが半導体基板５０の裏面へ流れ込むことを防止できる。そして、半導体基板５０の表面に炭化ケイ素エピタキシャル層を成長させる際、半導体基板５０の裏面に膜が形成されることを防止でき、製造歩留まりを向上させることができる炭化ケイ素エピタキシャル成長装置を得ることができる。

また、半導体基板５０の加熱における基板円形外周部５３ａの内側と基板特定外周部５３ｂの内側との温度の差が小さくなり、半導体基板５０の加熱の面内均一性を向上させることができる。そして、エピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等の均一性を向上させることができる。さらに、着脱可能なプラグ２０により、半導体基板５０の載置または回収の作業性を良好に保つことができ、ピンセット等の治工具、基板載置部材１０、半導体基板５０の間の摩擦によるパーティクルの発生、またはエピタキシャル成長装置内のパーティクルの滞留を抑制でき、エピタキシャル成長層に生じるダウンフォール、三角欠陥等の欠陥を抑制することができる。

なお、基板載置部材１０とプラグ２０との材料には、ガス透過率が８×１０^－６ｍ^２／ｓ以下で、エピタキシャル成長用原料ガス、キャリアガス等との反応性が低いものを用いることが好ましく、グラファイトに炭化ケイ素、炭化タンタル等がコーティングされたものを用いることができる。特に、載置部材基板対向面１３ａ、載置部材外周部内壁１１ａ、プラグ外周部内壁２１ａおよび第２の基板支持面２２ａは、１７００℃以上の融点を有し、炭化タンタルのように炭化ケイ素とは異なる材料で構成されることが好ましい。これは、エピタキシャル成長用原料ガス等によって基板載置部材１０またはプラグ２０がエッチングされることを抑制し、基板載置部材１０またはプラグ２０と半導体基板５０との間の間隙が拡大することを抑制するためである。他には、ニオブ、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム等の金属、これら金属の炭化物、熱分解炭素等の材料を用いることができるが、加熱による反り、ガス透過等を考慮して選択すればよい。

また、室温における第１の基板支持面１２ａから載置部材外周部上段１１ｂの最上部までの高さと、第２の基板支持面２２ａからプラグ外周部上段２１ｂの最上部までの高さとは、室温における半導体基板５０の厚み以上である、換言すると載置部材外周部上段１１ｂとプラグ外周部上段２１ｂとは半導体基板５０の表面以上の高さに形成されることが好ましい。さらに、載置部材外周部上段１１ｂの高さとプラグ外周部上段２１ｂの高さとが、半導体基板５０の厚みよりも０．１ｍｍ以上０．９ｍｍ以下高いことが好ましい。このようにすると、エピタキシャル成長用原料ガスが図４の横方向から供給される場合、エピタキシャル成長用原料ガスが直接、半導体基板５０の表面に吹き付けられず、また、基板外周５３の近傍のガスの流れが乱れ難くなる。そして、エピタキシャル成長用原料ガスの半導体基板５０の裏面への流れ抵抗が低減して半導体基板５０の裏面に膜が形成されることを防止できるとともに、基板外縁領域５１と基板内側領域５２とのエピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等を同等とすることができる。

ここで、第２の基板支持面２２ａからプラグ外周部上段２１ｂの最上部までの高さは、第１の基板支持面１２ａから載置部材外周部上段１１ｂの最上部までの高さ以下であればよく、載置部材外周部上段１１ｂと同じ高さであることが好ましい。

また、図６に示すように、載置部材外周部上段１１ｂおよびプラグ外周部上段２１ｂは、載置部材外周部１１から載置部材基板対向面１３ａまたは半導体基板５０に向かう方向において、高さが低くなる傾斜を有してもよい。傾斜させることにより、エピタキシャル成長用原料ガスが図６の横方向から供給される場合、半導体基板５０の表面に向かってエピタキシャル成長用原料ガス等が流れやすくなり、ガスの流れの乱れを生じ難くできる。この傾斜の角度は、エピタキシャル成長用原料ガス等の流量に応じて調節すればよい。

また、図７に示すように、載置部材外周部上段１１ｂは、載置部材外周部１１から載置部材基板対向面１３ａまたは半導体基板５０に向かう方向において、高さが高くなる傾斜を有してもよい。ただし、この場合、室温において載置部材外周部上段１１ｂおよびプラグ外周部上段２１ｂの最上部は、基板外周５３付近の半導体基板５０の表面よりも０．１ｍｍ以上０．９ｍｍ以下程度、高いことが好ましい。なお、図６には載置部材外周部上段１１ｂとプラグ外周部上段２１ｂとの傾きは同一である例を示したが、図７に一例を示したように、載置部材外周部上段１１ｂまたはプラグ外周部上段２１ｂのどちらか一方が傾斜を有するようにしてもよい。

また、載置部材外周部上段１１ｂおよびプラグ外周部上段２１ｂは、エピタキシャル成長層と同じ材料である炭化ケイ素で構成されることが好ましい。このようにすると、エピタキシャル成長用原料ガスによって載置部材外周部上段１１ｂまたはプラグ外周部上段２１ｂに形成される膜と載置部材外周部上段１１ｂまたはプラグ外周部上段２１ｂとの密着性が向上し、この膜の剥離によるパーティクルの発生を抑制することができる。

また、基板載置部材１０とプラグ２０とはそれぞれ載置部材外周部１１、プラグ外周部２１を有する例を示したが、基板載置部材１０とプラグ２０とはそれぞれ載置部材外周部１１、プラグ外周部２１とを有していなくてもよい。

このような構成によっても、エピタキシャル成長用原料ガスが半導体基板５０の裏面へ流れ込むことを防止でき、半導体基板の表面に炭化ケイ素エピタキシャル層を成長させる際、半導体基板の裏面に膜が形成されることを防止でき、製造歩留まりを向上させることができる炭化ケイ素エピタキシャル成長装置を得ることができる。また、半導体基板５０の加熱の面内均一性を向上させること、およびパーティクルの発生を抑制することができる。

実施の形態２．
実施の形態１では、載置部材外周部１１の一部および載置部材基板支持部１２を円周方向で分断して載置部材プラグ設置部１４を設け、載置部材プラグ設置部１４にプラグ２０を搭載し、半導体基板５０の基板特定外周部５３ｂの内側を第１の基板支持面１２ａまたは第２の基板支持面２２ａのいずれかで支持した例を示したが、本実施の形態では、載置部材外周部１１および載置部材基板支持部１２を円周方向で分断せずに、プラグ支持面１２ｂを有する載置部材プラグ設置部１４を設け、載置部材プラグ設置部１４にプラグ２０を搭載し、半導体基板５０の基板特定外周部５３ｂの内側をプラグ２０の第２の基板支持面２２ａで支持する例について説明する。これ以外の構成は実施の形態１と同様である。

図８は、本実施の形態における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材１０と、プラグ座面２３ａを有するプラグ２０とを示す平面模式図である。図９は、プラグ２０が搭載されていない基板載置部材１０を示す平面模式図である。図１０は、図８の破線Ｂ１－Ｂ２における断面を示す模式図であり、説明の明瞭化のため、半導体基板５０が載置された状態を示している。

図９に示すように、載置部材外周部１１および載置部材基板支持部１２は円周方向で連続している。また、第１の基板支持面１２ａと同じ高さで連続するプラグ支持面１２ｂを有している。図８、図１０に示すように、プラグ２０は、プラグ座面２３ａがプラグ支持面１２ｂ上に載置されるように搭載される。さらに、プラグ座面２３ａの上側の部分のプラグ外周部外壁２１ｃが載置部材外周部内壁１１ａに接して沿うようにして、載置部材プラグ設置部１４の位置に搭載される。そして、実施の形態１と同様に、第２の基板支持面２２ａは、その両端で第１の基板支持面１２ａと連続してつながっている。また、第２の基板支持面２２ａは、半導体基板５０の基板特定外周部５３ｂの内側の第２の領域５１ｂを支持している。

ここで、基板特定外周部５３ｂの内側の基板外縁領域５１は、基本的には全てを第２の基板支持面２２ａで支持するが、基板特定外周部５３ｂと基板円形外周部５３ａとの境界部近傍は第２の基板支持面２２ａで支持せずに第１の基板支持面１２ａで支持してもよい。エピタキシャル成長用原料ガスの半導体基板５０の裏面への流れ抵抗、プラグ２０の搭載および回収の作業性、基板載置部材１０およびプラグ２０の加工精度、半導体基板５０の形状および寸法等を総合的に勘案して、基板載置部材１０およびプラグ２０を設計し、基板特定外周部５３ｂと基板円形外周部５３ａとの境界部近傍を支持する面を選ぶことができる。

第２の基板支持面２２ａで基板特定外周部５３ｂの内側を支持するようにすると、実施の形態１のように基板特定外周部５３ｂが基板載置部材１０のどの位置にあっても基板特定外周部５３ｂの内側が支持されるような幅の広い第１の基板支持面１２ａを設けなくてもよく、第１の基板支持面１２ａの幅を狭くして半導体基板５０と第１の基板支持面１２ａとの接触面を狭くできる。

このようにすると、基板載置部材１０またはプラグ２０から半導体基板５０への熱伝導を抑制でき、半導体基板５０の加熱の均一性が向上する。そのため、基板外縁領域５１と基板内側領域５２とのエピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等を同等とすることができる。

ここで、第１の基板支持面１２ａの幅を狭くしても、基板外周５３の内側を基板載置部材１０およびプラグ２０で支持できるため、載置部材基板対向面１３ａと半導体基板５０の裏面との間の空間を、基板載置部材１０の外側に配置される図示しないエピタキシャル成長用原料ガス供給部から隔離して、エピタキシャル成長用原料ガスが半導体基板５０の裏面へ流れ込むことを防止できる。

また、第１の基板支持面１２ａまたは第２の基板支持面２２ａが半導体基板５０の裏面を支える長さ、換言すると基板外縁領域５１の幅は、基板円形外周部５３ａの内側と基板特定外周部５３ｂの内側とにおいて、実施の形態１では異なるが、本実施の形態では調整して同等にすることができる。そのため、本実施の形態では、エピタキシャル成長の際に半導体基板５０が反っても基板外周５３の内側は均一に支持され、基板特定外周部５３ｂにおいても、エピタキシャル成長用原料ガス等の半導体基板５０の裏面への流れ抵抗を高く保つことができる。そして、基板円形外周部５３ａと基板特定外周部５３ｂとの付近のエピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等を同等とすることができるとともに、半導体基板５０の裏面に膜が形成されることを防止できる。

次に、本実施の形態における実施例について説明する。半導体基板５０の基板特定外周部５３ｂとしてオリフラを有し、直径が１５０ｍｍ、基板の中心からオリフラ部へ向かう垂線の長さが７１．１ｍｍ、オリフラ部の直線部分の長さが４７．５ｍｍである炭化ケイ素単結晶基板を用いる場合には、炭化ケイ素単結晶基板を第１の基板支持面１２ａに載置して生じる炭化ケイ素単結晶基板の基板円形外周部５３ａと載置部材外周部内壁１１ａとの間のクリアランスを０．３ｍｍ、円状の載置部材基板対向部１３の半径を７４ｍｍとし、第１の基板支持面１２ａの幅を１．３ｍｍ、第２の基板支持面２２ａの幅を１．５ｍｍと決定することができる。

ここでも、実施の形態１と同様に、炭化ケイ素単結晶基板の直径の公差、基板載置部材１０の加工精度、炭化ケイ素単結晶基板の載置または回収における作業性、炭化ケイ素単結晶基板への熱伝導等を考慮している。炭化ケイ素単結晶基板の端部と載置部材外周部内壁１１ａとの間のクリアランスを０．３ｍｍとしたが、エピタキシャル成長の際に炭化ケイ素単結晶基板の端部と載置部材外周部内壁１１ａとが衝突しない程度であればよく、室温において炭化ケイ素単結晶基板の半径の１／２００倍以上１／１００倍以下程度であればよい。また、第１の基板支持面１２ａの幅を１．３ｍｍ、第２の基板支持面２２ａの幅を１．５ｍｍとしたが、エピタキシャル成長の際に炭化ケイ素単結晶基板が反っても支持できる程度であればよく、０．４ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましい。

このようにすると、基板外周５３付近の高温化が緩和され、基板外縁領域５１と基板内側領域５２とのエピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等を同等とすることができる。なお、図１１に示すように、プラグ２０には、設置または回収を容易にするための構造、例えば、ピンセットで掴むためのプラグ穴２４をプラグ外周部上段２１ｂに設けておいてもよい。

実施の形態３．
実施の形態１では、載置部材外周部１１の一部および載置部材基板支持部１２を円周方向で分断して載置部材プラグ設置部１４を設けてプラグ２０を設置し、半導体基板５０の基板特定外周部５３ｂの内側を第１の基板支持面１２ａまたは第２の基板支持面２２ａのいずれかで支持した例を示したが、本実施の形態は、載置部材外周部１１は分断せず、半導体基板５０の基板特定外周部５３ｂの内側を第２の基板支持面２２ａで支持する例について説明する。これ以外の構成は実施の形態１と同様である。

図１２は、本実施の形態における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材１０と、プラグ２０とを示す平面模式図である。図１３は、プラグ２０が搭載されていない基板載置部材１０を示す平面模式図である。図１４は、図１２の破線C１－C２における断面を示す模式図であり、説明の明瞭化のため、半導体基板５０が載置された状態を示している。

図１３に示すように、第１の基板支持面１２ａの幅は狭く、載置部材基板支持部１２が円周方向で分断された部分に載置部材プラグ設置部１４が設けられる。図１２および図１４に示すように、プラグ２０は、プラグ外周部外壁２１ｃが載置部材外周部内壁１１ａに接して沿うようにして、載置部材プラグ設置部１４の位置に搭載される。そして、実施の形態１と同様に、第２の基板支持面２２ａは、その両端で第１の基板支持面１２ａと連続してつながっている。

このようにすると、第１の基板支持面１２ａと第２の基板支持面２２ａとの間の隙間を小さくできるため、実施の形態２に比べて、エピタキシャル成長用原料ガスの半導体基板５０の裏面への流れ抵抗が増加し、さらに裏面へのガスの流れ込みが抑制される。また、半導体基板５０の裏面を支持しながら基板外縁領域５１の幅を小さくでき、基板載置部材１０またはプラグ２０から半導体基板５０への熱伝導が抑制され、半導体基板５０の加熱の均一性が向上する。そして、エピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等の均一性を向上させることができる。

また、実施の形態２と同様に、基板外縁領域５１の幅は、基板円形外周部５３ａと基板特定外周部５３ｂとの内側で同等にできる。そのため、エピタキシャル成長の際に、半導体基板５０が反っても、基板外周５３の内側は均一に支持され、基板特定外周部５３ｂにおいても、エピタキシャル成長用原料ガス等の半導体基板５０の裏面への流れ抵抗を高く保つことができる。そのため、基板円形外周部５３ａと基板特定外周部５３ｂとの付近のエピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等を同等とすることができるとともに、半導体基板５０の裏面に膜が形成されることを防止できる。

本実施の形態において、基板載置部材１０、プラグ２０の各部の寸法は、実施の形態２と同様にして決定することができる。また、プラグ２０には、設置または回収を容易にするための構造、例えば、ピンセットで掴むための穴を設けておいてもよい。

実施の形態４．
本実施の形態では、載置部材外周部１１の外側にカバーリング３０を取り付ける例について説明する。これ以外の構成は実施の形態１から実施の形態３と同様である。ここでは実施の形態３の基板載置部材１０およびプラグ２０を例に説明する。

図１５は、本実施の形態における炭化ケイ素エピタキシャル成長装置の基板載置部材１０と、プラグ２０と、カバーリング３０とを示す平面模式図である。図１６は、図１５の破線Ｄ１－Ｄ２における断面を示す模式図であり、説明の明瞭化のため、半導体基板５０が載置された状態を示している。

図１５、図１６に示すように、載置部材外周部１１の外側には載置部材外周部リング支持面１１ｃを設け、載置部材外周部リング支持面１１ｃに環状のカバーリング３０を載せている。カバーリング３０は、載置部材外周部リング支持面１１ｃに対向または接触するリング内壁３０ａと、カバーリング３０の上部に平坦なリング上段３０ｂとを有する。ここで、カバーリング３０と半導体基板５０とが基板載置部材１０に設置された状態において、リング上段３０ｂの最上部は、半導体基板５０の表面よりも高ければよい。また、リング上段３０ｂの最上部は、載置部材外周部上段１１ｂおよびプラグ外周部上段２１ｂ以上の高さであることが好ましい。さらに、リング上段３０ｂの最上部は、室温において、基板外周５３における半導体基板５０の表面から０．１ｍｍ以上０．９ｍｍ以下程度、高くすることが好ましい。

このようにすると、エピタキシャル成長用原料ガスが図１６の横方向から供給される場合、エピタキシャル成長用原料ガスが直接、半導体基板５０の表面に吹き付けられず、また、基板外周５３の近傍のガスの流れが乱れ難くなる。そして、エピタキシャル成長用原料ガスの半導体基板５０の裏面への流れ抵抗が低減して半導体基板５０の裏面に膜が形成されることを防止できるとともに、基板外縁領域５１と基板内側領域５２とのエピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等を同等とすることができる。また、エピタキシャル成長用原料ガスがリング上段３０ｂに沿うようにして半導体基板５０の表面へ流れるため、半導体基板５０の表面へ流れ込むガス流量を調整できるとともに、基板外周５３の近傍のガスの滞留を抑制でき、半導体基板５０の裏面へ流れ込む原料ガスを低減できる。そのため、基板円形外周部５３ａと基板特定外周部５３ｂとの付近のエピタキシャル成長層の膜厚、キャリア濃度等を同等とすることができるとともに、半導体基板５０の裏面に膜が形成されることを防止できる。

ここで、使用に伴ってカバーリング３０に膜が形成されると、エピタキシャル成長用原料ガスの半導体基板５０への流れを阻害し、乱れを生じる場合がある。また、基板載置部材１０とカバーリング３０とを加工した際に生じる寸法公差、エピタキシャル成長の条件等によっても、エピタキシャル成長用原料ガスの半導体基板５０への流れに乱れが生じる場合がある。このため、カバーリング３０を適宜交換することでリング上段３０ｂの位置を調整し、エピタキシャル成長用原料ガスの半導体基板５０への流れに乱れが生じないようにすることができる。ここで、カバーリング３０に形成される膜が厚くなると、膜応力が大きくなり膜に損傷が生じてパーティクルが発生する場合があるため、パーティクルが発生する前にカバーリング３０を交換することで、パーティクルの発生を抑制することができる。

カバーリング３０の材料には、グラファイトに炭化ケイ素、炭化タンタル等がコーティングされたものを用いることができる。特に、リング上段３０ｂはエピタキシャル成長層と同じ材料である炭化ケイ素で構成されることが好ましい。このようにすると、エピタキシャル成長用原料ガスによって形成されるリング上段３０ｂの膜とリング上段３０ｂとの密着性が向上し、この膜の剥離によるパーティクルの発生を抑制することができる。

なお、リング上段３０ｂは、カバーリング３０の外側から載置部材基板対向面１３ａまたは半導体基板５０に向かう方向において、図１７に示すような高さが低くなる傾斜、または図１８に示すような高さが高くなる傾斜を有していてもよく、エピタキシャル成長条件に合わせて決めることができる。リング上段３０ｂが傾斜を有している場合でも、上述の例で示した平坦な場合と同様、カバーリング３０と半導体基板５０とが基板載置部材１０に設置された状態において、リング上段３０ｂの最上部は、半導体基板５０の表面よりも高く、載置部材外周部上段１１ｂおよびプラグ外周部上段２１ｂ以上の高さであればよい。また、リング上段３０ｂの最上部も、室温において、基板外周５３における半導体基板５０の表面から０．１ｍｍ以上０．９ｍｍ以下程度、高くすることが好ましい。

また、カバーリング３０は、図１９から図２１に示すように、載置部材外周部上段１１ｂを覆う形状としてもよい。この場合、載置部材外周部上段１１ｂと載置部材外周部リング支持面１１ｃとをリング内壁３０ａに沿うような形状にして隙間がないようにすればよく、図１９から図２１に示すような階段状、三角形状等とすることができる。カバーリング３０の形状は、カバーリング３０の取り付けおよび回収の作業性、パーティクルの発生量等を考慮して適宜、選択すればよい。

また、使用に伴ってカバーリング３０に膜が形成されると、カバーリング３０の部位毎に膜の厚みが異なるため、カバーリング３０に反りが生じる場合がある。このため、カバーリング３０にスリット、凹凸等の加工を施して、カバーリング３０の反りを予防する構造としてもよい。スリット、凹凸等の加工を施す場合、半導体基板５０へ向かうエピタキシャル成長用原料ガスの流れに乱れが生じないように考慮すればよい。

実施の形態５．
本実施の形態では、炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法について説明する。炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法は、基板載置部材１０に半導体基板５０の裏面の基板外縁領域５１を支持するプラグ２０を搭載するプラグ搭載工程と、載置部材基板対向面１３ａと半導体基板５０の裏面とを離隔し、基板載置部材１０の第１の基板支持面１２ａとプラグ２０の第２の基板支持面２２ａとに半導体基板５０を載置する基板載置工程と、半導体基板５０の表面に炭化ケイ素をエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程と、エピタキシャル成長工程の後に、第２の基板支持面２２ａに半導体基板５０を載せたままプラグ２０を持ち上げて半導体基板５０を回収する回収工程とを備える。

プラグ搭載工程においては、プラグ２０をピンセット等により掴み、例えば、平面視で載置部材基板支持部１２が円周方向で分断された領域の載置部材プラグ設置部１４にプラグ２０をはめ込むように搭載する。ここで、実施の形態２で示した、載置部材基板支持部１２が円周方向で分断されない基板載置部材１０を用いた場合、載置部材プラグ設置部１４の第１の基板支持面１２ａの上に、プラグ座面２３ａを有するプラグ２０を搭載する。

基板載置工程においては、実施の形態１で示した基板載置部材１０およびプラグ２０の場合、先述したとおり、第１の基板支持面１２ａと第２の基板支持面２２ａとに半導体基板５０の裏面の基板外縁領域５１をどのように対応させて載置してもよい。実施の形態２から実施の形態４で示した例の場合、第２の基板支持面２２ａが基板特定外周部５３ｂの内側の半導体基板５０の裏面を支持させるように、半導体基板５０を載置する。

エピタキシャル成長工程においては、加熱装置により基板載置部材１０および半導体基板５０を加熱し、基板載置部材１０に載置された半導体基板５０に水平な方向に配置されるエピタキシャル成長用原料ガス供給部からエピタキシャル成長用原料ガスを流し、半導体基板５０の上にエピタキシャル成長層を形成する。

回収工程においては、エピタキシャル成長工程の後に、第２の基板支持面２２ａに半導体基板５０を載せたままプラグ２０を持ち上げ、半導体基板５０を真空ピンセット等で回収する。そのため、半導体基板５０の回収が簡易化し、半導体基板５０、基板載置部材１０、プラグ２０およびピンセット等の治具の間で摩擦が生じることを防止でき、パーティクルの発生を抑制できる。

なお、基板載置部材１０の載置部材外周部リング支持面１１ｃにカバーリング３０を取り付けるカバーリング取り付け工程をさらに備え、カバーリング取り付け工程とプラグ搭載工程とが順不同で処理された後、基板載置工程とエピタキシャル成長工程とがこの順序で処理されてもよい。

このようにして、半導体基板の表面に炭化ケイ素エピタキシャル層を成長させる際、半導体基板の裏面に膜が形成されることを防止でき、製造歩留まりを向上させることができる炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法を得ることができる。

上述以外にも各実施の形態の自由な組み合わせ、各実施の形態の任意の構成要素の変形、または各実施の形態の任意の構成要素の省略が可能である。

１０ 基板載置部材、 １１ 載置部材外周部、 １１ａ 載置部材外周部内壁、 １１ｂ 載置部材外周部上段、 １１ｃ 載置部材外周部リング支持面、 １２ 載置部材基板支持部、 １２ａ 第１の基板支持面、 １２ｂ プラグ支持面、 １３ 載置部材基板対向部、 １３ａ 載置部材基板対向面、 １４ 載置部材プラグ設置部、 ２０ プラグ、 ２１ プラグ外周部、 ２１ａ プラグ外周部内壁、 ２１ｂ プラグ外周部上段、 ２１ｃ プラグ外周部外壁、 ２２ プラグ基板支持部、 ２２ａ 第２の基板支持面、 ２３ プラグ底部、 ２３ａ プラグ座面、 ２４ プラグ穴、 ３０ カバーリング、 ３０ａ リング内壁、 ３０ｂ リング上段、 ５０ 半導体基板、 ５１ 基板外縁領域５１、 ５１ａ 第１の領域、 ５１ｂ 第２の領域、 ５２ 基板内側領域、 ５３ 基板外周、 ５３ａ 基板円形外周部、 ５３ｂ 基板特定外周部。

Claims (16)

1. 円形外周部を有する半導体基板を載置する基板載置部材と、前記基板載置部材に搭載されるプラグとを備える炭化ケイ素エピタキシャル成長装置であって、
   前記基板載置部材は、
   前記半導体基板の裏面の外縁領域を支持する第１の基板支持面を有した載置部材基板支持部と、
   前記半導体基板の裏面の前記外縁領域の内側の領域である基板内側領域と離隔して対向する載置部材基板対向面を有した載置部材基板対向部と
   を有し、
   前記プラグは、
   前記第１の基板支持面と同じ高さの面であり、前記半導体基板の前記外縁領域のうち前記第１の基板支持面で支持されない領域を支持し、その両端で前記第１の基板支持面と連続してつながる第２の基板支持面を有するプラグ基板支持部
   を有し、
   前記プラグの前記第２の基板支持面は、前記半導体基板の円形でない特定形状の外周部分である基板特定外周部の内側の前記外縁領域を支持する、炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
2. 前記基板載置部材は前記第１の基板支持面と同じ高さの面であり、前記第１の基板支持面と連続するプラグ支持面を有し、前記プラグは前記プラグ支持面上に載置されることを特徴とする、請求項１に記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
3. 前記基板載置部材は、前記載置部材基板対向面と同一平面上の、前記載置部材基板支持部が円周方向で分断された領域に設けられ、前記プラグが搭載される載置部材プラグ設置部をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
4. 前記基板載置部材は、前記載置部材基板支持部の外周側に載置部材外周部をさらに有し、前記プラグは、前記プラグ基板支持部の外周側にプラグ外周部をさらに有し、前記載置部材外周部の上段の最上部および前記プラグ外周部の上段の最上部は前記基板載置部材に載置される前記半導体基板の表面以上の高さに形成されることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
5. 前記載置部材外周部の上段と、前記プラグ外周部の上段とは、前記載置部材基板対向面に向かう方向において傾斜を有することを特徴とする、請求項４に記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
6. 前記プラグ外周部の上段には穴が設けられることを特徴とする、請求項４または請求項５に記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
7. 前記載置部材基板対向面、前記載置部材外周部の内壁、前記プラグ外周部の内壁および前記第２の基板支持面は、１７００℃以上の融点を有し、炭化ケイ素とは異なる材料で構成されることを特徴とする、請求項４から請求項６のいずれかに記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
8. 前記炭化ケイ素とは異なる材料は炭化タンタルであることを特徴とする、請求項７に記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
9. 前記載置部材外周部の上に着脱可能に搭載され、その上段の最上部は前記半導体基板の表面よりも高い位置にある、カバーリングをさらに備えることを特徴とする、請求項４から請求項８のいずれかに記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
10. 前記カバーリングの上段は、高さ方向の位置において、前記載置部材外周部の上段および前記プラグ外周部の上段以上にあることを特徴とする、請求項９に記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
11. 前記カバーリングの上段、前記載置部材外周部の上段および前記プラグ外周部の上段は、前記載置部材基板対向面に向かう方向において傾斜を有することを特徴とする、請求項９または請求項１０に記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
12. 前記カバーリングは前記載置部材外周部の上段を覆うことを特徴とする、請求項９から請求項１１のいずれかに記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
13. 前記カバーリングの少なくとも一部は炭化ケイ素で構成されることを特徴とする、請求項９から請求項１２のいずれかに記載の炭化ケイ素エピタキシャル成長装置。
14. 第２の基板支持面を有するプラグを、前記第２の基板支持面の高さと同じ高さであり、前記第２の基板支持面の両端で前記第２の基板支持面と連続してつながる第１の基板支持面を有する基板載置部材の上に着脱可能に搭載するプラグ搭載工程と、
    円形外周部を有する半導体基板の裏面の外縁領域を前記第１の基板支持面と前記第２の基板支持面とで支持し、前記半導体基板の裏面の前記外縁領域の内側の領域である基板内側領域を前記基板載置部材の内側の載置部材基板対向部と離隔するように、前記半導体基板を前記基板載置部材と前記プラグとに載置する基板載置工程と、
    前記基板載置工程の後に、前記半導体基板の表面に炭化ケイ素をエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程と
    を備え、
    前記基板載置工程において、前記半導体基板の円形でない特定形状の外周部分である基板特定外周部の内側の前記外縁領域が、前記プラグの前記第２の基板支持面に支持される、炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法。
15. 前記エピタキシャル成長工程の後に、前記第２の基板支持面に前記半導体基板を載せたまま前記プラグを持ち上げて前記半導体基板を回収する回収工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１４に記載の炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法。
16. 前記エピタキシャル成長工程の前に、前記基板載置部材へ着脱可能にカバーリングを取り付けるカバーリング取り付け工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１４または請求項１５に記載の炭化ケイ素エピタキシャル基板の製造方法。

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