JP2000164683A - ウェーハ固定機構 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェーハの外周縁部をオリフラ部を含
めて均等に押圧して保持することができるウェーハ固定
機構を提供すること。 【解決手段】 半導体ウェーハＷを上方から押圧する固
定部２１と、固定部２１に対して一定の角度位置で圧接
され離隔される可動ステージ１１とからなり、その可動
ステージ１１に半導体ウェーハＷが位置決めして載置さ
れる。固定部２１と可動ステージ１１との圧接時に、半
導体ウェーハＷの外周側となる固定部２１の円筒形状の
リング２２の上端面に、径内方へ延びて半導体ウェーハ
Ｗの外周縁部を押圧する９本の押圧爪２３と、オリフラ
部Ｗｆの外周縁部を下方へ垂直に押圧する径内方へ長い
１本の押圧爪２３ｆを等角度間隔に配置し取り付ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハを例
えばエッチング装置等のウェーハ処理装置内に装填する
場合に、半導体ウェーハを保持するウェーハ固定機構に
関するものであり、更に詳しくは、オリエンテーション
フラット部（以降、多くの場合にオリフラ部と略称す
る）も含めて半導体ウェーハを均一に押圧して保持し得
るウェーハ固定機構に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造プロセスには、半導体
ウェーハの表面に形成させた薄膜を所定のパターンに従
ってエッチングするプロセスがある。例えば図５は導入
する反応性のエッチングガスをマイクロ波と磁場とによ
ってプラズマ化させて半導体ウェーハをエッチングする
プラズマエッチング装置の一例の概略的な縦断面図であ
る。図５を参照して、プラズマエッチング装置１は真空
系の上室２、下室３とからなり、上室２にはマイクロ波
の導波管４が取り付けられており、下室３に取り付けら
れた石英製のベルジャー５によってエッチング室６が画
成されている。そして、上室２の外周部には磁場を形成
させるコイル７が取り付けられている。下室３の内部に
は下部電極を兼ねる可動ステージ１１が下端から下方を
ベローズ１２に覆われており、図示を省略した昇降機構
によって昇降可能に設置されている。すなわち、可動ス
テージ１１が下降された状態で、オリフラ部Ｗｆをあら
かじめ位置決めされた半導体ウェーハＷが載置され、次
いで可動ステージ１１が上昇されて半導体ウェーハＷが
固定される。また、可動ステージ１１の中央部にはガス
穴１３が形成されており、図示を省略した配管を経由し
て冷却ガスが導入され、プラズマエッチングによって温
度上昇される半導体ウェーハＷを裏面側から冷却するよ
うになっている。

【０００３】更には、載置された半導体ウェーハＷの外
周縁部を押圧する押圧爪３３を備えた固定部３１が図示
を省略した支持部によって下室３の天井部に取り付けら
れている。固定部３１は半導体ウェーハＷの外周部にお
いて可動ステージ１１と当接する石英製で円筒形状のリ
ング３２と、そのリング３２の上端面に等角度間隔に配
置して取り付けられ、径内方へ延びて半導体ウェーハＷ
の外周縁部を押圧する複数の押圧爪３３と、リング３２
の下端面に取り付けられ、可動ステージ１１に形成され
た貫通孔１４に挿入されて、可動ステージ１１と固定部
３１との角度的な位置ずれを防ぐ２本のガイド棒３４と
からなっている。すなわち、プラズマエッチング装置１
において従来のウェーハ固定機構３０は、半導体ウェー
ハＷが載置される可動ステージ１１と半導体ウェーハＷ
を押圧する固定部３１とからなっている。

【０００４】そして、エッチングガスはベルジャー５の
下端部と固定部４１との中間位置に設けられた図示しな
い配管から導入され、エッチング室６を経由して下室３
の底部から排出されるが、エッチング室６においてプラ
ズマ化されて生成するエッチングガス・イオンと中性活
性種とによって半導体ウェーハＷがエッチングされる。
この時、上述したように、半導体ウェーハＷは温度上昇
されるが、冷却が不十分であると半導体ウェーハＷに塗
布されているエッチングレジスト膜が焼付いてエッチン
グ不良を発生し、生産ラインを停止させるようなトラブ
ルを招く。

【０００５】図６は上記の従来例のウェーハ固定機構３
０の分解斜視図であり、図７は同平面図、図８は図７に
おける［８］−［８］線方向の断面図である。図６に示
すように、また上述したように、ウェーハ固定機構３０
は、半導体ウェーハＷが載置される可動ステージ１１
と、載置された半導体ウェーハＷを上方から押圧する固
定部３１とからなっている。そして、可動ステージ１１
にはその中央部に冷却ガスを流し込むガス穴１３が設け
られており、固定部３１はそのリング３２の上端面に等
角度間隔に取り付けられ径内方へ延びて半導体ウェーハ
Ｗの外周縁部を上方から押圧する１０本の押圧爪３３
と、下端面に取り付けられ可動ステージ１１に形成され
た貫通孔１４に挿入されて、可動ステージ１１と固定部
３１との角度的な位置ずれを防ぐ２本のガイド棒３４と
からなっている。

【０００６】なお、この種のウェーハ固定器具ないしは
固定機構について先行技術がある。その一つの特開平８
−１７９０２号公報に係る「ウェーハクランパおよびそ
れを用いたエッチング装置」には、図９の分解斜視図に
示すようなウエハクランパ１０１が開示されており、半
導体ウエハ１０３を塔載するウエハ塔載部１１４と、こ
のウエハ塔載部１１４と嵌合して半導体ウエハ１０３を
固定するウエハ固定部１１５とから構成されるものであ
る。ウエハ塔載部１１４には、半導体ウエハ１０３の平
面形状とほぼ同一とされてオリフラ合わせ部１１４ａ₁
が設けられた凹状部１１４ａが形成され、この凹状部１
１４ａに冷却ガスが噴出するガス孔１１４ｂが開設され
ている。また、ウエハ固定部１１５には凹状部１１４ａ
にある半導体ウエハ１０３が露出される貫通孔１１５ａ
が形成されている。この貫通孔１１５ａには、凹状部１
１４ａに搭載された半導体ウエハ１０３の外周部を全域
にわたってウエハ塔載部１１４の方向に押圧する押圧部
１１５ｂが内側に傾斜して形成されている。すなわち、
押圧部１１５ｂは全て同一長さに形成されているもので
ある。そして、このようなウエハクランパ１０１におい
ては、半導体ウエハ１０３が強制的に位置決めされるの
で、あらかじめ半導体ウエハ１０３の位置決めすること
を必要としないとしている。強制的な位置決めは傾斜し
た押圧部１１５ａによるものと思考されるが、半導体ウ
エハ１０３を凹状部１１４ａ内へ嵌入させる具体的な手
段は記述されていない。従って、位置決めを必要としな
い理由は不明確であるが、一般的には、半導体ウエハ１
０３の平面形状とほぼ同一とされた凹状部１１４ａに半
導体ウエハ１０３を嵌め込むには、半導体ウエハ１０３
のオリフラ部１０３ａの正確な位置決めが必要であり、
位置決め精度が不十分な場合には、半導体ウエハ１０３
が凹状部１１４ａに嵌まり込まないという事態を招く。

【０００７】更に変形例として、その［００４５］に
は、ウエハ固定部１１５の貫通孔１１５ａは半導体ウエ
ハ１０３の形状に開設されていなくてもよいとして、貫
通孔１１５ａを円形にし、オリフラ部１０３ａを押圧す
る部分の押圧部１１５ｂを延ばすことによっても、オリ
フラ部１０３ａを含めた半導体ウエハ１０３の外周部の
全域を均一に押圧することが可能であるとしている。し
かし、この変形例においては、半導体ウエハ１０３のオ
リフラ部１０３ａに対して、円形の貫通孔１１５ａの開
設されているウエハ固定部１１５の角度的な位置決めが
行われていないので、延ばされた押圧部１１５ｂが常に
オリフラ部１０３ａを押圧することの保証はない。

【０００８】また、特開昭６３−２１９１３７号公報に
係る「プラズマ処理装置」には、図１０に示すようなウ
エハ固定機構を有するプラズマ処理装置が開示されてい
る。上部電極ユニット２１０は上部真空容器２１１に支
持されている。密閉リング２１２は処理室蓋２２１に当
接されて処理室と外部とを真空隔離するもので、密閉リ
ング駆動ユニット２１３で駆動される。ウエハ押え具２
１５のウエハ押え部２１５ａは、ウエハ押え具２１５の
下面図である図１１も参照して、オリフラ部を含めたウ
エハ外形形状に整合している。上部真空容器２１１の下
部のストッパ２１６に取付けた複数個の回り止め棒２１
７は、ウエハ押え具２１５のガイド溝２１５ｂと係合し
ている。

【０００９】そして、試料台２０２の中央部にウエハ２
０３がセットされると、密閉リング駆動ユニット２１３
により密閉リング２１２が上昇して処理室蓋板２２１に
押し付けられ外部と真空遮断する。次に下部電極ユニッ
ト２０１を上昇させガイドリング２１８を案内としてウ
エハ押え具２１５を押上げると、ウエハ押え具２１５は
回り止め棒２１７でガイドされて上昇すると共に、ウエ
ハ押え部２１５ａがウエハ２０３を正しい位置で押さえ
ながら所定の電極間隔まで上昇してプラズマ処理が施さ
れる。すなわち、ウエハ押え具２１５のウエハ押え部２
１５ａは環状に形成されており、その全周でウェーハ２
０３を押圧するものである。このように全周を押圧する
と、処理ガスを使用する場合、押圧箇所で処理ガスが滞
留し易くプラズマ処理が不均一になり易い。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のウェー
ハ固定機構３０においては、図７、図８に示すように、
半導体ウェーハＷに形成されているオリフラ部Ｗｆの外
周縁部には押圧爪３３が届かないので押圧されず、半導
体ウェーハＷと可動ステージ１１との間の密着が不十分
となり、密着が不十分な箇所から冷却ガスが漏れてエッ
チング室６内へ流れ込むようになる。冷却ガスがエッチ
ング室６へ流れ込むと、冷却ガスとエッチングガスとが
反応して消費され半導体ウェーハＷのエッチングが意図
するように進行しないのみならず、エッチング室６内が
汚染され、かつ冷却ガスが漏れる箇所においてオリフラ
部Ｗｆの冷却が不十分となり、エッチングレジスト膜の
焼付きが発生するようになる。

【００１１】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、オリ
フラ部も含めて半導体ウェーハを均一に押圧して保持す
ることができるウェーハ固定機構を提供することを課題
とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の課題は請求項１の
構成によって解決されるが、その解決手段を説明すれ
ば、請求項１のウェーハ固定機構は、半導体ウェーハが
そのオリエンテーションフラット部を位置決めされて載
置され、載置された半導体ウェーハを裏面側から冷却す
るための冷却ガスが吹き込まれるガス穴が形成された平
面厚板状のウェーハ載置部と、半導体ウェーハの外周側
の環状体にほぼ等角度間隔に配置され径内方へ延びる複
数の押圧爪によって半導体ウェーハの外周縁部を押圧し
て、半導体ウェーハをウェーハ載置部に固定し保持する
ウェーハ固定部とが、一定の角度位置関係で上下方向に
圧接され離隔されるウェーハ固定機構において、オリエ
ンテーションフラット部に対応する押圧爪が、オリエン
テーションフラット部の外周縁部を押圧し得るように、
径内方へ向かって延びる長さを大とされているウェーハ
固定機構である。このようなウェーハ固定機構はオリエ
ンテーションフラット部を含み半導体ウェーハの外周縁
部の全体を均一に押圧するので、半導体ウェーハとウェ
ーハ載置部とが密接され、冷却ガスの漏れを生じない。

【００１３】請求項１に従属する請求項２のウェーハ固
定機構は、オリエンテーションフラット部に対応する押
圧爪が、それ以外の押圧爪と共に、径内方へ向かってほ
ぼ水平に延びる水平部分と、その先端部から垂下された
垂直部分とからなるウェーハ固定機構である。半導体ウ
ェーハを上方からウェーハ載置部へほぼ垂直に押圧する
ので、押圧時に半導体ウェーハの位置ずれを発生させな
い。また請求項１に従属する請求項３のウェーハ固定機
構は、押圧爪の全本数がオリエンテーションフラット部
に対応するものを含めて３本から１８本の範囲内にある
ウェーハ固定機構である。半導体ウェーハの均等な押圧
が可能であり、かつ処理ガスを使用する場合に、半導体
ウェーハの表面に沿い、中心部から径外方へ流れる処理
ガスの流れを阻害しない。また請求項１に従属する請求
項４のウェーハ固定機構は、押圧爪の全本数が１０本か
らなり、その中の１本がオリエンテーションフラット部
に対応するものであるか、または押圧爪の全本数が１６
本からなり、その中の隣り合う２本がオリエンテーショ
ンフラット部に対応するウェーハ固定機構である。オリ
エンテーションフラット部を含む半導体ウェーハの外周
縁部を最も均等に押圧することを可能にする。また請求
項１に従属する請求項５ウェーハ固定機構は、プラズマ
エッチング装置に使用されるウェーハ固定機構である。
オリエンテーションフラット部を含む半導体ウェーハの
外周縁部を均等の押圧するので冷却ガスの漏れを発生せ
ず、プラズマエッチングのプロセスを安定化させる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明のウェーハ固定機構は、半
導体ウェーハがオリフラ部を位置決めして載置されるウ
ェーハ載置部と、載置されている半導体ウェーハの外周
側の環状体にほぼ等角度間隔に配置され径内方へ延びる
複数の押圧爪によって半導体ウェーハの外周縁部を押圧
して固定するウェーハ固定部とが一定の角度位置関係で
上下方向に圧接され離隔されるウェーハ固定機構におい
て、オリフラ部に対応する押圧爪の径内方へ延びる長さ
を大にして、オリフラ部も含め半導体ウェーハの外周縁
部の全体を均一に押圧し得るようにしたものである。

【００１５】押圧爪の形状は半導体ウェーハの外周縁部
を押圧し得るものである限りにおいて特に限定されない
が、半導体ウェーハの外周側から径内方へ向かって下向
き傾斜とした押圧爪よりは、半導体ウェーハの外周部か
ら径内方へ向かってほぼ水平に延びる水平部と、その先
端部から下方へ垂下される垂直部とからなり、半導体ウ
ェーハを下方へ垂直に押圧する形状のものが、押圧時に
半導体ウェーハを位置ずれさせる怖れがないという点で
好ましい。

【００１６】半導体ウェーハの外周縁部を均一に押圧す
るためには、オリフラ部を押圧する押圧爪を含めて３本
以上の押圧爪が半導体ウェーハの外周部において等角度
間隔に配置されていることが必要である。ただ、１８本
を超える本数の押圧爪は、半導体ウェーハを均一に押圧
するという点で、その数に見合う効果は認められないの
みならず、エッチングに使用する場合においてはエッチ
ングガスの半導体ウェーハの表面に沿って中心部から径
外方へ向かう流れを阻害するようになる。そして、オリ
フラ部を押圧する押圧爪の数は、押圧爪の適切な配分、
オリフラ部の外周縁部に対する適切な押圧等の観点か
ら、押圧爪の全数を１０本とする場合にはその中の１
本、押圧爪の全数を１６本とする場合にはその中の隣接
する２本とするのが好ましい。

【００１７】半導体ウェーハを固定するために、ウェー
ハ載置部とウェーハ固定部とが圧接され離隔されるが、
この場合に、ウェーハ載置部を一定位置に固定しウェー
ハ固定部を移動させてもよく、逆に、ウェーハ固定部を
一定位置に固定しウェーハ載置部を移動させてもよい。
勿論、ウェーハ載置部とウェーハ固定部との両者が移動
するようにしてもよい。

【００１８】本発明のウェーハ固定機構は、ウェーハ温
度が上昇し、その冷却が不十分であるとトラブルを招く
プラズマエッチング装置のウェーハ固定機構として好ま
しく適用される。

【００１９】

【実施例】以下、本発明のウェーハ固定機構を実施例に
よって、図面を参照し具体的に説明する。

【００２０】（実施例） 図１は図５に示したプラズマ
エッチング装置１に適用されるウェーハ固定機構２０の
分解斜視図であり、図２は同平面図である。そして、図
３は図２における［３］−［３］線方向の断面図であ
り、図３のＡと図３のＢはウェーハ固定機構２０の離隔
と圧接とを示す。図１を参照して、実施例のウェーハ固
定機構２０は、半導体ウェーハＷが載置される可動ステ
ージ１１と、載置された半導体ウェーハＷを上方から押
圧する固定部２１とからなっている。可動ステージ１１
は従来のものと共通しており、その中央部に冷却ガスを
流し込むガス穴１３が設けられている。固定部２１は円
筒形状のリング２２と、その上端面に等角度間隔に取り
付けられ、径内方へ延びて、上方から半導体ウェーハＷ
のオリフラ部Ｗｆの外周縁部を押圧する押圧爪２３ｆお
よびそれ以外の半導体ウェーハＷの外周縁部を押圧する
９本の押圧爪２３が取り付けられている。このように、
押圧爪２３、２３ｆの総数を１０本とすることにより、
半導体ウェーハＷのオリフラ部Ｗｆの外周縁部を含む全
体を均等に、かつバランスよく押圧することができる。
また、リング２２の下端面には、可動ステージ１１に形
成された貫通孔１４に挿入されて、可動ステージ１１と
固定部２１との角度的な位置ずれを防ぐ２本のガイド棒
２４が取り付けられている。なお、リング２２、押圧爪
２３、２３ｆ、ガイド棒２４は石英製であり、一体的に
作製されている。

【００２１】図２、図３にも明示するように、実施例の
ウェーハ固定機構２０が従来のウェーハ固定機構４０と
異なる所は、オリフラ部Ｗｆの外周縁部に対応する押圧
爪２３ｆが他の押圧爪２３と比較して、径内方へ延びる
長さを大にされており、オリフラ部Ｗｆの外周縁部を確
実に押圧し得るようになっていることにある。また、押
圧爪２３ｆの形状は他の押圧爪２３と共に、リング２２
から径内方へ向かう水平部分２３ｆ_H と、その先端部か
ら垂下される垂直部分２３ｆ_P とからなるものとするこ
とにより、半導体ウェーハＷを下方へ垂直に押圧するこ
とができるので、押圧時に半導体ウェーハＷを位置ずれ
させるような怖れがない。

【００２２】上記のようなウェーハ固定機構２０は図５
に示すプラズマエッチング装置１において、従来のウェ
ーハ固定機構３０に替えて適用されるが、ウェーハ固定
機構２０の作用を示す図３を参照して、図３のＡは固定
部２１から可動ステージ１１が下方へ離隔された状態で
あり、この可動ステージ１１上へあらかじめオリフラ部
Ｗｆを位置決めされた半導体ウェーハＷが載置され、続
いて可動ステージ１１が上昇されて半導体ウェーハＷの
表面の外周縁部が押圧爪２３、２３ｆの下端に当接し所
定の圧力で圧接されることにより、半導体ウェーハＷは
オリフラ部Ｗｆを含めて外周縁部が可動ステージ１１に
対して均等に押圧される。従って、可動ステージ１１の
ガス穴１３に冷却ガスが導入されても、半導体ウェーハ
Ｗと可動ステージ１１との間から漏れ出さず、冷却ガス
がエッチングガスと反応することはなく、またレジスト
膜が焼付くこともなく、エッチング室６の汚染も防止さ
れる。なお、上記の間、可動ステージ１１はガイド棒２
４に導かれて昇降されるので、固定部２１と可動ステー
ジ１１との角度位置関係は常に一定に維持される。

【００２３】本実施の形態のウェーハ固定機構は以上の
様に構成され作用するが、勿論、本発明はこれに限られ
ることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形
が可能である。

【００２４】例えば本実施の形態においては、固定部２
１において、リング２２に９本の押圧爪２３と、オリフ
ラ部Ｗｆに対応する径方向に長い１本の押圧爪２３ｆを
設けたが、図４に平面図で示す変形例のウェーハ固定機
構２０’のように、１４本の押圧爪２３と、オリフラ部
Ｗｆに対応する径方向に長い２本の押圧爪２３ｆによっ
ても、半導体ウェーハＷの外周縁部の全体を均等にバラ
ンスよく押圧することができ、冷却ガスの漏れを確実に
防ぎ得る。

【００２５】また本実施の形態においては、可動ステー
ジ１１の中央部に冷却ガスを吹き込むガス穴１３を設け
たが、半導体ウェーハＷとの接触面にガス穴１３と連通
する溝を形成させてもよく、また、中央部のガス穴１３
に替えて複数の小径のガス穴を半導体ウェーハＷとの接
触面の全体に形成させてもよい。また本実施の形態にお
いては、下部電極を兼ねる可動ステージ１１を採用した
が、下部電極とステージとを独立に設けてもよい。

【００２６】また本実施の形態においては、本発明のウ
ェーハ固定機構がプラズマエッチング装置１に適用され
た場合を例示したが、これ以外の半導体ウェーハの処理
装置、例えば、イオン注入装置、熱処理装置、不純物ド
ーピング装置、プラズマＣＶＤ装置に対しても効果的に
適用される。

【００２７】

【発明の効果】本発明のウェーハ固定機構は上述したよ
うな形態で実施され、以下に述べるような効果を奏す
る。

【００２８】請求項１のウェーハ固定機構によれば、半
導体ウェーハのオリエンテーションフラット部に対応す
る押圧爪は径内方へ延びる長さを大にし、オリエンテー
ションフラット部の外周縁部を押圧し得るように形成さ
れているので、半導体ウェーハの外周縁部の全体が均等
にバランスよく押圧され、冷却ガスが漏れることによる
トラブルの発生、それに伴う処理装置の停止などのトラ
ブルを解消し得る。

【００２９】請求項２のウェーハ固定機構によれば、半
導体ウェーハのオリエンテーションフラット部に対応す
る押圧爪が、他の押圧爪と共に、先端の垂直な部分によ
って半導体ウェーハを下方へ垂直に押圧するので、押圧
時に半導体ウェーハを位置ずれさせず、常に安定な処理
を可能ならしめる。請求項３のウェーハ固定機構によれ
ば、半導体ウェーハのオリエンテーションフラット部に
対応する押圧爪を含めて、押圧爪の本数が３本以上で１
８本以下の範囲内とされてるので、半導体ウェーハが外
周縁部を均等に押圧され、かつ、エッチングガスなどの
処理ガスを使用する場合に、半導体ウェーハの表面に沿
い中心部から径外方へ向かう処理ガスの流れを阻害せ
ず、均一な処理を可能とする。

【００３０】請求項４のウェーハ固定機構によれば、押
圧爪の全数を１０本とし、その中の１本をオリエンテー
ションフラット部に対応するものとするか、全数を１６
本とし、その中の隣り合う２本をオリエンテーションフ
ラット部に対応するものとしているので、半導体ウェー
ハがその外周縁部の全体をバランス良く均等かつ適切に
押圧される。請求項５のウェーハ固定機構によれば、適
用されるプラズマエッチング装置において、冷却ガスの
漏れに伴うエッチング不良の発生が未然に防がれ、装置
の停止時間が大幅に削減される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のウェーハ固定機構の分解斜視図であ
る。

【図２】同平面図である。

【図３】図２における［３］−［３］線方向の断面図で
あり、図３のＡはステージの離隔時、図３のＢはステー
ジの圧接時を示す。

【図４】変形例のウェーハ固定機構の平面図である。

【図５】プラズマエッチング装置の概略的な断面図であ
る。

【図６】従来のウェーハ固定機構の分解斜視図である。

【図７】同平面図である。

【図８】図７における［８］−［８］線方向の断面図で
ある。

【図９】先行技術のウエハクランパの分解斜視図であ
る。

【図１０】他の先行技術のウェーハ固定機構が含まれる
プラズマエッチング装置の縦断面図である。

【図１１】図１０の同プラズマエッチング装置における
ウエハ押え具の下面図である。

【符号の説明】

１……プラズマエッチング装置、５……ベルジャー、６
……エッチング室、１１……可動ステージ、１３……ガ
ス穴、１４……貫通孔、２０、２０’……ウェーハ固定
機構、２１……固定部、２２……リング、２３、２３ｆ
……押圧爪、２４……ガイド棒。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェーハがそのオリエンテーショ
   ンフラット部を位置決めされて載置され、載置された前
   記半導体ウェーハを裏面側から冷却するための冷却ガス
   が吹き込まれるガス穴が形成された平面厚板状のウェー
   ハ載置部と、前記半導体ウェーハの外周側の環状体にほ
   ぼ等角度間隔に配置され径内方へ延びる複数の押圧爪に
   よって前記半導体ウェーハの外縁部を押圧して、前記半
   導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に固定し保持するウ
   ェーハ固定部とが、一定の角度位置関係で上下方向に圧
   接され離隔されるウェーハ固定機構において、 前記オリエンテーションフラット部に対応する前記押圧
   爪が、前記オリエンテーションフラット部の外縁部を押
   圧し得るように、径内方へ延びる長さを大とされている
   ことを特徴とするウェーハ固定機構。。
2. 【請求項２】 前記オリエンテーションフラット部に対
   応する前記押圧爪が、それ以外の前記押圧爪と共に、径
   内方へほぼ水平に延びる水平部分と、その先端部から垂
   下された垂直部分とからなることを特徴とする請求項１
   に記載のウェーハ固定機構。
3. 【請求項３】 前記押圧爪の全本数が、前記オリエンテ
   ーションフラット部に対応する前記押圧爪を含めて、３
   本以上で１８本以下の範囲内にあることを特徴とする請
   求項１に記載のウェーハ固定機構。
4. 【請求項４】 前記押圧爪の全本数が１０本であり、そ
   の中の１本が前記オリエンテーションフラット部に対応
   するものであるか、または前記押圧爪の全本数が１６本
   であり、その中の隣り合う２本が前記オリエンテーショ
   ンフラット部に対応するものであることを特徴とする請
   求項１に記載のウェーハ固定機構。
5. 【請求項５】 前記ウェーハ固定機構がプラズマエッチ
   ング装置に使用されるものであることを特徴とする請求
   項１に記載のウェーハ固定機構。