JP7491452B2 - 電気光学装置、電子機器 - Google Patents
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Description
<電気光学装置>
本実施形態の電気光学装置について、薄膜トランジスター(Thin Film Transistor;TFT)を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置(プロジェクター)の光変調手段(ライトバルブ)として好適に用いることができるものである。
素子基板10の基材10s及び対向基板20の基材20sは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。液晶層50は、本発明における電気光学素子の一例の液晶素子である。
前述したように、対向基板20の対向電極23は上下導通部106に接続されていることから、対向電極23には上下導通部106を介して共通電位(LCCOM)が印加される。素子基板10には、四隅に設けられた上下導通部106を電気的に接続させるための共通電位配線107が設けられている。
以降、それぞれの回路について、図を参照して説明する。
図5は第1ラッチ回路の構成を示す回路図、図6はシール領域における第1ラッチ回路の各構成の配置を示す平面図、図7は図6のA-A’線に沿った第1ラッチ回路の構造を示す断面図である。なお、図5は、1本のデータ線6に対応したラッチ回路ユニット(単位)の構成を示すものである。つまり、第1ラッチ回路101Aは、1920個のラッチ回路ユニット101AUを含んで構成されている。
図8はシフトレジスタの構成を示す回路図、図9はシール領域におけるシフトレジスタの各構成の配置を示す平面図、図10は図9のB-B’線に沿ったシフトレジスタの構造を示す断面図である。なお、図8は、1本の走査線3に対応したシフトレジスタユニット(単位)の構成を示すものである。つまり、シフトレジスタ102Aは、1080個のシフトレジスタユニットを含んで構成されている。
なお、連結配線152cは出力配線としても機能するものである。
また、素子基板10側と対向基板20側の双方からUV光を照射しても、遮光層131と遮光パターン137とによって遮光されるため、ASW121、ASW122、INV123、INV124のそれぞれにはUV光が入射しない。つまり、ラッチ回路ユニット101AUによってUV光の一部が遮光されたとしても、十分な光量のUV光を入射させて光硬化型の接着剤を硬化させる。その一方で、ASW121、ASW122、INV123、INV124のそれぞれを構成するN型トランジスターやP型トランジスターの半導体層にはUV光が入射しないので、UV光の照射による、これらのトランジスターの電気特性の低下が防止される。
光硬化型の接着剤の厚みを、上述したように例えば1.5μm~3.0μmとすると、接着剤の光硬化を促進する観点から間隔Sは幅Lと同じもしくは幅Lよりも大きいことが好ましく、間隔Sは少なくとも5μm以上であることが好ましい。また、周辺回路におけるトランジスターや各種の配線を配置する観点から幅Lもまた少なくとも5μm以上であることが好ましい。
(1)素子基板10のシール材40が配置されるシール領域E3に画素回路の駆動に係る周辺回路の一部(第1ラッチ回路101A、シフトレジスタ102A)が配置されている。したがって、所定の幅のシール領域E3を確保した上で、これらの周辺回路の一部を見切り部21が配置される周辺領域E2に配置する場合に比べて、素子基板10及び対向基板20の外形をX方向とY方向とにおいて小さくすることができる。
次に、第2実施形態の電気光学装置について、第1実施形態と同様に液晶装置を例に挙げ、図12及び図13を参照して説明する。第2実施形態の電気光学装置としての液晶装置は、第1実施形態の液晶装置100に対して、シール領域E3に配置される周辺回路の一部を構成するトランジスターの配置を異ならせたものである。
なお、図12は、1本のデータ線6に対応したラッチ回路ユニット(単位)における各構成の配置を示すものである。第2実施形態の液晶装置において、上記第1実施形態の液晶装置100と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
遮光層131の膜厚は例えば150nmである。遮光層131を覆って例えばNSG膜からなる第1絶縁膜132が形成される。第1絶縁膜132の膜厚は例えば200nmである。第1絶縁膜132上に、INV124における、N型トランジスター124N2の半導体層124N2aと、P型トランジスター124P2の半導体層124P2aが形成される。半導体層124N2aは、ポリシリコン膜にN型の不純物イオンが選択的に注入されてなる、ドレイン領域124N2d、低濃度ドレイン領域124N2e、チャネル領域124N2c、低濃度ソース領域124N2f、ソース領域124N2sを含んでいる。
半導体層124P2aは、ポリシリコン膜にP型の不純物イオンが選択的に注入されてなる、ドレイン領域124P2d、チャネル領域124P2c、ソース領域124P2sを含んでいる。各半導体層124N2a,124P2aの膜厚は例えば50nmである。
<電子機器>
次に、本実施形態の液晶装置が適用された電子機器について、投射型表示装置を例に挙げ、図14を参照して説明する。図14は第3実施形態の電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。
ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。
その場合も、素子基板10(素子基板10B)のシール領域E3において周辺回路の一部を配置することで、素子基板10(素子基板10B)の外形を小さくすることができる。
また、上記周辺回路の一部を構成するトランジスターを遮光パターンの下方(下層)に配置することで、該トランジスターの半導体層に入射する紫外線(UV光)を遮光パターンによって遮光することができる。
この構成によれば、第1基板及び第2基板の双方から、光硬化型のシール材を硬化させる光を入射させたとしても、遮光層と遮光パターンとによって、該半導体層に入射する光を遮光することができる。
この構成によれば、駆動能力の大きな駆動回路を構成できる。言い換えれば、高速駆動が要求されるデジタル回路に対応可能な半導体層を有するトランジスターを備えた小型な電気光学装置を実現できる。
この構成によれば、隣り合う遮光パターンによって並列接続された半導体層のそれぞれに入射する光を遮光できる。
この構成によれば、電源配線によって、トランジスターの半導体層に入射する光を遮光できる。且つ駆動回路に必要な電力を供給できる。
この構成によれば、共通電位配線によって、トランジスターの半導体層に入射する光を遮光できる。且つ画素の駆動に必要な共通電位の安定化を強化することができる。
本願によれば、電気光学装置の小型化を図り、優れたコストパフォーマンスを有する電子機器を提供できる。
Claims (6)
- 光硬化型のシール材と、
第1トランジスターと第2トランジスターとを含み、前記シール材と平面視で重なる位置に配置される第1インバーターと、
第3トランジスターと第4トランジスターとを含み、前記シール材と平面視で重なる位置に配置される第2インバーターと、
前記第1トランジスターと前記シール材との間、及び前記第2トランジスターと前記シール材との間に配置される第1配線層と、
前記第3トランジスターと前記シール材との間に配置される第2配線層と、
前記第4トランジスターと前記シール材との間に配置される第3配線層と、を備え、
前記第1トランジスターと前記第2トランジスターとは、第1方向に沿って配置され、
前記第3トランジスターと前記第4トランジスターとは、前記第1トランジスターと同じ導電型のトランジスターであり、
前記第1配線層、前記第2配線層及び前記第3配線層は、それぞれ前記第1方向に沿って延在するとともに、前記第1方向と交差する第2方向に並んで配置される、電気光学装置。 - 前記第2インバーターは、前記第1インバーターと電気的に接続されている、請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第1トランジスター、前記第2トランジスター、前記第3トランジスター及び前記第4トランジスターは、前記第1方向がチャネル長方向である、請求項1または2に記載の電気光学装置。
- 前記第1配線層と前記第2配線層との間隔は、前記第1配線層の前記第2方向の幅よりも広い、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第2配線層の前記第2方向における幅は、前記第1配線層の前記第2方向の幅と等しい、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。
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