JP5987461B2 - 電気光学装置の製造方法、及び、電気光学装置 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法等に関する。

従来、電気光学装置の１つである液晶装置を製造する方法において、複数の走査線を相互に短絡させる共通配線を形成する製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−４１４３２号公報

上記特許文献１に記載された製造方法によれば、液晶装置の製造過程において、液晶装置に設けられる電気素子などを静電気から保護することができる。
しかしながら、上記の製造方法では、画素電極を形成する前に共通配線を切断するので、画素電極を形成する工程で電気素子などを静電気から保護することが困難となる。そこで、画素電極を形成してから共通配線を切断することが好ましい。しかしながら、画素電極を形成した後では、共通配線に重畳する絶縁膜の厚みが増大してしまうので、共通配線の切断が困難となる。
このように、従来の製造方法では、製造過程で電気光学装置を静電気から効果的に保護することが困難であるという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。

［適用例１］基板上に、第１配線と第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する第１共通配線とを含む、第１配線層を形成する工程と、前記第１配線層上に、第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、第３配線と第４配線と、前記第３配線と前記第４配線とを電気的に接続する第２共通配線とを含む、第２配線層を形成する工程と、前記第１共通配線を切断する工程と、前記第２配線層上に、第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層上に、第５配線と第６配線と、前記第５配線と前記第６配線とを電気的に接続する第３共通配線とを含む、第３配線層を形成する工程と、前記第２共通配線を切断する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例の電気光学装置の製造方法は、基板に、第１配線層、第２配線層、及び第３配線層の少なくとも３つの配線層が設けられる電気光学装置に適用され得る。
この製造方法では、第１配線層を形成する工程において、複数の第１配線を相互に接続する第１共通配線を形成するので、複数の第１配線を静電気から保護しやすくすることができる。このように、この製造方法によれば、複数の第１配線、複数の第２配線、及び複数の第３配線を静電気から保護しやすくすることができ、且つ、第１共通配線及び第２共通配線の切断が困難となることを避けやすくすることができる。この結果、製造過程で電気光学装置を静電気から効果的に保護しやすくすることができる。

［適用例２］基板上に、第１配線と第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する第１共通配線とを含む、第１配線層を形成する工程と、前記第１配線層上に、第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層に、前記第１配線の一部を露出する第１コンタクトホールと、前記第２配線の一部を露出する第２コンタクトホールを形成する工程と、前記第１絶縁層上に、前記第１コンタクトホールを介して前記第１配線と電気的に接続された第３配線と、前記第２コンタクトホールを介して前記第２配線と電気的に接続された第４配線と、前記第３配線と前記第４配線とを電気的に接続する第２共通配線とを含む、第２配線層を形成する工程と、前記第１共通配線を切断する工程と、前記第２配線層上に、第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層に、前記第３配線の一部を露出する第３コンタクトホールと、前記第４配線の一部を露出する第４コンタクトホールを形成する工程と、前記第２絶縁層上に、前記第３コンタクトホールを介して前記第３配線と電気的に接続された第５配線と、前記第４コンタクトホールを介して前記第４配線と電気的に接続された第６配線と、前記第５配線と前記第６配線とを電気的に接続する第３共通配線とを含む、第３配線層を形成する工程と、前記第２共通配線を切断する工程と、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例の電気光学装置の製造方法は、基板に、第１配線層、第２配線層、及び第３配線層の少なくとも３つの配線層が設けられる電気光学装置に適用され得る。
この製造方法では、第１配線層を形成する工程において、複数の第１配線を相互に接続する第１共通配線を形成するので、複数の第１配線を静電気から保護しやすくすることができる。第１共通配線は、第２配線層を形成した後、且つ第２絶縁層を形成する前に、第１共通配線を切断する工程において切断される。つまり、第１共通配線を、第２絶縁層を形成する前に切断することができるので、第１共通配線に重畳する絶縁層の厚みが増大する前に切断することができる。このため、第１共通配線の切断が困難となることを避けやすくすることができる。第１共通配線の切断により、第１配線と第２配線の間の接続が切断される。
ここで、第２配線層を形成する工程では、複数の第２配線を相互に接続する第２共通配線を形成する。このため、第３配線と第４配線とを静電気から保護しやすくすることができる。また、第２配線層を形成する工程では、第１配線と第３配線、並びに第２配線と第４配線はそれぞれ電気的に接続されるので、第１配線と第２配線のそれぞれを第２共通配線に電気的に接続することができる。これにより、第１共通配線を切断しても、複数の第１配線は、それぞれ、第２共通配線に電気的に接続しているので、複数の第１配線も静電気から保護しやすくすることができる。
第２共通配線は、第３配線層を形成した後に、第２共通配線を切断する工程において切断される。つまり、第２共通配線を、第３絶縁層を形成する前に切断することができるので、第２共通配線に重畳する絶縁層の厚みが増大する前に切断することができる。このため、第２共通配線の切断が困難となることを避けやすくすることができる。第２共通配線の切断により、第３配線と第４配線との相互間の電気的な接続が切断される。
このように、この製造方法によれば、複数の第１配線、複数の第２配線、及び複数の第３配線を静電気から保護しやすくすることができ、且つ、第１共通配線及び第２共通配線の切断が困難となることを避けやすくすることができる。この結果、製造過程で電気光学装置を静電気から効果的に保護しやすくすることができる。

［適用例３］上記の電気光学装置の製造方法であって、前記第３配線層上に、第３絶縁層を形成する工程と、前記第３絶縁層に、前記第５配線の一部を露出する第５コンタクトホールと、前記第６配線の一部を露出する第６コンタクトホールを形成する工程と、をさらに含み、前記第５コンタクトホールと前記第６コンタクトホールとを形成する工程は、前記第２共通配線を切断する工程を含み、前記第２共通配線を切断する工程は、前記第３絶縁層と前記第２絶縁層とを貫き前記第２共通配線を切断する切断ホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、第３絶縁層に、第５コンタクトホールと第６コンタクトホールと切断ホールとを一緒の工程で形成する。これにより、第５，第６コンタクトホールと、切断ホールとを別々の工程で形成する方法に比較して、工程を短縮することができる。

［適用例４］上記の電気光学装置の製造方法であって、前記第２配線層を形成する工程では、前記第２共通配線をシリコン系の材料で形成し、前記第２絶縁層を形成する工程では、前記第２絶縁層をシリコン系の材料で形成し、前記第３絶縁層を形成する工程では、前記第３絶縁層をシリコン系の材料で形成し、前記第２共通配線を切断する工程では、前記第３絶縁層と前記第２絶縁層との前記第２共通配線に重なる部位にエッチング処理を施すことによって、前記第３絶縁層と前記第２絶縁層とともに前記第２共通配線の少なくとも一部を除去する、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、第２共通配線及び第３絶縁層と第２絶縁層とを、それぞれ、シリコン系の材料で構成することができる。そして、第２共通配線を切断する工程において、第３絶縁層と第２絶縁層との第２共通配線に重なる部位にエッチング処理を施すことによって、第３絶縁層とっ第２絶縁層ともに第２共通配線の少なくとも一部を除去することができる。これにより、第３絶縁層に対するエッチング処理において、第２共通配線の切断を行うことができる。

［適用例５］上記の電気光学装置の製造方法であって、前記第３配線層を形成する工程は、金属系の材料で前記第２絶縁層を覆う膜を形成する工程と、前記膜にエッチング処理を施すことによって、前記膜から前記第５配線と第６配線と前記第３共通配線とにパターニングする工程と、を含む、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、第３配線層を形成する工程において、金属系の材料で膜を形成してから、この膜にエッチング処理を施すことによって第５配線と第６配線と第３共通配線とを形成する。つまり、第３配線層を形成する工程では、金属系の材料で構成された膜をパターニングすることによって第５配線と第６配線と第３共通配線とを形成する。これにより、第５配線と第６配線と第３共通配線とを金属系の材料で形成することができる。

［適用例６］上記の電気光学装置の製造方法であって、前記第２配線を形成する工程では、前記第２共通配線をシリコン系の材料で形成し、前記第２絶縁層を形成する工程では、前記第２絶縁層をシリコン系の材料で形成し、前記第２共通配線を切断する工程では、前記第２絶縁層の前記第２共通配線に重なる部位にエッチング処理を施すことによって、前記第２絶縁層とともに前記第２共通配線の少なくとも一部を除去する、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、第２共通配線及び第２絶縁層を、それぞれ、シリコン系の材料で構成することができる。そして、第２共通配線を切断する工程において、第２絶縁層の第２共通配線に重なる部位にエッチング処理を施すことによって、第２絶縁層とともに第２共通配線の少なくとも一部を除去することができる。これにより、第２絶縁層に対するエッチング処理において、第２共通配線の切断を行うことができる。

また、本発明は、以下の適用例としても実現され得る。

［適用例７］基板の第１面側に、複数の第１配線と、前記複数の第１配線を相互に接続する第１共通配線と、を含む第１配線層を形成する工程と、前記第１配線層の前記基板側とは反対側に、前記複数の第１配線及び前記第１共通配線を覆う第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の前記第１配線層側とは反対側に、複数の第２配線と、前記複数の第２配線を相互に接続する第２共通配線と、を含む第２配線層を、前記複数の第１配線のそれぞれを前記複数の第２配線のいずれかに電気的に接続して形成する工程と、前記第１配線層における前記第１共通配線を、前記複数の第１配線の相互間で切断する工程と、前記第２配線層の前記基板側とは反対側に、前記複数の第２配線及び前記第２共通配線を覆う第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層の前記第２配線層側とは反対側に、複数の第３配線を含む第３配線層を、前記複数の第２配線のそれぞれを前記複数の第３配線のいずれかに電気的に接続して形成する工程と、前記第２配線層における前記第２共通配線を、前記複数の第２配線の相互間で切断する工程と、を含む、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例の電気光学装置の製造方法は、基板に、第１配線層、第２配線層、及び第３配線層の少なくとも３つの配線層が設けられる電気光学装置に適用され得る。
この製造方法では、第１配線層を形成する工程において、複数の第１配線を相互に接続する第１共通配線を形成するので、複数の第１配線を静電気から保護しやすくすることができる。第１共通配線は、第２配線層を形成した後、且つ第２絶縁層を形成する前に、第１共通配線を切断する工程において切断される。つまり、第１共通配線を、第２絶縁層を形成する前に切断することができるので、第１共通配線に重畳する絶縁層の厚みが増大する前に切断することができる。このため、第１共通配線の切断が困難となることを避けやすくすることができる。第１共通配線の切断により、複数の第１配線の相互間の接続が切断される。
ここで、第２配線層を形成する工程では、複数の第２配線を相互に接続する第２共通配線を形成する。このため、複数の第２配線を静電気から保護しやすくすることができる。また、第２配線層を形成する工程では、複数の第１配線のそれぞれを複数の第２配線のいずれかに電気的に接続するので、複数の第１配線のそれぞれを第２共通配線に電気的に接続することができる。これにより、第１共通配線を切断しても、複数の第１配線は、それぞれ、第２共通配線に電気的に接続しているので、複数の第１配線も静電気から保護しやすくすることができる。
第２共通配線は、第３配線層を形成した後に、第２共通配線を切断する工程において切断される。つまり、第２共通配線を、第２絶縁層を形成する前に切断することができるので、第１共通配線に重畳する絶縁層の厚みが増大する前に切断することができる。このため、第１共通配線の切断が困難となることを避けやすくすることができる。第２共通配線の切断により、複数の第２配線の相互間の電気的な接続が切断される。また、第２共通配線の切断により、複数の第１配線も、相互に電気的な接続が切断される。
このように、この製造方法によれば、複数の第１配線、複数の第２配線、及び複数の第３配線を静電気から保護しやすくすることができ、且つ、第１共通配線及び第２共通配線の切断が困難となることを避けやすくすることができる。この結果、製造過程で電気光学装置を静電気から効果的に保護しやすくすることができる。

［適用例８］適用例７の電気光学装置の製造方法であって、前記第２共通配線を切断する工程の後に、前記複数の第１配線のそれぞれと前記第２配線との間の電気的な接続を切断する工程と、前記複数の第２配線のそれぞれと前記第３配線との間の電気的な接続を切断する工程と、を含む、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、第１配線と第２配線と第３配線との相互間の電気的な接続を切断することができる。

［適用例９］適用例７又は８の電気光学装置の製造方法であって、前記第３配線層を形成する工程の前に、前記第２絶縁層に、前記複数の第２配線のそれぞれに至るコンタクトホールを前記第２配線ごとに形成し、且つ、前記複数の第２配線の相互間において前記第２共通配線に至る切断ホールを形成する工程を含み、前記第３配線層を形成する工程において、前記複数の第２配線のそれぞれを、各前記コンタクトホールを介して前記複数の第３配線のいずれかに電気的に接続し、且つ、前記切断ホールを介して前記第２共通配線を切断する、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、第３配線層を形成する工程の前に、第２絶縁層に、コンタクトホールと切断ホールとを形成する工程がある。そして、第３配線層を形成する工程では、コンタクトホールを介して第２配線と第３配線とを電気的に接続し、且つ、切断ホールを介して第２共通配線を切断する。つまり、この製造方法では、コンタクトホールと切断ホールとを一緒の工程で形成し、且つ、第２配線と第３配線との電気的な接続と、第２共通配線の切断とを一緒の工程で実施する。これにより、第２配線と第３配線とを電気的に接続した後に第２共通配線を切断する方法に比較して、工程を短縮することができる。

［適用例１０］適用例９の電気光学装置の製造方法であって、前記第３配線層を形成する工程は、前記第２絶縁層の前記第２配線層側とは反対側に、金属系の材料で前記第２絶縁層を覆う膜を形成する工程と、前記膜にエッチング処理を施すことによって、前記膜から前記複数の第３配線にパターニングする工程と、を含み、前記第２配線層を形成する工程では、前記複数の第２配線及び前記第２共通配線を金属系の材料で形成し、前記パターニングする工程において、前記切断ホールを介して前記第２共通配線を切断する、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、第３配線層を形成する工程において、金属系の材料で膜を形成してから、この膜にエッチング処理を施すことによって複数の第３配線を形成する。つまり、第３配線層を形成する工程では、金属系の材料で構成された膜をパターニングすることによって複数の第３配線を形成する。これにより、複数の第３配線を金属系の材料で形成することができる。また、第２配線層を形成する工程では、複数の第２配線を金属系の材料で形成する。これにより、複数の第２配線と複数の第３配線とを、それぞれ、金属系の材料で構成することができる。
これにより、第３配線層を形成する工程において、金属系の材料で構成された膜をパターニングするときに、エッチング処理によって切断ホールを介して第２共通配線を切断することができる。つまり、パターニングする工程において、複数の第３配線の形成と、第２共通配線の切断とを、エッチング処理によって実施することができる。

［適用例１１］適用例７乃至１０のいずれかの電気光学装置の製造方法であって、前記第１配線層を形成する工程では、前記第１共通配線をシリコン系の材料で形成し、前記第１絶縁層を形成する工程では、前記第１絶縁層をシリコン系の材料で形成し、前記第１共通配線を切断する工程では、前記第１絶縁層の前記第１共通配線に重なる部位にエッチング処理を施すことによって、前記第１絶縁層とともに前記第１共通配線の少なくとも一部を除去する、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

この適用例では、第１共通配線及び第１絶縁層を、それぞれ、シリコン系の材料で構成することができる。そして、第１共通配線を切断する工程において、第１絶縁層の第１共通配線に重なる部位にエッチング処理を施すことによって、第１絶縁層とともに第１共通配線の少なくとも一部を除去することができる。これにより、第１絶縁層に対するエッチング処理において、第１共通配線の切断を行うことができる。

（ａ）は本実施形態における液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。 本実施形態における液晶装置の電気的な構成を示す回路図。 本実施形態における画素の電気的な構成を示す等価回路図。 本実施形態における液晶装置の概略の構成を示す断面図。 本実施形態における共通配線を説明する平面図。 本実施形態における共通配線を説明する平面図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する断面図。 本実施形態における主配線を示す平面図。 本実施形態における共通配線を説明する平面図。 本実施形態における共通配線を説明する平面図。 図１０中のＣ部の拡大図。 本実施形態における共通配線を説明する平面図。 本実施形態における共通配線を説明する平面図。 図１３中のＤ部の拡大図。 本実施形態における共通配線を説明する平面図。 本実施形態におけるプロジェクターの概略の構成を説明する図。

図面を参照しながら、実施形態について説明する。なお、各図面において、それぞれの構成を認識可能な程度の大きさにするために、構成や部材の縮尺が異なっていることがある。
また、以下において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図である。図２は、第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。

図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材４０の内側に複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の第１の辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３および第４の辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。

これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。

図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における基板としての素子基板１０は、少なくとも基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。

素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、少なくとも基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。

見切り部２１は、図１（ａ）に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。

次に、図２および図３を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。図２に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０上の画素領域Ｅの周辺に位置する周辺領域に形成された、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、サンプリング回路７０などの駆動回路と、複数の外部接続用端子１０４と、を有している。さらに、外部接続用端子１０４に接続された、データ線駆動回路１０１に電源（ＶＤＤＸ、ＶＳＳＸ）や駆動用の信号（ＤＸ、ＣＬＸなど）を供給するためのデータ線駆動回路用配線１１４、走査線駆動回路１０２に電源（ＶＤＤＹ、ＶＳＳＹ）や駆動用の信号（ＤＹ、ＣＬＹなど）を供給するための走査線駆動回路用配線１２１、画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）をサンプリング回路７０を介してデータ線６ａに供給するための複数の画像信号線１１１などを含む複数の配線１２３を有している。
なお、以下においては、複数の外部接続用端子１０４のうち共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される外部接続用端子１０４は、端子１０４ａとも表記される。また、端子１０４ａの他の外部接続用端子１０４は、端子１０４ｂとも表記される。

データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部接続用端子１０４及びデータ線駆動回路用配線１１４を介してＸクロック信号ＣＬＸ（及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸ）、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ（及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸ）に基づくタイミングで、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎを順次生成して複数の選択信号供給線１１３にそれぞれ出力する。

走査線駆動回路１０２には、外部回路から外部接続用端子１０４及び走査線駆動回路用配線１２１を介してＹクロック信号ＣＬＹ（及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹ）、Ｙスタートパルス信号ＤＹが供給される。走査線駆動回路１０２は、これらの信号に基づいて走査信号Ｇ１，Ｇ２，・・・，Ｇｍを順次生成して複数の走査線３ａにそれぞれ出力する。

サンプリング回路７０は、Ｎチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、もしくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングトランジスター（以降、Ｓ−ＴＦＴと称する）７１を複数備えている。互いに隣り合う６本のデータ線６ａがそれぞれ接続された６個のＳ−ＴＦＴ７１のゲートは１つに纏められて１本の選択信号供給線１１３に接続されている。つまりデータ線駆動回路１０１から各選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎが６個のＳ−ＴＦＴ７１を１つの単位（系列）として供給される。１つの単位（系列）を構成する６個のＳ−ＴＦＴ７１のソースには６本の画像信号線１１１のうちいずれかが接続配線１１２を経由して接続されている。Ｓ−ＴＦＴ７１のドレインにはデータ線６ａが接続されている。サンプリング回路７０は、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎが入力されると、１つの単位（系列）を構成する６個のＳ−ＴＦＴ７１に対応するデータ線６ａに選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎに応じて画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を順次供給する。

図２に示すように、液晶装置１００には、前述したように、素子基板１０の中央部分を占める画素領域Ｅに、マトリックス状に配列された複数の画素Ｐを有している。

図３に示すように、複数の画素Ｐには、それぞれ、画素電極１５と当該画素電極１５をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０と、保持容量１６とが形成されている。画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。走査信号Ｇ１，Ｇ２，・・・，Ｇｍが供給される走査線３ａが当該ＴＦＴ３０のゲートに接続されている。画素電極１５と保持容量１６の一方の電極がＴＦＴ３０のドレインに接続されている。保持容量１６の他方の電極は走査線３ａと並行して配置された容量線３ｂに接続されている。

容量線３ｂは、図２に示すようにＸ方向において画素領域Ｅの外側まで引き出され、容量線３ｂの両端が走査線駆動回路１０２と画素領域Ｅとの間においてＹ方向に延在する一対の接続配線１３１に電気的に接続されている。一対の接続配線１３１のそれぞれは、対向基板２０の角部に設けられた４つの上下導通部１０６のうちＸ方向において対峙する上下導通部１０６同士を電気的に接続する一対の接続配線１３２に電気的に接続されている。
一対の接続配線１３２同士は、上下導通部１０６と電気的に接続された対向基板２０の共通電極２３を介して電気的に接続される。さらに一対の接続配線１３２のうちの外部接続用端子１０４側に位置する接続配線１３２は、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が供給される端子１０４ａに接続された引き回し配線１３３に接続されている。つまり、容量線３ｂには、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される。

サンプリング回路７０の６個を１つの単位（系列）としたＳ−ＴＦＴ７１に供給される選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎは、この順に順次に供給してもよいし、隣り合う６本のデータ線６ａに対応するＳ−ＴＦＴ７１に対して、系列ごとに供給するようにしてもよい。なお、図２に示すように、本実施形態においては、選択信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ（系列）ごとに供給されるよう構成されている。画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるように構成してもよい。

走査線３ａには走査線駆動回路１０２から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが、この順に順次印加される構成となっている。前述したように、画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，ＧｍによってＴＦＴ３０が一定期間だけＯＮ状態となり、データ線６ａから供給される画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）が画素電極１５に所定のタイミングで書き込まれる。
さらに、各画素Ｐに保持された画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）がリークするのを防ぐために、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が付加されている。

画素電極１５を介して液晶層５０（図１（ｂ）参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）は、対向基板２０に形成された共通電極２３との間で一定期間保持される。液晶層５０は印加される電圧レベルにより液晶分子の配向や秩序が変化して、液晶層５０を透過する光が変調され、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少して暗表示となり、ノーマリーブラックモードであれば、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加して明表示となり、全体として液晶装置１００からは画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）に応じたコントラストをもつ表示光が射出され、表示が行われる。なお、画像信号（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）は、液晶層５０を交流駆動するために共通電位（ＬＣＣＯＭ）に対して正の極性を有する電位パルスと負の極性を有する電位パルスとが組み合わされて構成される。上記のような液晶装置１００の駆動方式は相展開駆動方式と呼ばれている。なお、液晶装置１００の駆動方式は、相展開駆動方式に限定されるものではない。

次に、図４を参照して液晶装置１００の画素Ｐにおける構造、特に素子基板１０の詳しい配線構造と液晶分子の配向状態について説明する。また、ここでは、端子１０４ａ及び配線１３３（配線１３３と同層の配線１３２、配線１３１、及び容量線３ｂも同様）の層構成、他の端子１０４ｂ及び配線１２３の層構成についても説明する。
図４に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。

走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第１ソース・ドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、第２ソース・ドレイン領域を有するＬＤＤ構造が形成されている。
半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。

ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域に繋がるソース電極３１ならびにデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域に繋がるドレイン電極３２（第１中継電極６ｂ）が形成される。

次に、データ線６ａおよび第１中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｃを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａと第２中継電極１６ｄとが形成される。

第１容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体層１６ｂを介して第２容量電極１６ｃと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。また、第２中継電極１６ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ５と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜１３ｂがパターニング形成される。
絶縁膜１３ｂと第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１６ｂが成膜される。誘電体層１６ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第２中継電極１６ｄと重なる部分の誘電体層１６ｂはエッチング等により除かれる。誘電体層１６ｂを覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、第２中継電極１６ｄに繋がる第２容量電極１６ｃが形成される。誘電体層１６ｂと、誘電体層１６ｂを挟んで対向配置された第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとにより保持容量１６が構成される。

次に、第２容量電極１６ｃと誘電体層１６ｂとを覆う第２層間絶縁膜１４が形成される。第２層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第２容量電極１６ｃが第２中継電極１６ｄと接した部分に到達するように第２層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。
このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆し、第２層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ５を介して第２容量電極１６ｃおよび第２中継電極１６ｄと電気的に繋がる画素電極１５が形成される。

第２容量電極１６ｃは、第２中継電極１６ｄ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１５と電気的に接続している。
第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図３参照）における容量線３ｂとして機能している。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとの間において保持することができる。

画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の共通電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長したカラム１８ａ，２４ａの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対してカラム１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向する。画素電極１５と共通電極２３との間に交流電位を与えて液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。

ここで、端子１０４ａ及び配線１３３、並びに、端子１０４ｂ及び配線１２３の層構成について説明する。
端子１０４ａ及び配線１３３は、第１容量電極１６ａ及び第２中継電極１６ｄと同じ階層に設けられている。つまり、端子１０４ａ及び配線１３３は、第１層間絶縁膜１２の液晶層５０側に設けられている。端子１０４ａ及び配線１３３は、第１容量電極１６ａ及び第２中継電極１６ｄと同じ材料で構成されている。端子１０４ａ及び配線１３３は、第１容量電極１６ａ及び第２中継電極１６ｄと同じ工程で形成される。
端子１０４ａ及び配線１３３の液晶層５０側には、第２層間絶縁膜１４が設けられている。配線１３３は、第２層間絶縁膜１４によって覆われている。端子１０４ａは、第２層間絶縁膜１４に開口されたコンタクトホールＣＮＴ６から露呈している。

端子１０４ｂ及び配線１２３は、データ線６ａ及び第１中継電極６ｂと同じ階層に設けられている。つまり、端子１０４ｂ及び配線１２３は、第３絶縁膜１１ｃの液晶層５０側に設けられている。端子１０４ｂ及び配線１２３は、データ線６ａ及び第１中継電極６ｂと同じ材料で構成されている。端子１０４ｂ及び配線１２３は、データ線６ａ及び第１中継電極６ｂと同じ工程で形成される。
端子１０４ｂ及び配線１２３の液晶層５０側には、第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜１４が、この順に設けられている。配線１２３は、第１層間絶縁膜１２によって覆われている。端子１０４ｂは、第２層間絶縁膜１４及び第１層間絶縁膜１２に開口されたコンタクトホールＣＮＴ７から露呈している。

以下において、ゲート電極３０ｇが属する階層を配線層１５１（後述する）と呼ぶ。ゲート電極３０ｇは、配線層１５１に含まれる。
また、端子１０４ｂ及び配線１２３、並びに、データ線６ａ及び第１中継電極６ｂが属する階層を配線層１５３（後述する）と呼ぶ。端子１０４ｂ及び配線１２３、並びに、データ線６ａ及び第１中継電極６ｂは、配線層１５３に含まれる。
また、端子１０４ａ及び配線１３３、並びに、第１容量電極１６ａ（容量線３ｂ）及び第２中継電極１６ｄが属する階層を配線層１５５（後述する）と呼ぶ。端子１０４ａ及び配線１３３、並びに、第１容量電極１６ａ及び第２中継電極１６ｄは、配線層１５５に含まれる。

本実施形態では、素子基板１０の製造過程において、図５に示すように、共通配線１６１と、共通配線１６３と、共通配線１６５と、共通配線１６７と、共通配線１６９と、が設けられる。
共通配線１６１と、共通配線１６３と、共通配線１６５とは、素子基板１０の断面階層において、相互に異なる階層に設けられる。また、共通配線１６７と、共通配線１６９とは、素子基板１０の断面階層において、相互に異なる階層に設けられる。他方で、共通配線１６３と共通配線１６７とは、素子基板１０の断面階層において、相互に同じ階層に設けられる。また、共通配線１６５と共通配線１６９とは、素子基板１０の断面階層において、相互に同じ階層に設けられる。

共通配線１６１は、複数の走査線３ａの間を相互に接続している。共通配線１６１により、複数の走査線３ａが、相互に電気的に接続される。共通配線１６１は、ゲート電極３０ｇが属する配線層１５１と同じ階層に設けられている。
共通配線１６３は、複数の走査線３ａの間を相互に接続し、且つ複数のデータ線６ａの間を相互に接続している。さらに、共通配線１６３は、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとの間も接続している。共通配線１６３により、複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａが、相互に電気的に接続される。共通配線１６３は、データ線６ａが属する配線層１５３と同じ階層に設けられている。

共通配線１６５は、複数の走査線３ａの間を相互に接続し、且つ複数のデータ線６ａの間を相互に接続している。さらに、共通配線１６５は、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａと接続配線１３１との間も相互に接続している。前述したように、接続配線１３１には、複数の容量線３ｂが電気的に接続されている。共通配線１６５により、複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａ、並びに複数の容量線３ｂが、相互に電気的に接続される。共通配線１６５は、容量線３ｂが属する配線層１５５と同じ階層に設けられている。

共通配線１６７は、複数の配線１２３の間を相互に接続している。共通配線１６７により、複数の配線１２３が、相互に電気的に接続される。共通配線１６７は、共通配線１６３と同じ階層、すなわちデータ線６ａが属する配線層１５３と同じ階層に設けられている。
共通配線１６９は、複数の配線１２３の間を相互に接続し、且つ複数の配線１３３の間を相互に接続している。さらに、共通配線１６９は、複数の配線１２３と複数の配線１３３との間も接続している。共通配線１６９により、複数の配線１２３及び複数の配線１３３が、相互に電気的に接続される。共通配線１６９は、共通配線１６５と同じ階層、すなわち容量線３ｂが属する配線層１５５と同じ階層に設けられている。

素子基板１０の製造過程において、共通配線１６１は、図６に示すように、隣り合う２つの走査線３ａの間で切断される。また、共通配線１６３も、隣り合う２つの走査線３ａの間、及び隣り合う２つのデータ線６ａの間で切断される。共通配線１６３は、走査線３ａとデータ線６ａとの間の接続も切断される。
共通配線１６５は、隣り合う２つの走査線３ａの間、及び隣り合う２つのデータ線６ａの間で切断される。さらに、共通配線１６５は、走査線３ａとデータ線６ａと接続配線１３１との間の接続も切断される。
上記により、複数の走査線３ａ同士間の接続が切断される。また、複数のデータ線６ａ同士間の接続も切断される。さらに、走査線３ａとデータ線６ａと接続配線１３１との間の接続も切断される。

また、共通配線１６７及び共通配線１６９は、それぞれ、素子基板１０の製造過程において、隣り合う配線１２３同士間で切断される。さらに、共通配線１６９は、配線１２３と配線１３３との間の接続も切断される。
上記により、複数の配線１２３同士間の接続が切断される。また、配線１２３と配線１３３との間の接続も切断される。

素子基板１０の製造過程における共通配線１６１〜共通配線１６９の形成について説明する。
素子基板１０の製造では、まず、図７（ａ）に示すように、基材１０ｓに走査線３ａの主配線３ａＭを形成する。主配線３ａＭとしては、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらを積層したものが採用され得る。
このとき、基材１０ｓには、図８に示すように、平面視でＸ方向に並行する複数の主配線３ａＭが形成される。
次いで、図７（ｂ）に示すように、主配線３ａＭを覆う第１絶縁膜１１ａを形成してから、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａを形成する。
次いで、半導体層３０ａを覆う第２絶縁膜１１ｂを形成する。

次いで、第２絶縁膜１１ｂ上の半導体層３０ａに重なる領域にゲート電極３０ｇが属する配線層１５１を形成する。
このとき、ゲート電極３０ｇの形成とともに、図９（ａ）に示すように、共通配線１６１を形成する。本実施形態では、共通配線１６１の材料として、ゲート電極３０ｇの材料と同じ材料が採用されている。
共通配線１６１は、図９（ａ）中のＢ部の拡大図である図９（ｂ）に示すように、中継配線１６１ａと、接続配線１６１ｂと、を有している。中継配線１６１ａは、主配線３ａＭごとに設けられ、主配線３ａＭの導電路をＸ方向に延長する。中継配線１６１ａは、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂに設けられたコンタクトホールＣＮＴ８を介して主配線３ａＭに接続されている。接続配線１６１ｂは、隣り合う２つの中継配線１６１ａを互いに接続している。

次いで、図７（ｂ）に示すように、ゲート電極３０ｇを覆う第３絶縁膜１１ｃを形成してから、第３絶縁膜１１ｃ上に配線層１５３を形成する。前述したように、配線層１５３には、データ線６ａ、第１中継電極６ｂ、端子１０４ｂ及び配線１２３、並びに共通配線１６３及び共通配線１６７が属している。
つまり、配線層１５３の形成では、データ線６ａ及び第１中継電極６ｂ、並びに、端子１０４ｂ及び配線１２３の形成とともに、図１０に示すように、共通配線１６３及び共通配線１６７を形成する。
共通配線１６３は、図１０中のＣ部の拡大図である図１１に示すように、中継配線１６３ａと、接続配線１６３ｂと、接続配線１６３ｃと、接続配線１６３ｄと、を有している。なお、本実施形態では、主配線３ａＭ、中継配線１６１ａ、及び中継配線１６３ａの一組が、１つの走査線３ａを構成する。

中継配線１６３ａは、中継配線１６１ａごとに設けられ、中継配線１６１ａの導電路をＸ方向に延長する。中継配線１６３ａは、第３絶縁膜１１ｃに設けられたコンタクトホールＣＮＴ９を介して中継配線１６１ａに接続されている。接続配線１６３ｂは、隣り合う２つの中継配線１６３ａを互いに接続している。
接続配線１６３ｃは、複数のデータ線６ａを相互に接続する。また、接続配線１６３ｄは、中継配線１６３ａとデータ線６ａとを接続する。
共通配線１６７は、図１０に示すように、複数の配線１２３にまたがっており、複数の配線１２３を相互に接続している。
上記により、配線層１５３が形成される。

配線層１５３の形成に次いで、図１２に示すように、共通配線１６１の接続配線１６１ｂを切断する。
接続配線１６１ｂの切断では、まず、第３絶縁膜１１ｃの接続配線１６１ｂに重なる領域に、接続配線１６１ｂを露呈させるホール（図示せず）を形成する。そして、このホールを介して接続配線１６１ｂにエッチング処理を施すことによって、接続配線１６１ｂを切断する。
接続配線１６１ｂを切断した状態においても、複数の主配線３ａＭは、共通配線１６３によって相互に接続されている。

次いで、図７（ｃ）に示すように、配線層１５３を覆う第１層間絶縁膜１２を形成してから、第１層間絶縁膜１２上に配線層１５５を形成する。前述したように、配線層１５５には、端子１０４ａ、配線１３３、第１容量電極１６ａ（容量線３ｂ）及び第２中継電極１６ｄ、並びに共通配線１６５及び共通配線１６９が属している。
つまり、配線層１５５の形成では、端子１０４ａ及び配線１３３、並びに、第１容量電極１６ａ（容量線３ｂ）及び第２中継電極１６ｄの形成とともに、図１３に示すように、共通配線１６５及び共通配線１６９を形成する。

共通配線１６５は、複数のデータ線６ａにまたがっている。また、共通配線１６５は、複数の走査線３ａにまたがっている。
共通配線１６９は、複数の配線１２３をまたいで、２つの配線１３３を互いに接続している。共通配線１６９は、第１層間絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して各配線１２３に接続されている。
共通配線１６５は、図１３中のＤ部の拡大図である図１４に示すように、第１層間絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＮＴ１０を介して各中継配線１６３ａに接続されている。
また、共通配線１６５は、第１層間絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＮＴ１１を介して各データ線６ａに接続されている。

配線層１５５の形成に次いで、共通配線１６３及び共通配線１６７を切断する（図６）。
共通配線１６３の切断では、図１５に示すように、隣り合う２つの主配線３ａＭ間で共通配線１６３の接続配線１６３ｂを切断する。また、このとき、隣り合う２つのデータ線６ａ間で共通配線１６３の接続配線１６３ｃを切断する。さらに、このとき、共通配線１６３の接続配線１６３ｄも切断する。
共通配線１６７の切断では、隣り合う２つの配線１２３間で共通配線１６７を切断する（図６）。

接続配線１６３ｂの切断では、まず、第１層間絶縁膜１２において接続配線１６３ｂに重なる領域に、接続配線１６３ｂを露呈させるホール（図示せず）を形成する。そして、このホールを介して接続配線１６３ｂにエッチング処理を施すことによって、接続配線１６３ｂを切断する。接続配線１６３ｃの切断、及び接続配線１６３ｄの切断、並びに共通配線１６７の切断も同様である。
共通配線１６３を切断した状態においても、複数の走査線３ａ、複数のデータ線６ａ、及び複数の容量線３ｂは、共通配線１６５によって相互に接続されている。また、共通配線１６７を切断した状態においても、複数の配線１２３、及び２つの配線１３３は、共通配線１６９によって相互に接続されている。

共通配線１６３及び共通配線１６７を切断の後に、第２容量電極１６ｃや画素電極１５を形成してから、共通配線１６５及び共通配線１６７を切断することによって図６に示す素子基板１０が製造され得る。共通配線１６５及び共通配線１６７の切断方法については、共通配線１６３及び共通配線１６７の切断方法と同様であるため、詳細な説明を省略する。
本実施形態において、基材１０ｓが基板に対応し、中継配線１６１ａが第１配線に対応し、接続配線１６１ｂが第１共通配線に対応し、配線層１５１が第１配線層に対応している。また、第３絶縁膜１１ｃが第１絶縁層に対応し、配線１２３及びデータ線６ａが第２配線に対応し、共通配線１６３が第２共通配線に対応し、配線層１５３が第２配線層に対応している。また、第１層間絶縁膜１２が第２絶縁層に対応し、配線１３１、配線１３２、配線１３３及び容量線３ｂが第３配線に対応し、配線層１５５が第３配線層に対応している。

本実施形態によれば、複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａを相互に電気的に接続した状態で素子基板１０を製造することができる。このため、素子基板１０の製造過程において、複数の走査線３ａや複数のデータ線６ａを静電気から保護しやすくすることができる。
素子基板１０の製造過程において、共通配線１６１は、配線層１５３を形成した後、且つ第１層間絶縁膜１２を形成する前に、切断される。つまり、第１層間絶縁膜１２を形成する前に共通配線１６１を切断することができるので、共通配線１６１に重畳する層の厚みが増大する前に切断することができる。これにより、共通配線１６１の切断が困難となることを避けやすくすることができる。
共通配線１６３、共通配線１６５、共通配線１６７、及び共通配線１６９についても同様である。
このように、本実施形態によれば、複数の走査線３ａ、複数のデータ線６ａ、複数の容量線３ｂ、配線１２３、配線１３３等を静電気から保護しやすくすることができ、且つ、共通配線１６１〜共通配線１６９の切断が困難となることを避けやすくすることができる。この結果、製造過程で液晶装置１００を静電気から効果的に保護しやすくすることができる。

なお、上記の共通配線１６５及び共通配線１６７の切断において、第１層間絶縁膜１２に設けるホール（以下、切断ホールと呼ぶ）を、図７（ｃ）に示すコンタクトホールＣＮＴ３の形成工程で形成することによって、工程数の増加を抑制することができる。これにより、液晶装置１００の製造を効率化しやすくすることができる。
また、このとき、切断ホールとコンタクトホールＣＮＴ３との深さが互いに異なる場合、配線層１５１の形成工程において、ダミーの層を設けることによって切断ホールとコンタクトホールＣＮＴ３との深さをそろえやすくすることができる。これにより、切断ホールの形成条件と、コンタクトホールＣＮＴ３の形成条件とをそろえやすくすることができるので、液晶装置１００の製造を一層効率化しやすくすることができる。

また、配線層１５１を例えばポリシリコンなどのシリコン系の材料で形成し、共通配線１６１の切断において、エッチング処理で、第３絶縁膜１１ｃへの切断ホールの形成とともに共通配線１６１を切断する方法も採用され得る。この方法によれば、第３絶縁膜１１ｃに対するエッチング処理において、共通配線１６１を切断することができるので、工程数の増加を抑制することができる。これにより、液晶装置１００の製造を効率化しやすくすることができる。

また、本実施形態では、図１５に示すように、共通配線１６５を形成（パターニング）してから、共通配線１６３を切断する方法が採用されている。しかしながら、共通配線１６３を切断する方法は、これに限定されない。共通配線１６３を切断する方法としては、例えば、以下の方法も採用され得る。
共通配線１６３上の第１層間絶縁膜１２に、コンタクトホールＣＮＴ１０と、共通配線１６３を切断するための切断ホールとを形成する。
次いで、第１層間絶縁膜１２上に、第１層間絶縁膜１２と、コンタクトホールＣＮＴ１０と、共通配線１６３を切断するための切断ホールとを覆う膜を形成する。
次いで、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用して、第１層間絶縁膜１２上の膜をパターニングすることによって、共通配線１６５を形成する。このとき、第１層間絶縁膜１２に設けられた切断ホール内の膜をエッチング処理によって除去するとともに、切断ホールを介して共通配線１６３を部分的に除去する。これにより、共通配線１６５を形成（パターニング）する工程において、共通配線１６３を切断することができる。これにより、液晶装置１００の製造を効率化しやすくすることができる。

＜電子機器＞
液晶装置１００を用いた電子機器を、投射型表示装置の１つであるプロジェクターを例示して説明する。
本実施形態におけるプロジェクター５００は、図１６に示すように、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置５０１と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー５０３，５０５と、３つの反射ミラー５０７，５０８，５０９と、５つのリレーレンズ５１１，５１２，５１３，５１４，５１５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ５１７，５１８，５１９と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム５２１と、投射レンズ５２３とを備えている。

偏光照明装置５０１は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット５２５と、インテグレーターレンズ５２７と、偏光変換素子５２９と、を有している。
ダイクロイックミラー５０３は、偏光照明装置５０１から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー５０５は、ダイクロイックミラー５０３を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー５０３で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー５０７で反射した後にリレーレンズ５１５を経由して液晶ライトバルブ５１７に入射する。
ダイクロイックミラー５０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ５１４を経由して液晶ライトバルブ５１８に入射する。
ダイクロイックミラー５０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ５１１，５１２，５１３と２つの反射ミラー５０８，５０９とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ５１９に入射する。

液晶ライトバルブ５１７，５１８，５１９は、クロスダイクロイックプリズム５２１の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ５１７，５１８，５１９に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム５２１に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ５２３によってスクリーン５３１上に投射され、画像が拡大されて表示される。

なお、液晶ライトバルブ５１７，５１８，５１９は、それぞれ、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶ライトバルブ５１７，５１８，５１９は、それぞれ、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子５３３の間に、液晶装置１００を隙間を空けて配置した構成を有している。

なお、液晶装置１００が適用される電子機器は、プロジェクター５００に限定されない。液晶装置１００は、例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
また、電気光学装置は、液晶装置１００に限定されず、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置も適用され得る。

３ａ…走査線、３ａＭ…主配線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ｓ…基材、１１ａ…第１絶縁膜、１１ｂ…第２絶縁膜、１１ｃ…第３絶縁膜、１２…第１層間絶縁膜、１４…第２層間絶縁膜、１５…画素電極、１６…保持容量、１６ａ…第１容量電極、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｇ…ゲート電極、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０４…外部接続用端子、１０４ａ…端子、１０４ｂ…端子、１２３…配線、１３１…接続配線、１３２…接続配線、１３３…引き回し配線、１５１…配線層、１５３…配線層、１５５…配線層、１６１…共通配線、１６１ａ…中継配線、１６１ｂ…接続配線、１６３…共通配線、１６３ａ…中継配線、１６３ｂ…接続配線、１６３ｃ…接続配線、１６３ｄ…接続配線、１６５…共通配線、１６７…共通配線、１６９…共通配線、５００…プロジェクター。

Claims (7)

1. 互いに絶縁された第１配線と第２配線とを含む第１配線層と、互いに絶縁された第３配線と第４配線を含む第２配線層と、互いに絶縁された第５配線と第６配線を含む第３配線層を有する電気光学装置の製造方法であって、
   基板上に、前記第１配線と前記第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する第１共通配線とを含む、前記第１配線層を形成する工程と、
   前記第１配線層上に、第１絶縁層を形成する工程と、
   前記第１絶縁層上に、前記第３配線と前記第４配線と、前記第３配線と前記第４配線とを電気的に接続する第２共通配線とを含む、前記第２配線層を形成する工程と、
   前記第１共通配線を切断する工程と、
   前記第２配線層上に、第２絶縁層を形成する工程と、
   前記第２絶縁層上に、前記第５配線と前記第６配線と、前記第５配線と前記第６配線とを電気的に接続する第３共通配線とを含む、前記第３配線層を形成する工程と、
   前記第２共通配線を切断する工程と、を含む
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 互いに絶縁された第１配線と第２配線とを含む第１配線層と、互いに絶縁された第３配線と第４配線を含む第２配線層と、互いに絶縁された第５配線と第６配線を含む第３配線層を有する電気光学装置の製造方法であって、
   基板上に、前記第１配線と前記第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する第１共通配線とを含む、前記第１配線層を形成する工程と、
   前記第１配線層上に、第１絶縁層を形成する工程と、
   前記第１絶縁層に、前記第１配線の一部を露出する第１コンタクトホールと、前記第２配線の一部を露出する第２コンタクトホールを形成する工程と、
   前記第１絶縁層上に、前記第１コンタクトホールを介して前記第１配線と電気的に接続された前記第３配線と、前記第２コンタクトホールを介して前記第２配線と電気的に接続された前記第４配線と、前記第３配線と前記第４配線とを電気的に接続する第２共通配線とを含む、前記第２配線層を形成する工程と、
   前記第１共通配線を切断する工程と、
   前記第２配線層上に、第２絶縁層を形成する工程と、
   前記第２絶縁層に、前記第３配線の一部を露出する第３コンタクトホールと、前記第４配線の一部を露出する第４コンタクトホールを形成する工程と、
   前記第２絶縁層上に、前記第３コンタクトホールを介して前記第３配線と電気的に接続された前記第５配線と、前記第４コンタクトホールを介して前記第４配線と電気的に接続された前記第６配線と、前記第５配線と前記第６配線とを電気的に接続する第３共通配線とを含む、前記第３配線層を形成する工程と、
   前記第２共通配線を切断する工程と、
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
3. 前記第３配線層上に、第３絶縁層を形成する工程と、
   前記第３絶縁層に、前記第５配線の一部を露出する第５コンタクトホールと、前記第６配線の一部を露出する第６コンタクトホールを形成する工程と、をさらに含み、
   前記第５コンタクトホールと前記第６コンタクトホールとを形成する工程は、前記第２共通配線を切断する工程を含み、
   前記第２共通配線を切断する工程は、前記第３絶縁層と前記第２絶縁層とを貫き前記第２共通配線を切断する切断ホールを形成する工程と、を含む
   ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記第２配線層を形成する工程では、前記第２共通配線をシリコン系の材料で形成し、
   前記第２絶縁層を形成する工程では、前記第２絶縁層をシリコン系の材料で形成し、
   前記第３絶縁層を形成する工程では、前記第３絶縁層をシリコン系の材料で形成し、
   前記第２共通配線を切断する工程では、前記第３絶縁層と前記第２絶縁層との前記第２共通配線に重なる部位にエッチング処理を施すことによって、前記第３絶縁層と前記第２絶縁層とともに前記第２共通配線の少なくとも一部を除去する、
   ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 前記第３配線層を形成する工程は、
   金属系の材料で前記第２絶縁層を覆う膜を形成する工程と、
   前記膜にエッチング処理を施すことによって、前記膜から前記第５配線と第６配線と前記第３共通配線とにパターニングする工程と、を含む、
   ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
6. 前記第２配線を形成する工程では、前記第２共通配線をシリコン系の材料で形成し、
   前記第２絶縁層を形成する工程では、前記第２絶縁層をシリコン系の材料で形成し、
   前記第２共通配線を切断する工程では、前記第２絶縁層の前記第２共通配線に重なる部位にエッチング処理を施すことによって、前記第２絶縁層とともに前記第２共通配線の少なくとも一部を除去する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
7. 互いに絶縁された第１配線と第２配線とを含む第１配線層と、互いに絶縁された第３配線と第４配線を含む第２配線層と、互いに絶縁された第５配線と第６配線を含む第３配線層を有する電気光学装置であって、
   基板と、
   前記基板上の前記第１配線層に設けられた前記第１配線、前記第２配線、及び、前記第１配線と前記第２配線との間に配置された第１共通配線と、
   前記第１配線層上に設けられた第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層に設けられ、前記第１配線の一部を露出する第１コンタクトホール、前記第２配線の一部を露出する第２コンタクトホール、及び、前記第１共通配線を前記第１配線と前記第２配線との間で分断する第１切断ホールと、
   前記第１絶縁層上の前記第２配線層に設けられ、前記第１コンタクトホールを介して前記第１配線と電気的に接続された前記第３配線、前記第２コンタクトホールを介して前記第２配線と電気的に接続された前記第４配線、及び、前記第３配線と前記第４配線との間に配置された第２共通配線と、
   前記第２配線層上に設けられた第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層に設けられ、前記第３配線の一部を露出する第３コンタクトホール、前記第４配線の一部を露出する第４コンタクトホール、及び、前記第２共通配線を前記第３配線と前記第４配線との間で分断する第２切断ホールと、
   前記第２絶縁層上の前記第３配線層に設けられ、前記第３コンタクトホールを介して前記第３配線と電気的に接続された前記第５配線、及び、前記第４コンタクトホールを介して前記第４配線と電気的に接続された前記第６配線と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置。