JP2010060900A - 電気光学装置及び備えた電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えば、データ線に沿った表示ムラ等のない高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、第1基板(10)と、第1基板上に配列された複数の画素電極(9)と、複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、画像信号が供給される画像信号線(150)と、周辺領域の一部に、第1基板上で平面的に見て画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられると共に、複数の画素電極と同一の導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺導電膜(60)とを備える。
【選択図】図7
【解決手段】電気光学装置は、第1基板(10)と、第1基板上に配列された複数の画素電極(9)と、複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、画像信号が供給される画像信号線(150)と、周辺領域の一部に、第1基板上で平面的に見て画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられると共に、複数の画素電極と同一の導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺導電膜(60)とを備える。
【選択図】図7
Description
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
この種の電気光学装置では、例えば、一対の基板が所定の隙間を介してシール領域においてシール材によって貼り合わされ、これらの基板間に液晶等の電気光学物質が封入される。一対の基板のうち一方の基板上の表示領域に、ITO(Indium Tin Oxide)膜からなる画素電極、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのTFT(Thin Film Transistor)が層間絶縁膜を介して積層構造として作り込まれ、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、一方の基板上の表示領域の周辺の周辺領域(シール領域を含む)には、画像信号を供給するための画像信号線等が積層構造として作り込まれる。
このような電気光学装置では、例えば一方の基板上の積層構造における表面に画素電極の厚みに起因して生じる段差を低減することなどを目的として、一方の基板上の画素電極と同じ層における、画素領域の周辺に位置する周辺領域にITO膜が形成される場合がある。例えば特許文献1によれば、帯電防止用の導電層をITO膜から形成する技術が開示されている。
しかしながら、上述したように周辺領域にITO膜又はAl膜等からなる導電膜が形成される場合、周辺領域に形成される導電膜と画像信号線と間の容量性カップリング(或いは容量結合)に起因して、画像信号線からデータ線に書き込まれる画像信号電位が低下してしまうおそれがある。このため、このような画像信号電位の低下に起因して、データ線に沿った表示ムラが発生してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば、データ線に沿った表示ムラ等のない高品位な画像を表示可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、第1基板と、該第1基板上に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、画像信号が供給される画像信号線と、前記周辺領域の一部に、前記第1基板上で平面的に見て前記画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられると共に、前記複数の画素電極と同一の導電材料から前記複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺導電膜とを備える。
本発明の電気光学装置によれば、第1基板は、例えばガラス基板上に、例えば画素スイッチング用素子としてのトランジスタや例えば走査線、データ線等の配線が積層された積層構造を有しており、最上層には例えばNSG(ノンシリケートガラス)或いはシリコン酸化膜からなる絶縁膜が形成される。第1基板上には例えばITO膜、Al膜等の導電材料からなる画素電極が例えばマトリクス状に配列される。例えば、第1基板は、例えばガラス基板からなる第2基板と互いに対向するように配置される。第2基板上には例えばITO膜、Al膜等の導電材料からなる対向電極が画素電極に対向して設けられる。第1及び第2基板は、画素領域或いは画素アレイ領域(又は、「画像表示領域」とも呼ぶ)の周囲に沿ったシール領域においてシール材によって交互に貼り合わされ、一対の第1及び第2基板間には、例えば液晶等の電気光学物質が挟持される。画素電極及び対向電極上の各々には、例えばポリイミド等からなる配向膜が設けられ、これら配向膜における表面形状効果により、電気光学装置を動作させない状態で、電気光学物質は一対の第1及び第2基板間で所定の配向状態をとる。
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば走査線を通じて走査信号が供給されることで例えば画素スイッチング用素子のスイッチング動作が制御されると共に画像信号線からデータ線に供給された(即ち、書き込まれた)画像信号電位が、画素スイッチング素子を介して画素電極に供給される。これにより、画素電極及び対向電極間の電気光学物質に画像信号に基づく電圧が印加され、電気光学物質の配向状態が変化する。このような電気光学物質の配向状態の変化によって画素毎の光の透過率が変化する。これにより電気光学物質を通過する光が画像信号に応じて変化し、画素領域において画像表示が行われる。
本発明では特に、第1基板上における周辺領域の一部に、複数の画素電極と同一の導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺導電膜が、第1基板上で平面的に見て画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられる。周辺導電膜は、典型的には、周辺領域のうち画像信号線が形成された領域を除く領域に、画素領域の周囲に沿って設けられる。周辺導電膜は、例えば、複数の画素電極が配列される画素ピッチと同一の配列ピッチで画素領域を囲むように配列される複数の本体部分と、該複数の本体部分のうち互いに隣り合う本体部分間を繋ぐ接続部分とを有するように形成される。
よって、周辺導電膜と画像信号線と間の容量性カップリングを殆ど或いは実践上全く発生させることなく、周辺導電膜を周辺領域の一部に設けることができる。
従って、周辺導電膜と画像信号線との間の容量性カップリングに起因して、画像信号線からデータ線に書き込まれる画像信号電位が低下してしまうことを低減或いは防止できる。これにより、データ線に書き込まれる画像信号電位の低下に起因して、データ線に沿った表示ムラが発生してしまうことを低減或いは防止できる。
更に、周辺導電膜が、第1基板上における周辺領域の一部に、例えば画素領域の周囲に沿って設けられることにより、第1基板表面と画素電極表面との段差に起因してラビング処理時に発生し得る、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、周辺導電膜が形成された領域(即ち、表示に寄与しない周辺領域の一部)に残留し易くできる。即ち、ラビかすが、画素領域内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
加えて、周辺導電膜は、上述したように、複数の画素電極と同一の導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成されるので、第1基板上における積層構造の複雑化や製造工程の複雑化を招かない。
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、データ線に沿った表示ムラ等のない高品位な画像を表示可能である。
本発明の電気光学装置の一態様では、前記画像信号線は、前記画素領域の一辺に沿うように形成された本線部分と、該本線部分より上層側に配置されると共に前記一辺に交わる方向に延びるように形成され、前記本線部分と電気的に接続された分岐配線部分とを有し、前記周辺導電膜は、少なくとも前記分岐配線部分と重ならないように設けられる。
この態様によれば、画像信号線の本線部分は、例えばデータ線の配列方向(或いは例えば走査線が延びる方向)に沿う画素領域の一辺に沿うように形成される。画像信号線の分岐配線部分は、本線部分より例えば層間絶縁膜を介して上層側に配置されると共に前記一辺に交わる方向(例えば、データ線が延びる方向)に延びるように複数形成される。
この態様では特に、周辺導電膜は、第1基板上で平面的に見て少なくとも分岐配線部分と重ならないように設けられる。即ち、周辺導電膜は、当該周辺導電膜との間の層間距離(即ち、第1基板上の積層構造における第1基板に交わる方向或いは垂直方向である積層方向に沿った距離)が本線部分よりも短い分岐配線部分と重ならないように設けられる。よって、周辺導電膜及び分岐配線部分間の容量性カップリングを殆ど或いは実践上完全に無くすことが可能であり、周辺導電膜及び画像信号線間の容量性カップリングを効果的に低減できる。従って、周辺導電膜と画像信号線との間の容量性カップリングに起因して、画像信号線からデータ線に書き込まれる画像信号電位が低下してしまうことを確実に低減或いは防止できる。
上述した画像信号線が本線部分及び分岐配線部分を有する態様では、前記周辺導電膜は、前記本線部分及び前記分岐配線部分と重ならないように設けられてもよい。
この態様によれば、周辺導電膜及び画像信号線間の容量性カップリングをより一層確実に低減できる。
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像信号は、シリアル−パラレル変換されたN(但し、Nは2以上の自然数)系列の画像信号であり、前記画像信号線は、前記N系列の画像信号を夫々供給するためのN本の画像信号線である。
この態様によれば、その動作時には、シリアル−パラレル変換されたN系列の画像信号が、N本の画像信号線に供給され、更に、例えばサンプリング回路へと供給される。N系列の画像信号は、例えば駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、外部回路によって、シリアルな画像信号が、3相、6相、12相、24相、…など、複数のパラレルな画像信号に変換されることによって生成される。このような画像信号の供給と並行して、例えばデータ線駆動回路によって、データ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号が順次供給される。すると、サンプリング回路によって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線群毎にN個の画像信号が順次供給される。よって、同一データ線群に属するデータ線は同時に駆動されることとなる。ここで、同一データ線群に属するN本のデータ線には、N本の画像信号線のうち互いに異なる画像信号線から画像信号が供給される。即ち、同一データ線群に属するN本のデータ線には、互いに異なる系列の画像信号が供給される。
仮に、何らの対策も施さず、周辺導電膜がN本の画像信号線に重なるように設けられる場合には、周辺導電膜とN本の画像信号線の各々との間に容量性カップリングが発生する。この容量性カップリングは、例えば周辺導電膜や画像信号線の膜厚の第1基板上におけるバラツキ等の製造バラツキによって、画像信号線毎に異なるおそれがある。従って、例えば、周辺導電膜及び画像信号線間の容量性カップリングに起因する画像信号電位の低下が、同一の画像信号線から同一系列の画像信号が供給されるデータ線の組(即ち、同一系列のデータ線)毎に、バラついてしまうおそれがある。このため、例えば、互いに異なる系列の画像信号が供給されるデータ線毎に、データ線に沿った表示ムラが発生してしまうおそれがある。
しかるに本態様によれば、周辺導電膜は、第1基板上における周辺領域の一部に、画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられるので、周辺導電膜と画像信号線と間の容量性カップリングを殆ど或いは実践上完全に無くすことができ、例えば、互いに異なる系列の画像信号が供給されるデータ線毎にデータ線に沿った表示ムラが発生してしまうことを低減或いは防止できる。
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第1基板の前記複数の画素電極が配置されている側に対向配置される第2基板と、前記第1及び第2基板を、前記画素領域の周囲に沿ったシール領域において互いに貼り合わせるシール材とを備え、前記周辺導電膜は、前記周辺領域のうち前記シール領域を含む領域に、前記画素領域の周囲に沿って設けられている部分を有する。
この態様によれば、周辺導電膜が、第1基板上におけるシール領域を含む領域に、画素領域の周囲に沿って設けられることにより、第1基板表面と画素電極表面との段差に起因してラビング処理時に発生し得る、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、周辺導電膜が形成された領域(即ち、表示に寄与しない周辺領域の一部であるシール領域を含む領域)に残留し易くできる。即ち、ラビかすが、画素領域内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置(但し、その各種態様も含む)を具備する。
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図10を参照して説明する。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図10を参照して説明する。
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図2は、図1のH−H’線断面図である。
図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置100では、本発明に係る「第1基板」の一例としてのTFTアレイ基板10と本発明に係る「第2基板」の一例としての対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域52aに設けられたシール材52により相互に接着されている。シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂等の光硬化型接着材料からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射等の光照射により硬化させられたものである。
図1において、シール材52が配置されたシール領域52aの内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域53aを規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。尚、本実施形態では、周辺領域は、TFTアレイ基板10の中心から見て、額縁遮光膜53によって規定される額縁領域53aより以遠の領域として規定されており、額縁領域53a及びシール領域52aを含む領域である。つまり、周辺領域は、TFTアレイ基板10上における画像表示領域10aを除く領域であり、光を出射しない領域として設定されている。
周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域52aの外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域52aよりも内側に、サンプリング回路7が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域52aの内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。
TFTアレイ基板10上には、外部回路接続端子102と、サンプリング回路7、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。尚、引回配線90には、図4から図6を参照して後述する画像信号線150が含まれている。
図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用素子である画素スイッチング用のTFT30(図3参照)や走査線11(図3参照)、データ線6(図3参照)等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域10aには、画素スイッチング用のTFT30や走査線11、データ線6等の配線の上層に画素電極9がマトリクス状に設けられている。画素電極9は、TFTアレイ基板10上における最上層側に形成された層間絶縁膜44(図9参照)上に形成されている。
画素電極9上には、例えばポリイミド等の有機材料からなる配向膜16が画素電極9を覆うように形成されている。配向膜16は、ラビング処理が施されており、電圧無印加時の液晶分子の配列を揃える機能を有している。尚、配向膜16は、例えばシリカ(SiO2)等の無機材料から形成されてもよい。
他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域10a内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上に、ITO等の透明材料からなる対向電極21が複数の画素電極9と対向してベタ状に形成されている。対向電極21上には、例えばポリイミド等の有機材料からなる配向膜22が形成されている。尚、配向膜22は、例えばシリカ(SiO2)等の無機材料から形成されてもよい。
また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
尚、ここでは図示しないが、本実施形態では、図7から図10を参照して後に説明するように、TFTアレイ基板10上における周辺領域には、画素電極9及びTFT30を含んでなる画素部を模擬するために画素部と同様の構造を有するダミー画素部や、画素電極9と同一の透明導電材料又は反射導電材料から画素電極9と同時にパターニングして形成された周辺導電膜60が設けられている。
尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図3を参照して説明する。ここに図3は、本実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
図3において、本実施形態に係る液晶装置100の画像表示領域10aには、複数の画素部500がマトリクス状に配列されている。複数の画素部500には、それぞれ、画素電極9と該画素電極9をスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線6がTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6に書き込む画像信号VS1、VS2、…、VSnは、互いに隣り合う複数のデータ線6同士に対して、グループ毎に供給される。尚、データ線6に書き込む画像信号VS1、VS2、…、VSnは、この順に線順次に供給されてもよい。
また、TFT30のゲートに走査線11が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線11にパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号VS1、VS2、…、VSnを所定のタイミングで書き込む。
画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号VS1、VS2、…、VSnは、対向基板20(図2参照)に形成された対向電極21(図2参照)との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9と対向電極21との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9と並列してTFT30のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、容量配線400に電気的に接続されている。
次に、本実施形態における、データ線駆動回路、サンプリング回路、画像信号線及びデータ線の電気的な接続について、図4を参照して説明する。ここに図4は、データ線駆動回路、サンプリング回路、画像信号線及びデータ線の電気的な接続関係を示す説明図である。
図4において、画像信号線150の分岐配線部分152は、サンプリング回路7を構成する例えばTFT等からなるサンプリングスイッチ7sのソースに電気的に接続されており、データ線駆動回路101からのサンプリング信号線117は、サンプリングスイッチ7sのゲートに電気的に接続されている。尚、図5を参照して後述するように、画像信号線150は、データ線6の配列方向(即ちX方向)に延びる本線部分151と、データ線6が延びる方向(即ちY方向)に延びる複数の分岐配線部分152とを有している。
液晶装置100の動作時には、外部回路から画像信号VID1〜VID6用の外部回路接続端子102に印加される画像信号は、画像信号線150の本線部分151及び分岐配線部分152を経てサンプリング回路7へ供給され、ここで、データ線駆動回路101からサンプリング信号線117を経て供給されるサンプリング信号Siに応じたタイミングで、サンプリングされる。そして、サンプリングされた画像信号は、各データ線6に供給されることになる。尚、データ線駆動回路101には、所定周期のX側クロック信号CLX(及びその反転信号CLX´)、シフトレジスタスタート信号DX等が入力され、これらに基づいて、データ線駆動回路101を構成するシフトレジスタの各段から転送信号Pi(i=1、・・・、n)が順次出力される。これら転送信号Piは、データ線駆動回路101を構成する例えば論理回路によって整形されて、サンプリング信号Siとして出力される。
画像信号線150の分岐配線部分152を経てサンプリング回路7へ供給される画像信号は、線順次に供給されても構わないが、本実施形態においては、画像信号は、6相にシリアル−パラレル変換(或いはシリアル−パラレル展開)された画像信号の各々に対応して、6本のデータ線6の組に対してグループ毎に供給されるよう構成されている。尚、画像信号の相展開数(即ち、シリアル−パラレル変換される画像信号の系列数)に関しては、6相に限られるものでなく、例えば、9相、12相、24相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線6aの組に対して供給されるよう構成してもよい。
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像信号線の具体的な構成について、図5及び図6を参照して説明する。ここに図5は、本実施形態に係る液晶装置の画像信号線の具体的な構成を示す平面図であり、図6は、図5のA−A’線断面図である。
図5及び図6において、6本の画像信号線150の各々は、データ線6の配列方向(即ちX方向)に延びる本線部分151と、データ線6が延びる方向(即ちY方向)に延びる複数の分岐配線部分152とを有している。
図6に示すように、本線部分151は、TFTアレイ基板10上におけるTFT30よりも上層側に配置された層間絶縁膜42上に、例えばアルミニウム膜等の金属膜から形成されている。
複数の分岐配線部分152は、本線部分151より層間絶縁膜43を介して上層側に配置されており、例えばアルミニウム膜等の金属膜から形成されている。複数の分岐配線部分152の各々は、層間絶縁膜43に開孔されたコンタクトホール81を介して本線部分151と互いに電気的に接続されている。複数の分岐配線部分152の上層側には、層間絶縁膜44が形成されている。尚、TFTアレイ基板10上における画像表示領域10aには、この層間絶縁膜44上に複数の画素電極9がマトリクス状に配列されている(図9参照)。
次に、本実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜について、図7から図10を参照して説明する。ここに図7は、図1に示したC1部分における、本実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜の概略構成を示す平面図である。図8は、本実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜が形成される領域を示す模式図である。図9は、本実施形態に係る液晶装置における、周辺導電膜を含む断面と、画素電極を含む断面とを対比して示す図である。尚、図7において、説明の便宜上、図1を参照して上述した上下導通端子106の図示を省略している。上下導通端子106は、例えば、層間絶縁膜44(図6或いは図9参照)上における所定の位置に、例えばITO膜、Al膜等の導電膜から形成されている。
図7において、TFTアレイ基板10上における周辺領域の一部に、複数の画素電極9と同一の透明導電材料(即ち、ITO膜)又は反射導電材料(即ち、Al膜)から複数の画素電極9と同時にパターニングして形成された周辺導電膜60が、TFTアレイ基板10上で平面的に見て画像信号線150の少なくとも一部とは重ならないように設けられている。尚、周辺導電膜60は、図10を参照して後述するように本体部分61及び接続部分62を有するが、図7では、説明の便宜上、周辺導電膜60の本体部分のみを図示し、接続部分については図示を省略している。
より具体的には、図7及び図8において、周辺導電膜60は、周辺領域のうち、(i)額縁領域53aのうちダミー画素電極9dを含むダミー画素部が設けられている、画像表示領域10aの周囲に沿うダミー画素領域53a1よりも外側(即ちシール領域52a側)に位置する領域53a2、(ii)シール領域52a及び(iii)シール領域52aよりも外側(即ちTFTアレイ基板10の周縁側)に位置するシール外側領域54aのうち、画像信号線150が形成された画像信号線形成領域150a及び外部回路接続端子102aが形成された外部回路接続端子形成領域102aを除く領域に形成されている。ここで、ダミー画素部は、図3を参照して上述した画素電極9を含む画素部500と同様に構成されている。即ち、ダミー画素部は、(i)画素電極9と同一膜から形成される(即ち、画素電極9と同一の導電材料から画素電極9と同時にパターニングされることにより形成される)と共に画素電極9が配列された配列ピッチ(即ち、画素ピッチ)と同一の配列ピッチで配列されたダミー画素電極9dと、(ii)TFT30と同一の積層構造を有しており、ダミー電極9dをスイッチング制御するためのTFTと、(iii)該TFT及びダミー画素電極9dに電気的に接続されると共に蓄積容量70と同一の積層構造を有する蓄積容量とを含んで構成されている。
尚、図7及び図8において、本実施形態では、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、額縁領域53a及びシール領域52aは、所定幅を有する間隙領域610aを隔てて配置されている。言い換えれば、額縁遮光膜53(図1及び図2参照)は、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、シール領域52aと所定幅の間隙を隔てて配置されている。よって、光硬化型接着材料からなるシール材52に対する光照射が額縁遮光膜53によって妨げられるのを低減或いは防止できる。周辺導電膜60は、間隙領域610aにも形成されている。
図9に示すように、周辺導電膜60は、層間絶縁膜44上にITO膜から形成されている。周辺導電膜60は、層間絶縁膜44上に成膜されたITO膜が複数の画素電極9と同時に、例えばエッチング処理等によってパターニングされることにより形成されている。
図10は、本実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜の平面パターンを示す平面図である。
図10に示すように、周辺導電膜60は、複数の画素電極9が配列される画素ピッチと同一の配列ピッチで配列される複数の本体部分61と、該複数の本体部分61のうち互いに隣り合う本体部分61間を繋ぐ接続部分62とを有している。尚、周辺導電膜60は、複数の本体部分61のみからなり、接続部分62を有さないように構成されてもよい。但し、本実施形態の如く、周辺導電膜60が本体部分61及び接続部分62を有することで、周辺導電膜60が、層間絶縁膜44上に成膜されたITO膜に対してエッチング処理が施されることにより形成される際に発生するエッチング残留物を低減できる。
図7及び図8において、本実施形態では特に、上述したように、周辺導電膜60は、TFTアレイ基板10上における周辺領域の一部に、TFTアレイ基板上で平面的に見て画像信号線150の少なくとも一部とは重ならないように設けられている。即ち、周辺導電膜60は、TFTアレイ基板10上における周辺領域のうち画像信号形成領域150aを除く領域に形成されている。
よって、周辺導電膜60と画像信号線150と間の容量性カップリングを殆ど或いは実践上全く発生させることなく、周辺導電膜60を周辺領域の一部に設けることができる。
仮に、何らの対策も施さず、周辺導電膜60が6本の画像信号線150に重なるように設けられる場合には、周辺導電膜60と6本の画像信号線150の各々との間に容量性カップリングが発生する。この容量性カップリングは、例えば周辺導電膜60や画像信号線150の膜厚のTFTアレイ基板10上におけるバラツキ等の製造バラツキによって、画像信号線150毎に異なるおそれがある。従って、例えば、周辺導電膜60及び画像信号線150間の容量性カップリングに起因する画像信号電位の低下が、同一の画像信号線150から同一系列の画像信号が供給されるデータ線6の組(即ち、同一系列のデータ線6)毎に、バラついてしまうおそれがある。このため、例えば、互いに異なる系列の画像信号が供給されるデータ線6毎に、データ線6に沿った表示ムラが発生してしまうおそれがある。
しかるに本実施形態では特に、周辺導電膜60は、TFTアレイ基板10上における周辺領域の一部に、画像信号線150の少なくとも一部とは重ならないように設けられるので、周辺導電膜60と画像信号線150と間の容量性カップリングを殆ど或いは実践上完全に無くすことができ、例えば、互いに異なる系列の画像信号が供給されるデータ線6毎にデータ線6に沿った表示ムラが発生してしまうことを低減或いは防止できる。
更に、図7及び図8において、本実施形態では特に、周辺導電膜60は、TFTアレイ基板10上における額縁領域53aのうちダミー画素領域53a1よりも外側に位置する領域53a2、間隙領域610a及びシール領域52aに、画像表示領域10aの周囲に沿って設けられている。よって、TFTアレイ基板10の表面(即ち、層間絶縁膜440の表面)と画素電極9の表面との段差に起因してラビング処理時に発生し得る、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、周辺導電膜60が形成された領域である領域53a2、間隙領域610a及びシール領域52aに残留し易くできる。即ち、ラビかすが、画像表示領域10a内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
更に加えて、本実施形態では特に、周辺導電膜60は、上述したように、複数の画素電極9と同一の導電材料から複数の画素電極9と同時にパターニングして形成されるので、TFTアレイ基板10上における積層構造の複雑化や製造工程の複雑化を招かない。
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置100によれば、データ線6に沿った表示ムラ等のない高品位な画像を表示可能である。
尚、本実施形態では、周辺導電膜60が、TFTアレイ基板10上における周辺領域のうち、画像信号線形成領域150aを除く領域に形成される場合について説明したが、周辺導電膜60は、周辺領域のうち、画像信号線150の分岐配線部分152が形成された領域を除く領域に形成され、画像信号線10の本線部分151には重なるように形成されてもよい。この場合にも、周辺導電膜60と画像信号線150と間の容量性カップリングを低減でき、例えば、互いに異なる系列の画像信号が供給されるデータ線6毎にデータ線6に沿った表示ムラが発生してしまうことを低減或いは防止できる。但し、周辺導電膜60と画像信号線150と間の容量性カップリングを低減するという観点からは、上述した第1実施形態のように、周辺導電膜60は、画像信号線150の本線部分151及び分岐配線部分152のいずれにも重ならないように形成されることが好ましい。
<電子機器>
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここでは、上述した液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて、図11を参照して説明する。ここに図11は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
<電子機器>
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここでは、上述した液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて、図11を参照して説明する。ここに図11は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
図11に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110B及び1110Gに入射される。
液晶パネル1110R、1110B及び1110Gの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、R及びBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
ここで、各液晶パネル1110R、1110B及び1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110Gによる表示像は、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
尚、液晶パネル1110R、1110B及び1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
尚、図11を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置(LCOS)、プラズマディスプレイ(PDP)、電界放出型ディスプレイ(FED、SED)、有機ELディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、電気泳動装置等にも適用可能である。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
9…画素電極、9d…ダミー画素電極、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、16…配向膜、20…対向基板、21…対向電極、22…配向膜、23…遮光膜、44、43…層間絶縁膜、50…液晶層、52…シール材、52a…シール領域、53…額縁遮光膜、53a…額縁領域、60…周辺導電膜、81…コンタクトホール、102…外部回路接続端子、102a…外部回路接続端子形成領域、150…画像信号線、150a…画像信号線形成領域
Claims (6)
- 第1基板と、
前記第1基板上に配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、画像信号が供給される画像信号線と、
前記周辺領域の一部に、前記第1基板上で平面的に見て前記画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられると共に、前記複数の画素電極と同一の導電材料から前記複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺導電膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。 - 前記画像信号線は、前記画素領域の一辺に沿うように形成された本線部分と、該本線部分より上層側に配置されると共に前記一辺に交わる方向に延びるように形成され、前記本線部分と電気的に接続された分岐配線部分とを有し、
前記周辺導電膜は、少なくとも前記分岐配線部分と重ならないように設けられる
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記周辺導電膜は、前記本線部分及び前記分岐配線部分と重ならないように設けられることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
- 前記画像信号は、シリアル−パラレル変換されたN(但し、Nは2以上の自然数)系列の画像信号であり、
前記画像信号線は、前記N系列の画像信号を夫々供給するためのN本の画像信号線である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記第1基板の前記複数の画素電極が配置されている側に対向配置される第2基板と、
前記第1及び第2基板を、前記画素領域の周囲に沿ったシール領域において互いに貼り合わせるシール材と
を備え、
前記周辺導電膜は、前記周辺領域のうち前記シール領域を含む領域に、前記画素領域の周囲に沿って設けられている部分を有する
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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JP2008227120A JP2010060900A (ja) | 2008-09-04 | 2008-09-04 | 電気光学装置及び備えた電子機器 |
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JP2012088453A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
US20130258263A1 (en) * | 2012-04-02 | 2013-10-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
-
2008
- 2008-09-04 JP JP2008227120A patent/JP2010060900A/ja active Pending
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