JP7477074B2 - バイアス回路及び増幅装置 - Google Patents
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Description
[項目1]
基準電流に基づいて周囲の温度変化が反映された第1補償電流及び第2補償電流を生成する電流生成回路と、
前記第1補償電流に基づいて第1ベースバイアス電流を生成して増幅回路のベースノードに出力する第1温度補償回路と、
前記第2補償電流に基づいて第2ベースバイアス電流を生成して前記増幅回路のベースノードに出力する第2温度補償回路と、を含む、バイアス回路。
[項目2]
前記電流生成回路は、
前記基準電流の端子に接続された一端を有する第1抵抗と、
前記第1抵抗の他端に接続された一端を有する第2抵抗と、
前記第2抵抗の他端と接地との間に接続され、前記増幅回路の増幅トランジスタに電流ミラー構造で接続された温度補償トランジスタと、を含む、項目1に記載のバイアス回路。
[項目3]
前記電流生成回路は、
前記第1抵抗と第2抵抗との間の第1接続ノードにおいて前記第2補償電流を出力し、前記温度補償トランジスタのコレクタに接続された第2接続ノードにおいて前記第1補償電流を出力する、項目2に記載のバイアス回路。
[項目4]
前記温度補償トランジスタは、
前記増幅トランジスタと同一の温度特性を有する、項目2または3に記載のバイアス回路。
[項目5]
前記第1温度補償回路は、
前記第1抵抗と前記第2抵抗との間の第1接続ノードに接続されたベース、電源電圧の端子に接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第1補償トランジスタを含む、項目2から4のいずれか一項に記載のバイアス回路。
[項目6]
前記第1補償トランジスタは、
前記ベースに入力される前記第1補償電流を増幅して前記第1ベースバイアス電流を前記エミッタを介して前記増幅回路のベースノードに出力する、項目5に記載のバイアス回路。
[項目7]
前記第2温度補償回路は、
前記第2抵抗と前記温度補償トランジスタのコレクタとの間の第2接続ノードに接続されたベース、前記第1補償トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第2補償トランジスタを含む、項目5または6に記載のバイアス回路。
[項目8]
前記第2補償トランジスタは、
前記ベースに入力される前記第2補償電流を増幅して前記第2ベースバイアス電流を前記エミッタを介して前記増幅回路のベースノードに出力する、項目7に記載のバイアス回路。
[項目9]
増幅トランジスタを有する増幅回路と、
温度補償されたベースバイアス電流を生成して前記増幅トランジスタのベースノードに出力するバイアス回路と、を含み、
前記バイアス回路は、
基準電流に基づいて周囲の温度変化が反映された第1補償電流及び第2補償電流を生成する電流生成回路と、
前記第1補償電流に基づいて第1ベースバイアス電流を生成して前記増幅トランジスタのベースノードに出力する第1温度補償回路と、
前記第2補償電流に基づいて第2ベースバイアス電流を生成して前記増幅トランジスタのベースノードに出力する第2温度補償回路と、を含む、増幅装置。
[項目10]
前記電流生成回路は、
前記基準電流の端子に接続された一端を有する第1抵抗と、
前記第1抵抗の他端に接続された一端を有する第2抵抗と、
前記第2抵抗の他端と接地との間に接続され、前記増幅回路の増幅トランジスタに電流ミラー構造で接続された温度補償トランジスタと、を含む、項目9に記載の増幅装置。
[項目11]
前記電流生成回路は、
前記第1抵抗と第2抵抗との間の第1接続ノードにおいて前記第1補償電流を出力し、前記温度補償トランジスタのコレクタに接続された第2接続ノードにおいて前記第2補償電流を出力する、項目10に記載の増幅装置。
[項目12]
前記温度補償トランジスタは、
前記増幅トランジスタと同一の温度特性を有する、項目10または11に記載の増幅装置。
[項目13]
前記第1温度補償回路は、
前記第1抵抗と前記第2抵抗との間の第1接続ノードに接続されたベース、電源電圧の端子に接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第1補償トランジスタを含む、項目10から12のいずれか一項に記載の増幅装置。
[項目14]
前記第1補償トランジスタは、
前記ベースに入力される前記第1補償電流を増幅して前記第1ベースバイアス電流を前記エミッタを介して前記増幅回路のベースノードに出力する、項目13に記載の増幅装置。
[項目15]
前記第2温度補償回路は、
前記第2抵抗と前記温度補償トランジスタのコレクタとの間の第2接続ノードに接続されたベース、前記第1補償トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第2補償トランジスタを含む、項目13または14に記載の増幅装置。
[項目16]
前記第2補償トランジスタは、
前記ベースに入力される前記第2補償電流を増幅して前記第2ベースバイアス電流を前記エミッタを介して前記増幅回路のベースノードに出力する、項目15に記載の増幅装置。
20 パワー増幅回路
50 基準電流回路
100 増幅回路
200 デュアル補償バイアス回路
Claims (20)
- 基準電流に基づいて周囲の温度変化が反映された第1補償電流及び第2補償電流を生成する電流生成回路と、
前記第1補償電流を増幅することにより第1ベースバイアス電流を生成して増幅回路のベースノードに出力する第1温度補償回路と、
前記第2補償電流を増幅することにより第2ベースバイアス電流を生成して前記増幅回路のベースノードに出力する第2温度補償回路と、を含み、
前記電流生成回路は、前記基準電流の端子に接続された一端を有する第1抵抗と、前記第1抵抗の他端に接続された一端を有する第2抵抗と、前記第2抵抗の他端と接地との間に接続され、前記増幅回路の増幅トランジスタに電流ミラー構造で接続された温度補償トランジスタとを含み、
前記電流生成回路は、前記第1抵抗と前記第2抵抗との間の第1接続ノードにおいて前記第1補償電流を出力し、前記温度補償トランジスタのコレクタに接続された第2接続ノードにおいて前記第2補償電流を出力し、
周囲の温度変化に応じて、前記増幅トランジスタを介して流れる電流が上昇すると、前記温度補償トランジスタを介して流れる電流が上昇し、前記増幅トランジスタを介して流れる電流が減少すると、前記温度補償トランジスタを介して流れる電流が減少する、
バイアス回路。 - 前記第1温度補償回路は、前記第1接続ノードに接続されたベース、電源電圧の端子に接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第1補償トランジスタを含む、請求項1に記載のバイアス回路。
- 前記第2温度補償回路は、前記第2接続ノードに接続されたベース、前記第1補償トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第2補償トランジスタを含む、請求項2に記載のバイアス回路。
- 基準電流に基づいて周囲の温度変化が反映された第1補償電流及び第2補償電流を生成する電流生成回路と、
前記第1補償電流に基づいて第1ベースバイアス電流を生成して増幅回路のベースノードに出力する第1温度補償回路と、
前記第2補償電流に基づいて第2ベースバイアス電流を生成して前記増幅回路のベースノードに出力する第2温度補償回路と、を含み、
前記電流生成回路は、前記基準電流の端子に接続された一端を有する第1抵抗と、前記第1抵抗の他端に接続された一端を有する第2抵抗と、前記第2抵抗の他端と接地との間に接続され、前記増幅回路の増幅トランジスタに電流ミラー構造で接続された温度補償トランジスタとを含み、
周囲の温度変化に応じて、前記増幅トランジスタを介して流れる電流が上昇すると、前記温度補償トランジスタを介して流れる電流が上昇し、前記増幅トランジスタを介して流れる電流が減少すると、前記温度補償トランジスタを介して流れる電流が減少し、
前記第1温度補償回路は、前記第1抵抗と前記第2抵抗との間の第1接続ノードに接続されたベース、電源電圧の端子に接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第1補償トランジスタを含み、
前記第2温度補償回路は、前記第2抵抗と前記温度補償トランジスタのコレクタとの間の第2接続ノードに接続されたベース、前記第1補償トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第2補償トランジスタを含む、
バイアス回路。 - 前記電流生成回路は、前記第1接続ノードにおいて前記第1補償電流を出力し、前記第2接続ノードにおいて前記第2補償電流を出力する、請求項4に記載のバイアス回路。
- 前記第1補償トランジスタは、前記ベースに入力される前記第1補償電流を増幅して前記第1ベースバイアス電流を前記エミッタを介して前記増幅回路のベースノードに出力する、請求項2から5のいずれか一項に記載のバイアス回路。
- 前記第1接続ノードと接地との間に接続された第1キャパシタをさらに含む、請求項1から6のいずれか一項に記載のバイアス回路。
- 前記第2補償トランジスタは、前記ベースに入力される前記第2補償電流を増幅して前記第2ベースバイアス電流を前記エミッタを介して前記増幅回路のベースノードに出力する、請求項3から5のいずれか一項に記載のバイアス回路。
- 前記温度補償トランジスタのベースと接地との間に接続された第2キャパシタをさらに含む、請求項1から8のいずれか一項に記載のバイアス回路。
- 前記温度補償トランジスタは、前記増幅トランジスタと同一の温度特性を有する、請求項1から9のいずれか一項に記載のバイアス回路。
- 増幅トランジスタを有する増幅回路と、
温度補償されたベースバイアス電流を生成して前記増幅トランジスタのベースノードに出力するバイアス回路と、を含み、
前記バイアス回路は、
基準電流に基づいて周囲の温度変化が反映された第1補償電流及び第2補償電流を生成する電流生成回路と、
前記第1補償電流を増幅することにより第1ベースバイアス電流を生成して前記増幅トランジスタのベースノードに出力する第1温度補償回路と、
前記第2補償電流を増幅することにより第2ベースバイアス電流を生成して前記増幅トランジスタのベースノードに出力する第2温度補償回路と、を含み、
前記電流生成回路は、前記基準電流の端子に接続された一端を有する第1抵抗と、前記第1抵抗の他端に接続された一端を有する第2抵抗と、前記第2抵抗の他端と接地との間に接続され、前記増幅回路の増幅トランジスタに電流ミラー構造で接続された温度補償トランジスタとを含み、
前記電流生成回路は、前記第1抵抗と前記第2抵抗との間の第1接続ノードにおいて前記第1補償電流を出力し、前記温度補償トランジスタのコレクタに接続された第2接続ノードにおいて前記第2補償電流を出力し、
周囲の温度変化に応じて、前記増幅トランジスタを介して流れる電流が上昇すると、前記温度補償トランジスタを介して流れる電流が上昇し、前記増幅トランジスタを介して流れる電流が減少すると、前記温度補償トランジスタを介して流れる電流が減少する、
増幅装置。 - 前記第1温度補償回路は、前記第1接続ノードに接続されたベース、電源電圧の端子に接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第1補償トランジスタを含む、請求項11に記載の増幅装置。
- 前記第2温度補償回路は、前記第2接続ノードに接続されたベース、前記第1補償トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第2補償トランジスタを含む、請求項12に記載の増幅装置。
- 増幅トランジスタを有する増幅回路と、
温度補償されたベースバイアス電流を生成して前記増幅トランジスタのベースノードに出力するバイアス回路と、を含み、
前記バイアス回路は、
基準電流に基づいて周囲の温度変化が反映された第1補償電流及び第2補償電流を生成する電流生成回路と、
前記第1補償電流に基づいて第1ベースバイアス電流を生成して前記増幅トランジスタのベースノードに出力する第1温度補償回路と、
前記第2補償電流に基づいて第2ベースバイアス電流を生成して前記増幅トランジスタのベースノードに出力する第2温度補償回路と、を含み、
前記電流生成回路は、前記基準電流の端子に接続された一端を有する第1抵抗と、前記第1抵抗の他端に接続された一端を有する第2抵抗と、前記第2抵抗の他端と接地との間に接続され、前記増幅回路の増幅トランジスタに電流ミラー構造で接続された温度補償トランジスタとを含み、
周囲の温度変化に応じて、前記増幅トランジスタを介して流れる電流が上昇すると、前記温度補償トランジスタを介して流れる電流が上昇し、前記増幅トランジスタを介して流れる電流が減少すると、前記温度補償トランジスタを介して流れる電流が減少し、
前記第1温度補償回路は、前記第1抵抗と前記第2抵抗との間の第1接続ノードに接続されたベース、電源電圧の端子に接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第1補償トランジスタを含み、
前記第2温度補償回路は、前記第2抵抗と前記温度補償トランジスタのコレクタとの間の第2接続ノードに接続されたベース、前記第1補償トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ、及び前記増幅回路のベースノードに接続されたエミッタを有する第2補償トランジスタを含む、
増幅装置。 - 前記電流生成回路は、前記第1接続ノードにおいて前記第1補償電流を出力し、前記第2接続ノードにおいて前記第2補償電流を出力する、請求項14に記載の増幅装置。
- 前記第1補償トランジスタは、前記ベースに入力される前記第1補償電流を増幅して前記第1ベースバイアス電流を前記エミッタを介して前記増幅回路のベースノードに出力する、請求項12から15のいずれか一項に記載の増幅装置。
- 前記第1接続ノードと接地との間に接続された第1キャパシタをさらに含む、請求項11から16のいずれか一項に記載の増幅装置。
- 前記第2補償トランジスタは、前記ベースに入力される前記第2補償電流を増幅して前記第2ベースバイアス電流を前記エミッタを介して前記増幅回路のベースノードに出力する、請求項13から15のいずれか一項に記載の増幅装置。
- 前記温度補償トランジスタのベースと接地との間に接続された第2キャパシタをさらに含む、請求項11から18のいずれか一項に記載の増幅装置。
- 前記温度補償トランジスタは、
前記増幅トランジスタと同一の温度特性を有する、請求項11から19のいずれか一項に記載の増幅装置。
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