JP6061267B2 - バイアス回路及びこれを用いた増幅器 - Google Patents
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Description
バイアス回路100は、トランジスタPAの入力側に接続され、トランジスタPAのベースにバイアス電圧Vbを与えて動作点を設定する。これにより、設定された動作点を中心として、増幅された信号がトランジスタPAから出力される。以降では、図2を参照しながら、バイアス回路100の詳細な構成について説明する。図2は、バイアス回路100の回路図を示している。
カレントミラー回路U1は、複数のMOSトランジスタを含んで構成され、所望の回路に所望の電流値の電流を供給するための回路である。図2の例では、2つのトランジスタM11及びM12により構成されており、トランジスタM11及びM12として、pMOSトランジスタを用いた場合を示している。
次に、図2を参照しながらトランジスタM30の構成について説明する。なお、図2の例は、トランジスタM30として、nMOSトランジスタを用いた場合を示している。図2に示すように、トランジスタM30のドレインは電源電圧Vbiasに接続されている。なお、このトランジスタM30が、「第3のトランジスタ」に相当する。
ユニットU2は、トランジスタM21及びM22を含んで構成されている。図2に示す例では、トランジスタM21としてnMOSトランジスタを使用し、トランジスタM22としてHBTを使用している。なお、詳細は後述するが、トランジスタM21及びM22の組合せは、図2に示す例に限定されない。また、以降では、図2に示す例に基づき各構成について説明する。なお、このトランジスタM21及びM22のうちの一方が「第1のトランジスタ」に相当し、他方が「第2のトランジスタ」に相当する。
Ids=1/2・μ・Cox・W/L・(Vgs−Vth)2(1+λ・Vds)
ただし、
Ids:ドレイン電流
μ:移動度
Cox:単位面積当たりのゲート酸化膜容量
Vgs:ゲート−ソース間電圧
Vth:閾値電圧
λ:チャネル長変調係数
Vds:ドレイン−ソース間電圧
200 入力側整合回路
300 出力側整合回路
RFin 入力部
RFout 出力部
PA トランジスタ
U1 カレントミラー回路
M11、M12 トランジスタ
U2、U2a ユニット
M21、M21a、M22 トランジスタ
M30 トランジスタ
Claims (5)
- カレントミラー回路と、
制御端子とは異なる他の端子のうちの一方で前記カレントミラー回路のミラー電流を受ける第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタと並列に接続され、制御端子とは異なる他の端子のうちの一方で前記ミラー電流を受ける第2のトランジスタと、
を備え、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとが、ゲート−ソース間電圧、閾値電圧、及び移動度に応じたドレイン電流の温度特性として、互いに反対の温度特性を有し、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのうち、一方のトランジスタは、ヘテロ接合バイポーラトランジスタであり、他方のトランジスタはMOSトランジスタであることを特徴とするバイアス回路。 - 駆動電圧が前記ミラー電流に基づき決定され、バイアス電圧を出力する第3のトランジスタを備え、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタの駆動電圧が、前記バイアス電圧に基づき決定されることを特徴とする請求項1に記載のバイアス回路。 - 前記第3のトランジスタは、制御端子で前記ミラー電流を受け、当該制御端子とは異なる他の端子のうちの一方を出力端子として前記バイアス電圧を出力し、
前記第1のトランジスタの前記制御端子と、前記第2のトランジスタの制御端子とが、前記第3のトランジスタの前記出力端子側に接続されていることを特徴とする請求項2に記載のバイアス回路。 - 前記カレントミラー回路は、複数のpMOSトランジスタにより構成され、
前記第1のトランジスタ及び第2のトランジスタのうちの少なくともいずれかと、前記第3のトランジスタとが、nMOSトランジスタであることを特徴とする請求項3に記載のバイアス回路。 - 増幅用のトランジスタと、
前記増幅用のトランジスタの入力側に設けられ、バイアス電圧を印可するバイアス回路と、
を備え、
前記バイアス回路は、
カレントミラー回路と、
制御端子とは異なる端子のうちの一方で前記カレントミラー回路のミラー電流を受ける第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタと並列に接続され、制御端子とは異なる他の端子のうちの一方で前記ミラー電流を受ける第2のトランジスタと、
を備え、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとが、ゲート−ソース間電圧、閾値電圧、及び移動度に応じたドレイン電流の温度特性として、互いに反対の温度特性を有し、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのうち、一方のトランジスタは、ヘテロ接合バイポーラトランジスタであり、他方のトランジスタはMOSトランジスタであることを特徴とする増幅器。
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