TWI424685B - Ａｂ類運算放大器及輸出級靜態電流控制方法 - Google Patents

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Description

AB類運算放大器及輸出級靜態電流控制方法
本發明係指一種AB類運算放大器(operational amplifier，OP)及輸出級靜態電流(output stage quiescent current)控制方法，尤指一種可減少一輸出級靜態電流因製程變異及偏壓改變而變化之AB類運算放大器及輸出級靜態電流控制方法。
輸出級靜態電流係指運算放大器在沒有訊號輸入時之輸出級電流，一般而言需維持於一穩定範圍以滿足系統需求，習知技術往往利用負回授之方式將輸出級靜態電流穩定於一偏壓電流之一特定倍數。
請參考第1圖，第1圖為習知一AB類運算放大器10之示意圖。AB類運算放大器10包含有輸入端Vin-、Vin+、電晶體M1、M2、一電流源102及一比較器104。簡單來說，由於比較器104係以電晶體M1之一閘極電壓Vg1及電晶體M2之一閘極電壓Vg2為輸入電壓，且電晶體M1、M2之源極皆與一系統電壓VDD相接，因此比較器104可進行負回授使電晶體M1之一閘源極電壓差Vgs1及電晶體M2之一閘源極電壓差Vgs2相等。如此一來，當輸入端Vin-、Vin+無訊號輸入時，一輸出級靜態電流IQ與電流源102所供應之一偏壓電流Id2之比例大約等於電晶體M1之一長寬比(W/L ratio)(W/L)1 及電晶體M2之一長寬比(W/L)2 之比例。
詳細來說，一般電晶體之電流可表示為：
其中，為製程變異參數，可用來表示通道長度調變效應(channel length modulation)，即當一汲源極電壓差大於一飽和電壓時，電晶體之一等效長度會小於長度L，使得電流Id增加。
接著，式1經過簡單的運算可得：
由於閘源極電壓Vgs1與閘源極電壓差Vgs2相等，因此輸出級靜態電流IQ與偏壓電流Id2之關係可如下表示：
由於電晶體M2之閘極電壓Vg2與一汲極電壓Vd2相等，根據式3可得：
然而，由於當輸入端Vin-、Vin+無訊號輸入時，電晶體M1之一汲極電壓Vd1(即輸出電壓)為系統電壓VDD之二分之一，因此電晶體M1之一汲源極電壓差Vds1亦為系統電壓VDD之二分之一(約為2.5V)，而閘源極電壓差Vgs2一般來說約為0.8V，如此一來，由式4可知，當系統電壓VDD上升時，汲源極電壓差Vds1會跟著上升，而閘源極電壓差Vgs2維持不變，造成輸出級靜態電流IQ上升。此外，閘源極電壓差Vgs2及製程變異參數　皆會受到製程變異而改變大小，兩者同時變小時，會造成較大的輸出級靜態電流IQ，而兩者同時變大時，會造成較小的輸出級靜態電流IQ，即同一批AB類運算放大器10在相同製程狀況下，其輸出級靜態電流IQ分佈較廣(即統計上來說標準差較大)。
由上述可知，在習知技術中，輸出級靜態電流IQ與偏壓電流Id2之比例並不單純等於長寬比(W/L)1 、(W/L)2 之比例，亦會隨著系統電壓VDD改變(即受通道長度調變效應影響)及製程變異而變化，使得輸出級靜態電流IQ無法維持於穩定範圍。有鑑於此，習知技術實有改進之必要。
因此，本發明之主要目的即在於提供一種AB類運算放大器及輸出級靜態電流控制方法。
本發明揭露一種AB類運算放大器，該AB類運算放大器包含有一第一電晶體，用來產生一第一電流；一第二電晶體，其一第二源極電壓相等於該第一電晶體之一第一源極電壓，用來產生一輸出級靜態電流；以及一輸出級靜態電流控制器，耦接於該第一電晶體之一閘極與一汲極，用來控制該第一電晶體之一第一汲源極電壓差相等於該第二電晶體之一第二汲源極電壓差；其中，該輸出級靜態電流與該第一電流之比例等於該第二電晶體之一第二長寬比與該第一電晶體之一第一長寬比之比例。
本發明另揭露一種輸出級靜態電流控制方法，用於一AB類運算放大器中，該輸出級靜態電流控制方法包含有控制一第一電晶體之一第一汲源極電壓差相等於一第二電晶體之一第二汲源極電壓差；以及利用該第二電晶體產生一輸出級靜態電流；其中，該第二電晶體之一第二源極電壓相等於該第一電晶體之一第一源極電壓，而該輸出級靜態電流與該第一電晶體所產生之一第一電流之比例等於該第二電晶體之一第二長寬比與該第一電晶體之一第一長寬比之比例。
請參考第2圖，第2圖為本發明實施例一AB類運算放大器20之示意圖。AB類運算放大器20包含有輸入端Vin-‘、Vin+’、電晶體M9、M11、M12、M15、電流源202、204及一輸出級靜態電流控制器206。簡單來說，透過對電晶體M9、M12進行匹配，可使電晶體M11之一閘源極電壓Vgs11及電晶體M15之一閘源極電壓Vgs15相等，而輸出級靜態電流控制器206可使電晶體M11之一汲源極電壓差Vds11等於電晶體M15之一汲源極電壓差Vds15。在此情況下，當輸入端Vin-‘、Vin+’無訊號輸入時，電晶體M15所產生之一輸出級靜態電流IQ’與電晶體M11所產生之一偏壓電流IB4之比例，等於電晶體M15之一長寬比(W/L ratio)(W/L)15 及電晶體M11之一長寬比(W/L)11 之比例，且可減少輸出級靜態電流IQ’因系統電壓VDD改變及製程變異而變化，進而將輸出級靜態電流IQ’維持於一穩定範圍。
詳細來說，由第2圖可知，電晶體M11之閘源極電壓差Vgs11與電晶體M12之一閘源極電壓差Vgs12之和，相等於電晶體M15之閘源極電壓差Vgs15與電晶體M9之一閘源極電壓差Vgs9之和(即Vgs11+Vgs12=Vgs9+Vgs15)，因此透過對電晶體M9、M12進行匹配使閘源極電壓差Vgs12等於閘源極電壓差Vgs9(即Vgs12=Vgs9)，可使閘源極電壓差Vgs11等於閘源極電壓差Vgs15(即Vgs11=Vgs15)，因此可得與式4相似之結果：
此外，由於輸出級靜態電流控制器206可使汲源極電壓差Vds11等於汲源極電壓差Vds15，因此可更進一步簡化式5：
如此一來，由式6可知，輸出級靜態電流IQ’與偏壓電流Id2之比例僅單純等於長寬比(W/L)15 、(W/L)11 之比例，因此輸出級靜態電流IQ’可減少隨系統電壓VDD改變及製程變異而變化，而維持於穩定範圍。
此外，輸出級靜態電流控制器206之操作，請參考第3圖，第3圖為本發明實施例第2圖中輸出級靜態電流控制器206之示意圖。輸出級靜態電流控制器包含有一運算比較器300。運算比較器300之輸入端分別耦接於電晶體M11之一汲極與一參考電壓VREF，因此運算比較器300進行負回授時，其輸出端可透過控制電晶體M11之一閘極電壓Vg11，使電晶體M11之一汲極電壓Vd11等於參考電壓VREF，其中，參考電壓VREF等於系統電壓VDD之二分之一。如此一來，由於當輸入端Vin-‘、Vin+’無訊號輸入時，電晶體M15之一汲極電壓Vd15(即輸出電壓)為系統電壓VDD之二分之一，而電晶體M11之汲極電壓Vd11等於參考電壓VREF亦為系統電壓VDD之二分之一，再加上電晶體M11、M15之源極皆與系統電壓VDD相接，因此電晶體M11之汲源極電壓差Vds11等於電晶體M15之汲源極電壓差Vds15。
關於AB類運算放大器20之改善效果，請參考第4A圖至第4D圖，第4A圖為一AB類運算放大器40之示意圖，第4B圖為第4A圖中同一批AB類運算放大器40之輸出級靜態電流IQ”之分佈示意圖，第4C圖與第2圖中同一批AB類運算放大器20之靜態電流IQ’之分佈示意圖，而第4D圖為第4A圖中輸出級靜態電流IQ”與第2圖中輸出級靜態電流IQ’於不同系統電壓VDD下之示意圖。如第4A圖所示，AB類運算放大器40與AB類運算放大器20大致相似，因此用途相同的元件及訊號沿用相同符號，以求簡潔。AB類運算放大器40與AB類運算放大器20相異之處，在於AB類運算放大器40未包含輸出級靜態電流控制器206，且電晶體M11之閘極與汲極間並未如AB類運算放大器20以一電容CM3隔開，因此汲極電壓Vd11等於閘極電壓Vg11，再加上AB類運算放大器40僅閘源極電壓差Vgs11等於閘源極電壓差Vgs15，而汲源極電壓差Vds11不等於汲源極電壓差Vds15，即運作原理與習知技術之AB類運算放大器10相似，因此其輸出級靜態電流IQ”與式4相同：
因此，由第4B圖及第4C圖可知，相對於未使用輸出級靜態電流控制器206之同一批AB類運算放大器40，由於同一批AB類運算放大器20之輸出級靜態電流IQ’可將受製程變異影響的閘源極電壓Vgs11及製程變異參數　消除，因此不會因為閘源極電壓Vgs11及製程變異參數　同時增加或減小時而大量偏移，所以同一批AB類運算放大器20之輸出級靜態電流IQ’分佈較為集中，相對來說，同一批AB類運算放大器40之輸出級靜態電流IQ”較廣。此外，如第4D圖所示，由於AB類運算放大器20透過使用輸出級靜態電流控制器206使汲源極電壓差Vds11等於汲源極電壓差Vds15，以消除通道長度調變效應影響，因此當系統電壓VDD上升時，輸出級靜態電流IQ’亦較輸出級靜態電流IQ”增加來的少。由上述可知，本發明可減少輸出級靜態電流IQ’因系統電壓VDD改變及製程變異而變化，而將輸出級靜態電流IQ’維持於一穩定範圍。
值得注意的是，本發明之主要精神在於透過輸出級靜態電流控制器206使電晶體M11之汲源極電壓差Vds11等於電晶體M15之汲源極電壓差Vds15，以減少輸出級靜態電流IQ’因系統電壓VDD改變及製程變異而變化。本領域具通常知識者當可依此精神修改或變化而不限於此。舉例來說，使汲極電壓Vd11等於閘極電壓Vg11之方式，除透過對電晶體M9、M12進行匹配外，亦可如習知技術中透過比較器104進行負回授來達成，而不限於此；而輸出級靜態電流控制器206之實現亦不限於第3圖中運算比較器300，只要能達到使電晶體M11之汲源極電壓差Vds11等於電晶體M15之汲源極電壓差Vds15之效果即可；此外，本發明實施例所操作之電晶體M9、M11、M12、M15皆為P型金氧半電晶體，其亦可透過為N型金氧半電晶體之電晶體M10、M13、M14、M16及相對應電流源208、210、一電容CM4與一輸出級靜態電流控制器212來實現，其說明可參考前述，於此不再贅述。
AB類運算放大器20之運作可歸納為一輸出級靜態電流控制流程50，如第5圖所示。輸出級靜態電流控制流程50包含以下步驟：
步驟502：開始。
步驟504：控制電晶體M11之汲源極電壓差Vds11相等於電晶體M15之汲源極電壓差Vds15。
步驟506：利用電晶體M15產生輸出級靜態電流IQ’；其中，輸出級靜態電流IQ’與偏壓電流IB4之比例等於電晶體M15之長寬比(W/L)15 與電晶體M11之長寬比(W/L)11 之比例。
步驟508：結束。
輸出級靜態電流控制流程50可參考前述，在此不予贅述，以求簡潔。
習知AB類運算放大器僅控制電晶體M11閘源極電壓差Vgs11與電晶體M15閘源極電壓差Vgs15相等，因此輸出級靜態電流會隨著系統電壓改變及製程變異而變化，而無法維持於穩定範圍。相較之下，本發明之AB類運算放大器20可透過輸出級靜態電流控制器206，使電晶體M11之汲源極電壓差Vds11等於電晶體M15之汲源極電壓差Vds15，以減少輸出級靜態電流IQ’因系統電壓VDD改變及製程變異而變化。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10、20、40．．．AB類運算放大器
102、202、204、208、210．．．電流源
104．．．比較器
206、212．．．輸出級靜態電流控制器
300．．．運算比較器
50．．．流程
502～508．．．步驟
Vin-、Vin+、Vin-‘、Vin+’．．．輸入端
M1、M2、M9、M10、M11、M12、M13、M14、M15、M16．．．電晶體
CM3、CM4．．．電容
VDD．．．系統電壓
IQ、IQ’、IQ”．．．輸出級靜態電流
Id2、IB2、IB3、IB4、IB5．．．偏壓電流
VREF．．．參考電壓
第1圖為習知一AB類運算放大器之示意圖。
第2圖為本發明實施例一AB類運算放大器之示意圖。
第3圖為本發明實施例第2圖中一輸出級靜態電流控制器之示意圖。
第4A圖為本發明實施例一AB類運算放大器之示意圖。
第4B圖為第4A圖中同一批AB類運算放大器40之輸出級靜態電流IQ”之分佈示意圖。
第4C圖與第2圖中同一批AB類運算放大器20之輸出級靜態電流IQ’之分佈示意圖。
第4D圖為第4A圖中輸出級靜態電流IQ”與第2圖中輸出級靜態電流IQ’於不同系統電壓VDD下之示意圖。
第5圖為本發明實施例之一輸出級靜態電流控制流程之示意圖。
20．．．AB類運算放大器
202、204、208、210．．．電流源
206、212．．．輸出級靜態電流控制器
Vin-‘、Vin+’．．．輸入端
M9、M10、M11、M12、M13、M14、M15、M16．．．電晶體
VDD．．．系統電壓
IQ’．．．輸出級靜態電流
IB2、IB3、IB4、IB5．．．偏壓電流
CM3、CM4．．．電容

Claims (10)

  1. 一種AB類運算放大器(operational amplifier，OP)，包含有：一第一電晶體，用來產生一第一電流；一第二電晶體，其一第二源極電壓相等於該第一電晶體之一第一源極電壓，用來產生一輸出級靜態電流(output stage quiescent current)；以及一輸出級靜態電流控制器，耦接於該第一電晶體之一閘極與一汲極，用來控制該第一電晶體之一第一汲源極電壓差相等於該第二電晶體之一第二汲源極電壓差；其中，該輸出級靜態電流與該第一電流之比例等於該第二電晶體之一第二長寬比(W/L ratio)與該第一電晶體之一第一長寬比之比例；其中，該輸出級靜態電流控制器另包含有一運算放大比較器，用來透過負回授，控制該第一電晶體之一第一汲極電壓相等於該第二電晶體之一第二汲極電壓，該包含有：一第一輸入端，耦接於該第一電晶體之該汲極；一第二輸入端，用來接收一參考電壓，該參考電壓相等於該第二汲極電壓；以及一輸出端，耦接於該第一電晶體之該閘極。
  2. 如請求項1所述之AB類運算放大器，其中該參考電壓與該第二汲極電壓等於一系統電壓之二分之一。
  3. 如請求項1所述之AB類運算放大器，其另包含：一第三電晶體，其一源極耦接於該第二電晶體之一閘極；以及一第四電晶體，其一源極耦接於該第一電晶體之一閘極，及一閘極耦接於該第三電晶體之一閘極；其中，該第一電晶體之一第一閘源極電壓差與該第四電晶體之一第四閘源極電壓差之和，相等於該第二電晶體之一第二閘源極電壓差與該第三電晶體之一第三閘源極電壓差之和。
  4. 如請求項3所述之AB類運算放大器，其中該第三閘源極電壓差相等於該第四閘源極電壓差，而該第一閘源極電壓差相等於該第二閘源極電壓差。
  5. 如請求項3所述之AB類運算放大器，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體皆為P型金氧半電晶體(PMOS)或N型金氧半電晶體(NMOS)。
  6. 一種輸出級靜態電流(output stage quiescent current)控制方法，用於一AB類運算放大器(operational amplifier，OP)中，包含有：控制一第一電晶體之一第一汲源極電壓差相等於一第二電晶體之一第二汲源極電壓差；以及利用該第二電晶體產生一輸出級靜態電流； 其中，該第二電晶體之一第二源極電壓相等於該第一電晶體之一第一源極電壓，而該輸出級靜態電流與該第一電晶體所產生之一第一電流之比例等於該第二電晶體之一第二長寬比(W/L ratio)與該第一電晶體之一第一長寬比之比例；其中，控制該第一電晶體之該第一汲源極電壓差相等於該第二電晶體之該第二汲源極電壓差之步驟，包含有：提供一運算放大比較器，該運算放大比較器之一第一輸入端耦接於該第一電晶體之一汲極，一第二輸入端用來接收相等於該第二電晶體之一第二汲極電壓之一參考電壓，及一輸出端耦接於該第一電晶體之一閘極；以及透過該運算放大比較器之負回授，控制該第一電晶體之一第一汲極電壓相等於該第二電晶體之該第二汲極電壓。
  7. 如請求項6所述之輸出級靜態電流控制方法，其中該參考電壓與該第二汲極電壓等於一系統電壓之二分之一。
  8. 如請求項6所述之輸出級靜態電流控制方法，其另包含：提供一第三電晶體，該第三電晶體之一源極耦接於該第二電晶體之一閘極；以及提供一第四電晶體，該第三電晶體之一源極耦接於該第一電晶體之一閘極，及一閘極耦接於該第三電晶體之一閘極； 其中，該第一電晶體之一第一閘源極電壓差與該第四電晶體之一第四閘源極電壓差之和，相等於該第二電晶體之一第二閘源極電壓差與該第三電晶體之一第三閘源極電壓差之和。
  9. 如請求項8所述之輸出級靜態電流控制方法，其另包含控制該第三閘源極電壓差相等於該第四閘源極電壓差，而該第一閘源極電壓差相等於該第二閘源極電壓差。
  10. 如請求項8所述之輸出級靜態電流控制方法，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體皆為P型金氧半電晶體(PMOS)或N型金氧半電晶體(NMOS)。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8294518B2 (en) * 2010-09-03 2012-10-23 Broadcom Corporation Class-AB/B amplifier and quiescent control circuit for implementation with same
RU2651221C1 (ru) * 2017-05-31 2018-04-18 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Дифференциальный усилитель токов
CN109347446A (zh) * 2018-10-26 2019-02-15 上海海栎创微电子有限公司 一种基于运算放大器采样控制底噪的ab类放大器
US10666248B1 (en) * 2019-04-18 2020-05-26 Hrl Laboratories, Llc Circuit and method for biasing transistor
CN110380698B (zh) * 2019-08-30 2023-05-12 广东工业大学 一种线性放大器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090002070A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus to control rail-to-rail class ab amplifiers

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6150883A (en) * 1999-07-22 2000-11-21 Burr-Brown Corporation Rail-to-rail input/output operational amplifier and method
US6556081B2 (en) 2000-12-15 2003-04-29 Texas Instruments Incorporated Single-ended, ultra low voltage class AB power amplifier architecture having a common-mode feedback quiescent current control circuit
US7304538B2 (en) * 2004-06-21 2007-12-04 Broadcom Corporation Accurate quiescent current control scheme in floating controlled class AB amplifier
KR100770731B1 (ko) * 2006-08-09 2007-10-30 삼성전자주식회사 레일-투-레일 에이비급 증폭기
US7898330B2 (en) * 2009-04-21 2011-03-01 Number 14 B.V. Class AB amplifier systems

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090002070A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus to control rail-to-rail class ab amplifiers

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