TWI685732B - 電壓調節器裝置 - Google Patents

電壓調節器裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI685732B
TWI685732B TW108100268A TW108100268A TWI685732B TW I685732 B TWI685732 B TW I685732B TW 108100268 A TW108100268 A TW 108100268A TW 108100268 A TW108100268 A TW 108100268A TW I685732 B TWI685732 B TW I685732B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transistor
terminal
coupled
circuit
output
Prior art date
Application number
TW108100268A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201933022A (zh
Inventor
陳冠鈞
樓志宏
Original Assignee
聯發科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 聯發科技股份有限公司 filed Critical 聯發科技股份有限公司
Publication of TW201933022A publication Critical patent/TW201933022A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI685732B publication Critical patent/TWI685732B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/613—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in parallel with the load as final control devices
    • G05F1/614—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in parallel with the load as final control devices including two stages of regulation, at least one of which is output level responsive
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/563—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices including two stages of regulation at least one of which is output level responsive, e.g. coarse and fine regulation
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/618—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series and in parallel with the load as final control devices
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/468—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc characterised by reference voltage circuitry, e.g. soft start, remote shutdown

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

提供了一種電壓調節器裝置，其包括：運算放大器，其第一輸入端子耦接到第一參考電壓；第一電阻器，其第一端子耦接到運算放大器的第二輸入端子；第二電阻器，其耦接在第一電阻器的第一端子和地電平之間；驅動電晶體，其控制端子耦接到運算放大器的輸出端子，其第一端子耦接到第一電阻器的第二端子；放大器電路，耦接至運算放大器的輸出端子，用於感測電壓調節器裝置的輸出電壓，以一增益對感測的電壓放大，以調節輸出電路的第一電晶體；輸出電路，其第一電晶體的控制端子由放大器電路控制，在第一電晶體的第一端子處生成輸出電壓。

Description

電壓調節器裝置
本發明的實施例總體上涉及電壓調節器(voltage regulator)領域，更具體地，涉及可提供低壓差(low dropout)以及高電源抑制比和高迴路增益的電壓調節器裝置。
隨著先進技術的發展，電源(power supply)電壓位準被設計為越來越小。例如，電源電壓位準可以被設計成略高於電晶體組件的閾值電壓。這種較小的電源電壓位準帶來的問題是難以設計低壓差(low dropout)電壓調節器。另外，另一個問題是低壓差電壓調節器的效率會變差。難以設計具有高電源抑制能力的低壓差穩壓器。
因此，本發明需要一種電壓調節器裝置的解決方案，能提供低壓差(low dropout，LDO)、高電源抑制(power supply rejection，PSR)能力以及高迴路增益，以解決上述問題。
本發明的實施例提供了一種電壓調節器裝置，該電壓調節器裝置包括：運算放大器、第一電阻器、第二電阻器、驅動電晶體、放大器電路和輸出電路。運算放大器具有耦接到第一參考電壓的第一輸入端子、第二輸入端子和輸出端子。第一電阻器具有耦接到運算放大器的第二輸入端子的第一端子。第二電阻器耦接在第一電阻器的第一端子和地電平之間。驅動電晶體具有耦接到運算放大器的輸出端子的控制端子和耦接到第一電阻器的第二端子的第一端 子。放大器電路耦接至運算放大器的輸出端子，被配置為感測電壓調節器裝置的輸出電壓，以一增益對感測的電壓進行放大，以調節輸出電路的第一電晶體。輸出電路具有第一電晶體，所述第一電晶體的控制端子由放大器電路控制，其中輸出電壓在第一電晶體的第一端子處生成。
本發明的電壓調節器裝置中通過放大器電路形成額外的回饋電路迴路，基於輸出電壓調節輸出電路的電晶體，能夠增強整個系統的增益以及提供改善的/更好的電源抑制比率性能。
100‧‧‧電壓調節器裝置
105‧‧‧運算放大器
110‧‧‧核心級電路
115‧‧‧放大器電路
120‧‧‧輸出電路
115A、115B‧‧‧阻抗單元
200、300、500‧‧‧實現電路
400‧‧‧電壓調節器裝置
405‧‧‧運算放大器
410‧‧‧核心級電路
415‧‧‧放大器電路
420‧‧‧輸出電路
在流覽了下文的具體實施方式和相應的附圖後，本領域習知技藝者將更容易理解上述本發明的目的和優點。
第1圖是根據本發明實施例的電壓調節器裝置的簡化圖。
第2圖是根據本發明第一實施例的基於第1圖中裝置的設計的實現電路的電路圖。
第3圖是根據本發明第二實施例的基於第1圖的電壓調節器裝置的實現電路的電路圖。
第4圖是根據本發明第三實施例的裝置的電路圖。
第5圖是根據本發明第四實施例的基於第1圖的電壓調節器裝置的實現電路的電路圖。
本發明旨在提供一種電壓調節器裝置的解決方案，其可提供低壓差(low dropout，LDO)、良好/更好的線路調節(更穩定的輸出電壓)、高電源抑制(power supply rejection，PSR)能力或高電源抑制比率(power supply rejection ratio，PSRR)、以及高迴路增益。所提供的電壓調節器裝置適用於需要非常低壓差電壓、較低電源電壓和超高電源雜訊抑制的應用，例如射頻電路(但不限於此)。為了實現這一點，採用特定的放大器電路/迴路，並將其插入至運算放大器的輸出端子與輸出級電路/分支之間，該特定的放大器電路/迴路包括由共源放大器跟隨著的共閘(common gate)放大器。此外，所提供的電壓調節器裝置還實現了較低的信號雜訊和更寬的頻寬。
第1圖是根據本發明實施例的電壓調節器裝置100的簡化圖。電壓調節器裝置100包括運算放大器(OP)105、第一電阻器R1、第二電阻器R2、核心級電路110、放大器電路115和輸出電路120(或稱為輸出分支電路)。
OP 105具有耦接到第一參考電壓VREF的第一輸入端子(例如，非負輸入節點)、諸如負輸入節點的第二輸入端子、以及輸出端子。OP 105由電壓位準VDDH供電。第一電阻器R1具有耦接到OP 105的第二輸入端子的第一端子。第二電阻器R2耦接在第一電阻器R1和地電平GND之間。
核心級電路110耦接在OP 105和放大器電路115之間。核心級電路110至少包括驅動電晶體M1，驅動電晶體M1具有耦接到OP 105的輸出端子的控制端子(例如，閘極)和耦接到第一電阻器R1的第二端子的第一端子(例如，源極)。
放大器電路115耦接在OP 105的輸出端子和輸出電路120之間。放大器電路115被配置為感測電壓調節器裝置100的輸出電壓VOUT，以特定增益對所感測的電壓進行放大，從而調節輸出電路120的特定電晶體M6。放大器電路115被設置為形成額外的回饋電路迴路，以基於輸出電壓VOUT產生控制信號對特定電晶體M6進行控制，從而提供迴路以增強整個系統的增益以及提供改善的/更好的電源抑制比率(power supply rejection ratio，PSRR)性能。
輸出電路120耦接到放大器電路115，並且至少包括特定電晶體M6，特定電晶體M6具有由放大器電路115控制的控制端子(例如，閘極)。輸出電壓 VOUT在特定電晶體M6的第一端子(例如，源極)處產生。
應當注意，放大器電路115可以控制提供至輸出電路120內的特定電晶體M6的閘極處的電壓位準，以提供/增加另一個迴路增益，從而即使當輸出電路120內包括的功率電晶體(第1圖中未示出)進入並操作在三極體區域中時，也能夠提升整體迴路增益；這種功率電晶體被配置為耦接在特定電晶體M6和電壓位準VDDH之間。與此相比，由於功率電晶體進入三極體區域，傳統電壓調節器的整體增益將降低。
第2圖是根據本發明第一實施例的基於第1圖中裝置100的設計的實現電路200的電路圖。核心級電路110例如包括電流源I1、電晶體M2、電晶體M7、電流源I6、以及驅動電晶體M1、電阻器R和電容器C。偏置電壓位準VB1耦接到電晶體M2的閘極。電晶體M7的閘極耦接在電流源I1和電晶體M2的漏極之間，電晶體M7的源極耦接到電源電壓位準VDDH。電晶體M2的源極耦接到位於阻抗單元/電路(例如電流源I6，但不限於)與電晶體M1的漏極之間的中間節點。電流源I6耦接在地電平和驅動電晶體M1的漏極之間。電晶體M1的源極耦接到電阻器R1的一端和電晶體M7的漏極，並且在電晶體M1的源極，即電晶體M7的漏極處生成電壓位準VREF2。
放大器電路115包括電晶體M3、阻抗單元115A、電晶體M4和阻抗單元115B。阻抗單元115A和115B例如分別通過使用電流源I2和I3來實現。在其他實施例中，阻抗單元115A和115B可以分別由電阻器、電流源和二極體中的一個來實現。這些修改都屬於本發明的範圍。電晶體M3和電流源I2形成為共閘放大器電路，電晶體M4和電流源I3形成為共源放大器電路。
輸出電路120包括電流源I4、電晶體M5、特定電晶體M6、功率電晶體(即驅動電流電晶體)MP以及阻抗單元/電路(例如電流源I5，但不限於此)，其中功率電晶體MP可以通過使用PMOS電晶體(但不限於此)實現。裝置200的 輸出電壓VOUT在電晶體M6的源極，即功率電晶體MP的漏極處產生。電流源I5耦接在電晶體M6的漏極和地電平之間。
電晶體M3的閘極連接到電壓VREF3，其用作電晶體M3的公共電壓(common voltage)。輸出電壓VOUT用作電晶體M3的輸入，電晶體M3在其漏極端子處放大並輸出輸出信號。
電晶體M4的閘極耦接到電晶體M3的漏極，電晶體M4的源極耦接到地電平。電晶體M4用作跨導(transconductance)放大器，在其漏極端子處提供輸出信號，以控制電晶體M6(即輸出電路120的特定電晶體)的閘極。
通過電晶體M1和M3的器件匹配(device matching)和操作點(operation point)匹配，輸出電壓VOUT可以被調節為等效或接近電壓位準VREF2，如下式所示：
Figure 108100268-A0305-02-0008-11
由於放大器電路115插在核心級電路110和輸出電路120之間並形成另一個電路迴路，該電路迴路被設置為執行回饋控制以使用輸出電壓VOUT來控制電晶體M6的閘極，這顯著改善/增強了整個裝置100的迴路增益以及保持了更好的PSRR性能。注意，由OP 105和電阻器R1/R2引起的雜訊不會影響或傳播到裝置100/200的輸出電壓VOUT。
應當注意，在實際實現中，由電流源I6實現的阻抗單元和由電流源I2實現的阻抗單元是匹配的器件，從而能更精確地控制偏置電壓。但是，這不是對本發明的限制。在其他實施例中，電流源I6可以由電阻器代替。另外，電流源I5可以由另一個不同的電阻器代替。這種修改也屬於本發明的範圍。
或者，在一個實施例中，電阻器R和電容器C可以是可選的。在其他實施例中，核心級電路110可以不包括電阻器R和電容器C。也就是說，OP 105的輸出端子可以直接耦接到電晶體M3的閘極。這種修改也屬於本發明的範圍。
可選地，在其他實施例中，功率電晶體MP可以通過使用NMOS電晶體來實現。第3圖是根據本發明第二實施例的基於第1圖的電壓調節器裝置100的實現電路300的電路圖。在該實施例中，核心級電路110例如包括電流源I1、電晶體M2、NMOS電晶體M7、電流源I6、以及驅動電晶體M1、電阻器R和電容器C。電晶體M2的閘極耦接到驅動電晶體M1的漏極，電流源I6耦接在電晶體M2的閘極和地電平之間，以提供電流I6。電晶體M2的源極耦接到地電平，電晶體M2的漏極耦接到電晶體M7的閘極。另外，輸出電路120包括電流源I4、電晶體M5、電流源I5、特定電晶體M6和功率電晶體MP(即驅動電流電晶體)，其中功率電晶體MP通過使用NMOS電晶體(但不限於此)實現。裝置300的輸出電壓VOUT在電晶體M6的源極，即功率電晶體MP的源極處生成。此外，第3圖中的功率電晶體MP的漏極耦接到稍低(slightly lower)的電源電壓位準VDDL。
在其他實施例中，因應於核心級電路的不同設計，放大器電路也可以具有略微不同的電路設計。第4圖是根據本發明第三實施例的裝置400的電路圖。電壓調節器裝置400包括運算放大器(OP)405、第一電阻器R1、第二電阻器R2、核心級電路410、放大器電路415和輸出電路420(或稱為輸出分支電路)。
OP 405具有耦接到第一參考電壓VREF的第一輸入端子(例如，非負輸入節點)、諸如負輸入節點的第二輸入端子、以及輸出端子。第一電阻器R1的第一端子耦接到OP 405的第二輸入端子。第一電阻器R1的第二端子耦接到包括在核心級電路410內的驅動電晶體的一端。第二電阻器R2耦接在第一電阻器R1和地電平之間。
核心級電路410耦接在OP 405和放大器電路415之間。核心級電路410至少包括上述驅動電晶體M8，其中驅動電晶體M8具有耦接到OP 405的輸出端子的控制端子(例如，閘極)、耦接到第一電阻器R1的第二端子的第一端子(例如，源極)、以及耦接到核心級電路410內的電流源I7的第二端子(例如，漏極)。
此外，在該示例中，核心級電路410還包括電晶體M9、電流源I8、電晶體M2、電流源I1、電晶體M1、電晶體M7、諸如電阻器RS1的阻抗單元、電阻器R和電容器C。電流源I7耦接在電壓位準VDDH和驅動電晶體M8的漏極之間，以提供流過驅動電晶體M8的電流I7。電晶體M9具有耦接到驅動電晶體M8的漏極的閘極、耦接到電源電壓位準VDDH的源極、以及耦接到電流源I8的漏極，電流源I8被設置為提供流經電晶體M9的電流I8。電晶體M2具有耦接到偏置電壓VB1的閘極、耦接到電阻器RS1的一端的源極、以及耦接到電流源I1的漏極，電流源I1被設置為提供流經電晶體M2的電流I1。電晶體M7的閘極耦接到電晶體M2的漏極，源極耦接到電源電壓位準VDDH，漏極耦接到電晶體M1的源極。電晶體M1的閘極耦接到電晶體M9的漏極，源極耦接到電晶體M7的漏極，漏極耦接到電阻器RS1的一端。電阻器RS1耦接在電晶體M1和地電平之間。
此外，電阻器R耦接在OP 405的輸出端子與電容器C的第一端之間，其中電容器C耦接在電阻器R的一端與地電平之間。電壓VREF3在核心級電路410的輸出節點處，即電容器C的第一端處產生。應當注意，在其他實施例中，電阻器R和電容器C可以是可選的。也就是說，在其他實施例中，OP 405的輸出端子可以直接耦接到包括在放大器電路415內的電晶體M3的閘極。
放大器電路415耦接在OP 405的輸出端子和輸出電路420之間。放大器電路415被配置為感測電壓調節器裝置400的輸出電壓VOUT，以特定增益對所感測的電壓進行放大，以調節輸出電路420的特定電晶體M6。放大器電路415用於形成至少一個回饋電路迴路以控制特定電晶體M6，從而提供迴路增益以提升整個系統的增益以及提供改善的/更好的電源抑制比率(power supply rejection ratio，PSRR)性能。
輸出電路420的操作和功能類似於輸出電路120的操作和功能，並且為了簡潔起見未詳細說明。輸出電路420包括例如電阻器RS2的阻抗單元。
放大器電路415包括電晶體M3、電流源I2、電晶體M4和電流源I3。在其他實施例中，電流源I2和I3中的每一個均可以由電阻器、二極體或另一不同的阻抗單元/組件實現。這種修改也屬於本發明的範圍。電晶體M3和電流源I2形成為共閘放大器電路，電晶體M4和電流源I3形成為共源放大器電路。
功率電晶體(即，驅動電流電晶體)MP由PMOS電晶體實現。電壓調節器裝置400的輸出電壓VOUT在電晶體M6的源極，即功率電晶體MP的漏極處生成。
電晶體M3的閘極連接到電壓VREF3，電壓VREF3用作電晶體M3的公共電壓。輸出電壓VOUT用作電晶體M3的輸入，電晶體M3在其漏極端子處放大並輸出輸出信號。電晶體M4的閘極耦接到電晶體M3的漏極，電晶體M4的源極耦接到電壓位準VDDH。電晶體M4用作跨導(Transcondutance)放大器，以在其漏極端子處提供輸出信號，以控制電晶體M6的閘極(即，輸出電路420的特定電晶體)。
通過電晶體M8和M3的器件匹配和操作點匹配，輸出電壓VOUT可以被調節為等效或接近電壓位準VREF2，如下式所示：
Figure 108100268-A0305-02-0011-12
由於放大器電路415形成另一電路迴路，因此能夠執行回饋控制以使用輸出電壓VOUT來控制特定電晶體M6的閘極，從而顯著改善/提升整個裝置400的迴路增益並保持更好的PSRR性能。
可選地，在其他實施例中，功率電晶體MP可以通過使用NMOS電晶體來實現。第5圖是根據本發明第四實施例的基於第1圖的電壓調節器裝置100的實現電路500的電路圖。在該實施例中，核心級電路410例如包括電流源I7、電晶體M1、電晶體M9、電流源I8、電流源I1、電晶體M2、電晶體M1、諸如電流源I6的阻抗單元、以及驅動電晶體M8、電阻器R和電容器C。電晶體M2的閘極耦 接到電晶體M1的漏極，並且電流源I6耦接在電晶體M2的閘極和地電平之間以提供電流I6。電晶體M2的源極耦接到地電平，電晶體M2的漏極耦接到電晶體M7的閘極。另外，輸出電路420包括電流源I4、電晶體M5、諸如電流源I5的阻抗單元、特定電晶體M6、以及通過使用NMOS電晶體(但不限此)實現的功率電晶體(即，驅動電流電晶體)MP。裝置500的輸出電壓VOUT在電晶體M6的源極處，即功率電晶體MP的源極處產生。此外，第5圖中的功率NMOS電晶體MP的漏極可以耦接到稍低的電源電壓位準VDDL。
本領域習知技藝者將容易地觀察到，可以在保留本發明的教導的同時對裝置和方法進行多種修改和更改。因此，上述公開內容應被解釋為僅受所附申請專利範圍的範圍和界限的限制。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100‧‧‧電壓調節器裝置
105‧‧‧運算放大器
110‧‧‧核心級電路
115‧‧‧放大器電路
120‧‧‧輸出電路

Claims (9)

  1. 一種電壓調節器裝置，包括：運算放大器，具有耦接到第一參考電壓的第一輸入端子、第二輸入端子和輸出端子；第一電阻器，具有耦接到所述運算放大器的第二輸入端子的第一端子；第二電阻器，耦接在所述第一電阻器的第一端子和地電平之間；驅動電晶體，具有耦接到所述運算放大器的輸出端子的控制端子和耦接到所述第一電阻器的第二端子的第一端子；放大器電路，其輸入端耦接至所述運算放大器的輸出端子，被配置為感測所述電壓調節器裝置的輸出電壓，以一增益對感測的電壓進行放大，以調節輸出電路的第一電晶體；以及所述輸出電路，具有所述第一電晶體，所述第一電晶體的控制端子由所述放大器電路控制，其中所述輸出電壓在所述第一電晶體的第一端子處生成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電壓調節器裝置，其中，所述放大器電路包括：第二電晶體，具有耦接到所述運算放大器的輸出端子的控制端子、耦接到所述輸出電壓的第一端子、以及耦接到第一阻抗單元的第二端子；所述第一阻抗單元，耦接在所述第二電晶體和第二參考電壓位準之間；其中，根據所述第二電晶體和所述第一阻抗單元之間的中間節點處的信號控制所述輸出電路的所述第一電晶體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的電壓調節器裝置，其中，所述第二參考電壓位準是地電平或者電源電壓位準。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的電壓調節器裝置，其中，所述第二電晶體的第一端子是源極端子，所述第二電晶體的第二端子是漏極端子，所述第二電晶體和所述第一阻抗單元作為共閘放大器。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電壓調節器裝置，其中，所述第一阻抗單元是電流源電路、電阻器電路和二極體其中之一。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的電壓調節器裝置，其中，所述放大器電路還包括：第三電晶體，具有耦接到所述第二電晶體和所述第一阻抗單元之間的中間節點的控制端子、耦接到所述第二參考電壓位準的第一端子、以及耦接到第二阻抗單元的第二端子；所述第二阻抗單元，耦接在所述第三電晶體與所述輸出電壓、地電平其中之一之間；其中，根據在所述第三電晶體和所述第二阻抗單元之間的中間節點處生成的信號來控制所述輸出電路的所述第一電晶體。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的電壓調節器裝置，其中，所述第二參考電壓位準是地電平或者電源電壓位準。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的電壓調節器裝置，其中，所述第三電晶體的第一端子是源極端子，所述第三電晶體的第二端子是漏極端子，所述第三電晶體和所述第二阻抗單元作為共源放大器。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的裝置，其中，所述第二阻抗單元是電流源電路、電阻器電路和二極體其中之一。
TW108100268A 2018-01-30 2019-01-04 電壓調節器裝置 TWI685732B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862623584P 2018-01-30 2018-01-30
US62/623,584 2018-01-30
US16/181,350 2018-11-06
US16/181,350 US10579084B2 (en) 2018-01-30 2018-11-06 Voltage regulator apparatus offering low dropout and high power supply rejection

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201933022A TW201933022A (zh) 2019-08-16
TWI685732B true TWI685732B (zh) 2020-02-21

Family

ID=64556804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108100268A TWI685732B (zh) 2018-01-30 2019-01-04 電壓調節器裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10579084B2 (zh)
EP (1) EP3518070B1 (zh)
CN (1) CN110096086B (zh)
TW (1) TWI685732B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10581420B2 (en) * 2018-07-20 2020-03-03 Nanya Technology Corporation Semiconductor device
US11442482B2 (en) * 2019-09-30 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low-dropout (LDO) regulator with a feedback circuit
FR3102581B1 (fr) 2019-10-23 2021-10-22 St Microelectronics Rousset Régulateur de tension
FR3102580B1 (fr) * 2019-10-23 2021-10-22 St Microelectronics Rousset Régulateur de tension
US11316420B2 (en) * 2019-12-20 2022-04-26 Texas Instruments Incorporated Adaptive bias control for a voltage regulator
US11526186B2 (en) * 2020-01-09 2022-12-13 Mediatek Inc. Reconfigurable series-shunt LDO
TWI795870B (zh) * 2020-11-06 2023-03-11 大陸商廣州印芯半導體技術有限公司 影像感測器以及影像感測方法
TWI801922B (zh) * 2021-05-25 2023-05-11 香港商科奇芯有限公司 電壓調節器
FR3129226A1 (fr) * 2021-11-18 2023-05-19 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Régulateur de tension

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102239457A (zh) * 2008-12-09 2011-11-09 高通股份有限公司 具有宽带宽供电抑制比的低压差调压器
CN102298407A (zh) * 2010-06-28 2011-12-28 中国人民解放军国防科学技术大学 基于电流控制环路的低输出电压快速响应ldo电路
US8159207B2 (en) * 2008-01-11 2012-04-17 Texas Instruments Incorporated Low drop voltage regulator with instant load regulation and method
CN104181972A (zh) * 2014-09-05 2014-12-03 电子科技大学 一种具有高电源抑制比特性的低压差线性稳压器
CN104317349A (zh) * 2014-11-07 2015-01-28 圣邦微电子（北京）股份有限公司 一种提高低压差线性稳压器电源抑制比的方法和电路

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7728459B2 (en) * 2006-05-02 2010-06-01 Mediatek Inc. Power supply for real-time clock generation
EP2031476B1 (en) * 2007-08-30 2011-01-26 austriamicrosystems AG Voltage regulator and method for voltage regulation
US8154263B1 (en) * 2007-11-06 2012-04-10 Marvell International Ltd. Constant GM circuits and methods for regulating voltage
CN101458537B (zh) * 2007-12-11 2011-11-02 上海华虹Nec电子有限公司 电压调整器电路及电阻偏差补偿方法
CN101833346A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 复旦大学 一种精度和电源抑制比增强的低压差线性稳压器
KR101685389B1 (ko) * 2010-10-08 2016-12-20 삼성전자주식회사 스마트 카드
US8648580B2 (en) 2010-12-08 2014-02-11 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Regulator with high PSRR
US8841893B2 (en) * 2010-12-16 2014-09-23 International Business Machines Corporation Dual-loop voltage regulator architecture with high DC accuracy and fast response time
CN102364407B (zh) * 2011-09-20 2013-06-26 苏州磐启微电子有限公司 一种低压差线性稳压器
US9753473B2 (en) * 2012-10-02 2017-09-05 Northrop Grumman Systems Corporation Two-stage low-dropout frequency-compensating linear power supply systems and methods
US20140266088A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Voltage regulator circuit with controlled voltage variation
CN103279163B (zh) * 2013-06-03 2016-06-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 高电源电压抑制比无片外电容低压差调节器
US9395730B2 (en) 2013-06-27 2016-07-19 Stmicroelectronics International N.V. Voltage regulator
CN104615181B (zh) * 2013-11-05 2016-06-22 智原科技股份有限公司 电压调节器装置与相关方法
US9239584B2 (en) * 2013-11-19 2016-01-19 Tower Semiconductor Ltd. Self-adjustable current source control circuit for linear regulators
EP2919088B1 (en) * 2014-03-13 2019-05-08 Dialog Semiconductor (UK) Limited Method and circuit for improving the settling time of an output stage
EP3026816B1 (en) 2014-11-26 2017-11-15 Nxp B.V. A low-pass filter
US9715245B2 (en) * 2015-01-20 2017-07-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Circuit for generating an output voltage and method for setting an output voltage of a low dropout regulator
CN107526388B (zh) * 2016-06-22 2018-10-30 上海和辉光电有限公司 低压差线性稳压器
US10001797B2 (en) 2016-07-25 2018-06-19 Sandisk Technologies Llc Space and power-saving multiple output regulation circuitry
CN106444949A (zh) * 2016-12-16 2017-02-22 电子科技大学 一种低噪声，快速启动的低压差线性稳压器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8159207B2 (en) * 2008-01-11 2012-04-17 Texas Instruments Incorporated Low drop voltage regulator with instant load regulation and method
CN102239457A (zh) * 2008-12-09 2011-11-09 高通股份有限公司 具有宽带宽供电抑制比的低压差调压器
CN102298407A (zh) * 2010-06-28 2011-12-28 中国人民解放军国防科学技术大学 基于电流控制环路的低输出电压快速响应ldo电路
CN104181972A (zh) * 2014-09-05 2014-12-03 电子科技大学 一种具有高电源抑制比特性的低压差线性稳压器
CN104317349A (zh) * 2014-11-07 2015-01-28 圣邦微电子（北京）股份有限公司 一种提高低压差线性稳压器电源抑制比的方法和电路

Also Published As

Publication number Publication date
EP3518070B1 (en) 2023-01-04
US20190235543A1 (en) 2019-08-01
US10579084B2 (en) 2020-03-03
TW201933022A (zh) 2019-08-16
CN110096086B (zh) 2020-10-30
EP3518070A1 (en) 2019-07-31
CN110096086A (zh) 2019-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI685732B (zh) 電壓調節器裝置
US10481625B2 (en) Voltage regulator
JP6805259B2 (ja) 改善された電源除去を有する低ドロップアウト電圧レギュレータ
TWI413881B (zh) 線性穩壓器及其電流感測電路
US7218087B2 (en) Low-dropout voltage regulator
TWI476557B (zh) 低壓降電壓調節器及其方法
TWI381639B (zh) 參考緩衝電路
JP6545692B2 (ja) バッファ回路および方法
JP2015141720A (ja) 低ドロップアウト電圧レギュレータおよび方法
US8476967B2 (en) Constant current circuit and reference voltage circuit
WO2019104467A1 (zh) 稳压器以及电源
CN111176358B (zh) 一种低功耗低压差线性稳压器
CN111290467B (zh) 工艺补偿的增益提升电压调节器
TW201821925A (zh) 穩壓器
JP2008288900A (ja) 差動増幅器
JP2020004032A (ja) ボルテージレギュレータ
US10637344B2 (en) Voltage regulator
KR20140102603A (ko) 센서 회로
TWI573005B (zh) 低壓降穩壓器和包含低壓降穩壓器之輸出緩衝器
US9541934B2 (en) Linear regulator circuit
JP2007094800A (ja) 基準電圧発生回路
KR100915151B1 (ko) 노이즈에 강한 기준 전압 발생 회로
JP2015204491A (ja) 電圧電流変換回路および電源回路
TWI792835B (zh) 穩壓電路與其中的多級放大電路
JP2023095124A (ja) オペアンプ